JP2011088756A - 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板 - Google Patents

低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2011088756A
JP2011088756A JP2009241100A JP2009241100A JP2011088756A JP 2011088756 A JP2011088756 A JP 2011088756A JP 2009241100 A JP2009241100 A JP 2009241100A JP 2009241100 A JP2009241100 A JP 2009241100A JP 2011088756 A JP2011088756 A JP 2011088756A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
substrate
sio
bao
low
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009241100A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoya Yokoyama
智哉 横山
Yuzo Kawada
裕三 川田
Akira Baba
彰 馬場
Hirotsugu Kawakami
弘倫 川上
Isao Kato
功 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2009241100A priority Critical patent/JP2011088756A/ja
Priority to KR1020100096724A priority patent/KR101188770B1/ko
Priority to CN2010105090699A priority patent/CN102040375A/zh
Priority to EP10187362A priority patent/EP2325150A1/en
Priority to US12/906,336 priority patent/US8231961B2/en
Publication of JP2011088756A publication Critical patent/JP2011088756A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/195—Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261—Milling
    • C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62685—Treating the starting powders individually or as mixtures characterised by the order of addition of constituents or additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3272—Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/341—Silica or silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/66—Forming laminates or joined articles showing high dimensional accuracy, e.g. indicated by the warpage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

【課題】ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料には、これを原料として多層セラミック基板を工業的に製造するに際し、原料ロット間で品質（特に焼結性）にばらつきが生じやすいという問題がある。
【解決手段】多層セラミック基板１のセラミック層２を構成するために用いられるセラミック材料として、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料を基本成分とし、このＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分１００重量部に対して、副成分として、鉄を、Ｆｅ2Ｏ3に換算して０．０４４〜０．０７７重量部、かつ、ジルコニウムを、ＺｒＯ2に換算して０．３０〜０．５５重量部それぞれ含むものを用いる。ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分は、ＳｉＯ2を４７〜６０重量％、ＢａＯを２０〜４２重量％、Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％それぞれ含むことが好ましい。
【選択図】図１

Description

この発明は、低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板に関するもので、特に、低温焼結セラミック材料の焼結性のばらつきを抑制するための改良に関するものである。
多層セラミック基板に用いられる電気絶縁体材料として、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料が知られている。この材料は、銅のような比抵抗の小さな金属材料と同時焼結ができ、絶縁抵抗が高く、誘電率が小さいため、特に、高周波用の電子部品モジュールに用いられる基板材料として有用である。
ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料には、各種特性を改善するため、様々な添加物が加えられる。たとえば、特開２００４−３４５９２８号公報（特許文献１）や特開２００８−４４８２９号公報（特許文献２）に開示されているように、Ｚｒが添加物として加えられることがある。
特許文献１の段落［００２９］等には、適量のジルコニウムを加えることで、緻密で焼結性が良く、Ｑ値の高いセラミック焼結体が得られる旨開示されている。また、特許文献２の段落［００７４］等には、適量のジルコニウムを加えることで、高い曲げ強度と高いＱｆ値が得られる旨開示されている。
しかしながら、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料には、特に、これを原料として多層セラミック基板を工業的に製造するに際し、原料ロット間で品質（特に焼結性）にばらつきが生じやすいという問題がある。
特開２００４−３４５９２８号公報 特開２００８−４４８２９号公報
そこで、この発明の目的は、上述した問題を解決し得る低温焼結セラミック材料、この低温焼結セラミック材料を焼結してなる低温焼結セラミック焼結体、および低温焼結セラミック材料を用いて製造される多層セラミック基板を提供しようとすることである。
この発明に係る低温焼結セラミック材料は、上述した技術的課題を解決するため、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料を基本成分とし、このＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分１００重量部に対して、副成分として、鉄を、Ｆｅ2Ｏ3に換算して０．０４４〜０．０７７重量部、かつ、ジルコニウムを、ＺｒＯ2に換算して０．３０〜０．５５重量部それぞれ含むことを特徴としている。
この発明に係る低温焼結セラミック材料において、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分は、ＳｉＯ2を４７〜６０重量％、ＢａＯを２０〜４２重量％、Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％それぞれ含むことが好ましい。
この発明は、また、上記この発明に係る低温焼結セラミック材料を１０５０℃以下の温度で焼成してなる、低温焼結セラミック焼結体にも向けられる。
さらに、この発明は、複数のセラミック層を積層してなる積層体を備える、多層セラミック基板にも向けられる。この発明に係る多層セラミック基板は、複数のセラミック層のうち少なくとも１層が、上記この発明に係る低温焼結セラミック焼結体から構成されていることを特徴としている。
この発明に係る多層セラミック基板において、積層体の表面および／または内部に設けられる、銅系材料からなる導体パターンをさらに備えることが好ましい。
この発明に係る低温焼結セラミック材料によれば、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料の基本成分に、焼結助剤となる副成分として、鉄およびジルコニウムを所定量加え、これら鉄およびジルコニウムの量を厳密にコントロールしている。その結果、この低温焼結セラミック材料を焼結してなる低温焼結セラミック焼結体を用いて構成される多層セラミック基板について、寸法精度が高い、めっき付け性が良い、表面導体膜の基板に対する接合強度が高い、基板そのものの強度（抗折強度、曲げ強度）が高い、反りやうねりが小さい、基板密度が高い（電気特性が良い）、などの好ましい利点を奏することができる。
特に、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分の組成に関して、ＳｉＯ2を４７〜６０重量％、ＢａＯを２０〜４２重量％、Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％それぞれ含むように選ばれると、上述した利点がより良好にかつ確実に達成される。
この発明に係る低温焼結セラミック材料を用いて製造される多層セラミック基板１を図解的に示す断面図である。
図１を参照して、この発明が適用される多層セラミック基板の一例について説明する。
図１に示した多層セラミック基板１は、積層された複数のセラミック層２をもって構成される積層体３を備えている。この積層体３において、セラミック層２の特定のものに関連して種々の導体パターンが設けられている。
上述した導体パターンとしては、積層体３の積層方向における端面上に形成されるいくつかの外部導体膜４および５、セラミック層２の間の特定の界面に沿って形成されるいくつかの内部導体膜６、ならびにセラミック層２の特定のものを貫通するように形成されるいくつかのビアホール導体７等がある。
上面側の外部導体膜４は、積層体３の外表面上に搭載されるべき電子部品８および９への接続のために用いられる。図１では、たとえば半導体デバイスのように、バンプ電極１０を備える電子部品８、およびたとえばチップコンデンサのように面状の端子電極１１を備える電子部品９が図示されている。
また、下面側の外部導体膜５は、この多層セラミック基板１を実装するマザーボード（図示せず。）への接続のために用いられる。
このような多層セラミック基板１に備える積層体３は、セラミック層２となるべき複数の積層されたセラミックグリーン層と、導電性ペーストによって形成された内部導体膜６およびビアホール導体７とを備え、場合によっては、導電性ペーストによって形成された外部導体膜４および５をさらに備える、生の積層体を焼成することによって得られるものである。
上述した生の積層体におけるセラミックグリーン層の積層構造は、典型的には、セラミックスラリーを成形して得られた複数枚のセラミックグリーンシートを積層することによって与えられ、導体パターン、特に内部の導体パターンは、積層前のセラミックグリーンシートに設けられる。
セラミックスラリーは、後述するようなこの発明において特徴となる組成を有する低温焼結セラミック材料に、ポリビニルブチラールのような有機バインダと、トルエンおよびエタノールのような溶剤と、ジ−ｎ−ブチルフタレートのような可塑剤と、その他、必要に応じて、分散剤等の添加物とを加えてスラリー化することによって、得ることができる。
セラミックスラリーを用いてセラミックグリーンシートを得るための成形にあたっては、たとえば、ポリエチレンテレフタレートのような有機樹脂からなるキャリアフィルム上で、ドクターブレード法を適用して、セラミックスラリーをシート状に成形することが行なわれる。
導体パターンをセラミックグリーンシートに設けるにあたっては、好ましくは、銅を導電成分の主成分として含む導電性ペーストが用いられ、セラミックグリーンシートにビアホール導体７のための貫通孔が設けられ、貫通孔に導電性ペーストが充填されるとともに、内部導体膜６のための導電性ペースト膜、ならびに必要に応じて外部導体膜４および５のための導電性ペースト膜がたとえばスクリーン印刷法によって形成される。
このようなセラミックグリーンシートは、所定の順序で積層され、積層方向に、たとえば１０００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力をもって圧着されることによって、生の積層体が得られる。
この生の積層体には、図示しないが、他の電子部品を収容するためのキャビティや、電子部品８および９等を覆うカバーを固定するための接合部分が設けられてもよい。
生の積層体は、セラミックグリーン層に含まれる低温焼結セラミック材料が焼結可能な温度以上、たとえば９００℃以上であって、導体パターンに含まれる金属の融点以下、たとえば銅または金であれば、１０５０℃以下の温度域で焼成される。
また、導体パターンに含まれる金属が銅である場合、焼成は、窒素雰囲気のような非酸化性雰囲気中で行なわれ、９００℃以下の温度で脱バインダを完了させ、また、降温時には、酸素分圧を低くして、焼成完了時に銅が実質的に酸化しないようにされる。
焼成温度がたとえば９８０℃以上であるならば、導体パターンに含まれる金属として、銀を用いることができないが、パラジウムが２０重量％以上のＡｇ−Ｐｄ系合金を用いることができる。この場合には、焼成を空気中で実施することができる。
焼成温度がたとえば９５０℃以下であるならば、導体パターンに含まれる金属として、銀を用いることができる。
以上のように、焼成工程を終えたとき、図１に示した積層体３が得られる。
その後、必要に応じて、外部導体膜４および／または５が形成され、電子部品８および９が実装され、それによって、図１に示した多層セラミック基板１が完成される。
前述したセラミックスラリーに含まれる低温焼結セラミック材料としては、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料を基本成分とし、このＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分１００重量部に対して、副成分として、鉄を、Ｆｅ2Ｏ3に換算して０．０４４〜０．０７７重量部、かつ、ジルコニウムを、ＺｒＯ2に換算して０．３０〜０．５５重量部それぞれ含むものが用いられる。
このように、副成分としての鉄およびジルコニウムの添加量を所定の範囲内に厳密にコントロールすることによって、次のような作用が営まれる。
（１）セラミックの焼成収縮が進みすぎて、多層セラミック基板１が設計値より小さなサイズになってしまうこと（過焼結状態）を防ぐ。あるいは、焼成収縮（つまり緻密化）が十分に進まず、多層セラミック基板１が設計値より大きなサイズになってしまうこと（焼きが甘い状態）を防ぐ。
（２）多層セラミック基板１の表裏面や多層セラミック基板１の表面にある外部導体膜４および５の表面にガラス（焼成中に基本成分の反応が進むことによって生成したガラス成分）が染み出してくること（過焼結状態）を防ぐ。その結果、外部導体膜４および５上でのめっき付け性の低下や外部導体膜４および５の耐剥離強度の低下を防ぐ。
（３）基本成分中のＳｉＯ2（石英／クォーツ）がクリストバライトに相転移して多層セラミック基板１の強度が低下すること（過焼結状態）を防ぐ。
（４）集合基板（複数の子基板としての複数の多層セラミック基板１を取り出すためのもので、複数の子基板が格子状に配列された子基板領域とその周囲に設けられた耳部とからなるもの。）において、焼結に伴ううねりが発生し、特に、耳部において局所的な反りが生じること（焼きが甘い状態）を防ぐ。
（５）セラミック層２、ならびに導体膜４〜６およびビアホール導体７のような導体パターンが緻密化せず、ボイドが発生すること（焼きが甘い状態）を防ぐ。
このようなことから、得られた多層セラミック基板１において、寸法精度が高い、めっき付け性が良い、表面導体膜の基板に対する接合強度が高い、基板そのものの強度（抗折強度、曲げ強度）が高い、反りやうねりが小さい、基板密度が高い（電気特性が良い）、などの好ましい利点が奏される。
特に、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分の組成に関して、ＳｉＯ2を４７〜６０重量％、ＢａＯを２０〜４２重量％、Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％それぞれ含むように選ばれると、上述した利点がより良好にかつ確実に達成される。
なお、この発明に係る低温焼結セラミック材料を焼成してなる低温焼結セラミック焼結体は、上述したような積層構造を有する積層体３を備える多層セラミック基板１において、単に１つのセラミック層２を構成するために用いられてもよい。
また、この発明に係る低温焼結セラミック材料は、上述したような積層構造を有する積層体を備える多層セラミック基板に限らず、単に１つのセラミック層を備える単層構造のセラミック基板にも適用することができる。
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
（実験例１）
まず、低温焼結セラミック材料の基本成分の原料粉末として、いずれも平均粒径（Ｄ５０）が２．０μｍ以下のＳｉＯ2、ＢａＣＯ3およびＡｌ2Ｏ3の各粉末を準備した。次に、これら原料粉末を、表１の「基本成分」に示す組成比率となるように秤量した。なお、副成分としてのＦｅ2Ｏ3については、表１の「添加成分」に示す添加量となるように、上記ＳｉＯ2粉末の表面に予め付着させておいた。
次に、上記原料粉末を混合して得られた混合粉末を８００〜１０００℃の温度で仮焼した。仮焼後、仮焼物を粉砕し、この粉砕時に、表１の「添加成分」に示す添加量をもって、ＺｒＯ2粉末を加え、各試料に係る低温焼結セラミック材料粉末を得た。
表１において、基本成分であるＳｉＯ２、ＢａＣＯ３およびＡｌ２Ｏ３は、重量％を単位として示され、これらの合計は、１００重量％である。他方、添加成分であるＦｅ2Ｏ3およびＺｒＯ2については、基本成分１００重量部に対する重量比率が重量部を単位として示されている。
次に、上述の各試料に係る低温焼結セラミック材料粉末に、有機バインダとしてのポリビニルブチラール、溶剤としてのエチルアルコール、および可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを加えて、湿式混合し、減圧下で脱泡処理を行なって、セラミックスラリーを得た。
次に、セラミックスラリーを、ドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥し、適当な大きさにカットして、厚さ５０μｍのセラミックグリーンシートを得た。
次に、セラミックグリーンシート上に、導電性ペーストをスクリーン印刷して、導電性ペースト膜を形成した。ここで、導電性ペーストとしては、銅を主成分とする金属粉末を有機バインダとともに溶剤中に分散し、ペースト状にしたものを用いた。
次に、セラミックグリーンシートを所定サイズに揃え、これらセラミックグリーンシートを１０枚積み重ねて圧着し、集合基板のための生の積層体を得た。
次に、生の積層体を、非酸化性雰囲気中において９５０〜１０００℃の温度で焼成することによって、セラミックグリーンシートおよび導電性ペースト膜を焼結させた状態の各試料に係る集合基板を得た。この集合基板は、これを分割することにより、複数の多層セラミック基板を取り出すことができるものである。
このようにして得られた各試料について、表１に示すように、「寸法精度」、「めっき付け性」、「導体膜強度」、「基板強度」、「反り／うねり」および「基板密度」を評価した。評価手法は次のとおりである。
「寸法精度」…得られた集合基板の焼結によるＸ−Ｙ平面方向の収縮率を求め、これが、実装以降の集合基板で流れる工程の管理規格（収縮率の規格中心値：たとえば±０．６％）を満足するかどうかを確認し、管理規格を満足するものが９５％以上であれば「○」、８０％以上かつ９５％未満であれば「△」、８０％未満であれば「×」と評価した。
「めっき付け性」…集合基板の表面にある同時焼結による銅系導体膜に、ニッケルめっきおよび金めっきを施し、めっき状態の外観をチェックし、銅系導体膜の面積の９５％以上がニッケル／金めっき膜で覆われているものを「○」、銅系導体膜の面積の８５％以上かつ９５％未満覆われているものを「△」、銅系導体膜の面積の８５％未満しか覆われていなかったものを「×」と評価した。
「導体膜強度」…集合基板の表面にある同時焼結による銅系導体膜に金属棒をはんだで接合し、９０度ピール試験（ＪＩＳ Ｚ０２３７）を行なって、剥離しなかった接合部が９５％以上あった場合を「○」、剥離しなかった接合部が８５％以上かつ９５％未満あった場合を「△」、剥離しなかった接合部が８５％未満しかなかった場合を「×」と評価した。
「基板強度」…集合基板から得られた試験片の抗折強度を「ＪＩＳ Ｒ１６０１」に従って測定した。抗折強度が２２０ＭＰａ以上のものを「○」、１８０ＭＰａ以上かつ２２０ＭＰａ未満のものを「△」、１８０ＭＰａ未満のものを「×」と評価した。
「反り／うねり」…集合基板全体の反り、ならびに、集合基板耳部の局所的な反りの状態を測定し、工程の管理規格を満足するかどうかを確認し、管理規格を満足するものが９５％以上であれば「○」、８０％以上かつ９５％未満であれば「△」、８０％未満であれば「×」と評価した。
「基板密度」…集合基板から得られた試験片について、アルキメデス法によって密度を測定し、規格密度の９８％以上であれば「○」、９５％以上かつ９８％未満であれば「△」、９５％未満であれば「×」と評価した。
Figure 2011088756
表１に示すように、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分１００重量部に対して、Ｆｅ2Ｏ3を０．０４４〜０．０７７重量部の範囲で、かつ、ＺｒＯ2を０．３０〜０．５５重量部の範囲でそれぞれ含むという条件を満たす、この発明の範囲内の試料２〜６、９〜１１および１５〜２６によれば、「寸法精度」、「めっき付け性」、「導体膜強度」、「基板強度」、「反り／うねり」および「基板密度」の各項目について、「○」または「△」の評価となった。
特に、この発明の範囲内であって、さらに、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分が、ＳｉＯ2を４７〜６０重量％、ＢａＯを２０〜４２重量％、Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％それぞれ含むという条件を満たせば、試料２〜６、９〜１１、１６、１７、２０、２１、２４および２５のように、「寸法精度」、「めっき付け性」、「導体膜強度」、「基板強度」、「反り／うねり」および「基板密度」の各項目について、「○」の評価となった。
この発明の範囲内の試料であるが、試料１５では、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分におけるＳｉＯ2の含有量が４７重量％より少ないため、「寸法精度」、「導体膜強度」、「基板強度」および「基板密度」の各項目について、「△」の評価となった。他方、試料１８では、ＳｉＯ2の含有量が６０重量％より多いため、「寸法精度」、「めっき付け性」、「導体膜強度」および「基板密度」の各項目について、「△」の評価となった。
また、この発明の範囲内の試料であるが、試料１９では、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分におけるＢａＯの含有量が２０重量％より少ないため、「寸法精度」、「導体膜強度」、「基板強度」および「基板密度」の各項目について、「△」の評価となった。他方、試料２２では、ＢａＯの含有量が４２重量％より多いため、「めっき付け性」の項目について、「△」の評価となった。
また、この発明の範囲内の試料であるが、試料２３では、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分におけるＡｌ2Ｏ3の含有量が５重量％より少ないため、「寸法精度」および「基板強度」の各項目について、「△」の評価となった。他方、試料２６では、Ａｌ2Ｏ3の含有量が３０重量％より少ないため、「寸法精度」、「導体膜強度」および「基板密度」の各項目について、「△」の評価となった。
これらに対し、この発明の範囲外の試料１では、添加成分としてのＦｅ2Ｏ3の添加量が０．０４４重量部より少ないので、「寸法精度」および「基板密度」の各項目について、「×」の評価となり、「基板密度」の項目について、「△」の評価となった。他方、試料７では、添加成分としてのＦｅ2Ｏ3の添加量が０．０７７重量部より多いので、「めっき付け性」、「導体膜強度」、「基板強度」および「基板密度」の各項目について、「×」の評価となり、「寸法精度」の項目について、「△」の評価となった。
また、この発明の範囲外の試料８では、添加成分としてのＺｒＯ2の添加量が０．３０重量部より少ないので、「寸法精度」、「基板強度」および「反り／うねり」の各項目について、「×」の評価となった。他方、試料１２では、添加成分としてのＺｒＯ2の添加量が０．５５重量部より多いので、「めっき付け性」、「導体膜強度」および「基板強度」の各項目について、「×」の評価となり、「基板密度」の項目について、「△」の評価となった。
さらに、この発明の範囲外の試料１３では、添加成分としてのＦｅ2Ｏ3の添加量が０．０４４重量部より少なく、かつ添加成分としてのＺｒＯ2の添加量が０．３０重量部より少ないので、「寸法精度」、「基板強度」および「反り／うねり」の各項目について、「×」の評価となり、「基板密度」の項目について、「△」の評価となった。
また、この発明の範囲外の試料１４では、添加成分としてのＦｅ2Ｏ3の添加量が０．０７７重量部より多く、かつ添加成分としてのＺｒＯ2の添加量が０．５５重量部より多いので、「めっき付け性」、「導体膜強度」、「基板強度」および「基板密度」の各項目について、「×」の評価となり、「寸法精度」の項目について、「△」の評価となった。
１ 多層セラミック基板
２ セラミック層
３ 積層体
４，５ 外部導体膜
６ 内部導体膜
７ ビアホール導体

Claims (5)

  1. ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系低温焼結セラミック材料を基本成分とし、このＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分１００重量部に対して、副成分として、鉄を、Ｆｅ2Ｏ3に換算して０．０４４〜０．０７７重量部、かつ、ジルコニウムを、ＺｒＯ2に換算して０．３０〜０．５５重量部それぞれ含む、低温焼結セラミック材料。
  2. 前記ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系基本成分は、ＳｉＯ2を４７〜６０重量％、ＢａＯを２０〜４２重量％、Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％それぞれ含む、請求項１に記載の低温焼結セラミック材料。
  3. 請求項１または２に記載の低温焼結セラミック材料を１０５０℃以下の温度で焼成してなる、低温焼結セラミック焼結体。
  4. 複数のセラミック層を積層してなる積層体を備え、前記複数のセラミック層のうち少なくとも１層は、請求項３に記載の低温焼結セラミック焼結体から構成されている、多層セラミック基板。
  5. 前記積層体の表面および／または内部に設けられる、銅系材料からなる導体パターンをさらに備える、請求項４の多層セラミック基板。
JP2009241100A 2009-10-20 2009-10-20 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板 Pending JP2011088756A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009241100A JP2011088756A (ja) 2009-10-20 2009-10-20 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板
KR1020100096724A KR101188770B1 (ko) 2009-10-20 2010-10-05 저온 소결 세라믹 재료, 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판
CN2010105090699A CN102040375A (zh) 2009-10-20 2010-10-12 低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板
EP10187362A EP2325150A1 (en) 2009-10-20 2010-10-13 Low temperature co-fired ceramic material, low temperature co-fired ceramic body, and multilayer ceramic substrate
US12/906,336 US8231961B2 (en) 2009-10-20 2010-10-18 Low temperature co-fired ceramic material, low temperature co-fired ceramic body, and multilayer ceramic substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009241100A JP2011088756A (ja) 2009-10-20 2009-10-20 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011088756A true JP2011088756A (ja) 2011-05-06

Family

ID=43736130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009241100A Pending JP2011088756A (ja) 2009-10-20 2009-10-20 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8231961B2 (ja)
EP (1) EP2325150A1 (ja)
JP (1) JP2011088756A (ja)
KR (1) KR101188770B1 (ja)
CN (1) CN102040375A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016172683A (ja) * 2015-03-12 2016-09-29 中国科学院上海硅酸塩研究所 低温同時焼成セラミック材料及びその製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5195876B2 (ja) * 2010-11-10 2013-05-15 Ｔｄｋ株式会社 コイル部品及びその製造方法
CN107531577B (zh) * 2015-05-15 2020-12-18 株式会社村田制作所 低温烧结陶瓷材料、陶瓷烧结体以及陶瓷电子部件
CN115321954B (zh) * 2022-08-09 2023-07-07 广东环波新材料有限责任公司 陶瓷基板的制备方法以及低温共烧陶瓷基板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296774A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Fujitsu Ltd 窒化アルミニウム基板の製造方法
US5397830A (en) * 1994-01-24 1995-03-14 Ferro Corporation Dielectric materials
JPH10172345A (ja) * 1996-12-04 1998-06-26 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法
JP2002037661A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 低温焼成磁器組成物
JP2004345928A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Murata Mfg Co Ltd 酸化物磁器組成物、及びセラミック多層基板
JP2006001755A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Hitachi Metals Ltd 高強度低温焼成セラミック組成物並びにこれを用いた積層電子部品
US20060246322A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component
WO2009025156A1 (ja) * 2007-08-17 2009-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61232268A (ja) 1985-04-03 1986-10-16 西村陶業株式会社 遠赤外線放射セラミツクス
US5298330A (en) * 1987-08-31 1994-03-29 Ferro Corporation Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate
JPH05235497A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Murata Mfg Co Ltd 銅導電性ペースト
US5714246A (en) * 1994-05-13 1998-02-03 Ferro Corporation Conductive silver low temperature cofired metallic green tape
JP3080873B2 (ja) * 1996-02-13 2000-08-28 株式会社ニッカトー 耐摩耗性アルミナ質セラミックス及びその製造方法
JP3422233B2 (ja) * 1997-09-26 2003-06-30 株式会社村田製作所 バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法
US6379805B1 (en) * 1999-01-22 2002-04-30 Ngk Insulators, Ltd. Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles
JP2001320168A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Murata Mfg Co Ltd 配線基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた電子装置
US7030048B2 (en) * 2003-08-05 2006-04-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film dielectric compositions for use on aluminum nitride substrates
JP4748161B2 (ja) * 2005-07-12 2011-08-17 株式会社村田製作所 多層配線基板及びその製造方法
US7740725B2 (en) * 2006-04-05 2010-06-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor paste composition for LTCC tape in microwave applications
JP5040243B2 (ja) 2006-07-19 2012-10-03 株式会社村田製作所 セラミック基板
JP4812696B2 (ja) 2007-06-01 2011-11-09 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物
JP2010034176A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Kyocera Corp 多層配線基板およびその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296774A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Fujitsu Ltd 窒化アルミニウム基板の製造方法
US5397830A (en) * 1994-01-24 1995-03-14 Ferro Corporation Dielectric materials
JPH10172345A (ja) * 1996-12-04 1998-06-26 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法
JP2002037661A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 低温焼成磁器組成物
JP2004345928A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Murata Mfg Co Ltd 酸化物磁器組成物、及びセラミック多層基板
JP2006001755A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Hitachi Metals Ltd 高強度低温焼成セラミック組成物並びにこれを用いた積層電子部品
US20060246322A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component
WO2009025156A1 (ja) * 2007-08-17 2009-02-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016172683A (ja) * 2015-03-12 2016-09-29 中国科学院上海硅酸塩研究所 低温同時焼成セラミック材料及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8231961B2 (en) 2012-07-31
KR101188770B1 (ko) 2012-10-10
KR20110043440A (ko) 2011-04-27
US20110091686A1 (en) 2011-04-21
EP2325150A1 (en) 2011-05-25
CN102040375A (zh) 2011-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4883228B2 (ja) 低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板
JP4883224B2 (ja) 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板
JP5263226B2 (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
JP6609622B2 (ja) 配線基板
JPWO2009025156A1 (ja) セラミック組成物およびその製造方法、セラミック基板、ならびにセラミックグリーン層の製造方法
JP5533674B2 (ja) 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板
JP4959079B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP3517062B2 (ja) 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板
KR101188770B1 (ko) 저온 소결 세라믹 재료, 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판
JP3566569B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP5780035B2 (ja) セラミック電子部品
JP3538549B2 (ja) 配線基板およびその製造方法
JP4782397B2 (ja) 導体ペーストおよびそれを用いた配線基板の製造方法
JP2008078453A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP2000114724A (ja) 多層配線基板
JP4949945B2 (ja) セラミック配線基板及びセラミック配線基板の製造方法
JPH09142969A (ja) メタライズ組成物およびそれを用いた配線基板の製造方法
JP2005347674A (ja) 多層セラミック基板の製造方法及び多層セラミック基板
JP2002232142A (ja) 多層配線基板およびその製造方法
JP3944839B2 (ja) 複合セラミック部品及びその製造方法
JP3411143B2 (ja) メタライズ組成物及びそれを用いた配線基板
JP3786609B2 (ja) 複合セラミック部品及びその製造方法
JP2002368421A (ja) 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板
JP4406150B2 (ja) 窒化アルミニウムメタライズ基板および半導体装置
JP3709062B2 (ja) 窒化アルミニウム質配線基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120330

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120612

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20121106