JP3422233B2 - バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法Info
- Publication number
- JP3422233B2 JP3422233B2 JP26122997A JP26122997A JP3422233B2 JP 3422233 B2 JP3422233 B2 JP 3422233B2 JP 26122997 A JP26122997 A JP 26122997A JP 26122997 A JP26122997 A JP 26122997A JP 3422233 B2 JP3422233 B2 JP 3422233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- metal powder
- via hole
- conductive metal
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 16
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 8
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000010257 thawing Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000007580 dry-mixing Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 101100489867 Mus musculus Got2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
- Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、バイアホール用
導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基
板の製造方法に関するもので、詳しくは、セラミックグ
リーンシートに形成されたバイアホールに充填するため
の導電性ペースト、およびその導電性ペーストをバイア
ホールに充填するようにした積層セラミック基板の製造
方法に関する。
導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基
板の製造方法に関するもので、詳しくは、セラミックグ
リーンシートに形成されたバイアホールに充填するため
の導電性ペースト、およびその導電性ペーストをバイア
ホールに充填するようにした積層セラミック基板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電極や回路が配設されたセラ
ミックグリーンシートを積層するとともに、各層に形成
された電極や回路をバイアホールにより接続し導通する
ようにした積層セラミック基板が知られている。この積
層セラミック基板は以下の工程により製造される。すな
わち、セラミックグリーンシートにドリルやパンチなど
を用いてバイアホールを形成し、このバイアホールに導
電性金属粉末を含む導電性ペーストを充填する。次い
で、このセラミックグリーンシートの表面に、スクリー
ン印刷などの方法を用いて回路形成用の導電性ペースト
を印刷し、電極および回路を形成する。得られたセラミ
ックグリーンシートを複数枚積層して互いに圧着させた
後に、所定の基板のサイズにカットして、焼成して焼結
させる。
ミックグリーンシートを積層するとともに、各層に形成
された電極や回路をバイアホールにより接続し導通する
ようにした積層セラミック基板が知られている。この積
層セラミック基板は以下の工程により製造される。すな
わち、セラミックグリーンシートにドリルやパンチなど
を用いてバイアホールを形成し、このバイアホールに導
電性金属粉末を含む導電性ペーストを充填する。次い
で、このセラミックグリーンシートの表面に、スクリー
ン印刷などの方法を用いて回路形成用の導電性ペースト
を印刷し、電極および回路を形成する。得られたセラミ
ックグリーンシートを複数枚積層して互いに圧着させた
後に、所定の基板のサイズにカットして、焼成して焼結
させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製造方
法では、その焼成工程において、導電性ペーストをバイ
アホールに充填したときに、充填不足や充填過剰などの
充填不良がある場合や、セラミックグリーンシートと導
電性ペーストとの収縮量の差などに起因して、バイアホ
ール内の導体金属（導電性金属粉末が焼成により焼結し
たもの、以下同じ。）に亀裂や隆起が生じたり、あるい
は、セラミック割れを生じるという問題があった。これ
ら、導体金属の亀裂や隆起、あるいは、セラミック割れ
は、バイアホールにおける導通不良や構造欠陥の原因と
なり、積層セラミック基板の信頼性の低下をもたらす。
法では、その焼成工程において、導電性ペーストをバイ
アホールに充填したときに、充填不足や充填過剰などの
充填不良がある場合や、セラミックグリーンシートと導
電性ペーストとの収縮量の差などに起因して、バイアホ
ール内の導体金属（導電性金属粉末が焼成により焼結し
たもの、以下同じ。）に亀裂や隆起が生じたり、あるい
は、セラミック割れを生じるという問題があった。これ
ら、導体金属の亀裂や隆起、あるいは、セラミック割れ
は、バイアホールにおける導通不良や構造欠陥の原因と
なり、積層セラミック基板の信頼性の低下をもたらす。
【０００４】そこで、この発明の目的は、焼成工程にお
いて、導体金属の亀裂や隆起、あるいはセラミック割れ
を生じにくく、得られた積層セラミック基板に高い信頼
性を付与し得る、バイアホール用導電性ペースト、およ
びそれを用いた積層セラミック基板の製造方法を提供し
ようとするものである。
いて、導体金属の亀裂や隆起、あるいはセラミック割れ
を生じにくく、得られた積層セラミック基板に高い信頼
性を付与し得る、バイアホール用導電性ペースト、およ
びそれを用いた積層セラミック基板の製造方法を提供し
ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、バイアホー
ル用導電性ペーストであって、有機ビヒクルと、該有機
ビヒクル中の溶剤に溶けない不溶性樹脂でコーティング
された導電性金属粉末とを含有することを特徴とすると
ともに、第１の局面では、導電性金属粉末が球状または
粒状であることを特徴とし、第２の局面では、不溶性樹
脂が結晶性セルロースであることを特徴としている。こ
の発明において、前記導電性金属粉末が銅粉末であるこ
とが好ましい。
ル用導電性ペーストであって、有機ビヒクルと、該有機
ビヒクル中の溶剤に溶けない不溶性樹脂でコーティング
された導電性金属粉末とを含有することを特徴とすると
ともに、第１の局面では、導電性金属粉末が球状または
粒状であることを特徴とし、第２の局面では、不溶性樹
脂が結晶性セルロースであることを特徴としている。こ
の発明において、前記導電性金属粉末が銅粉末であるこ
とが好ましい。
【０００６】また、この発明は、セラミックグリーンシ
ートにバイアホールを形成する工程と、前記バイアホー
ルに、有機ビヒクルと該有機ビヒクル中の溶剤に溶けな
い不溶性樹脂でコーティングされた導電性金属粉末とを
含有する導電性ペーストを充填する工程と、前記導電性
ペーストが充填されたセラミックグリーンシートを積層
して、積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する
とともに、不溶性樹脂を分解、焼失させる工程とを含
む、積層セラミック基板の製造方法にも向けられ、第１
の局面では、導電性金属粉末として、球状または粒状の
導電性金属粉末が用いられることを特徴とし、第２の局
面では、不溶性樹脂として、結晶性セルロースが用いら
れることを特徴としている。
ートにバイアホールを形成する工程と、前記バイアホー
ルに、有機ビヒクルと該有機ビヒクル中の溶剤に溶けな
い不溶性樹脂でコーティングされた導電性金属粉末とを
含有する導電性ペーストを充填する工程と、前記導電性
ペーストが充填されたセラミックグリーンシートを積層
して、積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する
とともに、不溶性樹脂を分解、焼失させる工程とを含
む、積層セラミック基板の製造方法にも向けられ、第１
の局面では、導電性金属粉末として、球状または粒状の
導電性金属粉末が用いられることを特徴とし、第２の局
面では、不溶性樹脂として、結晶性セルロースが用いら
れることを特徴としている。
【０００７】
【発明の実施の形態】この発明で用いられる有機ビヒク
ルは、樹脂成分を有機溶剤に溶解したものであって、厚
膜形成用の導電性ペーストに用いられる公知の有機ビヒ
クルを使用することができる。このような有機ビヒクル
は、セラミックグリーンシートを製造する際に使用され
る有機バインダとの組み合わせを考慮して、適宜選択し
て用いることが好ましく、たとえば、エチルセルロース
樹脂をテルピネオール系溶剤に溶解したものなどを挙げ
ることができる。
ルは、樹脂成分を有機溶剤に溶解したものであって、厚
膜形成用の導電性ペーストに用いられる公知の有機ビヒ
クルを使用することができる。このような有機ビヒクル
は、セラミックグリーンシートを製造する際に使用され
る有機バインダとの組み合わせを考慮して、適宜選択し
て用いることが好ましく、たとえば、エチルセルロース
樹脂をテルピネオール系溶剤に溶解したものなどを挙げ
ることができる。
【０００８】また、この発明で用いられる導電性金属粉
末は、導電性のある金属粉末であれば、公知の金属粉末
を用いることができ、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕなどの貴金属およびそれらの合金や、Ｃｕ、Ｎｉその
他の卑金属およびそれらの合金などの粉末を用いること
ができる。好ましい金属粉末としては、比抵抗が小さ
く、マイグレーションも発生しにくく、しかも安価であ
る銅粉末を挙げることができる。これら導電性金属粉末
は、単独で使用してもよく、また２種以上併用してもよ
い。これら導電性金属粉末の形状は、後述する不溶性樹
脂のコーティングの容易化を図り、かつバイアホールへ
の充填性を向上させるべく、球状または粒状であること
が好ましく、その粒径が、約０．５〜約５０μｍである
ことが好ましい。
末は、導電性のある金属粉末であれば、公知の金属粉末
を用いることができ、たとえば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕなどの貴金属およびそれらの合金や、Ｃｕ、Ｎｉその
他の卑金属およびそれらの合金などの粉末を用いること
ができる。好ましい金属粉末としては、比抵抗が小さ
く、マイグレーションも発生しにくく、しかも安価であ
る銅粉末を挙げることができる。これら導電性金属粉末
は、単独で使用してもよく、また２種以上併用してもよ
い。これら導電性金属粉末の形状は、後述する不溶性樹
脂のコーティングの容易化を図り、かつバイアホールへ
の充填性を向上させるべく、球状または粒状であること
が好ましく、その粒径が、約０．５〜約５０μｍである
ことが好ましい。
【０００９】そして、上記した導電性金属粉末は、前述
した有機ビヒクル中に含まれている溶剤に溶けない、不
溶性樹脂でコーティングされる。このような不溶性樹脂
としては、有機ビヒクル中に含まれる溶剤の種類に応じ
て適宜選択されるが、たとえば、焼成時の分解性の点か
ら結晶性セルロースなどを用いることが好ましい。この
不溶性樹脂は、導電性金属粉末をコーティングするとき
には、粉末の形態として用いられることが好ましく、ま
た、この不溶性樹脂の使用量は、導電性金属粉末をコー
ティングし得るような量であれば特に制限はないが、通
常、導電性金属粉末１００重量部に対して、５〜１００
重量部程度である。
した有機ビヒクル中に含まれている溶剤に溶けない、不
溶性樹脂でコーティングされる。このような不溶性樹脂
としては、有機ビヒクル中に含まれる溶剤の種類に応じ
て適宜選択されるが、たとえば、焼成時の分解性の点か
ら結晶性セルロースなどを用いることが好ましい。この
不溶性樹脂は、導電性金属粉末をコーティングするとき
には、粉末の形態として用いられることが好ましく、ま
た、この不溶性樹脂の使用量は、導電性金属粉末をコー
ティングし得るような量であれば特に制限はないが、通
常、導電性金属粉末１００重量部に対して、５〜１００
重量部程度である。
【００１０】不溶性樹脂でコーティングされた導電性金
属粉末を得るには、ボールミルを用いた乾式混合法、表
面融合法（メカノフュージョン）および高速気流中衝撃
式表面改質法などの方法を適宜適用することができる。
このようなコーティングによって、たとえば、図１で示
すように、導電性金属粉末１の表面の周りに、不溶性樹
脂２が層状に付着するような状態が形成される。また、
図２に示すように、不溶性樹脂２中に複数の導電性金属
粉末１が点在するように含まれる形態であってもよい。
属粉末を得るには、ボールミルを用いた乾式混合法、表
面融合法（メカノフュージョン）および高速気流中衝撃
式表面改質法などの方法を適宜適用することができる。
このようなコーティングによって、たとえば、図１で示
すように、導電性金属粉末１の表面の周りに、不溶性樹
脂２が層状に付着するような状態が形成される。また、
図２に示すように、不溶性樹脂２中に複数の導電性金属
粉末１が点在するように含まれる形態であってもよい。
【００１１】そして、この発明の導電性ペーストを得る
には、不溶性樹脂でコーティングされた導電性金属粉末
と有機ビヒクルとを配合して混練する。この混練に際し
ては、たとえば、導電性金属粉末１００重量部に対し
て、有機ビヒクルを５〜２５重量部の割合で配合し、３
本ロールミルを用いるなどの公知の混練方法を適宜適用
することができる。
には、不溶性樹脂でコーティングされた導電性金属粉末
と有機ビヒクルとを配合して混練する。この混練に際し
ては、たとえば、導電性金属粉末１００重量部に対し
て、有機ビヒクルを５〜２５重量部の割合で配合し、３
本ロールミルを用いるなどの公知の混練方法を適宜適用
することができる。
【００１２】このようにして得られたこの発明の導電性
ペーストは、内部電極や内部回路を接続するためのいわ
ゆる狭義のバイアホールのみならず、セラミック基板を
貫通するように形成されるスルーホールを含むバイアホ
ールに充填するための導電性ペーストとして用いられ、
バイアホールへの充填性を向上させることができる。ま
た、後述する積層セラミック基板の製造において、その
焼成工程で、コーティングされた不溶性樹脂によって導
電性金属粉末の収縮を遅らせることができるので、導体
金属に亀裂や隆起を生じさせにくく、また、セラミック
割れを生じさせにくい。さらに、不溶性樹脂が焼成工程
において分解して焼失するため、半田付け性およびめっ
き付与性を良好に維持することができる。
ペーストは、内部電極や内部回路を接続するためのいわ
ゆる狭義のバイアホールのみならず、セラミック基板を
貫通するように形成されるスルーホールを含むバイアホ
ールに充填するための導電性ペーストとして用いられ、
バイアホールへの充填性を向上させることができる。ま
た、後述する積層セラミック基板の製造において、その
焼成工程で、コーティングされた不溶性樹脂によって導
電性金属粉末の収縮を遅らせることができるので、導体
金属に亀裂や隆起を生じさせにくく、また、セラミック
割れを生じさせにくい。さらに、不溶性樹脂が焼成工程
において分解して焼失するため、半田付け性およびめっ
き付与性を良好に維持することができる。
【００１３】次に、この発明の導電性ペーストを用い
た、バイアホールを有する積層セラミック基板の製造方
法について説明する。まず、セラミックグリーンシート
を得るには、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2系ガラス複
合材料などのセラミック材料の粉末を用意し、この粉末
に、ポリビニルブチラールなどの有機バインダと、トル
エンなどの有機溶剤とを加えて混練して、原料スラリー
を調製する。得られた原料スラリーを、ドクターブレー
ド法によってシート状に成形する。次いで、このセラミ
ックグリーンシートに、ドリルやパンチなどを用いてバ
イアホールを形成し、このバイアホールに上記したこの
発明の導電性ペーストを、スクリーン印刷法などの方法
を用いて充填する。そして、このセラミックグリーンシ
ートの表面に、回路形成用の導電性ペーストを、スクリ
ーン印刷法などの方法を用いて印刷し、電極および回路
を形成する。その後、印刷されたセラミックグリーンシ
ートを複数枚積層して互いに圧着させた後に、所定の基
板のサイズにカットする。このようにして得られた積層
体は、図３に示すように、複数のセラミックグリーンシ
ート３が積層された状態において、各セラミックグリー
ンシート３の表面に形成された電極および回路４が、バ
イアホール５によって接続される。各層に形成される電
極および回路４は、次の焼成工程において焼結されるバ
イアホール５内の導体金属によって導通される。この焼
成は、たとえば、窒素雰囲気下、約１０００℃で約１〜
２時間の条件において行なうことができる。
た、バイアホールを有する積層セラミック基板の製造方
法について説明する。まず、セラミックグリーンシート
を得るには、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2系ガラス複
合材料などのセラミック材料の粉末を用意し、この粉末
に、ポリビニルブチラールなどの有機バインダと、トル
エンなどの有機溶剤とを加えて混練して、原料スラリー
を調製する。得られた原料スラリーを、ドクターブレー
ド法によってシート状に成形する。次いで、このセラミ
ックグリーンシートに、ドリルやパンチなどを用いてバ
イアホールを形成し、このバイアホールに上記したこの
発明の導電性ペーストを、スクリーン印刷法などの方法
を用いて充填する。そして、このセラミックグリーンシ
ートの表面に、回路形成用の導電性ペーストを、スクリ
ーン印刷法などの方法を用いて印刷し、電極および回路
を形成する。その後、印刷されたセラミックグリーンシ
ートを複数枚積層して互いに圧着させた後に、所定の基
板のサイズにカットする。このようにして得られた積層
体は、図３に示すように、複数のセラミックグリーンシ
ート３が積層された状態において、各セラミックグリー
ンシート３の表面に形成された電極および回路４が、バ
イアホール５によって接続される。各層に形成される電
極および回路４は、次の焼成工程において焼結されるバ
イアホール５内の導体金属によって導通される。この焼
成は、たとえば、窒素雰囲気下、約１０００℃で約１〜
２時間の条件において行なうことができる。
【００１４】なお、特に所定の基板のサイズにカットす
る必要はなく、また、セラミック材料、有機バインダお
よび有機溶剤の種類などは、上記以外の公知のものを用
いてもよく、さらに、セラミック基板の構造なども適宜
の所望の目的に応じて選択し得る。このような製造方法
によって得られた積層セラミック基板は、導体金属に亀
裂や隆起がほとんどなく、また、セラミック割れなども
ほとんどないので、バイアホールにおいて構造欠陥がほ
とんどなく、かつ良好な導通性を確保して高い信頼性を
得ることができる。また、不溶性樹脂は焼成工程におい
て分解して焼失しているため、良好な半田付け性および
めっき付与性を維持できる。
る必要はなく、また、セラミック材料、有機バインダお
よび有機溶剤の種類などは、上記以外の公知のものを用
いてもよく、さらに、セラミック基板の構造なども適宜
の所望の目的に応じて選択し得る。このような製造方法
によって得られた積層セラミック基板は、導体金属に亀
裂や隆起がほとんどなく、また、セラミック割れなども
ほとんどないので、バイアホールにおいて構造欠陥がほ
とんどなく、かつ良好な導通性を確保して高い信頼性を
得ることができる。また、不溶性樹脂は焼成工程におい
て分解して焼失しているため、良好な半田付け性および
めっき付与性を維持できる。
【００１５】
【実施例】以下に実施例を挙げ、この発明をさらに具体
的に説明する。 実施例 １）導電性ペーストの調製 導電性金属粉末として粒径３μｍの銅粉末８０重量部、
不溶性樹脂として結晶性セルロース粉末５重量部を用意
し、ボールミルを用いて銅粉末の粒子表面に結晶性セル
ロースがコーティングされるまで、乾式混合を行なっ
た。得られた粉末１００重量部に、エチルセルロース樹
脂をテルピネオール系溶剤に溶解した有機ビヒクル１５
重量部を配合した後、３本ロールミルで混練を行い、こ
の発明に属する導電性ペーストを得た。 ２）積層セラミック基板の製造 セラミック材料として、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス複合材料の粉末を用意し、この粉末に、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、および有機溶剤と
してトルエンを加えて混練し、原料スラリーを調製し
た。この原料スラリーを、ドクターブレード法によりシ
ート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製し
た。得られたセラミックグリーンシートに、パンチを用
いてバイアホールを形成し、このバイアホールに、１）
において調製したこの発明に属する導電性ペーストを、
スクリーン印刷法を用いて充填した。しばらく乾燥させ
た後に、このセラミックグリーンシートの表面に、回路
形成用の導電性ペーストをスクリーン印刷法を用いて印
刷し、電極および回路を形成した。印刷されたセラミッ
クグリーンシートを複数枚積層して互いに圧着させた後
に、所定の基板のサイズにカットした。その後、窒素雰
囲気下、１０００℃で１〜２時間焼成し焼結させて、積
層セラミック基板を得た。
的に説明する。 実施例 １）導電性ペーストの調製 導電性金属粉末として粒径３μｍの銅粉末８０重量部、
不溶性樹脂として結晶性セルロース粉末５重量部を用意
し、ボールミルを用いて銅粉末の粒子表面に結晶性セル
ロースがコーティングされるまで、乾式混合を行なっ
た。得られた粉末１００重量部に、エチルセルロース樹
脂をテルピネオール系溶剤に溶解した有機ビヒクル１５
重量部を配合した後、３本ロールミルで混練を行い、こ
の発明に属する導電性ペーストを得た。 ２）積層セラミック基板の製造 セラミック材料として、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス複合材料の粉末を用意し、この粉末に、有機バ
インダとしてポリビニルブチラール、および有機溶剤と
してトルエンを加えて混練し、原料スラリーを調製し
た。この原料スラリーを、ドクターブレード法によりシ
ート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製し
た。得られたセラミックグリーンシートに、パンチを用
いてバイアホールを形成し、このバイアホールに、１）
において調製したこの発明に属する導電性ペーストを、
スクリーン印刷法を用いて充填した。しばらく乾燥させ
た後に、このセラミックグリーンシートの表面に、回路
形成用の導電性ペーストをスクリーン印刷法を用いて印
刷し、電極および回路を形成した。印刷されたセラミッ
クグリーンシートを複数枚積層して互いに圧着させた後
に、所定の基板のサイズにカットした。その後、窒素雰
囲気下、１０００℃で１〜２時間焼成し焼結させて、積
層セラミック基板を得た。
【００１６】さらに、得られた積層セラミック基板を溶
剤で脱脂して、表面の油分や酸化被膜を除去した後、Ｐ
ｄ溶液による活性化処理を行ない、無電解Ｎｉめっきを
行なった。 比較例 １）導電性ペーストの調製 結晶性セルロース粉末を銅粉末にコーティングする操作
を行なわないようにしたこと以外は、実施例と同様の操
作によって、この発明に属さない比較例としての導電性
ペーストを得た。 ２）積層セラミック基板の製造 １）において調製したこの発明に属さない導電性ペース
トを用いた以外は、実施例と同様の操作によって、積層
セラミック基板を得、これに、無電解Ｎｉめっきを行な
った。
剤で脱脂して、表面の油分や酸化被膜を除去した後、Ｐ
ｄ溶液による活性化処理を行ない、無電解Ｎｉめっきを
行なった。 比較例 １）導電性ペーストの調製 結晶性セルロース粉末を銅粉末にコーティングする操作
を行なわないようにしたこと以外は、実施例と同様の操
作によって、この発明に属さない比較例としての導電性
ペーストを得た。 ２）積層セラミック基板の製造 １）において調製したこの発明に属さない導電性ペース
トを用いた以外は、実施例と同様の操作によって、積層
セラミック基板を得、これに、無電解Ｎｉめっきを行な
った。
【００１７】評価
実施例および比較例で得られた積層セラミック基板を切
断して、その切断面を実体顕微鏡で観察し、積層セラミ
ック基板に形成されたバイアホール内の、導体金属の亀
裂、隆起、およびセラミック割れの有無について調べ
た。結果を表１に示す。
断して、その切断面を実体顕微鏡で観察し、積層セラミ
ック基板に形成されたバイアホール内の、導体金属の亀
裂、隆起、およびセラミック割れの有無について調べ
た。結果を表１に示す。
【００１８】また、実施例および比較例で得られた積層
セラミック基板の、バイアホール内の導体金属表面に形
成されたＮｉめっき膜の表面を、走査型電子顕微鏡で観
察することにより、めっき付与性を調べるとともに、バ
イアホール内の導体金属表面に、半田付けを行なって、
半田付け性を調べた。結果を同じく表１に示す。
セラミック基板の、バイアホール内の導体金属表面に形
成されたＮｉめっき膜の表面を、走査型電子顕微鏡で観
察することにより、めっき付与性を調べるとともに、バ
イアホール内の導体金属表面に、半田付けを行なって、
半田付け性を調べた。結果を同じく表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１において、結晶性セルロース粉末を銅
粉末にコーティングしていない比較例では、バイアホー
ル内の導体金属に亀裂が認められた。これに対し、結晶
性セルロース粉末を銅粉末にコーティングした実施例で
は、バイアホール内の導体金属に、亀裂や隆起が認めら
れず、また、セラミック割れも認められず、しかも、半
田付け性およびめっき付与性ともに良好に維持できた。
粉末にコーティングしていない比較例では、バイアホー
ル内の導体金属に亀裂が認められた。これに対し、結晶
性セルロース粉末を銅粉末にコーティングした実施例で
は、バイアホール内の導体金属に、亀裂や隆起が認めら
れず、また、セラミック割れも認められず、しかも、半
田付け性およびめっき付与性ともに良好に維持できた。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明のバイアホール
用導電性ペーストは、バイアホールへの充填性を向上さ
せることができ、また、積層セラミック基板の製造にお
いて、その焼成工程で、コーティングされた不溶性樹脂
によって導電性金属粉末の収縮を遅らせることができる
ために、導体金属に亀裂や隆起を生じさせにくく、ま
た、セラミック割れを生じさせにくい。さらに、不溶性
樹脂が焼成工程において分解して焼失するため、得られ
た積層セラミック基板の、半田付け性およびめっき付与
性を良好に維持することができる。
用導電性ペーストは、バイアホールへの充填性を向上さ
せることができ、また、積層セラミック基板の製造にお
いて、その焼成工程で、コーティングされた不溶性樹脂
によって導電性金属粉末の収縮を遅らせることができる
ために、導体金属に亀裂や隆起を生じさせにくく、ま
た、セラミック割れを生じさせにくい。さらに、不溶性
樹脂が焼成工程において分解して焼失するため、得られ
た積層セラミック基板の、半田付け性およびめっき付与
性を良好に維持することができる。
【００２２】また、この発明のバイアホール用導電性ペ
ーストにおいて、導電性金属粉末として銅粉末を用いる
と、比抵抗が小さく、マイグレーションも発生しにく
く、しかも安価であるため、経済性に優れ、かつより信
頼性の高い積層セラミック基板を得ることができる。ま
た、この発明のバイアホール用導電性ペーストにおい
て、不溶性樹脂として結晶性セルロースを用いると、焼
成時の分解性に優れるため、導通抵抗の劣化も少ない。
ーストにおいて、導電性金属粉末として銅粉末を用いる
と、比抵抗が小さく、マイグレーションも発生しにく
く、しかも安価であるため、経済性に優れ、かつより信
頼性の高い積層セラミック基板を得ることができる。ま
た、この発明のバイアホール用導電性ペーストにおい
て、不溶性樹脂として結晶性セルロースを用いると、焼
成時の分解性に優れるため、導通抵抗の劣化も少ない。
【００２３】さらに、この発明のバイアホール用導電性
ペーストを用いた積層セラミック基板の製造方法によれ
ば、焼成工程において、導体金属に亀裂や隆起が生じに
くく、また、セラミック割れを生じにくいので、得られ
た積層セラミック基板は、バイアホールにおいて構造欠
陥がほとんどなく、良好な導通性を確保することがで
き、高い信頼性を得ることができる。さらに、導電性ペ
ースト中の不溶性樹脂は焼成工程において分解して焼失
するため、得られた積層セラミック基板の半田付け性お
よびめっき付与性を良好に維持することができる。
ペーストを用いた積層セラミック基板の製造方法によれ
ば、焼成工程において、導体金属に亀裂や隆起が生じに
くく、また、セラミック割れを生じにくいので、得られ
た積層セラミック基板は、バイアホールにおいて構造欠
陥がほとんどなく、良好な導通性を確保することがで
き、高い信頼性を得ることができる。さらに、導電性ペ
ースト中の不溶性樹脂は焼成工程において分解して焼失
するため、得られた積層セラミック基板の半田付け性お
よびめっき付与性を良好に維持することができる。
【図１】不溶性樹脂によりコーティングされた導電性金
属粉末を示す図である。
属粉末を示す図である。
【図２】図１とは異なる形態において、不溶性樹脂によ
りコーティングされた導電性金属粉末を示す図である。
りコーティングされた導電性金属粉末を示す図である。
【図３】この発明の実施形態において、セラミックグリ
ーンシートを積層した積層体の断面を示す図である。
ーンシートを積層した積層体の断面を示す図である。
１ 導電性金属粉末
２ 不溶性樹脂
３ セラミックグリーンシート
５ バイアホール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 1/22
H01B 1/00
H05K 1/09
H05K 3/40
H05K 3/46
Claims (5)
- 【請求項１】 有機ビヒクルと、該有機ビヒクル中の溶
剤に溶けない不溶性樹脂でコーティングされた、球状ま
たは粒状の導電性金属粉末とを含有する、バイアホール
用導電性ペースト。 - 【請求項２】 有機ビヒクルと、結晶性セルロースでコ
ーティングされた導電性金属粉末とを含有する、バイア
ホール用導電性ペースト。 - 【請求項３】 前記導電性金属粉末が銅粉末である、請
求項１または２に記載のバイアホール用導電性ペース
ト。 - 【請求項４】 セラミックグリーンシートにバイアホー
ルを形成する工程と、 前記バイアホールに、有機ビヒクルと該有機ビヒクル中
の溶剤に溶けない不溶性樹脂でコーティングされた、球
状または粒状の導電性金属粉末とを含有する導電性ペー
ストを充填する工程と、 前記導電性ペーストが充填されたセラミックグリーンシ
ートを積層して、積層体を形成する工程と、 前記積層体を焼成するとともに、前記不溶性樹脂を分
解、焼失させる工程と、を含む、積層セラミック基板の
製造方法。 - 【請求項５】 セラミックグリーンシートにバイアホー
ルを形成する工程と、 前記バイアホールに、有機ビヒクルと結晶性セルロース
でコーティングされた導電性金属粉末とを含有する導電
性ペーストを充填する工程と、 前記導電性ペーストが充填されたセラミックグリーンシ
ートを積層して、積層体を形成する工程と、 前記積層体を焼成するとともに、前記結晶性セルロース
を分解、焼失させる工程と、 を含む、積層セラミック基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26122997A JP3422233B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法 |
| EP98117910A EP0905775B1 (en) | 1997-09-26 | 1998-09-22 | Method for preparing an electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same |
| DE69835191T DE69835191D1 (de) | 1997-09-26 | 1998-09-22 | Herstellungsverfahren einer elektrischen leitenden Paste für Vias und Herstellungsverfahren eines monolitischen Keramiksubstrates damit |
| KR1019980039382A KR100286091B1 (ko) | 1997-09-26 | 1998-09-23 | 비아홀용 도전성 페이스트 및 이것을 이용한 모놀리식 세라믹기판의 제조방법 |
| US09/159,580 US6335077B1 (en) | 1997-09-26 | 1998-09-24 | Electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26122997A JP3422233B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102614A JPH11102614A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3422233B2 true JP3422233B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=17358944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26122997A Expired - Fee Related JP3422233B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6335077B1 (ja) |
| EP (1) | EP0905775B1 (ja) |
| JP (1) | JP3422233B2 (ja) |
| KR (1) | KR100286091B1 (ja) |
| DE (1) | DE69835191D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495069B1 (en) * | 1998-01-30 | 2002-12-17 | Peratech Limited Of A Company Of Great Britain And Northern Ireland | Polymer composition |
| US6506448B1 (en) | 1999-06-01 | 2003-01-14 | Fry's Metals, Inc. | Method of protective coating BGA solder alloy spheres |
| JP2002232204A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Ngk Insulators Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| US6730857B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Structure having laser ablated features and method of fabricating |
| GB0113905D0 (en) | 2001-06-07 | 2001-08-01 | Peratech Ltd | Analytical device |
| KR100393592B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 도전성 페이스트 및 이를 이용한 집적 회로 장치 |
| US6916670B2 (en) * | 2003-02-04 | 2005-07-12 | International Business Machines Corporation | Electronic package repair process |
| JP2005197659A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-07-21 | Sony Corp | 光学装置及び画像生成装置 |
| KR101046006B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2011-07-01 | 삼성전기주식회사 | 무수축 다층 세라믹 기판의 제조방법 |
| JP2011088756A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Murata Mfg Co Ltd | 低温焼結セラミック材料、低温焼結セラミック焼結体および多層セラミック基板 |
| US9758858B2 (en) | 2012-10-05 | 2017-09-12 | Tyco Electronics Corporation | Methods of manufacturing a coated structure on a substrate |
| US20140097002A1 (en) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Tyco Electronics Amp Gmbh | Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components |
| US9892816B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-02-13 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Platinum containing conductive paste |
| KR20150134728A (ko) * | 2014-05-22 | 2015-12-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 전도성 조성물 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776978A (en) * | 1984-04-26 | 1988-10-11 | International Business Machines Corporation | Method of controlling the sintering of metal particles |
| US4885038A (en) * | 1986-05-01 | 1989-12-05 | International Business Machines Corporation | Method of making multilayered ceramic structures having an internal distribution of copper-based conductors |
| JPH0615680B2 (ja) * | 1987-10-20 | 1994-03-02 | 三井金属鉱業株式会社 | 導電塗料用銅粉およびその製造法 |
| JPH02276104A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-11-13 | Kawasaki Steel Corp | セラミックス基板用導電性ペーストの製造方法 |
| JPH03281783A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-12 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 金属薄膜の形成方法 |
| CA2055065A1 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-14 | David Hitz Scheiber | Organic vehicle for electronic composition |
| US5336444A (en) * | 1992-05-29 | 1994-08-09 | International Business Machines Corporation | Ceramic via composition, multilayer ceramic circuit containing same, and process for using same |
| JPH06139814A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Hitachi Ltd | 導体ペースト |
| EP0651602B1 (en) * | 1993-10-29 | 1999-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste, and method of manufacturing the same |
| US5492653A (en) * | 1994-11-07 | 1996-02-20 | Heraeus Incorporated | Aqueous silver composition |
| JPH10172345A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP26122997A patent/JP3422233B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-22 DE DE69835191T patent/DE69835191D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-22 EP EP98117910A patent/EP0905775B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-09-23 KR KR1019980039382A patent/KR100286091B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-09-24 US US09/159,580 patent/US6335077B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69835191D1 (de) | 2006-08-24 |
| KR100286091B1 (ko) | 2001-04-16 |
| EP0905775B1 (en) | 2006-07-12 |
| EP0905775A2 (en) | 1999-03-31 |
| EP0905775A3 (en) | 1999-10-13 |
| US6335077B1 (en) | 2002-01-01 |
| KR19990030059A (ko) | 1999-04-26 |
| JPH11102614A (ja) | 1999-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3539195B2 (ja) | 導電ペーストおよびそれを用いたセラミック基板の製造方法 | |
| JP3419244B2 (ja) | 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法 | |
| JP3422233B2 (ja) | バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3571957B2 (ja) | 導体ペーストおよびセラミック多層基板の製造方法 | |
| JP2002083515A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いる積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| EP0272129B1 (en) | Method for production of ceramic circuit board | |
| JPH10172345A (ja) | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法 | |
| JP3467872B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP4333594B2 (ja) | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 | |
| JP4819516B2 (ja) | 導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いたセラミック多層回路基板 | |
| JP3467873B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2002110444A (ja) | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 | |
| JPH06100377A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2004172383A (ja) | 導電ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH06223621A (ja) | 導体ペースト組成物 | |
| JPH09282941A (ja) | 導電性ペースト並びにそれを用いた積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH0650703B2 (ja) | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP4024787B2 (ja) | フェライト多層回路基板の導電部形成用導電性ペースト及びその導電性ペーストを用いたフェライト多層回路基板 | |
| JP3498197B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JP3879276B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP4820149B2 (ja) | 導電性ペーストの製造方法および配線基板の製造方法 | |
| JPH09186044A (ja) | 積層電子部品用内部電極材料ペースト、積層電子部品及びその製造方法 | |
| JP2000252158A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2000058375A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP3689988B2 (ja) | 導電性組成物および多層セラミック基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100425 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |