JP2002037661A

JP2002037661A - 低温焼成磁器組成物

Info

Publication number: JP2002037661A
Application number: JP2000228009A
Authority: JP
Inventors: Manabu Sato; 学佐藤; Eiji Kodera; 英司小寺; Kazuyuki Fujii; 一幸藤井
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2000-07-28
Filing date: 2000-07-28
Publication date: 2002-02-06

Abstract

(57)【要約】【目的】鉛成分を添加することなく１０００℃以下の
低温焼成が可能で、かつ、結晶化ガラスを用いることな
く優れた高周波特性（特には、優れた周波数の温度特
性）を発揮する低温焼成磁器組成物を提供すること。【構成】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として含有
するとともに、チタン酸塩を副成分として含有する低温
焼成磁器組成物とする。Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶に対す
るチタン酸塩の質量比を０．０５〜０．５とするとよ
い。Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶は、仮焼粉末としたものを
原料粉末として用いるのがよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、１０００℃以下で焼成
が可能で、高周波領域において優れた誘電特性（特に
は、優れた周波数の温度特性）を有する低温焼成磁器組
成物を有する低温焼成磁器組成物に関する。Ａｇ、Ｃｕ
等の導体抵抗の低い金属を配線層に用いた電子部品、通
信用部品、配線基板等の絶縁体として好適なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年の通信機器等の小型化の要請に対応
するためには、用いる高周波回路基板も小型化する必要
がある。そのため、コンデンサ、インダクタ等の受動回
路素子を高周波回路基板の内部に内蔵することが検討さ
れている。高周波回路基板の小型のためには、誘電率が
７〜１０程度の絶縁体を用いることが有用である。

【０００３】通信機器には、小型化以外にも、省電力化
の要請がある。そのため、用いる高周波回路基板も省電
力化に対応したものにする必要がある。そこで、電気信
号の伝送損失を低減するため、より導体抵抗の低いＡ
ｇ、Ｃｕ等の金属からなる配線と１０００℃以下の焼成
温度で同時焼成可能な低温焼成配線基板が種々検討され
ている。

【０００４】通信機器は、低温から高温まで安定した性
能を発揮することが要求される。そのため、用いる高周
波回路基板も、広い温度域でも安定した性能を発揮する
必要がある。そこで、優れた周波数の温度特性を有する
低温焼成磁器組成物が種々検討されている。

【０００５】１０００℃以下で焼成可能な低温焼成磁器
組成物としては、以下のようなものを挙げることができ
る。例えば、フォルステライト等の結晶とチタニア粒子
とを含む低温焼成磁器組成物が特開平４−８２２９７号
公報に開示されている。また、チタン酸ストロンチウム
に低温焼成化を促進するアルカリ金属を含むガラスフリ
ットを添加した低温焼成磁器組成物が特開平５−７８１
６５号公報に開示されている。また、メルウィナイト、
モンティセライト、カルシウム珪酸塩等の結晶と、低温
焼成化を促進するアルカリ金属やアルカリ土類金属等と
を含む結晶化ガラスからなる低温焼成磁器組成物が特開
２０００−１１９０４１号公報に開示されている。尚、
これまでにＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を含有する低温焼成
磁器組成物の高周波回路基板用途の使用は知られていな
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】１０００℃以下の低温
焼成によって特定結晶を析出させて、低温焼成磁器組成
物の高周波特性を向上する方法は、出発原料として結晶
化ガラスを用いている。そのため、ガラス原料の粉砕状
態や不純物等の影響により、結晶化の度合いにバラツキ
が発生しやすく、安定した特性の配線基板が得難い問題
がある。また、結晶化の度合いのバラツキに起因する配
線基板の焼成収縮の不均一による反り不良の問題もあ
る。

【０００７】一方、誘電体フィラーに結晶化しないガラ
スフリットを添加した低温焼成磁器組成物を用いる方法
は、低温焼成化のためにガラス成分にＰｂＯを添加する
ものが多い。鉛成分の添加は、環境への影響を考慮して
避けることが望ましい。

【０００８】本発明の目的は、鉛成分を添加しなくても
１０００℃以下で焼成が可能で、かつ、結晶化ガラスを
用いることなく優れた高周波特性（特には、優れた周波
数の温度特性）を発揮する低温焼成磁器組成物を提供す
ることである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の低温焼成磁器組
成物は、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として含有す
るとともに、チタン酸塩を副成分として含有する低温焼
成磁器組成物を要旨とする。Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を
主結晶として含有することにより、高周波領域において
優れた誘電特性を発揮することができるとともに、チタ
ン酸塩を副成分として含有することにより、周波数の温
度特性の変動を０に近づけたり、誘電率を７〜１０の範
囲に容易に調整することができる。本発明の低温焼成磁
器組成物は、好ましくは、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶に対
するチタン酸塩の質量比を０．０５〜０．５の範囲にす
るとよい。τ_f（周波数温度特性）をより小さく抑えた
低温焼成磁器組成物を得ることができるからである。Ｓ
ｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶に対するチタン酸塩の質量比は、
更には０．１〜０．４、特には０．１〜０．２の範囲に
するとよい。更に好ましくは、本発明の低温焼成磁器組
成物のτ_f（周波数温度特性）を±５０ｐｐｍ／℃、更
には±３０ｐｐｍ／℃、特には±１０ｐｐｍ／℃にまで
抑えるとよい。高周波回路基板用途に好適な低温焼成磁
器組成物が得られるからである。

【００１０】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶は、高周波領域に
おける誘電特性に優れ、熱膨張係数が大きい。そのた
め、高周波回路基板の熱膨張係数をＰＣボード熱膨張係
数に近づけることができる。熱膨張係数差に起因する応
力集中を効果的に緩和できるため、熱サイクル試験での
ハンダ実装部の破損を防止することができる。ＰＣボー
ド上に直接面実装することの多い高周波回路基板用途に
好適である。

【００１１】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶の融点は１５６０
℃と高いため、１０００℃以下の焼成において安定に存
在することができる。本発明の低温焼成磁器組成物は、
出発原料にはガラス粉末を用いないで、焼成によりＳｒ
₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として生成する仮焼粉末を
用いるとよい。この仮焼粉末に焼結助剤を少量添加する
ことにより、ガラス粉末を用いた場合に発生する基板の
反り等の諸問題を解決できる。この仮焼粉末と焼結助剤
に有機バインダ等を添加して、公知の成形方法を用いて
成形体にする。成形体は、ドクターブレード法を用いて
グリーンシート化したり、プレス法を用いてブロック体
にすることができる。これら成形体を１０００℃以下で
焼成することで、目的とする低温焼成磁器組成物を得
る。

【００１２】ここにいう「仮焼粉末」とは、焼成により
Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として生成する所定の
成分を含有する原料粉末を１０００〜１２００℃、好ま
しくは１０５０〜１２００、より好ましくは１１００〜
１１５０℃の範囲で焼成し、急冷（１分間に２０℃以上
降温させること）せずに室温まで冷却したものをいう。
１０００℃以下の焼成によりＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を
主結晶として生成するものであれば、仮焼粉末の組成に
制限はないが、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶、ＳｒＳｉＯ₃お
よびＳｒ₂ＳｉＯ₄の少なくとも一種を含有するとよい。
１０００℃以下の焼成によりＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を
主結晶として効率よく生成することができるからであ
る。

【００１３】チタン酸塩については仮焼粉末を用いるこ
とは必須ではないが、仮焼粉末を用いれば、粒径を大き
くして１０００℃以下の焼成におけるチタン酸塩の分解
を最小限に抑えることができる。ここにいう「仮焼粉
末」とは、焼成により所定のチタン酸塩となる所定の成
分を含有する原料粉末または所定のチタン酸塩原料粉末
を１０５０〜１３００℃、好ましくは１０５０〜１２５
０℃、より好ましくは１１００〜１２００℃で焼成し、
急冷（１分間に２０℃以上降温させること）せずに室温
まで冷却したものをいう。

【００１４】ここにいう「チタン酸塩」としては、チタ
ン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸等
が挙げられる。これらの金属元素の一部をＳｎ、Ｎｄ、
Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ等の他の元素で置換してたものであっ
てもよい。特には、チタン酸ストロンチウムを用いるの
がよい。Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶に対して、正の周波数
の温度係数を有するチタン酸ストロンチウムを添加する
ことで、焼結性を大きく低下することなく、誘電特性の
温度ドリフトを効果的に防止した優れた周波数温度特性
を有する低温焼成磁器組成物を得ることができる。

【００１５】本発明の低温焼成磁器組成物は、Ｓｒ₂Ｍ
ｇＳｉ₂Ｏ₇結晶以外に、副結晶としてＳｉＯ₂系結晶
（特にはα−石英、クリストバライト）を６０質量％以
下（好ましくは１０〜５０質量％、更に好ましくは１０
〜３０質量％、特には１０〜２５質量％）含有するとよ
い。ＳｉＯ₂系結晶を同時に含むことで、低温焼成磁器
組成物の誘電特性の安定化を効果的に促進できる。Ｓｉ
Ｏ₂系結晶は、ＳｉＯ₂がよい。特には、α−石英がよ
い。ＳｉＯ₂の添加により、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶の低
温焼成化が促進されるため、上記のアルカリ金属等の焼
結助剤成分の添加量を最小限に抑えて、誘電特性の低下
を効果的に防止することができる。

【００１６】焼結助剤は、Ｂ成分やアルカリ金属成分を
用いるのがよい。Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ ₇結晶からなる主結
晶相の析出を阻害することなく焼結性を向上できるから
である。添加形態としては、Ｂ₂Ｏ₃やＭ₂Ｏ（ＭはＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属）等の酸化物や、Ｂ成分
やアルカリ金属成分を含むガラス、又はこれらの組合わ
せがよい。湿度等の環境面の影響を回避したり、有機バ
インダを添加した際に良好な成形体を得るには、ガラス
として添加するのがよい。

【００１７】本発明の低温焼成磁器組成物は、Ｓｒ₂Ｍ
ｇＳｉ₂Ｏ₇結晶１００質量％に対して、チタン酸ストロ
ンチウム等のチタン酸塩を５〜５０質量％（好ましくは
５〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量％、更
には１０〜２０質量％）含有するとよい。焼結性を阻害
することなく誘電特性に優れた低温焼成磁器組成物が得
られるからである。本発明の低温焼成磁器組成物は、さ
らに、ホウ素成分（Ｂ ₂Ｏ₃換算）を０〜１０質量％（好
ましくは０．５〜５質量％、より好ましくは１〜３質量
％）、アルカリ金属成分（Ｍ₂Ｏ換算（Ｍはアルカリ金
属を示す。））を０〜１０質量％（好ましくは０．５〜
７質量％、より好ましくは１〜６質量％）、マンガン成
分（ＭｎＯ₂換算）を０〜１０質量％（好ましくは０．
１〜５質量％、更に好ましくは０．５〜３質量％、特に
は１〜２質量％）、各々含有するとよい。低温焼結性、
温度特性、機械的強度等の諸特性を向上することができ
るからである。尚、ＳｉＯ₂系結晶、ホウ素成分、アル
カリ金属成分およびマンガン成分の少なくとも一種を含
有する場合は、これらの含有量の合計が０質量％になる
場合を除く。これらの成分の添加の効果を以下に分説す
る。

【００１８】アルカリ金属成分としては、Ｌｉ成分、Ｋ
成分、Ｎａ成分を用いるとよい。焼成温度の更なる低温
化、緻密化を効果的に図ることができる。本発明の低温
焼成磁器組成物は、アルカリ金属成分をＭ₂Ｏ（Ｍはア
ルカリ金属を示す。）換算で１０質量％以下含有すると
よい。好ましくは、Ｌｉ成分をＬｉ₂Ｏ換算で１０質量
％以下（好ましくは１〜５質量％以下、より好ましくは
２〜３質量％）、Ｋ成分をＫ₂Ｏ換算で５質量％以下
（好ましくは０．１〜３質量％、より好ましくは１〜２
質量％）、Ｎａ成分をＮａ₂Ｏ換算で５質量％以下（好
ましくは０．１〜３質量％、より好ましくは１〜２質量
％）含有するとよい。特には、Ｌｉ成分を必須にするの
がよい。本発明の低温焼成磁器組成物の緻密化と低温焼
成化を一層高めることができる。また、Ｌｉ₂Ｏ等のＬ
ｉ成分と他のアルカリ金属成分（例えば、Ｎａ₂ＯやＫ₂
Ｏ）を併用することで、アルカリ混合効果による耐絶縁
性の向上を図ることができる。アルカリ金属成分の含有
量が０．１質量％未満の場合、焼結体の緻密化を効果的
には促進できない。また、アルカリ金属成分の含有量が
１０質量％を越えると、配線基板を作製した際に耐絶縁
性が低下しやすくなる。

【００１９】本発明の低温焼成磁器組成物は、特にアル
カリ金属成分の種類及びその組成比を最適化すること
で、配線基板に用いた場合において、絶縁体層の誘電特
性の一層の向上を図ることができる。尚、アルカリ金属
成分の酸化物換算における含有量の総計は１０質量％以
下であれば誘電損失を大きく低下させることはない。

【００２０】アルカリ金属成分の酸化物換算における含
有量（１０質量％以下）のうち、Ｎａ成分及びＫ成分の
合計の含有量を５質量％以下に規定することで、本発明
の低温焼成磁器組成物の緻密化を一層高めることができ
る。この含有量が５質量％を越えると、耐絶縁性が低下
していく。Ｎａ成分及びＫ成分の合計の酸化物換算にお
ける含有量のより好ましい範囲は、０．１〜３質量％、
更に好ましくは０．１〜２質量％である。

【００２１】本発明の低温焼成磁器組成物は、他の成分
としては、ＭｎＯ₂等のマンガン成分を酸化物換算（Ｍ
ｎＯ₂換算）にて１０質量％以下（好ましくは０．１〜
５質量％、更に好ましくは０．５〜３質量％、特には１
〜２質量％）含有するとよい。低温焼成磁器組成物の誘
電損失や温度特性の低下を効果的に抑制できる。また、
成形体からの脱バインダー性を良好にできるため、残存
炭素の影響を受け難くすることができる。

【００２２】本発明の低温焼成磁器組成物は、焼成によ
りＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として生成する仮焼
粉末１００質量％に対して、チタン酸ストロンチウム等
のチタン酸塩を５〜５０質量％（好ましくは５〜４０質
量％、より好ましくは１０〜３０質量％、更には１０〜
２０質量％）と、ホウ素成分（Ｂ₂Ｏ₃換算）を０〜１０
質量％（好ましくは０．５〜５質量％、より好ましくは
１〜３質量％）と、アルカリ金属成分（Ｍ₂Ｏ換算（Ｍ
はアルカリ金属を示す。））を０〜１０質量％（好まし
くは０．５〜７質量％、より好ましくは１〜６質量％）
と、マンガン成分（ＭｎＯ₂換算）を０〜１０質量％
（好ましくは０．１〜５質量％、更に好ましくは０．５
〜３質量％、特には１〜２質量％）と、を混合、成形し
てなる成形体を１０００℃以下で焼成することによって
得ることができる。各成分の効果は既に説明したので、
ここでは省略する。尚、ＳｉＯ₂系結晶、ホウ素成分、
アルカリ金属成分およびマンガン成分の少なくとも一種
を含有する場合は、これらの含有量の合計が０質量％に
なる場合を除く。

【００２３】この仮焼粉末と焼結助剤に有機バインダ等
を添加した後、公知の成形方法を用いて成形体にする。
成形体は、ドクターブレード法を用いてグリーンシート
化したり、プレス法を用いてブロック体にすることがで
きる。これら成形体を１０００℃以下で焼成すること
で、目的とする低温焼成磁器組成物を得る。本発明の低
温焼成磁器組成物は、他の成分としては、ＭｎＯ₂等の
マンガン成分を酸化物換算（ＭｎＯ₂換算）にて１０質
量％以下（好ましくは０．１〜５質量％、更に好ましく
は０．５〜３質量％、特には１〜２質量％）含有すると
よい。特には、ＭｎＯ₂として添加するのがよい。マン
ガン成分の添加の効果については既に説明したので、こ
こでは省略する。

【００２４】本発明の低温焼成磁器組成物の焼成温度と
しては、融点が約９６０℃の銀を配線層に用いて同時焼
成する場合においては、９２０℃以下（好ましくは９０
０℃以下、更には８８０℃以下）とするのがよい。焼成
温度を９２０℃以下に低くできるように組成を調整する
ことで、同時焼成の際に発生する銀からなる配線層の過
焼結を効果的に防止することができるからである。

【００２５】

【実施例】本発明の低温焼成磁器組成物およびその製造
方法を以下に実施例を用いて説明する。

【００２６】（１）焼成によりＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶
を析出する仮焼粉末の作製。ＳｒＣＯ₃粉末、ＳｉＯ₂粉末、ＭｇＯ粉末を酸化物換算
にてそれぞれ２：２：１のモル比の組成になるように混
合した後、１１００〜１１５０℃で仮焼する。得られた
仮焼粉末のＸ線回折ピークを取ると、Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ
₇結晶とＳｒＳｉＯ₃結晶とＳｒ₂ＳｉＯ₄結晶の各ピーク
が観察された。

【００２７】（２）ＳｒＴｉＯ₃仮焼粉末の作製。ＳｒＴｉＯ₃原料粉末を１１００〜１２００℃で仮焼し
て、ＳｒＴｉＯ₃仮焼粉末を得る。

【００２８】（３）低温焼成磁器組成物の作製及び評
価。焼成によりＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を析出する仮焼粉末
に、ＳｒＴｉＯ₃仮焼粉末、市販のＳｒＴｉＯ₃、Ｌｉ₂
Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃、その他の成分を、表１に
示す組成になるように混合する。この混合粉末にアクリ
ル系バインダ、可塑剤、分散剤、トルエン、メチルエチ
ルケトンを添加してスラリを調製する。このスラリを公
知のドクターブレード法を用いて厚み１２０μｍのグリ
ーンシートに成形する。

【００２９】このグリーンシートを圧着して積層体とす
る。尚、この積層体の厚みは、焼成後の厚みが１ｍｍに
なるように調整してある。この積層体を２５０℃で脱バ
インダして脱脂体とする。この脱脂体を表２に示すよう
に８６０〜９６０℃で焼成して、目的とする低温焼成磁
器組成物を得る。

【００３０】この低温焼成磁器組成物を以下の項目につ
いて評価する。尚、試験片の寸法は、からについて
は□６５ｍｍ×ｔ０．６３５ｍｍ、については□２．
５ｍｍ×Ｌ１５ｍｍに加工して調整してある。結果を表
２に示す。．誘電率ε：誘電体共振器摂動法（＠３ＧＨｚ）にて
測定する。．ｔａｎδ：誘電体共振器摂動法（＠３ＧＨｚ）にて
測定する。．τ_f：空洞共振器法にて恒温槽（−40〜＋85℃）を
用いて測定する。．ＴＣＥ：ＪＩＳＲ１６１８に準ずる。温度範囲
は３０〜４００℃。

【００３１】

【表１】

【００３２】

【表２】

【００３３】結果より、７〜１０程度の誘電率εを有す
る低温焼成磁器組成物が得られることがわかる。熱膨張
係数は８〜１０程度で、従来のアルミナ基板並みの値が
得られている。誘電特性の温度係数を±５０ｐｐｍ／℃
（好ましくは±３０ｐｐｍ／℃、特には±１０ｐｐｍ／
℃）に調整したものは、高周波回路基板用途に極めて有
用なものである。

【００３４】試料番号２１〜試料番号２２は、マンガン
成分以外のＮｂ成分、Ｃｒ成分、Ｓｎ成分をそれぞれ添
加した例である。結果より、本実施例で用いた有機バイ
ンダーでは、マンガン成分以外のこれらの成分を添加し
た組成系では脱バインダー不良が見受けられる。これに
対して、マンガン成分を添加した組成系は、マンガン成
分以外のこれら成分を添加した組成系と比較して、脱バ
インダー性に優れることがわかる。このように、マンガ
ン成分を添加した組成系は、焼結体中の残留炭素量を減
らせるため、より高い信頼性が得られる。また、特別に
脱バインダ性に極めて優れる有機バインダーを用いなけ
ればならないことはないため、有機バインダーの選択の
幅が広いという利点がある。尚、マンガン成分以外のＮ
ｂ成分、Ｃｒ成分、Ｓｎ成分をそれぞれ添加した組成系
でも、より脱バインダ性に優れる有機バインダーを用い
れば、脱バインダー性を良好にすることは可能である。

【００３５】

【発明の効果】本発明の低温焼成磁器組成物は、Ｓｒ₂
ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として含有するとともに、チ
タン酸塩を副成分として含有することで、優れた高周波
特性（特には、優れた周波数の温度特性）を発揮する低
温焼成磁器組成物を提供することができる。また、出発
原料として結晶化ガラスを用いないため、ガラス原料の
粉砕状態や不純物等の影響により、結晶化の度合いにバ
ラツキが発生することのない低温焼成磁器組成物が得ら
れる。このため、結晶化の度合いにバラツキによる焼成
収縮の不均一により発生する、配線基板の反りの問題を
解決できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4G030 AA02 AA03 AA04 AA07 AA09 AA16 AA25 AA35 AA37 BA09 CA01 GA09 5E001 AB01 AB03 AC09 AE00 AE01 AE04 AH05 AH09 AJ02 5G303 AA05 AA07 AB05 AB10 AB15 BA12 CA01 CB02 CB17 CB18 CB30 CB32 CB35

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主結晶として
含有するとともに、チタン酸塩を副成分として含有する
ことを特徴とする低温焼成磁器組成物。
【請求項２】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶に対するチタン
酸塩の質量比が０．０５〜０．５であることを特徴とす
る請求項１に記載の低温焼成磁器組成物。
【請求項３】ＳｉＯ₂系結晶、ホウ素成分、アルカリ
金属成分およびマンガン成分の少なくとも一種を含有す
ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の低温
焼成磁器組成物。
【請求項４】Ｓｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶１００質量％に
対して、５〜５０質量％のチタン酸塩と、０〜６０質量％のＳｉＯ₂系結晶と、０〜１０質量％のＢ₂Ｏ₃に換算したホウ素成分と、０〜１０質量％のＭ₂Ｏ（Ｍはアルカリ金属を示す。）
に換算したアルカリ金属成分と、０〜１０質量％のＭｎＯ₂に換算したマンガン成分と、
を含有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のい
ずれかに記載の低温焼成磁器組成物。
【請求項５】焼成によりＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主
結晶として生成する仮焼粉末を含有する成形体を焼成し
てなる請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の低温焼
成磁器組成物。
【請求項６】焼成によりＳｒ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶を主
結晶として生成する仮焼粉末１００質量％に対して、５〜５０質量％のチタン酸塩と、０〜６０質量％のＳｉＯ₂系結晶と、０〜１０質量％のＢ₂Ｏ₃に換算したホウ素成分と、０〜１０質量％のＭ₂Ｏ（Ｍはアルカリ金属を示す。）
に換算したアルカリ金属成分と、０〜１０質量％のＭｎＯ₂に換算したマンガン成分と、
を含有する成形体を焼成してなることを特徴とする請求
項５に記載の低温焼成磁器組成物。