JP4482939B2 - 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミック部品 - Google Patents

Description

技術分野：
本発明は、比誘電率ε_ｒが１０以下で、マイクロ波やミリ波などの高周波領域でのＱ値が大きく、更に共振周波数ｆ_０の温度係数τ_ｆの絶対値が小さく、且つ低抵抗導体であるＡｇやＣｕ等との同時焼成が可能な誘電体磁器組成物、その焼成により得られる誘電体磁器、およびそれを用いた積層誘電体共振器や積層誘電体フィルターや積層誘電体基板等の積層セラミック部品に関するものである。
背景技術：
近年、通信網の急激な発展に伴い、通信に使用する周波数の範囲が拡大すると同時にマイクロ波領域やミリ波領域などの高周波領域に及んでいる。高周波用の誘電体磁器組成物としては、その焼成により得られる誘電体磁器を用いた誘電体共振器の無負荷Ｑ値が大きく、更に共振周波数ｆ_０の温度係数τ_ｆの絶対値が小さい材料が求められている。一方、マイクロ波回路やミリ波回路の大きさは、誘電体磁器の比誘電率ε_ｒが大きくなるほど小型化が可能である。しかし、マイクロ波領域以上の高周波領域に関しては、比誘電率ε_ｒが大き過ぎると、回路が小さくなりすぎ加工精度の要求が厳しくなるので、比誘電率ε_ｒの小さい材料が必要となる。
従来、Ｑ値が大きく、更に共振周波数ｆ_０の温度係数τ_ｆの絶対値が小さい誘電体共振器の製造のための誘電体磁器組成物としては、ＢａＯ−ＭｇＯ−ＷＯ_３系材料（特開平６−２３６７０８号公報（第１１頁段落番号［００３３］、表１〜８）参照）や、ＭｇＴｉＯ_３−ＣａＴｉＯ_３系材料（特開平６−１９９５６８号公報（第５頁段落番号［００１８］、表１〜３）参照）などが提案されている。しかし、これら磁器組成物から得られる誘電体磁器の比誘電率ε_ｒは１０を越えており、更に低い誘電率を有する誘電体磁器の製造が可能な誘電体磁器組成物が求められている。
一方、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）は、それぞれε_ｒが７、１０と比較的小さい比誘電率を示し、高周波特性に優れる磁器の製造が可能な誘電体磁器組成物として知られている。しかし、共振周波数の温度依存性（τ_ｆ）が−６０ｐｐｍ／℃とマイナス側に大きくなるため、誘電体共振器や誘電体フィルターなどの温度依存性が小さいことが求められる用途への適用は制限されている。
また最近、誘電体磁器を積層した積層誘電体共振器や積層誘電体フィルターや積層誘電体基板等の積層セラミック部品が開発されており、その製造に際して誘電体磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は焼成温度が１３００℃以上と高いため内部電極との同時焼成を行うことは困難な傾向があり、積層化構造とするための電極材料は高温に耐える白金（Ｐｔ）等の高価な材料に限定されていた。このため、電極材料として低抵抗導体で、且つ安価な銀（Ａｇ）、Ａｇ−Ｐｄ、およびＣｕ等を使用して、１０００℃以下の低温で同時焼成が可能な誘電体磁器組成物が求められている。
誘電率が小さく低温焼成の可能な誘電体磁器としては、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４結晶とα−ＳｉＯ_２結晶およびＺｎ_２ＳｉＯ_４結晶並びにガラス相からなるものが知られている（特開２００２−３３８３４１号公報（第１０頁段落番号［００５０］、表４等）参照）が、この材料は、ガラス相を含む配線基板材料であり機械的強度を重視しており、高周波用誘電体磁器としては、共振器のＱ値も十分でなく、同公報には共振周波数ｆ_０の温度係数τ_ｆの記載もない。
また、誘電率が小さく低温焼成の可能な誘電体磁器としては、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｎＯ及びＢ_２Ｏ_３を含み、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３の結晶相とＺｎＯとＳｉＯ_２の結晶相とＭｇＯとＳｉＯ_２の結晶相並びにＳｉＯ_２又はＳｉＯ_２とＢ_２Ｏ_３とからなる非結晶相で構成されたものが知られている（特開２００２−５３３６８号公報（第５頁段落番号［００５３］、表２等）参照）が、この材料は、ガラス相を含む配線基板材料であり機械的強度を重視しており、高周波用誘電体磁器としては、Ｑ値も十分でなく、同公報には共振周波数ｆ_０の温度係数τ_ｆの記載もない。
発明の開示：
本発明の目的は、上記の問題を解消し、ＡｇやＣｕ等の低抵抗導体との同時焼成による内挿化、多層化ができる８００℃〜１０００℃の温度により焼成でき、かつ焼成して得られる誘電体磁器の比誘電率ε_ｒが１０以下で、共振器のＱ×ｆ_０値が大きく、更に共振周波数ｆ_０の温度係数τ_ｆの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下でその調整も容易な誘電体磁器組成物を提供することにある。また、本発明の目的は、このような誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体層とＡｇ或いはＣｕを主成分とする内部電極とを有する積層誘電体共振器や積層フィルターや積層誘電体基板等の積層セラミック部品を提供することにある。
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
一般式（１）：ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２−ｄＺｎ_２ＴｉＯ_４で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが５．０≦ａ≦８０．０ｍｏｌ％、５．０≦ｂ≦７０．０ｍｏｌ％、５．０≦ｃ≦２７．５ｍｏｌ％、０≦ｄ≦３０．０ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）である主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種である。
このような誘電体磁器組成物を焼成することで、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４及びＺｎ_２ＴｉＯ_４の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器、またはＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＴｉＯ_２及びＺｎ_２ＴｉＯ_４の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器が得られる。
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
一般式（２）：ａＺｎＯ−ｂＡｌ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄ（ｘＣａＯ−（１−ｘ）ＴｉＯ_２）で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが７．５≦ａ≦５５．０ｍｏｌ％、５．０≦ｂ≦６５．０ｍｏｌ％、５．０≦ｃ≦７０．０ｍｏｌ％、７．５≦ｄ≦２７．５ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）であり、０≦ｘ≦０．７５である原料組成物を仮焼して得られる仮焼物からなる主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記主成分が、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４の結晶およびＺｎ_２ＳｉＯ_４の結晶と、ＣａＴｉＯ_３の結晶及びＴｉＯ_２の結晶のうちの少なくとも１つとを含む。本発明の一態様においては、前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種である。本発明の一態様においては、前記ガラス成分の組成が、ＳｉＯ_２が２．５〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜５ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％である。
このような誘電体磁器組成物を焼成することで、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、並びにＣａＴｉＯ_３及びＴｉＯ_２のうちの少なくとも１つの各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器が得られる。
このような誘電体磁器組成物は、上記一般式（２）で表され各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄ及び係数ｘが上記の範囲内にある原料組成物を９００〜１２００℃で仮焼し、これにより得られた仮焼物からなる主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめることにより製造することができる。
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
一般式（３）：ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＳｒＴｉＯ_３で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが２．５≦ａ≦７７．５ｍｏｌ％、２．５≦ｂ≦７７．５ｍｏｌ％、２．５≦ｃ≦３７．５ｍｏｌ％、１０．０≦ｄ≦１７．５ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）である主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種である。本発明の一態様においては、前記ガラス成分の組成が、ＳｉＯ_２が２．５〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜５ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％である。
このような誘電体磁器組成物を焼成することで、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４およびＳｒＴｉＯ_３の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器が得られる。
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
一般式（４）：ａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３−ｅＺｎ_２ＳｉＯ_４で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅが０．１０≦ａ≦０．７２、０．０８≦ｂ≦０．６２、０．０２≦ｃ≦０．２２、０．１２≦ｄ≦０．２２、０≦ｅ≦０．０８（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）である主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で１重量部以上１５重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種である。本発明の一態様においては、前記ガラス成分の組成が、ＳｉＯ_２が２〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜３０ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％である。
このような誘電体磁器組成物を焼成することでＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２およびＣａＴｉＯ_３の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器、またはＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３およびＺｎ_２ＳｉＯ_４の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器が得られる。
更に、本発明によれば、複数の誘電体層と、該誘電体層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える積層セラミック部品において、前記誘電体層が、一般式（１）の主成分を持つ誘電体磁器組成物、一般式（２）の原料組成物の仮焼物からなる主成分を持つ誘電体磁器組成物、一般式（３）の主成分を持つ誘電体磁器組成物、または一般式（４）の主成分を持つ誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成されていることを特徴とする積層セラミック部品、が提供される。
本発明による誘電体磁器組成物は、１０００℃以下の焼成温度で焼結ができるため、低抵抗導体であるＡｇやＣｕ等と同時焼成が可能である。また、本発明による誘電体磁器組成物を焼成することにより共振周波数ｆ_０（ＧＨｚ）とＱ値の積であるＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）以上、場合により２００００（ＧＨｚ）以上と大きい値を示し、誘電損失の小さい磁器を提供することができる。そして、本発明による誘電体磁器組成物は、共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下の、温度による影響の少ない磁器を提供できる。更に、本発明による誘電体磁器組成物から得られる誘電体磁器の比誘電率ε_ｒは１０以下で、これを用いた高周波用素子や回路は小さくなりすぎることはなく適度な大きさに保つことが可能になり，加工精度や生産性の面で優れている。

図１は、本発明に係る積層セラミック部品の実施形態を示す斜視図である。
図２は、図１の積層セラミック部品の断面図である。
図３は、実施例２で得られた誘電体磁器のＸ線回折図である。
図４は、実施例１３で得られた誘電体磁器のＸ線回折図である。
図５は、実施例３３で得られた誘電体磁器のＸ線回折図である。
図６は、実施例４４で得られた誘電体磁器のＸ線回折図である。
図７は、実施例６８で得られた誘電体磁器のＸ線回折図である。
図８は、実施例７６で得られた誘電体磁器のＸ線回折図である。
発明を実施するための最良の形態：
以下、本発明の実施の形態を説明する。
（１）第１の実施形態（上記一般式（１）の主成分を持つ誘電体磁器組成物に係る実施形態）：
本実施形態の誘電体磁器組成物は、一般式（１）［ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２−ｄＺｎ_２ＴｉＯ_４］で表される主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有する。
尚、ガラス成分はガラスまたは粉末ガラス（ガラス粉末ともいう）の形態をとる。ここで、ガラスとは非結晶質の固体物質を指し溶融により得られる。また、粉末ガラスまたはガラス粉末とはガラスを粉砕して粉末状にしたものを指す。なお、内部に一部結晶化したものを含む結晶化ガラスもガラスに含まれる。以下、単にガラスと称されるもののうちには、粉末ガラスや結晶化ガラスも含まれるものとする。これらは以下の全ての実施形態において同様である。
本実施形態に用いるガラス成分としては、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、その他金属酸化物等からなるガラスが挙げられる。ＰｂＯ系ガラスは、ＰｂＯを含有するガラスであり、ＰｂＯ−ＳｉＯ_２、ＰｂＯ−Ｂ_２Ｏ_３、ＰｂＯ−Ｐ_２Ｏ_５を含有するガラスや、Ｒ_２Ｏ−ＰｂＯ−ＳｉＯ_２、Ｒ_２Ｏ−ＣａＯ−ＰｂＯ−ＳｉＯ_２、Ｒ_２Ｏ−ＺｎＯ−ＰｂＯ−ＳｉＯ_２、Ｒ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＰｂＯ−ＳｉＯ_２を含有するガラス（但しＲ_２ＯはＮａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏの少なくとも１つを指す［以下の全ての実施形態において同様］）などが例示される。ＺｎＯ系ガラスは、ＺｎＯを含有するガラスであり、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＳｉＯ_２、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｒ_２Ｏ−ＳｉＯ_２などが例示される。ＳｉＯ_２系ガラスは、ＳｉＯ_２を含有するガラスであり、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｒ_２Ｏ、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＢａＯなどが例示される。Ｂ_２Ｏ_３系ガラスは、Ｂ_２Ｏ_３を含有するガラスであり、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｒ_２Ｏなどが例示される。
さらに、本実施形態のガラス成分としては、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラスの他にも、各種金属酸化物等からなるガラスも使用することができ、そのようなガラスとしてＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスが挙げられる。ガラスは非晶質ガラスや結晶質ガラスのどちらを用いてもよい。ガラス中にＰｂＯを含有すると焼成温度は低下する傾向にあるが、無負荷Ｑ値が低下する傾向にあり、このためガラス中のＰｂＯ成分の含有量は、４０重量％以下が好ましい。また、ガラス中にＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｉＯ_２及びＢ_２Ｏ_３を成分として含有すると、高い無負荷Ｑ値を得ることができることから、このような成分を持つガラスは本実施形態に用いるガラスとして特に好適である。
次に本実施形態における組成の限定理由について説明する。焼成により得られる磁器（セラミックス）の母材となる前記主成分１００重量部に対して、ガラス成分量が５重量部未満の場合には１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、１５０重量部を超える場合には焼成時にガラスが溶出して良好な焼結体を得ることができなくなるため、いずれも好ましくない。
また、前記主成分においてモル分率ａが５．０ｍｏｌ％より少ないとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなり、８０．０ｍｏｌ％を超えると１０００℃以下で焼結しなくなるため、いずれも好ましくない。また、モル分率ｂが５．０ｍｏｌ％より少ないと良好な焼結体が得られなくなり、７０．０ｍｏｌ％を超えると共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃より大きくなるため、いずれも好ましくない。また、モル分率ｃが５．０ｍｏｌ％より少ないか或いは２７．５ｍｏｌ％を超えると共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃より大きくなるため好ましくない。また、モル分率ｄが３０．０ｍｏｌ％を超えるとＱ×ｆ_０値が小さくなるため好ましくない。本実施形態の誘電体磁器組成物には、これら主要成分以外にも、本発明の目的を損なわない範囲で他成分を含めることが可能である。
前記主成分のモル分率ｄが０ｍｏｌ％であると、本実施形態の誘電体磁器組成物の主成分は、ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００ｍｏｌ％）と表されるが、この３成分系の主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有する誘電体磁器組成物においても上記の本発明の効果が得られる。
本実施形態の誘電体磁器組成物の最も望ましい形態としては、ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２−ｄＺｎ_２ＴｉＯ_４の４成分の結晶からなる主成分とガラス成分とからなる誘電体磁器組成物が挙げられる。この４成分系の主成分とガラス成分とからなる誘電体磁器組成物は、前記ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２の３成分の結晶からなる主成分とガラス成分とからなる誘電体磁器組成物に比べて、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４が加えられている事により、焼成温度を更に下げることができ、特に低融点金属であるＡｇと同時焼成する場合においてマイグレーション等の不具合が生じにくくなる利点がある。
本実施形態の誘電体磁器組成物およびこれを焼成して得られる誘電体磁器の好適な製造方法の一例を次に示す。前記主成分を構成する各母材原料は、例えば、それぞれ次のようにして得られる。ＺｎＡｌ_２Ｏ_４は、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３とを１：１のモル比で混合し、仮焼することにより得られる。Ｚｎ_２ＳｉＯ_４は、ＺｎＯとＳｉＯ_２とを２：１のモル比で混合し、仮焼することで得られる。また、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４は、ＺｎＯとＴｉＯ_２とを２：１のモル比で混合し、仮焼することで得られる。このようなＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＴｉＯ_２、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４のうち必要な母材原料とガラス粉末とを所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、得られた粉末にポリビニルアルコールの如き有機バインダーおよび水を混合して均質にし、乾燥、粉砕して、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２程度）する。そして得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下にて８２５〜９２５℃で焼成することにより上記組成式で表わされる誘電体磁器が得られる。
また、本実施形態の誘電体磁器組成物およびこれを焼成して得られる誘電体磁器の好適な製造方法の別の一例を次に示す。酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の各粉末のうち必要な出発原料を所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、大気雰囲気中にて８００〜１２００℃の温度で２時間仮焼してＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＴｉＯ_２、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４で構成される仮焼粉末を得る。このようにして得られた仮焼粉末に所定量のガラス粉末を加え、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、得られた粉末にポリビニルアルコールの如き有機バインダーおよび水を混合して均質にし、乾燥、粉砕した後、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２程度）する。そして得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下にて８２５〜９２５℃で焼成することにより上記組成式で表わされる誘電体磁器が得られる。なお、亜鉛、アルミニウム、ケイ素、チタンの原料としては、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２の酸化物の他に、仮焼時に酸化物となる炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物等を使用することができる。
図３に前者の製造方法で得られた本実施形態のａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２の３元系主成分の結晶及びガラス相からなる誘電体磁器のＸ線回折図を示す。また、図４に前者の製造方法で得られた本実施形態のａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２−ｄＺｎ_２ＴｉＯ_４の４元系主成分の結晶およびガラス相からなる誘電体磁器のＸ線回折図を示す。なお、出発原料を酸化物とした後者の製造方法、或いは出発原料として仮焼時に酸化物となる炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物等を用いた製造方法を用いた場合においても、前記のような目的とする結晶構造の誘電体磁器を得ることが可能である。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、適当な形状およびサイズに加工し焼成し更に所要の電極を形成することにより誘電体共振器を製造するのに利用できる。また、本実施形態の誘電体磁器組成物にポリビニルブチラール等の樹脂、フタル酸ジブチル等の可塑剤、およびトルエン等の有機溶剤を混合した後、ドクターブレード法等によるシート成形を行い、得られたシートと導体とを積層化して、一体焼成することにより、各種積層セラミック部品を得ることができる。積層セラミック部品としては積層誘電体共振器、積層セラミックコンデンサ、ＬＣフィルター、誘電体基板などが挙げられる。
本実施形態の積層セラミック部品は、複数の誘電体層と、該誘電体層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備えており、前記誘電体層が前記誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成されている。本発明の積層セラミック部品は、誘電体磁器組成物を含有する誘電体層と、Ｃｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする合金材料とを、同時焼成することにより得ることができる。
上記積層セラミック部品の実施形態として、例えば図１に示したトリプレートタイプの共振器が挙げられる。図１は本実施形態に係るトリプレートタイプの共振器を示す斜視図であり、図２はその断面図である。図１及び図２に示すように、トリプレートタイプの共振器は、複数の誘電体層１と、該誘電体層間に形成された内部電極２と、該内部電極に電気的に接続された外部電極３とを備える積層セラミック部品である。トリプレートタイプの共振器は、内部電極２を中央部に配置して複数枚の誘電体層１を積層して得られる。内部電極２は、第１の面Ａからこれに対向する第２の面Ｂまで貫通するように形成されており、第１の面Ａのみ開放面で、第１の面Ａを除く共振器の５面には外部電極３が形成されており、第２の面Ｂにおいて内部電極２と外部電極３とが接続されている。内部電極２の材料は、ＣｕまたはＡｇあるいは、それらを主成分とする合金材料から構成されている。本実施形態の誘電体磁器組成物は低温で焼成が可能なため、これらの内部電極の材料を使用しての同時焼成が可能である。
（２）第２の実施形態（上記一般式（２）の原料組成物の仮焼物からなる主成分を持つ誘電体磁器組成物に係る実施形態）：
本実施形態の誘電体磁器組成物は、一般式（２）［ａＺｎＯ−ｂＡｌ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄ（ｘＣａＯ−（１−ｘ）ＴｉＯ_２）］の原料組成物を仮焼して得た仮焼物を主成分とし、該主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、およびガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなるものである。
主成分の仮焼物は、上記のような一般式（２）で表すことができるＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、およびＴｉＯ_２、また必要に応じてＣａＯの各酸化物からなる原料を所定量９００〜１２００℃程度で仮焼することによって得られる。この仮焼物は、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４の結晶およびＺｎ_２ＳｉＯ_４の結晶を含んでおり、原料組成にＣａＯを含む場合は、さらにＣａＴｉＯ_３の結晶も含んでいる。原料組成によっては、ＣａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４、ＺｎＴｉＯ_３、Ｚｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８、ＴｉＯ_２の結晶を含むこともある。
本実施形態の誘電体磁器組成物に配合されるガラス成分としては、上記第１の実施形態で挙げたものと同様なＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラスが挙げられる。さらに、本実施形態のガラス成分としては、各種金属酸化物等からなるガラスも使用することができ、そのようなガラスとしてＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスが挙げられる。ガラスは非晶質ガラスや結晶質ガラスのどちらを用いてもよい。ガラス中にＰｂＯを含有すると焼成温度は低下する傾向にあるが、無負荷Ｑ値が低下する傾向にあり、このためガラス中のＰｂＯ成分の含有量は、４０重量％以下が好ましい。また、ガラス中にＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｉＯ_２及びＢ_２Ｏ_３を成分として含有すると、高い無負荷Ｑ値を得ることができることから、このような成分を持つガラスは本実施形態に用いるガラスとして特に好適である。
特に好ましいガラス組成として、ＳｉＯ_２が２．５〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜５ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％のガラス組成物が例示される。
次に本実施形態における組成の限定理由について説明する。セラミックスの母材となる前記主成分１００重量部に対して、ガラス成分含有量が５重量部未満の場合には１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、１５０重量部を超える場合には焼成時にガラスが溶出して良好な焼結体を得ることができなくなるため、いずれも好ましくない。本実施形態において、ガラスの含有量は、さらに好ましくは、１０重量部〜５０重量部である。これらのガラス成分含有量によれば、焼成温度が低く、特に低融点金属であるＡｇと同時焼成する場合においてマイグレーション等の不具合が生じにくくなるとともに、Ｑ×ｆ_０値が高くなる利点がある。また、副成分のＬｉ_２Ｏの含有量が前記主成分１００重量部に対して、２重量部より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、３０重量部を超えると焼成時にガラスが溶出し良好な焼結体が得られず、いずれも好ましくない。
また、前記主成分原料においてモル分率ａが７．５ｍｏｌ％より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、５５．０ｍｏｌ％を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため、いずれも好ましくない。また、モル分率ｂが５．０ｍｏｌ％より少ないとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなり、６５．０ｍｏｌ％を超えると１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなるため、いずれも好ましくない。また、モル分率ｃが５．０ｍｏｌ％より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、７０．０ｍｏｌ％を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため、いずれも好ましくない。また、モル分率ｄが７．５ｍｏｌ％より少ないか或いは２７．５ｍｏｌ％を超えると共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃より大きくなるため好ましくない。また、ｘの値が０．７５を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなり、共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃より大きくなるため好ましくない。本実施形態の誘電体磁器組成物には、これら主要成分以外にも、本発明の目的を損なわない範囲で他成分を含めることが可能である。
前記式（２）においてｘが０であると、本実施形態の誘電体磁器組成物の主成分原料は、ａＺｎＯ−ｂＡｌ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄＴｉＯ_２（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）と表されるが、この４成分系の主成分原料の仮焼物１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、およびガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有する誘電体磁器組成物においても上記の本発明の効果が得られる。
本実施形態の誘電体磁器組成物の最も望ましい形態としては、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＴｉＯ_２の５成分系の主成分原料の仮焼物１００重量部に対して、副成分Ｌｉ_２Ｏを２重量部以上３０重量部以下、およびガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有する誘電体磁器組成物が挙げられる。
本実施形態で示される５成分系の主成分原料の仮焼物と副成分Ｌｉ_２Ｏとガラス成分とからなる誘電体磁器組成物は、前記４成分系の主成分原料の仮焼物と副成分Ｌｉ_２Ｏとガラス成分とからなる誘電体磁器組成物に比べて、焼成温度を更に下げることができ、特に低融点金属であるＡｇと同時焼成する場合においてマイグレーション等の不具合が一層生じにくくなる利点がある。
本実施形態の誘電体磁器組成物およびこれを焼成して得られる誘電体磁器の好適な製造方法の一例を次に示す。前記主成分の原料は、例えば次のようにして得られる。即ち、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＣａＯ、ＴｉＯ_２のうち必要な原料を所定量ずつ秤量し水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、得られた粉末を９００〜１２００℃程度で仮焼することにより得られる。このようにして得られた主成分の仮焼粉と副成分のＬｉ_２Ｏ粉末とガラス粉末とを所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、得られた粉末にポリビニルアルコールの如き有機バインダーおよび水を混合して均質にし、乾燥、粉砕して、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２程度）する。そして得られた成型物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下にて８５０〜９７５℃で焼成することにより誘電体磁器が得られる。
図５にこのようにして得られた本発明のＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＴｉＯ_２の５成分系の主成分原料の仮焼粉に対して、副成分Ｌｉ_２Ｏとガラス成分とを混合し、焼成して得られた誘電体磁器のＸ線回折図を示す。図５から、本実施形態の誘電体磁器は、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４およびＣａＴｉＯ_３、更にはＣａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８およびＺｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８の結晶相とガラス相とからなることがわかる。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、第１の実施形態と同様にして誘電体共振器を製造するのに利用できる。また、本実施形態の誘電体磁器組成物から、第１の実施形態と同様にして、トリプレートタイプの共振器等の各種積層セラミック部品を得ることができる。
（３）第３の実施形態（上記一般式（３）の主成分を持つ誘電体磁器組成物に係る実施形態）：
本実施形態の誘電体磁器組成物は、一般式（３）［ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＳｒＴｉＯ_３］で表される主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、およびガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなるものである。
本実施形態の誘電体磁器組成物に配合されるガラス成分としては、上記第２の実施形態で挙げたものと同様のものが挙げられる。ガラス中にＰｂＯを含有すると焼成温度は低下する傾向にあるが、無負荷Ｑ値が低下する傾向にあり、このためガラス中のＰｂＯ成分の含有量は、４０重量％以下が好ましい。また、ガラス中にＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｉＯ_２及びＢ_２Ｏ_３を成分として含有すると、高い無負荷Ｑ値を得ることができることから、このような成分を持つガラスは本実施形態に用いるガラスとして特に好適である。
特に好ましいガラス組成として、ＳｉＯ_２が２．５〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜５ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％のガラス組成物が例示される。
次に本実施形態における組成の限定理由について説明する。セラミックスの母材となる前記主成分１００重量部に対して、ガラス成分含有量が５重量部未満の場合には１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、ガラス成分含有量が１５０重量部を超える場合には焼成時にガラスが溶出して良好な焼結体を得ることができなくなるため、いずれも好ましくない。さらに好ましくは、ガラス成分の含有量は、２０重量部〜５０重量部である。これらのガラス成分含有量によれば、焼成温度が低く、特に低融点金属であるＡｇと同時焼成する場合においてマイグレーション等の不具合が生じにくくなるとともに、Ｑ×ｆ_０値が高くなる利点がある。また、副成分のＬｉ化合物の含有量がＬｉ_２Ｏ換算で前記主成分１００重量部に対して、２重量部より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、３０重量部を超えるとガラスが溶出し良好な焼結体が得られず、いずれも好ましくない。
また、前記主成分においてａが２．５モル％より少ないとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくなく、７７．５モル％を超えると１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなるため好ましくない。また、ｂが２．５モル％より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、７７．５モル％を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくない。また、ｃが２．５モル％より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、３７．５モル％を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくない。また、ｄが１０．０モル％より少ないか１７．５モル％を超えると共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃より大きくなるため好ましくない。本実施形態の誘電体磁器組成物には、これら主要成分以外にも、本発明の目的を損なわない範囲で他成分を含めることが可能である。
本実施形態の誘電体磁器組成物およびこれを焼成して得られる誘電体磁器の好適な製造方法の一例を次に示す。本実施形態の誘電体磁器組成物の主成分を構成するＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＳｉＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３の各成分は、それぞれ個別に調製することも可能であり、また、一度に混合物として調製することも可能である。各成分をそれぞれ個別に調製する場合の例としては、各元素単独の酸化物を所定の割合で配合し仮焼することにより得られる。例えば、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、は、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３とをモル比で１：１で配合し、９００〜１２００℃で仮焼することにより得られる。同様に、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４は、ＺｎＯとＳｉＯ_２とをモル比で２：１で、ＳｒＴｉＯ_３は、ＳｒＯとＴｉＯ_２とをモル比で１：１で、配合し仮焼することで、それぞれ得られる。
誘電体磁器組成物の主成分は、一度に混合物として調製する場合は、例えば、次のようにして得ることが出来る。即ち、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の各粉末のうち必要な出発原料を所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、大気雰囲気中にて９００〜１２００℃の温度で２時間仮焼してＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＳｉＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３で構成される仮焼粉末を得る。なお、亜鉛、アルミニウム、ケイ素、ストロンチウム、チタンの原料としては、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｒＯ、ＴｉＯ_２の酸化物の他に、仮焼時に酸化物となる炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物等を使用することができる。
上記のようにして得られた仮焼粉末からなる主成分に副成分のＬｉ_２Ｏ粉末とガラス粉末とを配合させることにより、本実施形態の誘電体磁器組成物を得ることができる。なお、本実施形態では、Ｌｉ_２Ｏの代わりに、焼成してＬｉ_２Ｏとなる化合物、例えば、Ｌｉ_２ＣＯ_３などをＬｉ_２Ｏ換算で同等の量で使用してもよい。
前記誘電体磁器組成物を焼成して誘電体磁器を得る場合は、通常次のようにする。即ち、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＳｉＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３の主成分と副成分のＬｉ_２Ｏ粉末とガラス粉末とを所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、得られた粉末にポリビニルアルコールの如き有機バインダーおよび水を混合して均質にし、乾燥、粉砕して、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２程度）する。そして得られた成型物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下にて８２５〜９７５℃で焼成することにより、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４およびＳｒＴｉＯ_３の各結晶相とガラス相とからなる誘電体磁器が得られる。
図６に、本実施形態のａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＳｒＴｉＯ_３で表される仮焼粉主成分に対して、副成分Ｌｉ_２Ｏとガラスとを混合し、焼成して得られた誘電体磁器のＸ線回折図を示す。図６から、本実施形態の誘電体磁器は、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４およびＳｒＴｉＯ_３の結晶相とガラス相とからなることがわかる。主成分中のＳｉＯ_２結晶は、焼成に重要な役割を果たし、主成分にＳｉＯ_２結晶を含まない場合、低温では十分に焼成できない。焼成前に含有されたＳｉＯ_２結晶は、焼成後は、Ｘ線回折で検出されず、非晶質状態になっているものと推定される。副成分のＬｉ_２Ｏも同様に、焼成後は、Ｘ線回折で検出されず、非晶質状態になっているものと推定される。なお、本実施形態の誘電体磁器は、結晶相がＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４およびＳｒＴｉＯ_３からなるが、本発明の効果を示す範囲で、他の結晶相がわずかに存在してもよい。また、出発原料を酸化物とした製造方法、或いは出発原料として仮焼時に酸化物となる炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物等を用いた製造方法を用いた場合においても、前記のような結晶構造を得ることが可能である。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、第１の実施形態と同様にして誘電体共振器を製造するのに利用できる。また、本実施形態の誘電体磁器組成物から、第１の実施形態と同様にして、トリプレートタイプの共振器等の各種積層セラミック部品を得ることができる。
（４）第４の実施形態（上記一般式（４）の主成分を持つ誘電体磁器組成物に係る実施形態）：
本実施形態の誘電体磁器組成物は、一般式（４）［ａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３−ｅＺｎ_２ＳｉＯ_４］で表される主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で１重量部以上１５重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなるものである。
前記主成分においてモル分率ａが０．１０より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなるため好ましくなく、０．７２を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくない。また、モル分率ｂが０．０８より少ないとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくなく、０．６２を超えると１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなるため好ましくない。また、モル分率ｃが０．０２より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなるため好ましくなく、０．２２を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくない。また、モル分率ｄが０．１２より少ないか或いは０．２２を超えると共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃より大きくなるため好ましくない。また、モル分率ｅが０．０８を超えるとＱ×ｆ_０値が１００００（ＧＨｚ）より小さくなるため好ましくない。本実施形態の誘電体磁器組成物には、これら主要成分以外にも、本発明の目的を損なわない範囲で他成分を含めることが可能である。
本実施形態の誘電体磁器組成物において、副成分としてのＬｉ化合物は、Ｌｉ_２Ｏも含み、その他に、焼成してＬｉ酸化物となるＬｉの炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物なども挙げられる。通常、Ｌｉ_２ＯまたはＬｉ_２ＣＯ_３が使用される。これらの副成分の添加量は、Ｌｉ_２Ｏ換算で上記の量になるように決められる。
本実施形態の誘電体磁器組成物に配合されるガラス成分としては、上記第１の実施形態で挙げたものと同様なＰｂＯ系ガラス、Ｚｎｏ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラスが挙げられる。さらに、本実施形態のガラス成分としては、各種金属酸化物等からなるガラスも使用することができ、そのようなガラスとしてＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスが挙げられる。ガラスは非晶質ガラスや結晶質ガラスのどちらを用いてもよい。ガラス中にＰｂＯを含有すると焼成温度は低下する傾向にあるが、無負荷Ｑ値が低下する傾向にあり、このためガラス中のＰｂＯ成分の含有量は、４０重量％以下が好ましい。また、ガラス中にＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｉＯ_２及びＢ_２Ｏ_３を成分として含有すると、高い無負荷Ｑ値を得ることができることから、このような成分を持つガラスは本実施形態に用いるガラスとして特に好適である。
特に好ましいガラス組成としては、ＳｉＯ_２が２〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜３０ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％のガラス組成物が例示される。このガラス組成物を使用すれば９５０℃以下の焼成温度でも焼成が可能である。
セラミックスの母材となる前記主成分１００重量部に対して、ガラス成分含有量が５重量部未満では１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、１５０重量部を超える場合には焼成時にガラスが溶出して良好な焼結体を得ることができなくなるため、いずれも好ましくない。本実施形態において、さらに好ましくは、ガラス成分の含有量は、１０重量部〜５０重量部である。これらのガラス成分含有量によれば、焼成温度が低く、特に低融点金属であるＡｇと同時焼成する場合においてマイグレーション等の不具合が生じにくくなるとともに、Ｑ×ｆ_０値が高くなる利点がある。また、前記副成分のＬｉ_２Ｏ換算の含有量が前記主成分１００重量部に対して、１重量部より少ないと１０００℃以下で良好な焼結体が得られなくなり、１５重量部を超えると焼成時にガラスが溶出し良好な焼結体が得られず、いずれも好ましくない。
前記主成分のモル分率ｅが０であると、本実施形態の誘電体磁器組成物の主成分はａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３と表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが０．１０≦ａ≦０．７２、０．０８≦ｂ≦０．６２、０．０２≦ｃ≦０．２２、０．１２≦ｄ≦０．２２（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１）として表されるが、この４成分系の主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で１重量部以上１５重量部以下、およびガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物においても、上記の本発明の効果が得られる。
実施形態の誘電体磁器組成物の望ましい形態としては、ａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３−ｅＺｎ_２ＳｉＯ_４で表される５成分系の主成分１００重量部に対して、副成分として焼成してＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で１重量部以上１５重量部以下、およびガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下、配合せしめてなる誘電体磁器組成物が挙げられる。この５成分系主成分の誘電体磁器組成物は、前記４成分系主成分の誘電体磁器組成物に比べて、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４が加えられている事により、焼成温度を更に下げることができ、特に低融点金属であるＡｇと同時焼成する場合においてマイグレーション等の不具合が一層生じにくくなる利点がある。
本実施形態の誘電体磁器は、前記誘電体磁器組成物を焼成することにより得られる。得られる誘電体磁器は、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３の結晶相とガラス相とを含む。焼成前の誘電体磁器組成物にＺｎ_２ＳｉＯ_４を含む場合は、さらに結晶相にＺｎ_２ＳｉＯ_４を含む。結晶相およびガラス相の組成は、前記誘電体磁器組成物を構成する結晶成分とガラス成分の各組成に近いが、焼成時に、結晶粒子の表面とガラス成分とが一部反応することにより、強固な焼結体を形成すると共に、結晶成分とガラス成分とが一部反応することにより、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、Ｌｉ_２ＺｎＳｉＯ_４、ＣａＴｉＳｉＯ_５、Ｃａ_２ＴｉＳｉＯ_６、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ｚｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８の結晶のうち少なくとも１種を生成することもある。
本実施形態の誘電体磁器は、共振周波数ｆ_０（ＧＨｚ）とＱ値の積であるＱ×ｆ_０値が２００００（ＧＨｚ）以上と大きい値を示し、誘電損失が小さい。また、共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下で、温度による影響が少なく、更に、比誘電率ε_ｒが１０以下であり、誘電体磁器を用いた高周波用素子や回路は小さくなりすぎることはなく適度な大きさに保つことが可能になり、加工精度や生産性の面で優れている。
本実施形態の誘電体磁器組成物およびこれを焼成して得られる誘電体磁器の好適な製造方法の一例を次に示す。本実施形態の誘電体磁器組成物の主成分を構成するＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の各成分は、それぞれ個別に調製することも可能であり、また、一度に混合物として調製することも可能である。各成分をそれぞれ個別に調製する場合の例としては、各元素単独の酸化物を所定の割合で仮焼することが挙げられる。例えば、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４は、ＭｇＯとＳｉＯ_２とをモル比で２：１で配合し、９００〜１３００℃で仮焼することにより得られる。ＺｎＡｌ_２Ｏ_４は、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３とをモル比で１：１で配合し、９００〜１３００℃で仮焼することにより得られる。同様に、ＣａＴｉＯ_３は、ＣａＯとＴｉＯ_２とをモル比で１：１で、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４は、ＺｎＯとＳｉＯ_２とをモル比で２：１で、配合した後、仮焼することでそれぞれ得られる。
誘電体磁器組成物の主成分を一度に混合物として調製する場合は、例えば、次のようにして得ることが出来る。即ち、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の各粉末のうち必要な出発原料を所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、大気雰囲気中にて９００〜１３００℃の温度で２時間仮焼してＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４で構成される仮焼粉末を得る。なお、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、ケイ素、カルシウム、チタンの原料としては、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＣａＯ、ＴｉＯ_２の酸化物の他に、仮焼時に酸化物となる炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物等を使用することができる。
上記のようにして得られた主成分の仮焼粉末に副成分として、焼成してＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物、例えば、炭酸リチウム（Ｌｉ_２ＣＯ_３）の粉末とガラス粉末とを配合させることにより、本実施形態の誘電体磁器組成物を得ることができる。
前記誘電体磁器組成物を焼成して誘電体磁器を得る場合は、通常次のようにする。即ち、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４のうち必要な主成分粉末と副成分である焼成してＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物の粉末とガラス粉末とを所定量ずつ、水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等の溶媒を除去した後、得られた粉末にポリビニルアルコールの如き有機バインダーおよび水を混合して均質にし、乾燥、粉砕して、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２程度）する。そして得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下にて８００〜９５０℃で焼成することにより、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３の結晶相とガラス相とを含有する誘電体磁器が得られる。また、主成分と副成分またはガラス成分との反応により、Ｌｉ_２ＺｎＳｉＯ_４、ＣａＴｉＳｉＯ_５、Ｃａ_２ＴｉＳｉＯ_６、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ｚｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８のうち少なくともいずれかの結晶相を含有する場合もある。これらの結晶相は任意成分であり、存在しても本発明の効果を得ることができる。
図７にこのようにして得られた本実施形態のａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３で表される４成分系の主成分仮焼粉に対して、副成分としてのＬｉ_２Ｏとガラス成分とを混合し、焼成して得られた誘電体磁器のＸ線回折図を示す。また、図８に本実施形態のａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３−ｅＺｎ_２ＳｉＯ_４で表される５成分系の主成分仮焼粉に対して、副成分としてのＬｉ_２Ｏとガラス成分とを混合し、焼成して得られた誘電体磁器のＸ線回折図を示す。
図７及び図８に示すように、本実施形態の誘電体磁器は、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２及びＣａＴｉＯ_３、図８の場合はさらにＺｎ_２ＳｉＯ_４からなる主成分の結晶相とガラス相との他に、主成分と副成分およびガラス成分との反応によりＬｉ_２ＺｎＳｉＯ_４、ＣａＴｉＳｉＯ_５、Ｃａ_２ＴｉＳｉＯ_６、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ｚｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８のうちから選択される少なくとも１種の結晶相が生成されているが、この様な結晶相が本実施形態の誘電体磁器組成物中に存在しても本発明の効果を示す。また、これらの結晶相以外にも、本発明の効果を示す範囲で、他の結晶相がわずかに存在してもよい。また、出発原料を各元素単独の酸化物とした製造方法、或いは出発原料として仮焼時に酸化物となる炭酸塩、水酸化物、有機金属化合物等を用いた製造方法を用いた場合においても、前記のような結晶構造を得ることが可能である。
本実施形態の誘電体磁器組成物は、第１の実施形態と同様にして誘電体共振器を製造するのに利用できる。また、本実施形態の誘電体磁器組成物から、第１の実施形態と同様にして、トリプレートタイプの共振器等の各種積層セラミック部品を得ることができる。
以下、本発明の実施例を示す。
（１）第１の実施形態に係る実施例及び比較例：

ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３のモル比が１：１になるようにＺｎＯおよびＡｌ_２Ｏ_３の各粉末を秤量した後、エタノール（溶媒［以下同様］）、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後に溶媒を脱媒乾燥した。続いて、乾燥後の混合粉末を大気雰囲気中にて１０００℃の温度で２時間仮焼してＺｎＡｌ_２Ｏ_４の結晶の粉末を得た。
同様にＺｎＯとＳｉＯ_２のモル比が２：１になるようにＺｎＯおよびＳｉＯ_２の各粉末を秤量した後、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後に溶媒を脱媒乾燥した。続いて、乾燥後の混合粉末を大気雰囲気中にて１０００℃の温度で２時間仮焼してＺｎ_２ＳｉＯ_４の結晶の粉末を得た。
続いて、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４が７．５ｍｏｌ％、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４が６７．５ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２が２５ｍｏｌ％となるように、得られたＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の各粉末およびＴｉＯ_２粉末を秤量、混合し、主成分とした。
さらに、この主成分１００重量部に対して、ＳｉＯ_２が６．０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が１１．０ｗｔ％、ＺｎＯが４７．０ｗｔ％、ＢａＯが４．０ｗｔ％、ＳｒＯが０．２ｗｔ％、ＣａＯが０．８ｗｔ％、ＳｎＯ_２が１．０ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が３０．０ｗｔ％で構成されているガラス粉末が３０重量部となるように、前記主成分の粉末と前記ガラス粉末とを所定量（全量として１５０ｇ）秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を脱媒乾燥した。
得られた混合粉（組成を表１に示す）を粉砕した後、適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥した後に直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍのペレットに成形し、空気雰囲気中、９２５℃の温度で２時間焼成して本発明の組成を有する誘電体磁器を得た。
こうして得られた誘電体磁器を、直径８ｍｍ、厚み４ｍｍの大きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数９〜１３ＧＨｚにおけるＱ×ｆ_０値、比誘電率ε_ｒ、および共振周波数の温度係数τ_ｆを求めた。その結果を表２に示す。
また、前記主成分とガラス粉末とを混合、脱媒して得られた乾燥混合粉１００ｇに対して、結合剤としてポリビニルブチラール９ｇ、可塑剤としてフタル酸ジブチル６ｇおよび溶剤としてトルエン６０ｇとイソプロピルアルコール３０ｇを添加しドクターブレード法により厚さ１００μｍのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを、６５℃の温度で２００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力を加える熱圧着により、２０層積層した。その際、内部電極としてＡｇを印刷した層が厚み方向の中央部にくるように配置した。得られた積層体を９２５℃で２時間焼成した後、幅５．０ｍｍ、高さ（積層方向寸法）１．５ｍｍ、長さ（内部電極延在方向寸法）９．５ｍｍに加工し、外部電極を形成して図１及び図２に示すようなトリプレートタイプの共振器を作製した。得られたトリプレートタイプの共振器について共振周波数２．５ＧＨｚで無負荷Ｑ値を評価した。その結果を表２に示す。

実施例２〜１０

実施例１と同様の方法にて、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の各粉末とＴｉＯ_２粉末及びガラス粉末とを表１に示した組成比になるように配合し、混合後、実施例１と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表２に示したように９００℃〜９２５℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例１と同様な方法で特性を評価した。その結果を表２に示す。尚、上記図３のＸ線回折図は、実施例２で得られた誘電体磁器のものである。
［比較例１〜８］
実施例１と同様の方法で、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の各粉末とＴｉＯ_２粉末及びガラス粉末とを表１に示した組成比になるように配合し混合した後、実施例１と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表２に示したように９０５℃〜１０００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し（一部の比較例については作製しようとし）、得られた誘電体磁器及び共振器について実施例１と同様な方法で特性を評価した。その結果を表２に示す。

ＺｎＯとＴｉＯ_２のモル比が２：１になるようにＺｎＯおよびＴｉＯ_２の各粉末を秤量した後、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後に溶媒を脱媒乾燥した。続いて混合乾燥した粉末を大気雰囲気中にて１０００℃の温度で２時間仮焼してＺｎ_２ＴｉＯ_４の結晶の粉末を得た。
また、実施例１と同様にして、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の各粉末を得た。
続いて、得られたＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４の各粉末とＴｉＯ_２粉末およびガラス粉末とを表１に示した組成比になるように配合し、実施例１と同一条件で混合、成形し、空気雰囲気下において８７５℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例１と同様な方法で特性を評価した。その結果を表２に示す。

実施例１２〜２２

実施例１１と同様の方法で、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４の各粉末とＴｉＯ_２粉末およびガラス粉末とを表１に示した組成比になるように配合し、混合後、実施例１と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表２に示したように８２５℃〜９０５℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例１と同様な方法で特性を評価した。その結果を表２に示す。尚、上記図４のＸ線回折図は、実施例１３で得られた誘電体磁器のものである。
［比較例９〜１８］
実施例１１と同様の方法で、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４の各粉末とＴｉＯ_２粉末およびガラス粉末とを表１に示した組成比になるように配合し、混合後、実施例１と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表２に示したように８５０℃〜１０００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し（一部の比較例については作製しようとし）、得られた誘電体磁器及び共振器について実施例１と同様な方法で特性を評価した。その結果を表２に示す。
（２）第２の実施形態に係る実施例及び比較例：

ＺｎＯを１０．０ｍｏｌ％、Ａｌ_２Ｏ_３を３５．０ｍｏｌ％、ＳｉＯ_２を３５．０ｍｏｌ％、ＴｉＯ_２を２０．０ｍｏｌ％となるように、所定量（全量として２００ｇ）を秤量し、原料粉をエタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した。溶媒を脱媒後、粉砕し、大気中、１０００℃の温度で仮焼を行い、得られた仮焼粉末を粉砕後、主成分とした。
さらに、この主成分１００重量部に対して、Ｌｉ_２Ｏ粉末５重量部と、ＳｉＯ_２が６．０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が１２．０ｗｔ％、ＺｎＯが４７．０ｗｔ％、ＢａＯが３．０ｗｔ％、ＳｒＯが１．０ｗｔ％、ＳｎＯ_２が１．０ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が３０．０ｗｔ％で構成されているガラス粉末が２０重量部となるように、前記主成分の粉末と前記ガラス粉末とを所定量（全量として１５０ｇ）を秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を脱媒乾燥した。
得られた混合粉を粉砕した後、適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥した後に直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍのペレットに成形し、空気雰囲気中、９２５℃の温度で２時間焼成して誘電体磁器を得た。
こうして得られた誘電体磁器を、直径８ｍｍ、厚み４ｍｍの大きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数９〜１３ＧＨｚにおけるＱ×ｆ_０値、比誘電率ε_ｒ、および共振周波数の温度係数τ_ｆを求めた。その結果を表４に示す。
また、前記主成分とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを混合、脱媒して得られた乾燥混合粉１００ｇに対して、結合剤としてポリビニルブチラール９ｇ、可塑剤としてフタル酸ジブチル６ｇおよび溶剤としてトルエン６０ｇとイソプロピルアルコール３０ｇを添加しドクターブレード法により厚さ１００μｍのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを、６５℃の温度で２００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力を加える熱圧着により、２０層積層した。その際、内部電極としてＡｇを印刷した層が厚み方向の中央部にくるように配置した。得られた積層体を９７５℃で２時間焼成した後、幅５．０ｍｍ、高さ１．５ｍｍ、長さ９．５ｍｍに加工し、外部電極を形成して図１及び図２に示すようなトリプレートタイプの共振器を作製した。得られたトリプレートタイプの共振器について共振周波数２．５ＧＨｚで無負荷Ｑ値を評価した。その結果を表４に示す。

実施例２４〜４２

実施例２３と同様の方法にて、主成分の仮焼粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表３に示した組成比になるように配合し、混合後、実施例２３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表３に示したように８５０〜９７５℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例２３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表４に示す。尚、上記図５のＸ線回折図は、実施例３３で得られた誘電体磁器のものである。
［比較例１９〜２９］
実施例２３と同様の方法で、主成分の仮焼粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表３に示した配合量で混合後、実施例２３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において表４に示したように８７５℃〜１０００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し（一部の比較例については作製しようとし）、得られた誘電体磁器及び共振器について実施例２３と同様な方法で特性を評価した。
その結果を表４に示す。
（３）第３の実施形態に係る実施例及び比較例：

ＺｎＡｌ_２Ｏ_４を７５．０モル％、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を５．０モル％、ＳｉＯ_２を５．０モル％、ＳｒＴｉＯ_３を１５．０モル％含む主成分を得るために、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の各粉末を所定量（全量として２００ｇ）を秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した。溶媒を脱媒後、粉砕し、大気中、１０００℃の温度で仮焼を行い、得られた仮焼粉末を粉砕して、主成分を得た。
さらに、この主成分１００重量部に対して、Ｌｉ_２Ｏ粉末５重量部と、ＳｉＯ_２が６．０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が１２．０ｗｔ％、ＺｎＯが４７．０ｗｔ％、ＢａＯが３．０ｗｔ％、ＳｒＯが１．０ｗｔ％、ＳｎＯ_２が１．０ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が３０．０ｗｔ％で構成されているガラス粉末２５重量部となるように、前記主成分の粉末と前記Ｌｉ_２Ｏ粉末と前記ガラス粉末とを所定量（全量として１５０ｇ）を秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を脱媒乾燥した。
得られた混合粉を粉砕した後、適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥した後に直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍのペレットに成形し、空気雰囲気中、９７５℃の温度で２時間焼成して誘電体磁器を得た。
こうして得られた誘電体磁器を、直径８ｍｍ、厚み４ｍｍの大きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数９〜１３ＧＨｚにおけるＱ×ｆ_０値、比誘電率ε_ｒ、および共振周波数の温度係数τ_ｆを求めた。その結果を表６示す。
また、前記主成分とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを混合、脱媒して得られた乾燥混合粉１００ｇに対して、結合剤としてポリビニルブチラール９ｇ、可塑剤としてフタル酸ジブチル６ｇおよび溶剤としてトルエン６０ｇとイソプロピルアルコール３０ｇを添加しドクターブレード法により厚さ１００μｍのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを、６５℃の温度で２００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力を加える熱圧着により、２０層積層した。その際、内部電極としてＡｇを印刷した層が厚み方向の中央部にくるように配置した。得られた積層体を９７５℃で２時間焼成した後、幅５．０ｍｍ、高さ１．５ｍｍ、長さ９．５ｍｍに加工し、外部電極を形成して図１及び図２に示すようなトリプレートタイプの共振器を作製した。得られたトリプレートタイプの共振器について共振周波数２．５ＧＨｚで無負荷Ｑ値を評価した。その結果を表６に示す。

実施例４４〜６２

実施例４３と同様の方法にて、得られた主成分の仮焼粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表５に示した組成比になるように配合し、混合後、実施例４３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表６に示したように８２５〜９７５℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例４３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表６に示す。また、図６に実施例４４で得られた本発明のａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＳｒＴｉＯ_３で表される主成分に対して、副成分Ｌｉ_２Ｏとガラス成分とを混合した誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器のＸ線回折図を示す。
［比較例３０〜４１］
実施例４３と同様の方法で、主成分の仮焼粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表５に示した配合量で混合後、実施例４３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において表６に示したように８２５℃〜１０００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し（一部の比較例については作製しようとし）、得られた誘電体磁器及び共振器について実施例４３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表６に示す。
（４）第４の実施形態に係る実施例及び比較例：

ＭｇＯとＳｉＯ_２とをモル比で２：１になるように秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を除去乾燥した粉末を、１２００℃で２時間、仮焼を行った後、得られた仮焼物を粉砕しＭｇ_２ＳｉＯ_４の粉末を得た。また、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３とをモル比で１：１になるように秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を除去乾燥した粉末を、１１００℃で２時間の仮焼を行った後、得られた仮焼物を粉砕しＺｎＡｌ_２Ｏ_４の粉末を得た。更に、ＣａＯとＴｉＯ_２とをモル比で１：１になるように秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を除去乾燥した粉末を、１２５０℃で２時間の仮焼を行った後、得られた仮焼物を粉砕しＣａＴｉＯ_３の粉末を得た。
次にＭｇ_２ＳｉＯ_４がモル分率で０．１２、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４がモル分率で０．５８、ＳｉＯ_２がモル分率で０．１０、ＣａＴｉＯ_３がモル分率で０．２０になる様に、各粉末を秤量、混合し主成分とした。更に、この主成分１００重量部と、Ｌｉ_２Ｏ粉末５重量部と、ＳｉＯ_２が６．０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が１２．０ｗｔ％、ＺｎＯが２５．０ｗｔ％、ＢａＯが２５．０ｗｔ％、ＳｒＯが１．０ｗｔ％、ＳｎＯ_２が１．０ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が３０．０ｗｔ％で構成されているガラス粉末２５重量部とを、所定量（全量として１５０ｇ）秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を除去乾燥した。
得られた混合粉を粉砕した後、適量のポリビニルアルコール溶液を加えて乾燥した後に直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍのペレットに成形し、空気雰囲気中、９２５℃の温度で２時間焼成して誘電体磁器を得た。
こうして得られた誘電体磁器を、直径８ｍｍ、厚み４ｍｍの大きさに加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数９〜１３ＧＨｚにおけるＱ×ｆ_０値、比誘電率ε_ｒ、および共振周波数の温度係数τ_ｆを求めた。その結果を表８に示す。
また、前記主成分とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを混合、脱媒して得られた乾燥混合粉１００ｇに対して、結合剤としてポリビニルブチラール９ｇ、可塑剤としてフタル酸ジブチル６ｇおよび溶剤としてトルエン６０ｇとイソプロピルアルコール３０ｇを添加しドクターブレード法により厚さ１００μｍのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを、６５℃の温度で２００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力を加える熱圧着により、２０層積層した。その際、内部電極としてＡｇを印刷した層が厚み方向の中央部にくるように配置した。得られた積層体を９２５℃で２時間焼成した後、幅５．０ｍｍ、高さ１．５ｍｍ、長さ９．５ｍｍに加工し、外部電極を形成して図１及び図２に示すようなトリプレートタイプの共振器を作製した。得られたトリプレートタイプの共振器について共振周波数２、５ＧＨｚで無負荷Ｑ値を評価した。その結果を表８に示す。

実施例６４〜７５

実施例６３と同様の方法にて、主成分粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表７に示した組成比になるように配合し、混合後、実施例６３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において、表７に示したように８５０〜９２５℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例６３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表８に示す。また、図７に実施例６８で得られた本発明のａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３で表される４成分系の主成分に対して、副成分Ｌｉ_２Ｏとガラス成分とを混合した誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器のＸ線回折図を示す。

実施例７６〜８４

ＺｎＯとＳｉＯ_２とをモル比で２：１になるように秤量し、エタノール、ＺｒＯ_２ボールと共にボールミルに入れ、２４時間湿式混合した後、溶媒を除去乾燥した粉末を、１１００℃で２時間仮焼した後、得られた仮焼物を粉砕しＺｎ_２ＳｉＯ_４の粉末を得て、主成分の原料とした以外は、実施例６３と同様の方法で、主成分粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表７に示した配合量で混合後、実施例６３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において表８に示したように８００℃〜９００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し、実施例６３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表８に示す。また、図８に実施例７６で得られた本発明のａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３−ｅＺｎ_２ＳｉＯ_４で表される５成分系の主成分に対して、副成分Ｌｉ_２Ｏとガラス成分とを混合した誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器のＸ線回折図を示す。
［比較例４２〜４９］
実施例６３と同様の方法で、主成分の仮焼粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表７に示した配合量で混合後、実施例６３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において表８に示したように８５０℃〜１０００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し（一部の比較例については作製しようとし）、得られた誘電体磁器及び共振器について実施例６３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表８に示す。
［比較例５０〜５４］
実施例７６と同様の方法で、主成分の仮焼粉末とＬｉ_２Ｏ粉末及びガラス粉末とを表７に示した配合量で混合後、実施例６３と同一条件で成形し、空気雰囲気下において表８に示したように８２５℃〜１０００℃の温度にて２時間焼成して誘電体磁器及び共振器を作製し（一部の比較例については作製しようとし）、得られた誘電体磁器及び共振器について実施例６３と同様な方法で特性を評価した。その結果を表８に示す。

産業上の利用可能性：
本発明によれば、１０００℃以下の焼成温度で焼結が可能であり、比誘電率ε_ｒが１０以下で、高周波領域でのＱ値が大きく、更に共振周波数の温度変化率（τ_ｆ）の絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下の誘電体磁器の得られる誘電体磁器組成物を提供することができる。１０００℃以下の焼成温度で焼結ができるため、焼成に要する電力が低減されるとともに、比較的安価で低抵抗導体であるＡｇやＣｕ等と同時焼成が可能であり、さらにこれを内部電極とした積層セラミック部品を提供できる。

Claims (20)

1. 一般式（１）：ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＴｉＯ_２−ｄＺｎ_２ＴｉＯ_４で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが５．０≦ａ≦８０．０ｍｏｌ％、５．０≦ｂ≦７０．０ｍｏｌ％、５．０≦ｃ≦２７．５ｍｏｌ％、０≦ｄ≦３０．０ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）である主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物。
2. 前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項１記載の誘電体磁器組成物。
3. 請求項１記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られるＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４及びＺｎ_２ＴｉＯ_４の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器。
4. 請求項１記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られるＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、ＴｉＯ_２及びＺｎ_２ＴｉＯ_４の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器。
5. 一般式（２）：ａＺｎＯ−ｂＡｌ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄ（ｘＣａＯ−（１−ｘ）ＴｉＯ_２）で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが７．５≦ａ≦５５．０ｍｏｌ％、５．０≦ｂ≦６５．０ｍｏｌ％、５．０≦ｃ≦７０．０ｍｏｌ％、７．５≦ｄ≦２７．５ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）であり、０≦ｘ≦０．７５である原料組成物を仮焼して得られる仮焼物からなる主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物。
6. 前記主成分が、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４の結晶およびＺｎ_２ＳｉＯ_４の結晶と、ＣａＴｉＯ_３の結晶及びＴｉＯ_２の結晶のうちの少なくとも１つとを含むことを特徴とする、請求項５記載の誘電体磁器組成物。
7. 前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項５記載の誘電体磁器組成物。
8. 前記ガラス成分の組成が、ＳｉＯ_２が２．５〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜５ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項７記載の誘電体磁器組成物。
9. 請求項５記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られるＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４、並びにＣａＴｉＯ_３及びＴｉＯ_２のうちの少なくとも１つの各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器。
10. 一般式（２）：ａＺｎＯ−ｂＡｌ_２Ｏ_３−ｃＳｉＯ_２−ｄ（ｘＣａＯ−（１−ｘ）ＴｉＯ_２）で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが７．５≦ａ≦５５．０ｍｏｌ％、５．０≦ｂ≦６５．０ｍｏｌ％、５．０≦ｃ≦７０．０ｍｏｌ％、７．５≦ｄ≦２７．５ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）であり、０≦ｘ≦０．７５である原料組成物を９００〜１２００℃で仮焼し、これにより得られた仮焼物からなる主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめることを特徴とする、誘電体磁器組成物の製造方法。
11. 一般式（３）：ａＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｂＺｎ_２ＳｉＯ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＳｒＴｉＯ_３で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄが２．５≦ａ≦７７．５ｍｏｌ％、２．５≦ｂ≦７７．５ｍｏｌ％、２．５≦ｃ≦３７．５ｍｏｌ％、１０．０≦ｄ≦１７．５ｍｏｌ％（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ｍｏｌ％）である主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で２重量部以上３０重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物。
12. 前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項１１記載の誘電体磁器組成物。
13. 前記ガラス成分の組成が、ＳｉＯ_２が２．５〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜５ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１２記載の誘電体磁器組成物。
14. 請求項１１記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られるＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４およびＳｒＴｉＯ_３の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器。
15. 一般式（４）：ａＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｂＺｎＡｌ_２Ｏ_４−ｃＳｉＯ_２−ｄＣａＴｉＯ_３−ｅＺｎ_２ＳｉＯ_４で表され、各成分のモル分率ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅが０．１０≦ａ≦０．７２、０．０８≦ｂ≦０．６２、０．０２≦ｃ≦０．２２、０．１２≦ｄ≦０．２２、０≦ｅ≦０．０８（ただし、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１）である主成分１００重量部に対して、副成分としてのＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で１重量部以上１５重量部以下、及びガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下配合せしめてなる誘電体磁器組成物。
16. 前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ_２系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３系ガラス、およびＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３の群から選択される２種以上の酸化物からなるガラスから選択される少なくとも一種であることを特徴とする、請求項１５記載の誘電体磁器組成物。
17. 前記ガラス成分の組成が、ＳｉＯ_２が２〜７０ｗｔ％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５ｗｔ％、ＺｎＯが１０〜５５ｗｔ％、ＰｂＯが０〜３５ｗｔ％、Ｂｉ_２Ｏ_３が０〜２ｗｔ％、ＢａＯが０〜３０ｗｔ％、ＳｒＯが０〜２ｗｔ％、ＳｎＯ_２が０〜２ｗｔ％、ＺｒＯ_２が０〜１ｗｔ％、Ｂ_２Ｏ_３が１０〜５０ｗｔ％であることを特徴とする、請求項１６記載の誘電体磁器組成物。
18. 請求項１５記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られるＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２およびＣａＴｉＯ_３の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器。
19. 請求項１５記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られるＭｇ_２ＳｉＯ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＳｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３およびＺｎ_２ＳｉＯ_４の各結晶相とガラス相とを含む誘電体磁器。
20. 複数の誘電体層と、該誘電体層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備える積層セラミック部品において、前記誘電体層が請求項１、５、１１及び１５のいずれか記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成されていることを特徴とする積層セラミック部品。

Images