JP2003221274A - 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 - Google Patents
誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｃｕ、Ａｇなどの低抵抗導体の同時焼成による
内装化、多層化ができる８００〜１０００℃以下の温度
で焼成可能で、かつ、低い誘電損失ｔａｎδ（高いＱ
値）を有し、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さ
くかつ積層セラミック部品等を適度な大きさに形成でき
るように比誘電率εｒが８から３０程度の誘電体磁器組
成物を提供する。 【解決手段】一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）Ｚｎ
ＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが
０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１００重量部に対
して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有
する誘電体磁器組成物に関する。
内装化、多層化ができる８００〜１０００℃以下の温度
で焼成可能で、かつ、低い誘電損失ｔａｎδ（高いＱ
値）を有し、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が小さ
くかつ積層セラミック部品等を適度な大きさに形成でき
るように比誘電率εｒが８から３０程度の誘電体磁器組
成物を提供する。 【解決手段】一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）Ｚｎ
ＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが
０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１００重量部に対
して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有
する誘電体磁器組成物に関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低抵抗導体である
Ａｕ、ＡｇやＣｕ等と同時焼成が可能で、積層セラミッ
ク部品に好適な低い誘電損失（高いＱ値）を有する誘電
体磁器組成物、およびそれを用いた積層セラミックコン
デンサやＬＣフィルタ等の積層セラミック部品に関する
ものである。特に、Ｚｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３、Ｔ
ｉＯ２及びガラス成分からなる誘電体磁器組成物とそれ
を用いた積層セラミック部品に関する。
Ａｕ、ＡｇやＣｕ等と同時焼成が可能で、積層セラミッ
ク部品に好適な低い誘電損失（高いＱ値）を有する誘電
体磁器組成物、およびそれを用いた積層セラミックコン
デンサやＬＣフィルタ等の積層セラミック部品に関する
ものである。特に、Ｚｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３、Ｔ
ｉＯ２及びガラス成分からなる誘電体磁器組成物とそれ
を用いた積層セラミック部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波回路の集積化に伴い、
小型でかつ誘電損失（ｔａｎδ）が小さく誘電特性が安
定した誘電体共振器が求められている。このような誘電
体共振器に使用される誘電体磁器組成物には、比誘電率
εrが比較的大きいこと、無負荷Ｑ値が大きいこと、共
振周波数の温度係数τfが小さいことなどが要求されて
いる。一般に、比誘電率εrは大きいほど共振器を小さ
くできるが、共振周波数が高くなるほど共振器も小さく
なる。しかしながら共振器が小さくなりすぎると加工精
度が低下し、かつ電極の印刷精度の影響を受けやすくな
るため、用途等によって共振器が小さくなりすぎないよ
うに、比誘電率εrは適切な範囲のものが要求される。
本発明は、比誘電率εrが８から３０程度の誘電体磁器
組成物に関するものである。
小型でかつ誘電損失（ｔａｎδ）が小さく誘電特性が安
定した誘電体共振器が求められている。このような誘電
体共振器に使用される誘電体磁器組成物には、比誘電率
εrが比較的大きいこと、無負荷Ｑ値が大きいこと、共
振周波数の温度係数τfが小さいことなどが要求されて
いる。一般に、比誘電率εrは大きいほど共振器を小さ
くできるが、共振周波数が高くなるほど共振器も小さく
なる。しかしながら共振器が小さくなりすぎると加工精
度が低下し、かつ電極の印刷精度の影響を受けやすくな
るため、用途等によって共振器が小さくなりすぎないよ
うに、比誘電率εrは適切な範囲のものが要求される。
本発明は、比誘電率εrが８から３０程度の誘電体磁器
組成物に関するものである。
【０００３】この種の誘電体磁器組成物として、ＢａＯ
−ＭｇＯ−ＷＯ３系材料（特開平６−２３６７０８号公
報）、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５系材料（特開
平９−５２７６０号公報）などが提案されている。
−ＭｇＯ−ＷＯ３系材料（特開平６−２３６７０８号公
報）、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５系材料（特開
平９−５２７６０号公報）などが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近、誘電体磁器組成
物を積層した積層セラミックスコンデンサやＬＣフィル
タ等の積層セラミック部品が開発されており、誘電体磁
器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が行われ
ている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は焼成温
度が１３００〜１４００℃と高いため内部電極との同時
焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造とするた
めには電極材料として高温に耐えるパラジウム（Ｐｄ）
や白金（Ｐｔ）等の材料に限定されていた。このため、
電極材料として低抵抗導体でかつ安価な銀（Ａｇ）、Ａ
ｇ−Ｐｄ、およびＣｕ等を使用して、１０００℃以下の
低温で同時焼成可能な誘電体磁器組成物が求められてい
る。
物を積層した積層セラミックスコンデンサやＬＣフィル
タ等の積層セラミック部品が開発されており、誘電体磁
器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が行われ
ている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は焼成温
度が１３００〜１４００℃と高いため内部電極との同時
焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造とするた
めには電極材料として高温に耐えるパラジウム（Ｐｄ）
や白金（Ｐｔ）等の材料に限定されていた。このため、
電極材料として低抵抗導体でかつ安価な銀（Ａｇ）、Ａ
ｇ−Ｐｄ、およびＣｕ等を使用して、１０００℃以下の
低温で同時焼成可能な誘電体磁器組成物が求められてい
る。
【０００５】本発明の目的は、Ｃｕ、Ａｇといった低抵
抗導体の同時焼成による内装化、多層化ができる８００
〜１０００℃以下の温度で焼成可能で、かつ、低い誘電
損失ｔａｎδ（高いＱ値）を有し、共振周波数の温度係
数τｆの絶対値が小さくかつ積層セラミック部品等を適
度な大きさに形成できるように比誘電率εｒが８から３
０程度の誘電体磁器組成物を提供することにある。ま
た、このような誘電体磁器組成物からなる誘電体層とＣ
ｕまたはＡｇを主成分とする内部電極とを有する積層セ
ラミックコンデンサやＬＣフィルタ等の積層セラミック
部品を提供することである。
抗導体の同時焼成による内装化、多層化ができる８００
〜１０００℃以下の温度で焼成可能で、かつ、低い誘電
損失ｔａｎδ（高いＱ値）を有し、共振周波数の温度係
数τｆの絶対値が小さくかつ積層セラミック部品等を適
度な大きさに形成できるように比誘電率εｒが８から３
０程度の誘電体磁器組成物を提供することにある。ま
た、このような誘電体磁器組成物からなる誘電体層とＣ
ｕまたはＡｇを主成分とする内部電極とを有する積層セ
ラミックコンデンサやＬＣフィルタ等の積層セラミック
部品を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、従来の誘
電体磁器材料における上記課題を解決するために鋭意検
討した結果、下記の組成のものがこの要求を満足するも
のであることを見出した。
電体磁器材料における上記課題を解決するために鋭意検
討した結果、下記の組成のものがこの要求を満足するも
のであることを見出した。
【０００７】本発明は、一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４−（１
−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ
＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１００
重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量
部以下含有することを特徴とする誘電体磁器組成物に関
する。
−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ
＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１００
重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量
部以下含有することを特徴とする誘電体磁器組成物に関
する。
【０００８】前記ガラス成分としては、ＰｂＯ系ガラ
ス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラスあるいはＰｂ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＺｒＯ ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏの群から選択された２種以上の金属酸化物からなるガ
ラスであることが好ましい。
ス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラスあるいはＰｂ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｓｉ
Ｏ２、ＺｒＯ ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏの群から選択された２種以上の金属酸化物からなるガ
ラスであることが好ましい。
【０００９】さらに、本発明は前記主成分１００重量部
に対して、ＣｕＯを４０重量部以下含有する前記の誘電
体磁器組成物に関する。
に対して、ＣｕＯを４０重量部以下含有する前記の誘電
体磁器組成物に関する。
【００１０】また、本発明は前記主成分１００重量部に
対して、ＭｎＯを３０重量部以下含有する前記の誘電体
磁器組成物に関する。
対して、ＭｎＯを３０重量部以下含有する前記の誘電体
磁器組成物に関する。
【００１１】また、本発明は、複数の誘電体層と、該誘
電体層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的
に接続された外部電極とを備える積層セラミック部品に
おいて、前記誘電体層が前記誘電体磁器組成物を焼成し
て得られる誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣ
ｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成
分とする合金材料にて形成されていることを特徴とする
積層セラミック部品に関する。
電体層間に形成された内部電極と、該内部電極に電気的
に接続された外部電極とを備える積層セラミック部品に
おいて、前記誘電体層が前記誘電体磁器組成物を焼成し
て得られる誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣ
ｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成
分とする合金材料にて形成されていることを特徴とする
積層セラミック部品に関する。
【００１２】Ｚｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３、ＴｉＯ２
およびガラス成分からなる特定の組成とすることによ
り、１０００℃以下の焼成温度で、比誘電率εｒが８〜
３０程度で、誘電損失が小さく、共振周波数の温度係数
の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。ま
た、ＣｕＯ又はＭｎＯを副成分として添加することによ
り、さらに焼成温度を低下させることができる。これに
より、Ｃｕ若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを
主成分とする内部電極を有する積層セラミック部品を提
供することができる。
およびガラス成分からなる特定の組成とすることによ
り、１０００℃以下の焼成温度で、比誘電率εｒが８〜
３０程度で、誘電損失が小さく、共振周波数の温度係数
の絶対値が６０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。ま
た、ＣｕＯ又はＭｎＯを副成分として添加することによ
り、さらに焼成温度を低下させることができる。これに
より、Ｃｕ若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを
主成分とする内部電極を有する積層セラミック部品を提
供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の誘電体磁器組成物
について具体的に説明する。本発明の誘電体磁器組成物
は、一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３
−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦
０．５の範囲内である主成分１００重量部に対して、ガ
ラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有すること
を特徴とする。
について具体的に説明する。本発明の誘電体磁器組成物
は、一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３
−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦
０．５の範囲内である主成分１００重量部に対して、ガ
ラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含有すること
を特徴とする。
【００１４】前記組成においてｙが０．５より大きい
と、τｆが＋６０ｐｐｍ／℃以上になり好ましくない。
また、本発明の誘電体磁器組成物は、セラミックス母材
となる前記主成分１００重量部に対してガラス成分が５
重量部未満では焼成温度が高くなり、１５０重量部を超
える場合にはガラスが溶出してセッターと反応する傾向
にある。
と、τｆが＋６０ｐｐｍ／℃以上になり好ましくない。
また、本発明の誘電体磁器組成物は、セラミックス母材
となる前記主成分１００重量部に対してガラス成分が５
重量部未満では焼成温度が高くなり、１５０重量部を超
える場合にはガラスが溶出してセッターと反応する傾向
にある。
【００１５】また、本発明に用いるＺｎ２ＴｉＯ４は酸
化亜鉛ＺｎＯと酸化チタンＴｉＯ２とをモル比２：１で
混合し焼成することにより得ることができる。また、Ｚ
ｎＴｉＯ３はＺｎＯとＴｉＯ２とをモル比１：１で混合
し焼成することにより得ることができる。Ｚｎ２ＴｉＯ
４およびＺｎＴｉＯ３の原料として、ＴｉＯ２とＺｎＯ
の他に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、炭酸塩、水酸化
物、塩化物、および有機金属化合物等を使用してもよ
い。
化亜鉛ＺｎＯと酸化チタンＴｉＯ２とをモル比２：１で
混合し焼成することにより得ることができる。また、Ｚ
ｎＴｉＯ３はＺｎＯとＴｉＯ２とをモル比１：１で混合
し焼成することにより得ることができる。Ｚｎ２ＴｉＯ
４およびＺｎＴｉＯ３の原料として、ＴｉＯ２とＺｎＯ
の他に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、炭酸塩、水酸化
物、塩化物、および有機金属化合物等を使用してもよ
い。
【００１６】本発明の誘電体磁器組成物では、ガラスを
所定量含有することを特徴とする。ここで、ガラスとは
非結晶質の固体物質で、溶融により得られたものをい
う。ガラスの中に一部結晶化したものを含む結晶化ガラ
スもガラスに含まれる。固体物質としては、酸化物から
成る無機物質があげられ、本発明に用いるガラスとして
は、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラ
ス、その他金属酸化物からなるガラスが挙げられる。Ｐ
ｂＯ系ガラスは、ＰｂＯを含有するガラスであり、Ｐｂ
Ｏ−ＳｉＯ２、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３、ＰｂＯ−Ｐ２Ｏ５を
含有するガラスや、Ｒ２Ｏ−ＰｂＯ−ＳｉＯ２，Ｒ２Ｏ
−ＣａＯ−ＰｂＯ−ＳｉＯ２、Ｒ２Ｏ−ＺｎＯ−ＰｂＯ
−ＳｉＯ２、Ｒ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＳｉＯ２を
含有するガラス（但しここでＲはＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）な
どが例示される。ＺｎＯ系ガラスは、ＺｎＯを含有する
ガラスであり、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｓｉ
Ｏ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ−ＳｉＯ２、などが
例示される。ＳｉＯ２系ガラスは、ＳｉＯ２を含有する
ガラスであり、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ、ＳｉＯ
２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ、などが例示される。
所定量含有することを特徴とする。ここで、ガラスとは
非結晶質の固体物質で、溶融により得られたものをい
う。ガラスの中に一部結晶化したものを含む結晶化ガラ
スもガラスに含まれる。固体物質としては、酸化物から
成る無機物質があげられ、本発明に用いるガラスとして
は、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラ
ス、その他金属酸化物からなるガラスが挙げられる。Ｐ
ｂＯ系ガラスは、ＰｂＯを含有するガラスであり、Ｐｂ
Ｏ−ＳｉＯ２、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３、ＰｂＯ−Ｐ２Ｏ５を
含有するガラスや、Ｒ２Ｏ−ＰｂＯ−ＳｉＯ２，Ｒ２Ｏ
−ＣａＯ−ＰｂＯ−ＳｉＯ２、Ｒ２Ｏ−ＺｎＯ−ＰｂＯ
−ＳｉＯ２、Ｒ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ−ＳｉＯ２を
含有するガラス（但しここでＲはＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）な
どが例示される。ＺｎＯ系ガラスは、ＺｎＯを含有する
ガラスであり、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｓｉ
Ｏ２、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ−ＳｉＯ２、などが
例示される。ＳｉＯ２系ガラスは、ＳｉＯ２を含有する
ガラスであり、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｒ２Ｏ、ＳｉＯ
２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ、などが例示される。
【００１７】さらに、本発明に用いるガラスとしては、
ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラスの
他にも、各種金属酸化物からなるガラスも使用すること
ができ、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ
３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯの群から選択された２種以上の金属酸化物か
らなるガラスも用いられる。ガラスは非晶質ガラスや結
晶質ガラスのどちらを用いてもよい。ＰｂＯを含有する
と焼成温度は低下する傾向にあるが、無負荷Ｑ値が低下
する傾向にあり、ガラス中のＰｂＯ成分の含有量は、４
０重量％以下が好ましい。また、ガラス中にＳｉＯ２と
Ａｌ２Ｏ３成分を同時に含むガラス（即ち、ＳｉＯ２−
Ａｌ２Ｏ３系ガラス）は、本発明に用いるガラスとして
特に好適である。特に本発明では、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３
−ＢａＯ−ＳｉＯ２が、高い無負荷Ｑ値を得ることがで
きる点から好ましい。
ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラスの
他にも、各種金属酸化物からなるガラスも使用すること
ができ、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ
３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯの群から選択された２種以上の金属酸化物か
らなるガラスも用いられる。ガラスは非晶質ガラスや結
晶質ガラスのどちらを用いてもよい。ＰｂＯを含有する
と焼成温度は低下する傾向にあるが、無負荷Ｑ値が低下
する傾向にあり、ガラス中のＰｂＯ成分の含有量は、４
０重量％以下が好ましい。また、ガラス中にＳｉＯ２と
Ａｌ２Ｏ３成分を同時に含むガラス（即ち、ＳｉＯ２−
Ａｌ２Ｏ３系ガラス）は、本発明に用いるガラスとして
特に好適である。特に本発明では、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３
−ＢａＯ−ＳｉＯ２が、高い無負荷Ｑ値を得ることがで
きる点から好ましい。
【００１８】本発明によれば、一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４
−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２表され、ｘが０
＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１
００重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０
重量部以下含有させることにより、８００〜１０００℃
の焼成温度で低温焼結可能で、かつ比誘電率εrが８〜
３０程度で、無負荷Ｑ値が大きく、共振周波数の温度係
数τfが±６０ｐｐｍ／℃以内という特性を有する誘電
体磁器組成物を得ることができる。
−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２表され、ｘが０
＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１
００重量部に対して、ガラス成分を５重量部以上１５０
重量部以下含有させることにより、８００〜１０００℃
の焼成温度で低温焼結可能で、かつ比誘電率εrが８〜
３０程度で、無負荷Ｑ値が大きく、共振周波数の温度係
数τfが±６０ｐｐｍ／℃以内という特性を有する誘電
体磁器組成物を得ることができる。
【００１９】本発明では、焼成前にＺｎ２ＴｉＯ４、Ｚ
ｎＴｉＯ３およびガラス粒子は、個別に粉砕し混合され
るか、あるいは、各原料粒子は混合された状態で粉砕さ
れるが、焼成前のこれら原料粒子の平均粒子径は５μｍ
未満、好ましくは１μｍ以下であることにより、さらに
低温焼成が可能となる。なお、平均粒子径を過度に小さ
くすると取り扱いが困難になる場合があるので、０．０
５μｍ以上とするのが好ましい。
ｎＴｉＯ３およびガラス粒子は、個別に粉砕し混合され
るか、あるいは、各原料粒子は混合された状態で粉砕さ
れるが、焼成前のこれら原料粒子の平均粒子径は５μｍ
未満、好ましくは１μｍ以下であることにより、さらに
低温焼成が可能となる。なお、平均粒子径を過度に小さ
くすると取り扱いが困難になる場合があるので、０．０
５μｍ以上とするのが好ましい。
【００２０】さらに、本発明では、前記誘電体磁器組成
物にさらに副成分としてＣｕＯを含有させ、一般式ｘＺ
ｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で
表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内
である主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重
量部以上１５０重量部以下、ＣｕＯを４０重量部含有す
る誘電体磁器組成物とすることにより、前記の各種特性
を劣化させることなく、さらに焼成温度を下げることが
できる。ＣｕＯが主成分１００重量部に対して４０重量
部を越える場合は、τｆが−６０ｐｐｍ／℃より小さく
なり好ましくない。
物にさらに副成分としてＣｕＯを含有させ、一般式ｘＺ
ｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で
表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内
である主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重
量部以上１５０重量部以下、ＣｕＯを４０重量部含有す
る誘電体磁器組成物とすることにより、前記の各種特性
を劣化させることなく、さらに焼成温度を下げることが
できる。ＣｕＯが主成分１００重量部に対して４０重量
部を越える場合は、τｆが−６０ｐｐｍ／℃より小さく
なり好ましくない。
【００２１】また、本発明では、同じく前記の誘電体磁
器組成物に副成分としてＭｎＯを含有させ、一般式ｘＺ
ｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で
表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内
である主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重
量部以上１５０重量部以下、ＭｎＯを３０重量部含有す
る誘電体磁器組成物とすることによっても、前記の各種
特性を劣化させることなく、同様に焼成温度を下げるこ
とができる。ＭｎＯが主成分１００重量部に対して３０
重量部を越える場合は、Ｑ値が低下するため好ましくな
い。
器組成物に副成分としてＭｎＯを含有させ、一般式ｘＺ
ｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）ＺｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で
表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙが０＜ｙ≦０．５の範囲内
である主成分１００重量部に対して、ガラス成分を５重
量部以上１５０重量部以下、ＭｎＯを３０重量部含有す
る誘電体磁器組成物とすることによっても、前記の各種
特性を劣化させることなく、同様に焼成温度を下げるこ
とができる。ＭｎＯが主成分１００重量部に対して３０
重量部を越える場合は、Ｑ値が低下するため好ましくな
い。
【００２２】副成分として添加するＣｕＯ又はＭｎＯは
単独で添加してもよいし、両成分を一緒に添加しても良
い。
単独で添加してもよいし、両成分を一緒に添加しても良
い。
【００２３】次に、本発明の誘電体磁器組成物の製造方
法について説明する。まず、酸化チタンと酸化亜鉛を
２：１の比率に秤量し、水、アルコール等の溶媒と共に
湿式混合する。続いて、水、アルコール等を除去した
後、粉砕し、酸素含有雰囲気（例えば空気雰囲気）下に
て９００〜１２００℃で約１〜５時間程度仮焼成する。
このようにして得られた仮焼粉はＺｎ２ＴｉＯ４であ
る。次に酸化チタンと酸化亜鉛を１：１の比率に秤量
し、Ｚｎ２ＴｉＯ４と同様な作製方法でＺｎＴｉＯ３を
作製した。これらＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３、Ｔｉ
Ｏ２とガラス、及び必要に応じてＣｕＯ又はＭｎＯを所
定の比率に秤量し、水、アルコール等の溶媒と共に湿式
混合する。続いて、水、アルコール等を除去した後、粉
砕して原料粉末を作製する。
法について説明する。まず、酸化チタンと酸化亜鉛を
２：１の比率に秤量し、水、アルコール等の溶媒と共に
湿式混合する。続いて、水、アルコール等を除去した
後、粉砕し、酸素含有雰囲気（例えば空気雰囲気）下に
て９００〜１２００℃で約１〜５時間程度仮焼成する。
このようにして得られた仮焼粉はＺｎ２ＴｉＯ４であ
る。次に酸化チタンと酸化亜鉛を１：１の比率に秤量
し、Ｚｎ２ＴｉＯ４と同様な作製方法でＺｎＴｉＯ３を
作製した。これらＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３、Ｔｉ
Ｏ２とガラス、及び必要に応じてＣｕＯ又はＭｎＯを所
定の比率に秤量し、水、アルコール等の溶媒と共に湿式
混合する。続いて、水、アルコール等を除去した後、粉
砕して原料粉末を作製する。
【００２４】本発明の誘電体磁器組成物の誘電特性はペ
レットの形状で評価する。詳しくは、前記原料粉末にポ
リビニルアルコールの如き有機バインダーを混合して均
質にし、乾燥、粉砕をおこなった後、ペレット形状に加
圧成形（圧力１００〜１０００Ｋｇ/ｃｍ２程度）す
る。得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下
にて８００〜１０００℃で焼成することにより、Ｚｎ２
ＴｉＯ４相、ＺｎＴｉＯ ３相、ＴｉＯ２相およびガラス
相が共存する誘電体磁器組成物を得ることができる。
レットの形状で評価する。詳しくは、前記原料粉末にポ
リビニルアルコールの如き有機バインダーを混合して均
質にし、乾燥、粉砕をおこなった後、ペレット形状に加
圧成形（圧力１００〜１０００Ｋｇ/ｃｍ２程度）す
る。得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下
にて８００〜１０００℃で焼成することにより、Ｚｎ２
ＴｉＯ４相、ＺｎＴｉＯ ３相、ＴｉＯ２相およびガラス
相が共存する誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００２５】こうして得られた誘電体磁器組成物は、必
要により適当な形状、およびサイズに加工、あるいはド
クターブレード法等によるシート成形、およびシートと
電極による積層化を行うことにより、各種積層セラミッ
ク部品の材料として利用できる。積層セラミック部品と
しては、積層セラミックコンデンサ、ＬＣフィルタ、誘
電体共振器、誘電体基板などが挙げられる。
要により適当な形状、およびサイズに加工、あるいはド
クターブレード法等によるシート成形、およびシートと
電極による積層化を行うことにより、各種積層セラミッ
ク部品の材料として利用できる。積層セラミック部品と
しては、積層セラミックコンデンサ、ＬＣフィルタ、誘
電体共振器、誘電体基板などが挙げられる。
【００２６】本発明の積層セラミック部品は、複数の誘
電体層と、該誘電体層間に形成された内部電極と、該内
部電極に電気的に接続された外部電極とを備えており、
前記誘電体層が前記誘電体磁器組成物を焼成して得られ
る誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣｕ単体若
しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする
合金材料にて形成されている。本発明の積層セラミック
部品は、誘電体磁器組成物を含有する誘電体層と、Ｃｕ
単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分
とする合金材料とを、同時焼成することにより得られ
る。
電体層と、該誘電体層間に形成された内部電極と、該内
部電極に電気的に接続された外部電極とを備えており、
前記誘電体層が前記誘電体磁器組成物を焼成して得られ
る誘電体磁器にて構成され、前記内部電極がＣｕ単体若
しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする
合金材料にて形成されている。本発明の積層セラミック
部品は、誘電体磁器組成物を含有する誘電体層と、Ｃｕ
単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分
とする合金材料とを、同時焼成することにより得られ
る。
【００２７】上記積層セラミック部品の１実施形態とし
て、例えば図１に示したトリプレートタイプの共振器が
挙げられる。図１は、本発明に係る１実施形態のトリプ
レートタイプの共振器を示す斜視図である。図１に示す
ように、トリプレートタイプの共振器は、複数の誘電体
層と、該誘電体層間に形成された内部電極２と、該内部
電極に電気的に接続された外部電極３とを備える積層セ
ラミック部品である。トリプレートタイプの共振器は、
内部電極２を中央部に配置して複数枚の誘電体セラミッ
クス層１を積層して得られる。内部電極２は、図１に示
した第１の面Ａからこれに対向する第２の面Ｂまで貫通
するように形成されており、第１の面Ａのみ開放面で、
第１の面Ａを除く共振器の５面には外部電極３が形成さ
れており、第２の面Ｂにおいて内部電極２と外部電極３
が接続されている。内部電極２の材料は、ＣｕまたはＡ
ｇあるいは、それらを主成分として構成されている。本
発明の誘電体磁器組成物では低温で焼成できるため、こ
れらの内部電極の材料が使用できる。
て、例えば図１に示したトリプレートタイプの共振器が
挙げられる。図１は、本発明に係る１実施形態のトリプ
レートタイプの共振器を示す斜視図である。図１に示す
ように、トリプレートタイプの共振器は、複数の誘電体
層と、該誘電体層間に形成された内部電極２と、該内部
電極に電気的に接続された外部電極３とを備える積層セ
ラミック部品である。トリプレートタイプの共振器は、
内部電極２を中央部に配置して複数枚の誘電体セラミッ
クス層１を積層して得られる。内部電極２は、図１に示
した第１の面Ａからこれに対向する第２の面Ｂまで貫通
するように形成されており、第１の面Ａのみ開放面で、
第１の面Ａを除く共振器の５面には外部電極３が形成さ
れており、第２の面Ｂにおいて内部電極２と外部電極３
が接続されている。内部電極２の材料は、ＣｕまたはＡ
ｇあるいは、それらを主成分として構成されている。本
発明の誘電体磁器組成物では低温で焼成できるため、こ
れらの内部電極の材料が使用できる。
【００２８】
【実施例】実施例１
酸化チタン（ＴｉＯ２）０．３３モル、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）０．６６モルをエタノールと共にボールミルにい
れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉砕し、空
気雰囲気下１０００℃で仮焼成し、Ｚｎ２ＴｉＯ４仮焼
粉を得た。次にＴｉＯ２０．５モル、ＺｎＯ ０．５モ
ルを同様な方法で湿式混合・仮焼成してＺｎＴｉＯ３仮
焼粉を得た。これらＺｎ２ＴｉＯ４仮焼粉、ＺｎＴｉＯ
３仮焼粉とＴｉＯ２を表１に示した配合量で調製したも
のを母材とした。この母材と母材１００重量部に対して
ＺｎＯ ５２重量％、ＳｉＯ２ ６重量％、Ａｌ２Ｏ３
１２重量％、Ｂ２Ｏ３ ３０重量％から構成されるガ
ラス粉末１０重量部を添加したものをボールミルにい
れ、２４時間湿式混合した。溶液を脱媒後、平均粒子径
が１μｍになるまで粉砕し、この粉砕物に適量のポリビ
ニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍ、厚
み４ｍｍのペレットに成形し、空気雰囲気下において、
９００℃で２時間焼成した。図２に作製した焼結体のＸ
線回折図を示した。図２に示したように本発明の誘電体
磁器組成物の焼結体においてもＺｎ２ＴｉＯ４相、Ｚｎ
ＴｉＯ３相およびＴｉＯ２相が共存していることがわか
る。
Ｏ）０．６６モルをエタノールと共にボールミルにい
れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉砕し、空
気雰囲気下１０００℃で仮焼成し、Ｚｎ２ＴｉＯ４仮焼
粉を得た。次にＴｉＯ２０．５モル、ＺｎＯ ０．５モ
ルを同様な方法で湿式混合・仮焼成してＺｎＴｉＯ３仮
焼粉を得た。これらＺｎ２ＴｉＯ４仮焼粉、ＺｎＴｉＯ
３仮焼粉とＴｉＯ２を表１に示した配合量で調製したも
のを母材とした。この母材と母材１００重量部に対して
ＺｎＯ ５２重量％、ＳｉＯ２ ６重量％、Ａｌ２Ｏ３
１２重量％、Ｂ２Ｏ３ ３０重量％から構成されるガ
ラス粉末１０重量部を添加したものをボールミルにい
れ、２４時間湿式混合した。溶液を脱媒後、平均粒子径
が１μｍになるまで粉砕し、この粉砕物に適量のポリビ
ニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍ、厚
み４ｍｍのペレットに成形し、空気雰囲気下において、
９００℃で２時間焼成した。図２に作製した焼結体のＸ
線回折図を示した。図２に示したように本発明の誘電体
磁器組成物の焼結体においてもＺｎ２ＴｉＯ４相、Ｚｎ
ＴｉＯ３相およびＴｉＯ２相が共存していることがわか
る。
【００２９】こうして得られた誘電体磁器組成物を直径
７ｍｍ、厚み３ｍｍの大きさに加工した後、誘電共振法
によって、共振周波数７〜１１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ
値、比誘電率εrおよび共振周波数の温度係数τfを求め
た。その結果を表２に示した。
７ｍｍ、厚み３ｍｍの大きさに加工した後、誘電共振法
によって、共振周波数７〜１１ＧＨｚにおける無負荷Ｑ
値、比誘電率εrおよび共振周波数の温度係数τfを求め
た。その結果を表２に示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】また前記母材とガラスの混合物１００ｇに
対して、結合剤としてポリビニルブチラール９ｇ、可塑
剤としてジブチルフタレート６ｇおよび溶剤としてトル
エン６０ｇとイソプロピルアルコール３０ｇを添加しド
クターブレード法により厚さ１００μｍのグリーンシー
トを作製した。そして、このグリーンシートを、６５℃
の温度で２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加える熱圧着によ
り、２２層積層した。その際、内部電極としてＡｇを印
刷した層が厚み方向の中央部にくるように配置した。得
られた積層体を９００℃で２時間焼成した後、外部電極
を形成して、トリプレートタイプの共振器を作製した。
大きさは、幅４．９ｍｍ、高さ１．７ｍｍ、長さ８．４
ｍｍである。
対して、結合剤としてポリビニルブチラール９ｇ、可塑
剤としてジブチルフタレート６ｇおよび溶剤としてトル
エン６０ｇとイソプロピルアルコール３０ｇを添加しド
クターブレード法により厚さ１００μｍのグリーンシー
トを作製した。そして、このグリーンシートを、６５℃
の温度で２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加える熱圧着によ
り、２２層積層した。その際、内部電極としてＡｇを印
刷した層が厚み方向の中央部にくるように配置した。得
られた積層体を９００℃で２時間焼成した後、外部電極
を形成して、トリプレートタイプの共振器を作製した。
大きさは、幅４．９ｍｍ、高さ１．７ｍｍ、長さ８．４
ｍｍである。
【００３３】得られたトリプレートタイプの共振器につ
いて共振周波数２ＧＨｚで無負荷Ｑ値を評価した。その
結果、焼成温度は９００℃で、収縮率は１９％、比誘電
率ε rは２１、共振周波数の温度係数τfは０ｐｐｍ／℃
で無負荷Ｑは２１０であった。このように、本発明に係
る誘電体磁器組成物を使用することにより、優れた特性
を有するトリプレートタイプの共振器が得られた。
いて共振周波数２ＧＨｚで無負荷Ｑ値を評価した。その
結果、焼成温度は９００℃で、収縮率は１９％、比誘電
率ε rは２１、共振周波数の温度係数τfは０ｐｐｍ／℃
で無負荷Ｑは２１０であった。このように、本発明に係
る誘電体磁器組成物を使用することにより、優れた特性
を有するトリプレートタイプの共振器が得られた。
【００３４】実施例２〜４
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材とガラスを表１に示した配合量で混合後、
実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製し
て、実施例１と同様な方法で種々の特性を評価した。そ
の結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材とガラスを表１に示した配合量で混合後、
実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製し
て、実施例１と同様な方法で種々の特性を評価した。そ
の結果を表２に示した。
【００３５】実施例５〜１０
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材とガラスを表１に示した配合量で混合後、
実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製し
て、実施例１と同様な方法で種々の特性を評価した。そ
の結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材とガラスを表１に示した配合量で混合後、
実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製し
て、実施例１と同様な方法で種々の特性を評価した。そ
の結果を表２に示した。
【００３６】実施例１１〜１５
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラスを表１に示した
配合量で混合後、実施例１と同一条件でペレット形状の
焼結体を作製して、実施例１と同様な方法で種々の特性
を評価した。その結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラスを表１に示した
配合量で混合後、実施例１と同一条件でペレット形状の
焼結体を作製して、実施例１と同様な方法で種々の特性
を評価した。その結果を表２に示した。
【００３７】実施例１６、１７
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラスを表１に示した
配合量で混合後、粒子径が表１記載の平均粒子径になる
まで粉砕し、実施例１と同一条件でペレット形状の焼結
体を作製して、実施例１と同様な方法で種々の特性を評
価した。その結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラスを表１に示した
配合量で混合後、粒子径が表１記載の平均粒子径になる
まで粉砕し、実施例１と同一条件でペレット形状の焼結
体を作製して、実施例１と同様な方法で種々の特性を評
価した。その結果を表２に示した。
【００３８】実施例１８〜２０
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラス及びＭｎＯを表
１に示した配合量で混合後、粒子径が表１記載の平均粒
子径になるまで粉砕し、実施例１と同一条件でペレット
形状の焼結体を作製して、実施例１と同様な方法で種々
の特性を評価した。その結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラス及びＭｎＯを表
１に示した配合量で混合後、粒子径が表１記載の平均粒
子径になるまで粉砕し、実施例１と同一条件でペレット
形状の焼結体を作製して、実施例１と同様な方法で種々
の特性を評価した。その結果を表２に示した。
【００３９】実施例２１〜２３
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラス及びＣｕＯを表
１に示した配合量で混合後、粒子径が表１記載の平均粒
子径になるまで粉砕し、実施例１と同一条件でペレット
形状の焼結体を作製して、実施例１と同様な方法で種々
の特性を評価した。その結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラス及びＣｕＯを表
１に示した配合量で混合後、粒子径が表１記載の平均粒
子径になるまで粉砕し、実施例１と同一条件でペレット
形状の焼結体を作製して、実施例１と同様な方法で種々
の特性を評価した。その結果を表２に示した。
【００４０】実施例２４、２５
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラス及びＭｎＯとＣ
ｕＯとを表１に示した配合量で混合後、粒子径が表１記
載の平均粒子径になるまで粉砕し、実施例１と同一条件
でペレット形状の焼結体を作製して、実施例１と同様な
方法で種々の特性を評価した。その結果を表２に示し
た。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材と表１記載の種々のガラス及びＭｎＯとＣ
ｕＯとを表１に示した配合量で混合後、粒子径が表１記
載の平均粒子径になるまで粉砕し、実施例１と同一条件
でペレット形状の焼結体を作製して、実施例１と同様な
方法で種々の特性を評価した。その結果を表２に示し
た。
【００４１】比較例１〜４
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この表１記載のガラスを表１に示した配合量で混合
後、実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製
した。しかしながらガラスの添加量が母材１００重量部
に対して５重量部未満の条件では１０００℃以下では焼
結できず１２００℃まで高めないと緻密化することがで
きなかった。また１５０重量部を超えた場合にはガラス
が溶出してセッターと反応し、良好な焼結体は得られな
かった。その結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この表１記載のガラスを表１に示した配合量で混合
後、実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製
した。しかしながらガラスの添加量が母材１００重量部
に対して５重量部未満の条件では１０００℃以下では焼
結できず１２００℃まで高めないと緻密化することがで
きなかった。また１５０重量部を超えた場合にはガラス
が溶出してセッターと反応し、良好な焼結体は得られな
かった。その結果を表２に示した。
【００４２】比較例５
上記実施例１と同様にＺｎ２ＴｉＯ４、ＺｎＴｉＯ３と
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材とガラスを表１に示した配合量で混合後、
実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製し
た。しかしながらＴｉＯ２のモル比ｙが０．６の条件で
は共振周波数の温度係数τfが＋６０ｐｐｍ／℃以上と
なった。その結果を表２に示した。
ＴｉＯ２を表１に示した配合量で混合したものを母材と
し、この母材とガラスを表１に示した配合量で混合後、
実施例１と同一条件でペレット形状の焼結体を作製し
た。しかしながらＴｉＯ２のモル比ｙが０．６の条件で
は共振周波数の温度係数τfが＋６０ｐｐｍ／℃以上と
なった。その結果を表２に示した。
【００４３】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物によれば、比
誘電率εrが８から３０で、かつ無負荷Ｑ値が大きく、
しかも共振周波数の温度係数τfが±６０ｐｐｍ／℃以
内と小さい誘電体磁器組成物を提供することができる。
また１０００℃以下の温度で焼成できるため、焼成に要
する電力費が低減されるとともに、Ｃｕ単体若しくはＡ
ｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする合金材料
からなる低抵抗導体と同時焼成可能であり、さらにこれ
を内部電極とした積層部品を提供できる。
誘電率εrが８から３０で、かつ無負荷Ｑ値が大きく、
しかも共振周波数の温度係数τfが±６０ｐｐｍ／℃以
内と小さい誘電体磁器組成物を提供することができる。
また１０００℃以下の温度で焼成できるため、焼成に要
する電力費が低減されるとともに、Ｃｕ単体若しくはＡ
ｇ単体、又はＣｕ若しくはＡｇを主成分とする合金材料
からなる低抵抗導体と同時焼成可能であり、さらにこれ
を内部電極とした積層部品を提供できる。
【図１】本発明に係る積層セラミック部品の１実施形態
の説明図である。
の説明図である。
【図２】実施例１で得られた本発明にかかる誘電体磁器
組成物の焼結体のＸ線回折図である。
組成物の焼結体のＸ線回折図である。
１ 誘電体セラミック層
２ 内部電極
３ 外部電極
フロントページの続き
(72)発明者 福田 晃一
山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部
興産株式会社宇部研究所内
Ｆターム(参考） 4G030 AA08 AA09 AA10 AA16 AA17
AA25 AA31 AA32 AA35 AA36
AA37 AA40 AA43 BA09
4G031 AA04 AA05 AA06 AA11 AA12
AA19 AA25 AA26 AA28 AA29
AA30 AA32 BA09
5E001 AB03 AE01 AE02 AE03 AF06
AH01 AH05 AH09 AJ01 AJ02
5G303 AA01 AA04 AB07 AB08 BA12
CA03 CB01 CB02 CB03 CB05
CB06 CB11 CB18 CB25 CB30
CB32 CB35 CB38 CB39
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式ｘＺｎ２ＴｉＯ４−（１−ｘ）Ｚ
ｎＴｉＯ３−ｙＴｉＯ２で表され、ｘが０＜ｘ＜１、ｙ
が０＜ｙ≦０．５の範囲内である主成分１００重量部に
対して、ガラス成分を５重量部以上１５０重量部以下含
有することを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記ガラス成分が、ＰｂＯ系ガラス、Ｚ
ｎＯ系ガラス、ＳｉＯ２系ガラス、およびＰｂＯ、Ｚｎ
Ｏ、Ｂｉ２Ｏ３、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ ２、ＺｒＯ
２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、ＳｒＯの群から選
択される２種以上の金属酸化物からなるガラスから選択
される少なくとも一種であることを特徴とする請求項１
記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記主成分１００重量部に対して、Ｃｕ
Ｏを４０重量部以下含有することを特徴とする請求項１
又は２記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記主成分１００重量部に対して、Ｍｎ
Ｏを３０重量部以下含有することを特徴とする請求項１
又は２記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 複数の誘電体層と、該誘電体層間に形成
された内部電極と、該内部電極に電気的に接続された外
部電極とを備える積層セラミック部品において、前記誘
電体層が前記請求項１ないし４記載の誘電体磁器組成物
を焼成して得られる誘電体磁器にて構成され、前記内部
電極がＣｕ単体若しくはＡｇ単体、又はＣｕ若しくはＡ
ｇを主成分とする合金材料にて形成されていることを特
徴とする積層セラミック部品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002110518A JP2003221274A (ja) | 2001-11-21 | 2002-04-12 | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 |
| US10/299,173 US20030104917A1 (en) | 2001-11-21 | 2002-11-19 | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts using the same |
| EP02025909A EP1315231A3 (en) | 2001-11-21 | 2002-11-20 | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001355697 | 2001-11-21 | ||
| JP2001-355697 | 2001-11-21 | ||
| JP2002110518A JP2003221274A (ja) | 2001-11-21 | 2002-04-12 | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003221274A true JP2003221274A (ja) | 2003-08-05 |
Family
ID=27759136
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002110518A Pending JP2003221274A (ja) | 2001-11-21 | 2002-04-12 | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2003221274A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1724244A1 (en) * | 2004-03-05 | 2006-11-22 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric particle aggregate, low temperature sinterable dielectric ceramic composition using same, low temperature sintered dielectric ceramic produced by using same |
| US7276461B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-10-02 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition, method of manufacturing the same, and dielectric ceramics and laminated ceramic part using the same |
-
2002
- 2002-04-12 JP JP2002110518A patent/JP2003221274A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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