JP2005162505A - 誘電体磁器組成物、電子部品及びこれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、焼結助剤と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含む第1ガラス組成物と、B2 O3 、Al2 O3 、ZnO及びSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持つ第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
【選択図】 なし
Description
第1に、内部電極の材料であるNiなどの卑金属の融点以上、あるいはそれに近い温度域となり、その結果、誘電体磁器組成物とともに同時焼成される卑金属粒子の溶融、球状化が進み、内部電極層のライン性が劣化する、すなわち内部電極層に途切れを発生するといった不都合を生じる要因ともなる。内部電極層のライン性が悪化すると、得られるコンデンサの比誘電率が低下し、結果的に静電容量の低下を招き、最終的には高容量化・薄層化に対応できない。
第2に、焼成炉そのものの価格も高価な上に、用いる焼成炉の損傷も激しくなり、焼成炉の保守や管理コストなどが使用時間の経過につれて増加するとともに、磁器化に要するエネルギーコストも膨大になってしまう。
チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、焼結助剤と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含む第1ガラス組成物と、
B2 O3 、Al2 O3 、ZnO及びSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持つ第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、焼結助剤と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含む第1ガラス組成物と、
B2 O3 、Al2 O3 、ZnO及びSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持つ第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用い、
少なくとも焼結助剤の第2ガラス組成物を除いた原料の少なくとも一部を、チタン酸バリウムを得るために準備された出発原料と混合し、反応前原料を準備する工程と、
準備された反応前原料を反応させて反応済み原料を得る工程と、
得られた反応済み原料に、反応前原料を準備する際に除いた原料のすべてを混合し、誘電体磁器組成物原料を得る工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100重量%に対して、第2ガラス組成物を0.1〜10重量%、含有する誘電体磁器組成物を製造する。
チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、酸化マンガン、酸化クロム及び酸化コバルトの少なくとも一つと、焼結助剤と、を有し、
前記チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、酸化イットリウムをY2 O3 に換算して0〜5モル(但し、0モルを除く)、酸化マグネシウムをMgOに換算して0.1〜3モル、酸化バナジウムをV2 O5 に換算して0〜0.3モル(但し、0モルを除く)、酸化マンガンをMnOに、酸化クロムをCr2 O3 に、酸化コバルトをCo2 O3 にそれぞれ換算した場合に全量で0.01〜1モル、含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含み、前記BaTiO3 100モルに対して0.5〜10モルの第1ガラス組成物と、
10〜35重量%のB2 O3 、5〜25重量%のAl2 O3 、10〜60重量%のZnO、0〜15重量%のNa2 O及び5〜35重量%のSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持ち、前記BaTiO3 100重量%に対して0.1〜10重量%の第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用い、
少なくとも焼結助剤の第2ガラス組成物を除いた原料の少なくとも一部を、チタン酸バリウムを得るために準備された出発原料と混合し、反応前原料を準備する工程と、
準備された反応前原料を反応させて反応済み原料を得る工程と、
得られた反応済み原料に、反応前原料を準備する際に除いた原料のすべてを混合し、誘電体磁器組成物原料を得る工程と、
得られた誘電体磁器組成物原料を焼成温度1200℃以下の温度で焼成し、誘電体磁器組成物を製造する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法が提供される。
より好ましくは、この第1ガラス組成物が、組成式{(Baz ,Ca1−z )O}v SiO2 で示される複合酸化物(以下、BCGとも言う)を含む。複合酸化物である{(Baz ,Ca1−z )O}v SiO2 は、融点が低いため、主成分原料に対する反応性が良好である。より好ましい態様としての組成式{(Baz ,Ca1−z )O}v SiO2 において、該組成式中の組成モル比を示す記号vは、好ましくは0.5≦v≦4.0であり、より好ましくは0.5≦v≦2.0である。vが小さすぎると、すなわちSiO2 が多すぎると、主成分と反応して誘電体特性を悪化させてしまう。一方、vが大きすぎると、融点が高くなって焼結性を悪化させるため、好ましくない。なお、BaとCaとの組成モル比を示す記号zは任意であり(0≦z≦1)、一方だけを含有するものであってもよいが、好ましくは0.3≦z≦0.7である。
誘電体原料の調製
まず、主成分原料を製造するための出発原料として、平均粒径0.4μmのBaCO3 及びTiO2 を準備した。
得られた誘電体原料に対して、バインダとしてのポリビニルアルコールを0.6重量%となるように添加して、顆粒状になるようにバインダと誘電体原料とを混合した。そして、この顆粒状の誘電体原料を約0.3g秤量して、1.3トン/cm2 の圧力で加圧して、直径12mm、厚さ0.7mmの円盤状成形体を得た。
得られた誘電体原料100重量部と、アクリル樹脂4.8重量部と、塩化メチレン40重量部と、酢酸エチル20重量部と、ミネラルスピリット6重量部と、アセトン4重量部とをボールミルで混合し、ペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。
得られた円盤状サンプルとコンデンササンプルを用いて、磁器特性(焼結密度)、電気特性(静電容量C、絶縁抵抗IR)の特性評価を行った。結果を表1に示す。
B−Al−Zn−Si系ガラスフリットとして、Na2 Oを含まず、25重量%のB2 O3 と、25重量%のZnOと、25重量%のSiO2 と、25重量%のAl2 O3 とで構成されており、650℃の軟化点を持つものを用いた以外は、実施例1の試料6と同様に、円盤状サンプルとコンデンササンプルを作製し、同様に評価した(試料13)。結果を表2に示す。
B−Al−Zn−Si系ガラスフリットとして、35重量%のB2 O3 と、10重量%のZnOと、35重量%のSiO2 と、5重量%のAl2 O3 と、5重量%のNa2 Oとで構成されており、610℃の軟化点を持つものを用いた以外は、実施例1の試料6と同様に、円盤状サンプルとコンデンササンプルを作製し、同様に評価した。その結果、同様の結果が得られることが確認できた。なお、本実施例は、ガラスフリットの組成が、本発明の好ましい範囲内である場合の一例である。
仮焼き済み粉体100モル%に対して、V2 O5 を0.06モル、MgCO3 を2モル、Y2 O3 を1モル、Cr2 O3 を0.2モル、第1ガラス組成物としての(Ba0.6 Ca0.4 )SiO3 (BCG)を2モル、第2ガラス組成物としてのB−Al−Zn−Si系ガラスフリット(平均粒径1.5μm)を1モル、添加し、ボールミルにて湿式混合した後に乾燥して得られた誘電体原料を用いた以外は、実施例1と同様にして、円盤状サンプルとコンデンササンプルを作製し、同様に評価した。その結果、同様の結果が得られた。
B−Al−Zn−Si系ガラスフリットとして、10重量%のB2 O3 と、70重量%のZnOと、2重量%のSiO2 と、5重量%のAl2 O3 と、13重量%のNa2 Oとで構成されており、630℃の軟化点を持つものを用いた以外は、実施例1の試料6と同様に、円盤状サンプルとコンデンササンプルを作製し、同様に評価した。その結果、焼結性が悪化する傾向にあることが確認できた。なお、本実施例は、ガラスフリットの組成が、本発明の好ましい範囲を外れる場合の一例である。
10… コンデンサ素子本体
2… 誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極
Claims (16)
- チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、焼結助剤と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含む第1ガラス組成物と、
B2 O3 、Al2 O3 、ZnO及びSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持つ第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用いて、誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - Na2 Oをさらに含む第2ガラス組成物を用いる、請求項1に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- 10〜35重量%のB2 O3 と、5〜25重量%のAl2 O3 と、10〜60重量%のZnOと、0〜15重量%のNa2 Oと、5〜35重量%のSiO2 とを含む第2ガラス組成物を用いる、請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、0.5〜10モルの第1ガラス組成物と、
チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100重量%に対して、0.1〜10重量%の第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用いる、請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。 - チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、焼結助剤と、を有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含む第1ガラス組成物と、
B2 O3 、Al2 O3 、ZnO及びSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持つ第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用い、
少なくとも焼結助剤の第2ガラス組成物を除いた原料の少なくとも一部を、チタン酸バリウムを得るために準備された出発原料と混合し、反応前原料を準備する工程と、
準備された反応前原料を反応させて反応済み原料を得る工程と、
得られた反応済み原料に、反応前原料を準備する際に除いた原料のすべてを混合し、誘電体磁器組成物原料を得る工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 - チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、第1ガラス組成物及び第2ガラス組成物を含む焼結助剤と、を有し、
チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、酸化イットリウムをY2 O3 に換算して0〜5モル(但し、0モルを除く)、酸化マグネシウムをMgOに換算して0.1〜3モル、酸化バナジウムをV2 O5 に換算して0〜0.3モル(但し、0モルを除く)、第1ガラス組成物を0.5〜10モル、含有し、
チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100重量%に対して、第2ガラス組成物を0.1〜10重量%、含有する誘電体磁器組成物を製造する、請求項1〜5のいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。 - 誘電体磁器組成物が、さらに、酸化マンガン、酸化クロム及び酸化コバルトの少なくとも一つを含有し、チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、酸化マンガンをMnOに、酸化クロムをCr2 O3 に、酸化コバルトをCo2 O3 にそれぞれ換算した場合に全量で0.01〜1モル含有する、請求項6に記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- 1200℃以下の焼成温度で前記誘電体磁器組成物を製造する請求項1〜7のいずれかに記載の誘電体磁器組成物の製造方法。
- チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、酸化マンガン、酸化クロム及び酸化コバルトの少なくとも一つと、焼結助剤と、を有し、
前記チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、酸化イットリウムをY2 O3 に換算して0〜5モル(但し、0モルを除く)、酸化マグネシウムをMgOに換算して0.1〜3モル、酸化バナジウムをV2 O5 に換算して0〜0.3モル(但し、0モルを除く)、酸化マンガンをMnOに、酸化クロムをCr2 O3 に、酸化コバルトをCo2 O3 にそれぞれ換算した場合に全量で0.01〜1モル、含有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含み、前記BaTiO3 100モルに対して0.5〜10モルの第1ガラス組成物と、
10〜35重量%のB2 O3 、5〜25重量%のAl2 O3 、10〜60重量%のZnO、0〜15重量%のNa2 O及び5〜35重量%のSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持ち、前記BaTiO3 100重量%に対して0.1〜10重量%の第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用い、
少なくとも前記焼結助剤の第2ガラス組成物を除いた原料の少なくとも一部を、前記チタン酸バリウムを得るために準備された出発原料と混合し、反応前原料を準備する工程と、
準備された反応前原料を反応させて反応済み原料を得る工程と、
得られた反応済み原料に、前記反応前原料を準備する際に除いた原料のすべてを混合し、誘電体磁器組成物原料を得る工程と、
得られた誘電体磁器組成物原料を焼成温度1200℃以下の温度で焼成し、誘電体磁器組成物を製造する工程と、を有する誘電体磁器組成物の製造方法。 - チタン酸バリウムと、酸化イットリウムと、酸化マグネシウムと、酸化バナジウムと、酸化マンガン、酸化クロム及び酸化コバルトの少なくとも一つと、焼結助剤と、を有し、
前記チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、
酸化イットリウムをY2 O3 に換算して0〜5モル(但し、0モルを除く)、酸化マグネシウムをMgOに換算して0.1〜3モル、
酸化バナジウムをV2 O5 に換算して0〜0.3モル(但し、0モルを除く)、
酸化マンガンをMnOに、酸化クロムをCr2 O3 に、酸化コバルトをCo2 O3 にそれぞれ換算した場合に全体で0.01〜1モル、含有する誘電体磁器組成物であって、
SiO2 を主成分とし、さらにMO(ただし、Mは、Ba、Ca、Sr及びMgの少なくとも1種)を含む第1ガラス組成物と、
B2 O3 、Al2 O3 、ZnO及びSiO2 を含んで構成され、1.5μm以下の平均粒径を持つ第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用いて製造されたことを特徴とする誘電体磁器組成物。 - Na2 Oをさらに含む第2ガラス組成物を用いる、請求項10に記載の誘電体磁器組成物。
- 10〜35重量%のB2 O3 と、5〜25重量%のAl2 O3 と、10〜60重量%のZnOと、0〜15重量%のNa2 Oと、5〜35重量%のSiO2 とを含む第2ガラス組成物を用いる、請求項10または11に記載の誘電体磁器組成物。
- チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100モルに対して、0.5〜10モルの第1ガラス組成物と、
チタン酸バリウムをBaTiO3 に換算したときの該BaTiO3 100重量%に対して、0.1〜10重量%の第2ガラス組成物と、を有する焼結助剤を用いる、請求項10〜12のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 1200℃以下の焼成温度で製造された請求項10〜13のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、卑金属を主成分とする内部電極層とを有する電子部品を製造する方法であって、
誘電体磁器組成物が、請求項1〜9のいずれかの方法により製造されることを特徴とする電子部品の製造方法。 - 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、卑金属を含む内部電極層とを有する電子部品であって、誘電体磁器組成物が、請求項10〜14のいずれかに記載の誘電体磁器組成物である、電子部品。
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Cited By (8)
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JP2007258661A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP2008156182A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 焼結助剤、焼結体及セラミックコンデンサ |
JP2008162817A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体セラミックス材料及びその製造方法並びにセラミックコンデンサ |
JP2013103876A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品 |
EP2458603A4 (en) * | 2009-07-23 | 2014-09-10 | Nippon Electric Glass Co | GLASS FILM FOR CAPACITOR |
CN105198409A (zh) * | 2015-10-21 | 2015-12-30 | 浙江大学 | 一种高储能密度钛酸锶钡基玻璃复相陶瓷的制备方法 |
JP2016124779A (ja) * | 2015-01-05 | 2016-07-11 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 誘電体磁器組成物、誘電体材料及びそれを含む積層セラミックキャパシタ |
CN108950652A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-07 | 蔡文剑 | 一种金属表面微弧氧化的陶瓷锅及其制备方法 |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258661A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP2008156182A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 焼結助剤、焼結体及セラミックコンデンサ |
JP2008162817A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体セラミックス材料及びその製造方法並びにセラミックコンデンサ |
EP2458603A4 (en) * | 2009-07-23 | 2014-09-10 | Nippon Electric Glass Co | GLASS FILM FOR CAPACITOR |
JP2013103876A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品 |
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CN105198409A (zh) * | 2015-10-21 | 2015-12-30 | 浙江大学 | 一种高储能密度钛酸锶钡基玻璃复相陶瓷的制备方法 |
CN108950652A (zh) * | 2018-08-17 | 2018-12-07 | 蔡文剑 | 一种金属表面微弧氧化的陶瓷锅及其制备方法 |
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