JP2002338343A - 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JP2002338343A JP2002338343A JP2001148205A JP2001148205A JP2002338343A JP 2002338343 A JP2002338343 A JP 2002338343A JP 2001148205 A JP2001148205 A JP 2001148205A JP 2001148205 A JP2001148205 A JP 2001148205A JP 2002338343 A JP2002338343 A JP 2002338343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- dielectric
- composition
- oxide
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低温で焼成しても各種電気特性を損なうこと
なく緻密化した誘電体磁器組成物を得ることができる誘
電体磁器組成物の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ
１はアルカリ金属）を含む第１成分と、Ｍ２の化合物
（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含む第
２成分と、Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少
なくとも１つ）を含む第３成分と、Ｓｉの酸化物、また
は焼成によりＳｉの酸化物になる化合物を含む第４成分
とを有し、四面体組成図で表したとき、前記組成比が、
前記点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄで囲まれるＢＣＤ面（第１成
分＝０の組成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用い
て、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする
誘電体磁器組成物の製造方法。
なく緻密化した誘電体磁器組成物を得ることができる誘
電体磁器組成物の製造方法を提供すること。 【解決手段】 ２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ
１はアルカリ金属）を含む第１成分と、Ｍ２の化合物
（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含む第
２成分と、Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少
なくとも１つ）を含む第３成分と、Ｓｉの酸化物、また
は焼成によりＳｉの酸化物になる化合物を含む第４成分
とを有し、四面体組成図で表したとき、前記組成比が、
前記点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄで囲まれるＢＣＤ面（第１成
分＝０の組成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用い
て、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする
誘電体磁器組成物の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば積層セラ
ミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電
体磁器組成物の製造方法と、その誘電体磁器組成物を誘
電体層として用いる電子部品の製造方法に関する。
ミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電
体磁器組成物の製造方法と、その誘電体磁器組成物を誘
電体層として用いる電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の一例である積層型セラミック
コンデンサを構成する従来の誘電体磁器組成物は、強誘
電体であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）や、常
誘電体であるチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏ３ ）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３ ）、ジ
ルコン酸ストロンチウムカルシウム（ＣａＳｒＺｒＯ
３ ）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３ ）、ジ
ルコン酸ストロンチウム（ＳｒＺｒＯ３ ）、酸化チタ
ン（ＴｉＯ２ ）、チタン酸ネオジム（ＮｄＴｉ
Ｏ３ ）などの各種誘電体酸化物を含む主成分を有す
る。
コンデンサを構成する従来の誘電体磁器組成物は、強誘
電体であるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）や、常
誘電体であるチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏ３ ）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３ ）、ジ
ルコン酸ストロンチウムカルシウム（ＣａＳｒＺｒＯ
３ ）、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３ ）、ジ
ルコン酸ストロンチウム（ＳｒＺｒＯ３ ）、酸化チタ
ン（ＴｉＯ２ ）、チタン酸ネオジム（ＮｄＴｉ
Ｏ３ ）などの各種誘電体酸化物を含む主成分を有す
る。
【０００３】この種の誘電体磁器組成物は、そのままで
は焼結し難いことから、各種焼結助剤を加えて上で１３
００℃を超える温度で焼成されていた。また、この種の
誘電体磁器組成物は、低酸素分圧である中性雰囲気また
は還元性雰囲気下で焼成すると、還元されて半導体化す
る性質を有していたことから、該誘電体磁器組成物を用
いて積層型セラミックコンデンサを製造するに際して
は、高酸素分圧である酸化性雰囲気下で焼成することを
余儀なくされていた。
は焼結し難いことから、各種焼結助剤を加えて上で１３
００℃を超える温度で焼成されていた。また、この種の
誘電体磁器組成物は、低酸素分圧である中性雰囲気また
は還元性雰囲気下で焼成すると、還元されて半導体化す
る性質を有していたことから、該誘電体磁器組成物を用
いて積層型セラミックコンデンサを製造するに際して
は、高酸素分圧である酸化性雰囲気下で焼成することを
余儀なくされていた。
【０００４】このため、誘電体磁器組成物と同時に焼成
される内部電極材料としては、該誘電体磁器組成物が焼
結する温度で溶融しない程度の高い融点をもち、酸化性
雰囲気下で焼成しても酸化されない、などの特性を有す
る貴金属（たとえばパラジウムや白金など）を用いる必
要があった。
される内部電極材料としては、該誘電体磁器組成物が焼
結する温度で溶融しない程度の高い融点をもち、酸化性
雰囲気下で焼成しても酸化されない、などの特性を有す
る貴金属（たとえばパラジウムや白金など）を用いる必
要があった。
【０００５】しかしながら、貴金属は一般に高価である
ことから、コンデンサ内に占める内部電極材料費が全体
の中でかなりの割合を占めることになり、製造される積
層型セラミックコンデンサの低価格化に支障をきたして
いた。
ことから、コンデンサ内に占める内部電極材料費が全体
の中でかなりの割合を占めることになり、製造される積
層型セラミックコンデンサの低価格化に支障をきたして
いた。
【０００６】また、焼成温度が高いと、（１）焼成炉そ
のものの価格も高価な上に、用いる焼成炉の損傷も激し
くなり、焼成炉の保守や管理コストなどが使用時間の経
過につれて漸次増加するとともに、磁器化に要するエネ
ルギーコストも膨大になってしまう。（２）誘電体磁器
組成物と内部電極材料との間の熱膨張係数の差により応
力が溜まりやすく、クラックの発生や比誘電率の低下な
どの不都合を生じる要因ともなる。
のものの価格も高価な上に、用いる焼成炉の損傷も激し
くなり、焼成炉の保守や管理コストなどが使用時間の経
過につれて漸次増加するとともに、磁器化に要するエネ
ルギーコストも膨大になってしまう。（２）誘電体磁器
組成物と内部電極材料との間の熱膨張係数の差により応
力が溜まりやすく、クラックの発生や比誘電率の低下な
どの不都合を生じる要因ともなる。
【０００７】したがって、低温で焼成が可能であり、安
価な卑金属（たとえばニッケルや銅など）を内部電極の
材料に用いて中性雰囲気または還元性雰囲気下で焼成し
ても半導体化せず、すなわち耐還元性に優れ、焼成後に
は十分な比誘電率や優れた誘電特性を有する、誘電体磁
器組成物を開発することが必要である。
価な卑金属（たとえばニッケルや銅など）を内部電極の
材料に用いて中性雰囲気または還元性雰囲気下で焼成し
ても半導体化せず、すなわち耐還元性に優れ、焼成後に
は十分な比誘電率や優れた誘電特性を有する、誘電体磁
器組成物を開発することが必要である。
【０００８】この種の誘電体磁器組成物としては、従来
から種々の提案がなされている。
から種々の提案がなされている。
【０００９】たとえば、特許第２９９７２３６号公報
（特開平１０−３３５１６９号公報）では、次に示す誘
電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器組成物
は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔｉｙ
Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸化物
（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１０、０．７５≦
ｍ≦１．０４）を主成分とし、この主成分に対して所定
量の副成分を含有する。副成分は、ＭｎＯ換算で０．２
〜５モル％のＭｎ酸化物と、Ａｌ２ Ｏ３ 換算で０．
１〜１０モル％のＡｌ酸化物と、０．５〜１５モル％の
｛（Ｂａｚ Ｃａ １−ｚ ）Ｏ｝ｖ ＳｉＯ２ （ただ
し、０≦ｚ≦１、０．５≦ｖ≦４．０）とで構成され
る。すなわち、Ｍｎ酸化物と、Ａｌ酸化物と、ケイ酸バ
リウム／カルシウムとが焼結助剤として含有してある。
（特開平１０−３３５１６９号公報）では、次に示す誘
電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器組成物
は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔｉｙ
Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸化物
（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１０、０．７５≦
ｍ≦１．０４）を主成分とし、この主成分に対して所定
量の副成分を含有する。副成分は、ＭｎＯ換算で０．２
〜５モル％のＭｎ酸化物と、Ａｌ２ Ｏ３ 換算で０．
１〜１０モル％のＡｌ酸化物と、０．５〜１５モル％の
｛（Ｂａｚ Ｃａ １−ｚ ）Ｏ｝ｖ ＳｉＯ２ （ただ
し、０≦ｚ≦１、０．５≦ｖ≦４．０）とで構成され
る。すなわち、Ｍｎ酸化物と、Ａｌ酸化物と、ケイ酸バ
リウム／カルシウムとが焼結助剤として含有してある。
【００１０】特開平５−１７２２２号公報では、次に示
す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器組
成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔｉ
ｙＺｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸化
物（ただし、０．３５≦ｘ≦０．５、０．９≦ｙ、１．
００≦ｍ≦１．０４）を主成分とし、この主成分に対し
て所定量の副成分を含有する。副成分は、０．０１〜
０．０５モル％のＬｉ ２ ＳｉＯ３ と、０．０１〜
０．０５モル％のＭＦ２ （ただし、ＭはＣａ、Ｓｒ、
ＢａおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）と
で構成される。すなわち、ケイ酸リチウムと、アルカリ
土類金属のフッ化物とが焼結助剤として含有してある。
す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器組
成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔｉ
ｙＺｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸化
物（ただし、０．３５≦ｘ≦０．５、０．９≦ｙ、１．
００≦ｍ≦１．０４）を主成分とし、この主成分に対し
て所定量の副成分を含有する。副成分は、０．０１〜
０．０５モル％のＬｉ ２ ＳｉＯ３ と、０．０１〜
０．０５モル％のＭＦ２ （ただし、ＭはＣａ、Ｓｒ、
ＢａおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）と
で構成される。すなわち、ケイ酸リチウムと、アルカリ
土類金属のフッ化物とが焼結助剤として含有してある。
【００１１】特開平５−２１７４２６号公報では、次に
示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器
組成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔ
ｉｙ Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸
化物（ただし、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、０．
９≦ｍ≦１．１）を含んで主成分とし、この主成分に対
して所定量の副成分を含有する。副成分は、ＬｉＯ
１／２ 換算でａモル％（ただし、ａは０．０１〜０．
８）のＬｉ酸化物と、ＭＯ換算でａモル％（ただし、ａ
は０．０１〜０．８）のＭ酸化物（ただし、ＭはＣａ、
ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素）
と、ＢＯ３／２ 換算で（１−ａ）モル％のＢ酸化物
と、ＳｉＯ２ 換算で（１−ａ）モル％のＳｉ酸化物と
で構成される。すなわち、Ｌｉ酸化物と、Ｍ酸化物と、
Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物とが焼結助剤として含有してあ
る。
示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器
組成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔ
ｉｙ Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸
化物（ただし、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、０．
９≦ｍ≦１．１）を含んで主成分とし、この主成分に対
して所定量の副成分を含有する。副成分は、ＬｉＯ
１／２ 換算でａモル％（ただし、ａは０．０１〜０．
８）のＬｉ酸化物と、ＭＯ換算でａモル％（ただし、ａ
は０．０１〜０．８）のＭ酸化物（ただし、ＭはＣａ、
ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素）
と、ＢＯ３／２ 換算で（１−ａ）モル％のＢ酸化物
と、ＳｉＯ２ 換算で（１−ａ）モル％のＳｉ酸化物と
で構成される。すなわち、Ｌｉ酸化物と、Ｍ酸化物と、
Ｂ酸化物と、Ｓｉ酸化物とが焼結助剤として含有してあ
る。
【００１２】特開平４−２０６１０９号公報では、次に
示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器
組成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔ
ｉｙ Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸
化物（ただし、０．３０≦ｘ≦０．５０、０．８０≦ｙ
≦１．００、０．９５≦ｍ≦１．０８）を主成分とし、
この主成分に対して所定量の副成分を含有する。副成分
は、Ｂ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ およびＬｉ２ Ｏから選
ばれる少なくとも１種の化合物で構成される。すなわ
ち、Ｂ酸化物、Ｓｉ酸化物およびＬｉ酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の化合物が焼結助剤として含有してあ
る。
示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁器
組成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝ｍ ｛（Ｔ
ｉｙ Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組成の誘電体酸
化物（ただし、０．３０≦ｘ≦０．５０、０．８０≦ｙ
≦１．００、０．９５≦ｍ≦１．０８）を主成分とし、
この主成分に対して所定量の副成分を含有する。副成分
は、Ｂ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ およびＬｉ２ Ｏから選
ばれる少なくとも１種の化合物で構成される。すなわ
ち、Ｂ酸化物、Ｓｉ酸化物およびＬｉ酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の化合物が焼結助剤として含有してあ
る。
【００１３】特開昭６３−１３１４１２号公報では、次
に示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁
器組成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝
ｍ ｛（Ｔｉ ｙ Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組
成の誘電体酸化物（ただし、ｘ＝０、０．０１≦ｙ≦
０．２５、０．８≦ｍ≦１．３）を主成分とし、この主
成分に対して所定量の副成分を含有する。副成分は、Ｂ
２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ およびＭＯ（ただし、ＭはＣ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＭｇおよびＺｎから選ばれる少なくと
も１種の元素）が特定割合で含有される。すなわち、Ｂ
酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｍ酸化物とが焼結助剤として
含有してある。
に示す誘電体磁器組成物が開示してある。この誘電体磁
器組成物は、｛（Ｃａｘ Ｓｒ１−ｘ ）Ｏ｝
ｍ ｛（Ｔｉ ｙ Ｚｒ１−ｙ ）Ｏ２ ｝で示される組
成の誘電体酸化物（ただし、ｘ＝０、０．０１≦ｙ≦
０．２５、０．８≦ｍ≦１．３）を主成分とし、この主
成分に対して所定量の副成分を含有する。副成分は、Ｂ
２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ およびＭＯ（ただし、ＭはＣ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＭｇおよびＺｎから選ばれる少なくと
も１種の元素）が特定割合で含有される。すなわち、Ｂ
酸化物と、Ｓｉ酸化物と、Ｍ酸化物とが焼結助剤として
含有してある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】これらの公報記載の誘
電体磁器組成物では、１３００℃以下で焼成が可能とさ
れているものであるが、これらはいずれもＣＲ積や誘電
損失などの電気特性の悪化を招いていた。焼成温度は比
較的コスト面に影響を与えることが多いことから、でき
る限り低くすることが望ましい。
電体磁器組成物では、１３００℃以下で焼成が可能とさ
れているものであるが、これらはいずれもＣＲ積や誘電
損失などの電気特性の悪化を招いていた。焼成温度は比
較的コスト面に影響を与えることが多いことから、でき
る限り低くすることが望ましい。
【００１５】その一方で、焼成温度をあまりに低くしす
ぎると、磁器化を行うにあたり緻密化できず、十分な特
性を持つ誘電体磁器組成物が得られない。
ぎると、磁器化を行うにあたり緻密化できず、十分な特
性を持つ誘電体磁器組成物が得られない。
【００１６】したがって、誘電体磁器組成物の緻密化を
損なうことなく、より一層低温で焼成することが求めら
れていた。
損なうことなく、より一層低温で焼成することが求めら
れていた。
【００１７】本発明の目的は、低温で焼成しても各種電
気特性を損なうことなく緻密化した誘電体磁器組成物を
得ることができる誘電体磁器組成物の製造方法、および
この誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる電子部品
の製造方法を提供することである。
気特性を損なうことなく緻密化した誘電体磁器組成物を
得ることができる誘電体磁器組成物の製造方法、および
この誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる電子部品
の製造方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の観点に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物を製造する方法であって、２種類以上のＭ
１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を含む第１
成分と、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素および
ＶＩ族元素）を含む第２成分と、Ｍ３の化合物（ただ
し、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌお
よびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分
と、Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物にな
る化合物を含む第４成分とを有し、これら第１成分〜第
４成分の組成比：（第１，第２，第３，第４）を、点
Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，
０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：
（０，０，０，１００）で表される四面体組成図で表し
たとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄで囲
まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組成）上を除く領域を
満たす焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする。
に、第１の観点に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物を製造する方法であって、２種類以上のＭ
１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を含む第１
成分と、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素および
ＶＩ族元素）を含む第２成分と、Ｍ３の化合物（ただ
し、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌお
よびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分
と、Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物にな
る化合物を含む第４成分とを有し、これら第１成分〜第
４成分の組成比：（第１，第２，第３，第４）を、点
Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，
０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：
（０，０，０，１００）で表される四面体組成図で表し
たとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄで囲
まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組成）上を除く領域を
満たす焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする。
【００１９】第２の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、第１成
分と、第２成分、第３成分および第４成分から選ばれる
少なくとも一つの成分とを有し、前記第１成分が２種類
以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を
含み、前記第２成分がＭ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ
族元素およびＶＩ族元素）を含み、前記第３成分がＭ３
の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）
を含み、前記第４成分がＳｉの酸化物、または焼成によ
りＳｉの酸化物になる化合物を含む焼結助剤を用いて、
前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする。
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、第１成
分と、第２成分、第３成分および第４成分から選ばれる
少なくとも一つの成分とを有し、前記第１成分が２種類
以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を
含み、前記第２成分がＭ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ
族元素およびＶＩ族元素）を含み、前記第３成分がＭ３
の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）
を含み、前記第４成分がＳｉの酸化物、または焼成によ
りＳｉの酸化物になる化合物を含む焼結助剤を用いて、
前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする。
【００２０】第３の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、２種類
以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を
含む第１成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘電体磁
器組成物を製造することを特徴とする。
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、２種類
以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を
含む第１成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘電体磁
器組成物を製造することを特徴とする。
【００２１】第４の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｍ１の
化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属の少なくとも一
つ）を含む第１成分と、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２は
Ｖ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分と、Ｍ３の
化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）
を含む第３成分と、Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳ
ｉの酸化物になる化合物を含む第４成分とを有し、これ
ら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第３，
第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ａ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣＤ面（第２成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする。
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｍ１の
化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属の少なくとも一
つ）を含む第１成分と、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２は
Ｖ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分と、Ｍ３の
化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）
を含む第３成分と、Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳ
ｉの酸化物になる化合物を含む第４成分とを有し、これ
ら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第３，
第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ａ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣＤ面（第２成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする。
【００２２】第５の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、第２成
分と、第１成分、第３成分および第４成分の少なくとも
一つの成分とを有し、前記第１成分がＭ１の化合物（た
だし、Ｍ１はアルカリ金属の少なくとも一つ）を含み、
前記第２成分がＭ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素
およびＶＩ族元素）を含み、前記第３成分がＭ３の化合
物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、
Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）を含
み、前記第４成分がＳｉの酸化物、または焼成によりＳ
ｉの酸化物になる化合物を含む焼結助剤を用いて、前記
誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする。
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、第２成
分と、第１成分、第３成分および第４成分の少なくとも
一つの成分とを有し、前記第１成分がＭ１の化合物（た
だし、Ｍ１はアルカリ金属の少なくとも一つ）を含み、
前記第２成分がＭ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素
およびＶＩ族元素）を含み、前記第３成分がＭ３の化合
物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、
Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）を含
み、前記第４成分がＳｉの酸化物、または焼成によりＳ
ｉの酸化物になる化合物を含む焼結助剤を用いて、前記
誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする。
【００２３】第６の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｍ２の
化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を
含む第２成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘電体磁
器組成物を製造することを特徴とする。
方法は、誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有
する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｍ２の
化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を
含む第２成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘電体磁
器組成物を製造することを特徴とする。
【００２４】上記目的を達成するために、第１の観点に
係る電子部品の製造方法は、誘電体酸化物を含む主成分
と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してあ
る誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金
属）を含む第１成分と、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２は
Ｖ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分と、Ｍ３の
化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）
を含む第３成分と、Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳ
ｉの酸化物になる化合物を含む第４成分とを有し、これ
ら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第３，
第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする。
係る電子部品の製造方法は、誘電体酸化物を含む主成分
と、焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してあ
る誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金
属）を含む第１成分と、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２は
Ｖ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分と、Ｍ３の
化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍ
ｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）
を含む第３成分と、Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳ
ｉの酸化物になる化合物を含む第４成分とを有し、これ
ら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第３，
第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする。
【００２５】第２の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、第１成分と、第２成分、第３
成分および第４成分から選ばれる少なくとも一つの成分
とを有し、前記第１成分が２種類以上のＭ１の化合物
（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を含み、前記第２成分
がＭ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族
元素）を含み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、
Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌおよび
Ｚｎから選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成
分がＳｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物にな
る化合物を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成
物を製造することを特徴とする。
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、第１成分と、第２成分、第３
成分および第４成分から選ばれる少なくとも一つの成分
とを有し、前記第１成分が２種類以上のＭ１の化合物
（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を含み、前記第２成分
がＭ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族
元素）を含み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、
Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌおよび
Ｚｎから選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成
分がＳｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物にな
る化合物を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成
物を製造することを特徴とする。
【００２６】第３の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、２種類以上のＭ１の化合物
（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を含む第１成分を有す
る焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造する
ことを特徴とする。
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、２種類以上のＭ１の化合物
（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を含む第１成分を有す
る焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造する
ことを特徴とする。
【００２７】第４の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、Ｍ１の化合物（ただし、Ｍ１
はアルカリ金属の少なくとも一つ）を含む第１成分と、
Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分と、Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３は
Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎか
ら選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分と、Ｓｉの
酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物を
含む第４成分とを有し、これら第１成分〜第４成分の組
成比：（第１，第２，第３，第４）を、点Ａ：（１０
０，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，０，０）、点
Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：（０，０，
０，１００）で表される四面体組成図で表したとき、前
記組成比が、前記点Ａ、点Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣ
Ｄ面（第２成分＝０の組成）上を除く領域を満たす焼結
助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを
特徴とする。
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、Ｍ１の化合物（ただし、Ｍ１
はアルカリ金属の少なくとも一つ）を含む第１成分と、
Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分と、Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３は
Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎか
ら選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分と、Ｓｉの
酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物を
含む第４成分とを有し、これら第１成分〜第４成分の組
成比：（第１，第２，第３，第４）を、点Ａ：（１０
０，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，０，０）、点
Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：（０，０，
０，１００）で表される四面体組成図で表したとき、前
記組成比が、前記点Ａ、点Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣ
Ｄ面（第２成分＝０の組成）上を除く領域を満たす焼結
助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを
特徴とする。
【００２８】第５の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、第２成分と、第１成分、第３
成分および第４成分の少なくとも一つの成分とを有し、
前記第１成分がＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ
金属の少なくとも一つ）を含み、前記第２成分がＭ２の
化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を
含み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから
選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成分がＳｉ
の酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物
を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする。
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、第２成分と、第１成分、第３
成分および第４成分の少なくとも一つの成分とを有し、
前記第１成分がＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ
金属の少なくとも一つ）を含み、前記第２成分がＭ２の
化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を
含み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから
選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成分がＳｉ
の酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物
を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする。
【００２９】第６の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２
はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分を有する
焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造するこ
とを特徴とする。
誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する誘電
体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品
を製造する方法であって、Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２
はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分を有する
焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造するこ
とを特徴とする。
【００３０】好ましくは、前記誘電体酸化物が、組成式
（Ｅ１Ｏ）Ａ ・Ｅ２Ｂ Ｏ２ で表され、前記組成式
中の記号Ｅ１がＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少な
くとも１つの元素であり、記号Ｅ２がＴｉおよびＺｒの
少なくとも１つの元素である。
（Ｅ１Ｏ）Ａ ・Ｅ２Ｂ Ｏ２ で表され、前記組成式
中の記号Ｅ１がＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少な
くとも１つの元素であり、記号Ｅ２がＴｉおよびＺｒの
少なくとも１つの元素である。
【００３１】好ましくは、前記誘電体酸化物が、組成式
｛（Ｂａ（１−ｘ−ｙ） ＣａｘＳｒｙ ）Ｏ｝
Ａ （Ｔｉ（１−ｚ） Ｚｒｚ ）Ｂ Ｏ２ で表さ
れ、前記組成式中の記号Ａ、記号Ｂ、記号ｘ、記号ｙお
よび記号ｚが、 記号Ｂに対する記号Ａの比（Ａ／Ｂ）：０．７５≦Ａ／
Ｂ≦１．０４、 記号ｘ：０≦ｘ≦０．９、 記号ｙ：０≦ｙ≦０．５、 記号ｚ：０＜ｚ＜１である。
｛（Ｂａ（１−ｘ−ｙ） ＣａｘＳｒｙ ）Ｏ｝
Ａ （Ｔｉ（１−ｚ） Ｚｒｚ ）Ｂ Ｏ２ で表さ
れ、前記組成式中の記号Ａ、記号Ｂ、記号ｘ、記号ｙお
よび記号ｚが、 記号Ｂに対する記号Ａの比（Ａ／Ｂ）：０．７５≦Ａ／
Ｂ≦１．０４、 記号ｘ：０≦ｘ≦０．９、 記号ｙ：０≦ｙ≦０．５、 記号ｚ：０＜ｚ＜１である。
【００３２】好ましくは、１３００℃未満の焼成温度で
前記誘電体磁器組成物を製造する。
前記誘電体磁器組成物を製造する。
【００３３】本発明で用いる焼結助剤の化合物には、酸
化物のほか、焼成により酸化物になる化合物（たとえ
ば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩など）も含まれる。勿
論、酸化物と、焼成により酸化物になる化合物との組み
合わせであってもよい。
化物のほか、焼成により酸化物になる化合物（たとえ
ば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩など）も含まれる。勿
論、酸化物と、焼成により酸化物になる化合物との組み
合わせであってもよい。
【００３４】本発明の誘電体磁器組成物の製造方法は、
電子部品の一例である積層型セラミックコンデンサの誘
電体層などに用いられる誘電体磁器組成物を製造するに
際して、好適に用いることができる。
電子部品の一例である積層型セラミックコンデンサの誘
電体層などに用いられる誘電体磁器組成物を製造するに
際して、好適に用いることができる。
【００３５】電子部品としては、特に限定されないが、
積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダク
タ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、
その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示さ
れる。
積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダク
タ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、
その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示さ
れる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。
形態に基づき説明する。
【００３７】図１は本発明の一実施形態に係る積層セラ
ミックコンデンサの断面図、図２は誘電体磁器組成物の
製造に用いる焼結助剤（第１〜第３の観点）の組成比を
示す四面体組成図、図３は実施例１に係る（Ｌｉ，Ｎ
ａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度と密
度との関係を示すグラフ、図４は実施例２に係る（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量とを変化させた場合における焼成温度と密度との
関係を示すグラフ、図５は実施例３に係る（Ｌｉ，Ｎ
ａ）−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添
加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−
Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度
と密度との関係を示すグラフ、図６は比較例１に係るＬ
ｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度と密
度との関係を示すグラフ、図７は実施例１に係る（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）
−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温
度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図８は実施例２に係
る（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度とＣ
Ｒ積との関係を示すグラフ、図９は実施例３に係る（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図１０は比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図１１は実施例
１の試料１と、比較例２の試料３１とにおける温度と誘
電損失との関係を示すグラフ、図１２は実施例２の試料
７と、比較例２の試料３１とにおける温度と誘電損失と
の関係を示すグラフ、図１３は実施例３の試料１４と、
比較例２の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係
を示すグラフ、図１４は比較例１の試料２２と、比較例
２の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示す
グラフ、図１５は誘電体磁器組成物の製造に用いる焼結
助剤（第４〜第６の観点）の組成比を示す四面体組成
図、図１６は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例１に係るＬ
ｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度と密
度との関係を示すグラフ、図１７は実施例８に係るＬｉ
−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）
−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合に
おける焼成温度と比抵抗との関係を示すグラフ、図１８
は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例１に係るＬｉ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加
量とを変化させた場合における焼成温度と誘電率との関
係を示すグラフ、図１９は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，
Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における
焼成温度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図２０は実施
例８の試料４２と、比較例２の試料３１とにおける温度
と誘電損失との関係を示すグラフ、図２１は実施例１０
の試料６１と、比較例２の試料３１とにおける温度と誘
電損失との関係を示すグラフである。
ミックコンデンサの断面図、図２は誘電体磁器組成物の
製造に用いる焼結助剤（第１〜第３の観点）の組成比を
示す四面体組成図、図３は実施例１に係る（Ｌｉ，Ｎ
ａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度と密
度との関係を示すグラフ、図４は実施例２に係る（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量とを変化させた場合における焼成温度と密度との
関係を示すグラフ、図５は実施例３に係る（Ｌｉ，Ｎ
ａ）−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添
加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−
Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度
と密度との関係を示すグラフ、図６は比較例１に係るＬ
ｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度と密
度との関係を示すグラフ、図７は実施例１に係る（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）
−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温
度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図８は実施例２に係
る（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度とＣ
Ｒ積との関係を示すグラフ、図９は実施例３に係る（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図１０は比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図１１は実施例
１の試料１と、比較例２の試料３１とにおける温度と誘
電損失との関係を示すグラフ、図１２は実施例２の試料
７と、比較例２の試料３１とにおける温度と誘電損失と
の関係を示すグラフ、図１３は実施例３の試料１４と、
比較例２の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係
を示すグラフ、図１４は比較例１の試料２２と、比較例
２の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示す
グラフ、図１５は誘電体磁器組成物の製造に用いる焼結
助剤（第４〜第６の観点）の組成比を示す四面体組成
図、図１６は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例１に係るＬ
ｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼成温度と密
度との関係を示すグラフ、図１７は実施例８に係るＬｉ
−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量
と、比較例１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）
−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合に
おける焼成温度と比抵抗との関係を示すグラフ、図１８
は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例１に係るＬｉ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加
量とを変化させた場合における焼成温度と誘電率との関
係を示すグラフ、図１９は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，
Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における
焼成温度とＣＲ積との関係を示すグラフ、図２０は実施
例８の試料４２と、比較例２の試料３１とにおける温度
と誘電損失との関係を示すグラフ、図２１は実施例１０
の試料６１と、比較例２の試料３１とにおける温度と誘
電損失との関係を示すグラフである。
【００３８】図１に示すように、本実施形態に係る電子
部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１は、誘
電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコ
ンデンサ素子本体１０を有する。コンデンサ素子本体１
０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置され
た内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成
してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限は
ないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも
特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい
が、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０
ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。内部電極
層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２
端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対
の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形
成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接
続されて、コンデンサ回路を構成する。
部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１は、誘
電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコ
ンデンサ素子本体１０を有する。コンデンサ素子本体１
０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置され
た内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成
してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限は
ないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも
特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい
が、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０
ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。内部電極
層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２
端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対
の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形
成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接
続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００３９】誘電体層２は、本発明の製造方法により得
られる誘電体磁器組成物を含有する。本発明の一実施形
態に係る製造方法により得られる誘電体磁器組成物は、
組成式（Ｅ１Ｏ）Ａ ・Ｅ２Ｂ Ｏ２ を具体化した組
成式｛（Ｂａ（１−ｘ−ｙ） Ｃａｘ Ｓｒｙ ）Ｏ｝
Ａ （Ｔｉ（１−ｚ） Ｚｒｚ ）Ｂ Ｏ２ で表され
る誘電体酸化物を含む主成分を有する。この際、酸素
（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚しても
よい。
られる誘電体磁器組成物を含有する。本発明の一実施形
態に係る製造方法により得られる誘電体磁器組成物は、
組成式（Ｅ１Ｏ）Ａ ・Ｅ２Ｂ Ｏ２ を具体化した組
成式｛（Ｂａ（１−ｘ−ｙ） Ｃａｘ Ｓｒｙ ）Ｏ｝
Ａ （Ｔｉ（１−ｚ） Ｚｒｚ ）Ｂ Ｏ２ で表され
る誘電体酸化物を含む主成分を有する。この際、酸素
（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚しても
よい。
【００４０】上記組成式中、記号Ｂに対する記号Ａのモ
ル比（Ａ／Ｂ）は、特に限定されないが、好ましくは
０．７５≦Ａ／Ｂ≦１．０４、より好ましくは０．９９
≦Ａ／Ｂ≦１．０１である。Ａ／Ｂを０．７５以上とす
ることで、還元雰囲気下での焼成に対して半導体化を生
じることが防止され、Ａ／Ｂを１．０４以下とすること
で、低温での焼成も緻密な焼結体を得ることができる。
ル比（Ａ／Ｂ）は、特に限定されないが、好ましくは
０．７５≦Ａ／Ｂ≦１．０４、より好ましくは０．９９
≦Ａ／Ｂ≦１．０１である。Ａ／Ｂを０．７５以上とす
ることで、還元雰囲気下での焼成に対して半導体化を生
じることが防止され、Ａ／Ｂを１．０４以下とすること
で、低温での焼成も緻密な焼結体を得ることができる。
【００４１】上記組成式中、記号ｘは、特に限定されな
いが、好ましくは０≦ｘ≦０．９、より好ましくは０≦
ｘ≦０．８である。ｘを０．９以下とすることで、低温
焼結化の効果が得られる。
いが、好ましくは０≦ｘ≦０．９、より好ましくは０≦
ｘ≦０．８である。ｘを０．９以下とすることで、低温
焼結化の効果が得られる。
【００４２】上記組成式中、記号ｙは、特に限定されな
いが、好ましくは０≦ｙ≦０．５、より好ましくは０≦
ｙ≦０．４である。ｙを０．５以下とすることで、信頼
性の向上、ＣＲ積の向上、誘電損失の改善などの効果が
ある。
いが、好ましくは０≦ｙ≦０．５、より好ましくは０≦
ｙ≦０．４である。ｙを０．５以下とすることで、信頼
性の向上、ＣＲ積の向上、誘電損失の改善などの効果が
ある。
【００４３】上記組成式中、記号ｚは、特に限定されな
いが、好ましくは０＜ｚ＜１、より好ましくは０．０１
≦ｚ≦０．９８である。ｚを１未満とすることで、比誘
電率の低下が防止される。ｚはＺｒ原子数を表すが、Ｔ
ｉＯ２ に比べ還元されにくいＺｒＯ２ を置換してい
くことにより耐還元性がさらに増していく傾向がある。
いが、好ましくは０＜ｚ＜１、より好ましくは０．０１
≦ｚ≦０．９８である。ｚを１未満とすることで、比誘
電率の低下が防止される。ｚはＺｒ原子数を表すが、Ｔ
ｉＯ２ に比べ還元されにくいＺｒＯ２ を置換してい
くことにより耐還元性がさらに増していく傾向がある。
【００４４】ｘはＣａ原子数を表し、ｙはＳｒ原子数を
表す。これらｘとｙ（Ｂａ／Ｃａ／Ｓｒ比）と、ｚ（Ｔ
ｉ／Ｚｒ比）とを変えることで、結晶の相転移点を任意
にシフトさせることが可能となる。そのため、容量温度
係数や比誘電率を任意に制御することができる。
表す。これらｘとｙ（Ｂａ／Ｃａ／Ｓｒ比）と、ｚ（Ｔ
ｉ／Ｚｒ比）とを変えることで、結晶の相転移点を任意
にシフトさせることが可能となる。そのため、容量温度
係数や比誘電率を任意に制御することができる。
【００４５】本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分
として第１〜第６のいずれかの観点に係る焼結助剤を含
有する。
として第１〜第６のいずれかの観点に係る焼結助剤を含
有する。
【００４６】本実施形態では、焼結助剤の含有量は、誘
電体磁器組成物の全体を１００モル％として、好ましく
は０．１〜２５モル％、より好ましくは１〜１５モル％
である。焼結助剤の添加量をこの範囲にすることで比誘
電率を低下させることなく、より低い温度で焼成でき
る。
電体磁器組成物の全体を１００モル％として、好ましく
は０．１〜２５モル％、より好ましくは１〜１５モル％
である。焼結助剤の添加量をこの範囲にすることで比誘
電率を低下させることなく、より低い温度で焼成でき
る。
【００４７】本発明の焼結助剤の融点は、好ましくは１
２００℃以下、より好ましくは１０００℃以下である。
融点が１２００℃以下であることにより、低温での焼成
が容易になる。
２００℃以下、より好ましくは１０００℃以下である。
融点が１２００℃以下であることにより、低温での焼成
が容易になる。
【００４８】第１の観点に係る焼結助剤は、２種類以上
のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を少な
くとも含む第１成分を有する。この第１成分は、焼結温
度を低下させる物質として作用する。Ｍ１（アルカリ金
属）としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒ
が挙げられるが、これらの中でも、ＬｉおよびＮａの組
み合わせが好ましい。すなわち第１成分として、Ｌｉの
酸化物（Ｌｉ２ Ｏ）およびＮａの酸化物（Ｎａ
２ Ｏ）を少なくとも含むことが好ましい。
のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属）を少な
くとも含む第１成分を有する。この第１成分は、焼結温
度を低下させる物質として作用する。Ｍ１（アルカリ金
属）としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒ
が挙げられるが、これらの中でも、ＬｉおよびＮａの組
み合わせが好ましい。すなわち第１成分として、Ｌｉの
酸化物（Ｌｉ２ Ｏ）およびＮａの酸化物（Ｎａ
２ Ｏ）を少なくとも含むことが好ましい。
【００４９】第１の観点では、Ｍ２の化合物（ただし、
Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分をさ
らに有することが好ましい。この第２成分は、第１成分
と組み合わされることにより、焼結温度を低下させると
ともに、各種電気特性を向上させる物質として作用す
る。Ｍ２（Ｖ族元素およびＶＩ族元素）としては、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくと
も１つの元素であればよいが、これらの中でも、Ｖ、Ｍ
ｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素が好まし
く、より好ましくはＶ、ＭｏおよびＷから選ばれる少な
くとも２つの組み合わせである。すなわち第２成分とし
て、Ｖの酸化物（Ｖ２ Ｏ５ ）、Ｍｏの酸化物（Ｍｏ
Ｏ３ ）、およびＷの酸化物（ＷＯ３ ）から選ばれる
少なくとも１つの化合物を含むことが好ましい。
Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含む第２成分をさ
らに有することが好ましい。この第２成分は、第１成分
と組み合わされることにより、焼結温度を低下させると
ともに、各種電気特性を向上させる物質として作用す
る。Ｍ２（Ｖ族元素およびＶＩ族元素）としては、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくと
も１つの元素であればよいが、これらの中でも、Ｖ、Ｍ
ｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素が好まし
く、より好ましくはＶ、ＭｏおよびＷから選ばれる少な
くとも２つの組み合わせである。すなわち第２成分とし
て、Ｖの酸化物（Ｖ２ Ｏ５ ）、Ｍｏの酸化物（Ｍｏ
Ｏ３ ）、およびＷの酸化物（ＷＯ３ ）から選ばれる
少なくとも１つの化合物を含むことが好ましい。
【００５０】第１の観点では、Ｍ３の化合物（ただし、
Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌおよび
Ｚｎから選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分をさ
らに有することが好ましい。この第３成分は、第１成分
と組み合わされることにより、母材との濡れ性を改善し
たり、焼結温度を低下させる物質として作用する。
Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌおよび
Ｚｎから選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分をさ
らに有することが好ましい。この第３成分は、第１成分
と組み合わされることにより、母材との濡れ性を改善し
たり、焼結温度を低下させる物質として作用する。
【００５１】第１の観点では、Ｓｉの酸化物、または焼
成によりＳｉの酸化物になる化合物を含む第４成分をさ
らに有することが好ましい。この第４成分は、第１成分
と組み合わされることにより、焼結温度を一層低下させ
る物質として作用する。
成によりＳｉの酸化物になる化合物を含む第４成分をさ
らに有することが好ましい。この第４成分は、第１成分
と組み合わされることにより、焼結温度を一層低下させ
る物質として作用する。
【００５２】第２の観点に係る焼結助剤は、上述した第
１成分を少なくとも含み、さらに上述した第２成分、第
３成分および第４成分の中から選ばれる少なくとも一つ
の成分を有する。
１成分を少なくとも含み、さらに上述した第２成分、第
３成分および第４成分の中から選ばれる少なくとも一つ
の成分を有する。
【００５３】第３の観点に係る焼結助剤は、上述した第
１成分、第２成分、第３成分および第４成分を、特定の
組成比で有する。
１成分、第２成分、第３成分および第４成分を、特定の
組成比で有する。
【００５４】本発明では、これら第１成分〜第４成分の
組成比：（第１，第２，第３，第４）を、点Ａ：（１０
０，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，０，０）、点
Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：（０，０，
０，１００）で表される四面体組成図（図２参照）で表
したとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄで
囲まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組成）上を除く領域
を満たす。
組成比：（第１，第２，第３，第４）を、点Ａ：（１０
０，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，０，０）、点
Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：（０，０，
０，１００）で表される四面体組成図（図２参照）で表
したとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄで
囲まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組成）上を除く領域
を満たす。
【００５５】好ましくは、第１成分〜第４成分の組成比
は、さらに前記点Ａ、点Ｂおよび点Ｃで囲まれるＡＢＣ
面（第４成分＝０の組成）上を除く領域を満たす。
は、さらに前記点Ａ、点Ｂおよび点Ｃで囲まれるＡＢＣ
面（第４成分＝０の組成）上を除く領域を満たす。
【００５６】より好ましくは、第１成分〜第４成分の組
成比は、後述する点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈおよび
点Ｉで囲まれる五面体内の領域を満たす（ただし、点
Ｄ、点Ｅおよび点Ｆで囲まれるＤＥＦ面（第２成分＝０
の組成）を除く）。
成比は、後述する点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈおよび
点Ｉで囲まれる五面体内の領域を満たす（ただし、点
Ｄ、点Ｅおよび点Ｆで囲まれるＤＥＦ面（第２成分＝０
の組成）を除く）。
【００５７】 点Ｄ：（０，０，０，１００）、 点Ｅ：（９０，０，０，１０）、 点Ｆ：（０，０，９０，１０）、 点Ｇ：（０，３０，０，７０）、 点Ｈ：（６０，３０，０，１０）、 点Ｉ：（０，３０，６０，１０）。
【００５８】第４の観点に係る焼結助剤では、Ｍ２の化
合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含
む第２成分を有する。この第２成分は、焼結温度を低下
させるとともに、各種電気特性を向上させる物質として
作用する。Ｍ２（Ｖ族元素およびＶＩ族元素）として
は、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷから選ばれる
少なくとも１つの元素であればよいが、これらの中で
も、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元
素が好ましく、より好ましくはＶ、ＭｏおよびＷから選
ばれる少なくとも２つの元素の組み合わせである。すな
わち第２成分として、Ｖの酸化物（Ｖ２ Ｏ５ ）、Ｍ
ｏの酸化物（ＭｏＯ３ ）、およびＷの酸化物（ＷＯ
３ ）から選ばれる少なくとも１つの化合物を含むこと
が好ましい。
合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含
む第２成分を有する。この第２成分は、焼結温度を低下
させるとともに、各種電気特性を向上させる物質として
作用する。Ｍ２（Ｖ族元素およびＶＩ族元素）として
は、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷから選ばれる
少なくとも１つの元素であればよいが、これらの中で
も、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元
素が好ましく、より好ましくはＶ、ＭｏおよびＷから選
ばれる少なくとも２つの元素の組み合わせである。すな
わち第２成分として、Ｖの酸化物（Ｖ２ Ｏ５ ）、Ｍ
ｏの酸化物（ＭｏＯ３ ）、およびＷの酸化物（ＷＯ
３ ）から選ばれる少なくとも１つの化合物を含むこと
が好ましい。
【００５９】第４の観点では、Ｍ１の化合物（ただし、
Ｍ１はアルカリ金属の少なくとも一つ）を含む第１成分
をさらに有することが好ましい。この第１成分は、第２
成分と組み合わされることにより、焼結温度を低下させ
る物質として作用する。Ｍ１（アルカリ金属）として
は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒが挙げられ
るが、これらの中でも、Ｌｉが好ましい。すなわち第１
成分として、Ｌｉの酸化物（Ｌｉ２ Ｏ）を含むことが
好ましい。
Ｍ１はアルカリ金属の少なくとも一つ）を含む第１成分
をさらに有することが好ましい。この第１成分は、第２
成分と組み合わされることにより、焼結温度を低下させ
る物質として作用する。Ｍ１（アルカリ金属）として
は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓおよびＦｒが挙げられ
るが、これらの中でも、Ｌｉが好ましい。すなわち第１
成分として、Ｌｉの酸化物（Ｌｉ２ Ｏ）を含むことが
好ましい。
【００６０】第４の観点では、Ｍ３の化合物（ただし、
Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌおよび
Ｚｎから選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分をさ
らに有することが好ましい。この第３成分は、第２成分
と組み合わされることにより、母材との濡れ性を改善し
たり、焼結温度を低下させる物質として作用する。
Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、Ａｌおよび
Ｚｎから選ばれる少なくとも１つ）を含む第３成分をさ
らに有することが好ましい。この第３成分は、第２成分
と組み合わされることにより、母材との濡れ性を改善し
たり、焼結温度を低下させる物質として作用する。
【００６１】第４の観点では、Ｓｉの酸化物、または焼
成によりＳｉの酸化物になる化合物を含む第４成分をさ
らに有することが好ましい。この第４成分は、焼結温度
を一層低下させる物質として作用する。
成によりＳｉの酸化物になる化合物を含む第４成分をさ
らに有することが好ましい。この第４成分は、焼結温度
を一層低下させる物質として作用する。
【００６２】第５の観点に係る焼結助剤は、上述した第
２成分を少なくとも含み、さらに上述した第１成分、第
３成分および第４成分の少なくとも一つの成分を有す
る。
２成分を少なくとも含み、さらに上述した第１成分、第
３成分および第４成分の少なくとも一つの成分を有す
る。
【００６３】第６の観点に係る焼結助剤は、上述した第
１成分、第２成分、第３成分および第４成分を、特定の
組成比で有する。
１成分、第２成分、第３成分および第４成分を、特定の
組成比で有する。
【００６４】本発明では、これら第１成分〜第４成分の
組成比：（第１，第２，第３，第４）を、点Ａ：（１０
０，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，０，０）、点
Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：（０，０，
０，１００）で表される四面体組成図で表したとき、前
記組成比が、前記点Ａ、点Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣ
Ｄ面（第２成分＝０の組成）上を除く領域を満たす（図
１５参照）。
組成比：（第１，第２，第３，第４）を、点Ａ：（１０
０，０，０，０）、点Ｂ：（０，１００，０，０）、点
Ｃ：（０，０，１００，０）および点Ｄ：（０，０，
０，１００）で表される四面体組成図で表したとき、前
記組成比が、前記点Ａ、点Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣ
Ｄ面（第２成分＝０の組成）上を除く領域を満たす（図
１５参照）。
【００６５】好ましくは、前記組成比が、前記ＡＣＤ面
の他に、さらに前記点Ａ、点Ｂおよび点Ｃで囲まれるＡ
ＢＣ面（第４成分＝０の組成）上を除く領域を満たす
（図１５参照）。
の他に、さらに前記点Ａ、点Ｂおよび点Ｃで囲まれるＡ
ＢＣ面（第４成分＝０の組成）上を除く領域を満たす
（図１５参照）。
【００６６】より好ましくは、第１成分〜第４成分の組
成比は、後述する点Ｓ、点Ｔ、点Ｕ、点Ｖ、点Ｗおよび
点Ｘで囲まれる八面体内の領域を満たす（ただし、点
Ｔ、点Ｕおよび点Ｘで囲まれるＴＵＸ面と点Ａとの三角
錐部分；点Ｓ、点Ｕおよび点Ｖで囲まれるＳＵＶ面と点
Ｂとの三角錐部分；点Ｔ、点Ｓおよび点Ｗで囲まれるＴ
ＳＷ面と点Ｄとの三角錐部分；点Ｔ、点Ｘ、点Ｃおよび
点Ｗで囲まれるＴＸＣＷ面；を除く）。
成比は、後述する点Ｓ、点Ｔ、点Ｕ、点Ｖ、点Ｗおよび
点Ｘで囲まれる八面体内の領域を満たす（ただし、点
Ｔ、点Ｕおよび点Ｘで囲まれるＴＵＸ面と点Ａとの三角
錐部分；点Ｓ、点Ｕおよび点Ｖで囲まれるＳＵＶ面と点
Ｂとの三角錐部分；点Ｔ、点Ｓおよび点Ｗで囲まれるＴ
ＳＷ面と点Ｄとの三角錐部分；点Ｔ、点Ｘ、点Ｃおよび
点Ｗで囲まれるＴＸＣＷ面；を除く）。
【００６７】 点Ｓ：（０，５０，０，５０）、 点Ｔ：（５０，０，０，５０）、 点Ｕ：（５０，５０，０，０）、 点Ｖ：（０，５０，５０，０）、 点Ｗ：（０，０，５０，５０）、 点Ｘ：（５０，０，５０，０）。
【００６８】上述した第１〜第６の観点に係る焼結助剤
では、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＳｎおよびＰの化合物か
ら選ばれる少なくとも１つを含むその他の成分が、さら
に含有してあってもよい。この場合において、焼結助剤
中のその他の成分の含有量は、好ましくは０．０５〜５
モル％程度である。
では、Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＳｎおよびＰの化合物か
ら選ばれる少なくとも１つを含むその他の成分が、さら
に含有してあってもよい。この場合において、焼結助剤
中のその他の成分の含有量は、好ましくは０．０５〜５
モル％程度である。
【００６９】なお、図１に示す誘電体層２の積層数や厚
み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよい
が、本実施形態では、誘電体層２の厚みは、６μｍ以
下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ未
満である。また、誘電体層２は、グレインと粒界相とで
構成され、誘電体層２のグレインの平均粒子径は、０．
１〜５μｍ程度あることが好ましい。この粒界相は、通
常、誘電体材料あるいは内部電極材料を構成する材質の
酸化物や、別途添加された材質の酸化物、さらには工程
中に不純物として混入する材質の酸化物を成分とし、通
常ガラスないしガラス質で構成されている。
み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよい
が、本実施形態では、誘電体層２の厚みは、６μｍ以
下、好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ未
満である。また、誘電体層２は、グレインと粒界相とで
構成され、誘電体層２のグレインの平均粒子径は、０．
１〜５μｍ程度あることが好ましい。この粒界相は、通
常、誘電体材料あるいは内部電極材料を構成する材質の
酸化物や、別途添加された材質の酸化物、さらには工程
中に不純物として混入する材質の酸化物を成分とし、通
常ガラスないしガラス質で構成されている。
【００７０】内部電極層３に含有される導電材は、特に
限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有
するため、卑金属を用いることができる。導電材として
用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好まし
い。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌか
ら選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好まし
く、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが
好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ，Ｆ
ｅ，Ｍｇ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含ま
れていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適
宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に１〜
２．５μｍ程度であることが好ましい。
限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有
するため、卑金属を用いることができる。導電材として
用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好まし
い。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌか
ら選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好まし
く、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが
好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ，Ｆ
ｅ，Ｍｇ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含ま
れていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適
宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に１〜
２．５μｍ程度であることが好ましい。
【００７１】外部電極４に含有される導電材は、特に限
定されないが、通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮ
ｉ合金等を用いる。なお、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金等も、
もちろん使用可能である。なお、本実施形態では、安価
なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いる。外部電極の厚
さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１
０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
定されないが、通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮ
ｉ合金等を用いる。なお、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金等も、
もちろん使用可能である。なお、本実施形態では、安価
なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いる。外部電極の厚
さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１
０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００７２】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法
を用いて製造される積層セラミックコンデンサ１は、従
来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用
いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作
製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写し
て焼成することにより製造される。以下、製造方法につ
いて具体的に説明する。
を用いて製造される積層セラミックコンデンサ１は、従
来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用
いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作
製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写し
て焼成することにより製造される。以下、製造方法につ
いて具体的に説明する。
【００７３】まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電
体磁器組成物粉末を準備し、これを塗料化して、誘電体
層用ペーストを調整する。
体磁器組成物粉末を準備し、これを塗料化して、誘電体
層用ペーストを調整する。
【００７４】誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機
ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水
系の塗料であってもよい。
ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水
系の塗料であってもよい。
【００７５】誘電体原料には、前述した本発明に係る誘
電体磁器組成物の組成に応じ、主成分を構成する原料
と、第１〜４成分およびその他の成分を構成する原料と
が用いられる。
電体磁器組成物の組成に応じ、主成分を構成する原料
と、第１〜４成分およびその他の成分を構成する原料と
が用いられる。
【００７６】主成分原料としては、Ｔｉ、Ｂａ、Ｓｒ、
ＣａまたはＺｒの酸化物、および焼成によりＴｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、ＣａまたはＺｒの酸化物になる化合物が用い
られる。
ＣａまたはＺｒの酸化物、および焼成によりＴｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、ＣａまたはＺｒの酸化物になる化合物が用い
られる。
【００７７】焼結助剤の第１成分原料としては、Ｌｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓまたはＦｒの酸化物、および焼成
によりＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓまたはＦｒの酸化物
になる化合物が挙げられるが、安全性への配慮などか
ら、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋが用いられる。第１〜第
３の観点に係る焼結助剤では、この第１成分原料には、
２種類以上のアルカリ金属の化合物が含まれる。第４〜
第６の観点に係る焼結助剤では、この第１成分原料を第
２成分原料とともに含有させることにより、焼結性の向
上が図られる。ただし、第２成分を必須成分として含有
する第４〜第６の観点の焼結助剤では、第１成分とし
て、いずれかのアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、
ＣｓまたはＦｒ）の化合物を含有させることが好まし
く、より好ましくはＬｉの酸化物を含有させる。Ｌｉの
酸化物を含有させることにより、焼結性がさらに向上す
る。
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓまたはＦｒの酸化物、および焼成
によりＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、ＣｓまたはＦｒの酸化物
になる化合物が挙げられるが、安全性への配慮などか
ら、好ましくはＬｉ、Ｎａ、Ｋが用いられる。第１〜第
３の観点に係る焼結助剤では、この第１成分原料には、
２種類以上のアルカリ金属の化合物が含まれる。第４〜
第６の観点に係る焼結助剤では、この第１成分原料を第
２成分原料とともに含有させることにより、焼結性の向
上が図られる。ただし、第２成分を必須成分として含有
する第４〜第６の観点の焼結助剤では、第１成分とし
て、いずれかのアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、
ＣｓまたはＦｒ）の化合物を含有させることが好まし
く、より好ましくはＬｉの酸化物を含有させる。Ｌｉの
酸化物を含有させることにより、焼結性がさらに向上す
る。
【００７８】焼結助剤の第２成分原料としては、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＷの酸化物、および焼成に
よりＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＷの酸化物にな
る化合物が用いられる。
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＷの酸化物、および焼成に
よりＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏまたはＷの酸化物にな
る化合物が用いられる。
【００７９】焼結助剤の第３成分原料としては、Ｂａ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌまたはＺｎの酸化
物、および焼成によりＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、
Ｂ、ＡｌまたはＺｎの酸化物になる化合物が用いられ
る。
Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌまたはＺｎの酸化
物、および焼成によりＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、
Ｂ、ＡｌまたはＺｎの酸化物になる化合物が用いられ
る。
【００８０】焼結助剤の第４成分原料としては、Ｓｉの
酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物が
用いられる。
酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物が
用いられる。
【００８１】焼結助剤のその他の成分原料としては、
Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＳｎまたはＰの酸化物、および
焼成によりＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＳｎまたはＰの酸化
物になる化合物が用いられる。
Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＳｎまたはＰの酸化物、および
焼成によりＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＳｎまたはＰの酸化
物になる化合物が用いられる。
【００８２】焼結助剤を構成する各成分原料は、その添
加形態は特に限定されないが、あらかじめ焼結助剤を配
合しておき、これを熱処理して溶融して化合物ガラス成
分とし、その後に粉砕したものを主成分原料に添加して
混合してもよい。
加形態は特に限定されないが、あらかじめ焼結助剤を配
合しておき、これを熱処理して溶融して化合物ガラス成
分とし、その後に粉砕したものを主成分原料に添加して
混合してもよい。
【００８３】なお、焼成により酸化物になる化合物とし
ては、たとえば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金
属化合物などが挙げられる。もちろん、酸化物と、焼成
により酸化物になる化合物とを併用してもよい。誘電体
原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体
磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
ては、たとえば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金
属化合物などが挙げられる。もちろん、酸化物と、焼成
により酸化物になる化合物とを併用してもよい。誘電体
原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体
磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
【００８４】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径
０．０００５〜５μｍ程度のものが用いられる。
０．０００５〜５μｍ程度のものが用いられる。
【００８５】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニ
ルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すれ
ばよい。また、このとき用いられる有機溶剤も特に限定
されず、印刷法やシート法等利用する方法に応じてテル
ピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン
等の有機溶剤から適宜選択すればよい。
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニ
ルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すれ
ばよい。また、このとき用いられる有機溶剤も特に限定
されず、印刷法やシート法等利用する方法に応じてテル
ピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン
等の有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００８６】また、誘電体層用ペーストを水系の塗料と
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
する場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶
解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよ
い。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定さ
れず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水
溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００８７】内部電極用ペーストは、上述した各種導電
性金属や合金からなる導電材料あるいは焼成後に上述し
た導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と、上述した有機ビヒクルとを混練して調製され
る。また、外部電極用ペーストも、この内部電極用ペー
ストと同様にして調製される。
性金属や合金からなる導電材料あるいは焼成後に上述し
た導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と、上述した有機ビヒクルとを混練して調製され
る。また、外部電極用ペーストも、この内部電極用ペー
ストと同様にして調製される。
【００８８】上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有
量は、特に限定されず、通常の含有量、たとえば、バイ
ンダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度
とすればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添
加物が含有されても良い。これらの総含有量は、１０重
量％以下とすることが好ましい。
量は、特に限定されず、通常の含有量、たとえば、バイ
ンダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度
とすればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添
加物が含有されても良い。これらの総含有量は、１０重
量％以下とすることが好ましい。
【００８９】印刷法を用いる場合は、誘電体ペーストお
よび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレート
等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断したのち基板
から剥離することでグリーンチップとする。これに対し
て、シート法を用いる場合は、誘電体ペーストを用いて
グリーンシートを形成し、この上に内部電極ペーストを
印刷したのちこれらを積層してグリーンチップとする。
そして、グリーンチップを脱バインダ処理および焼成す
る。
よび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレート
等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断したのち基板
から剥離することでグリーンチップとする。これに対し
て、シート法を用いる場合は、誘電体ペーストを用いて
グリーンシートを形成し、この上に内部電極ペーストを
印刷したのちこれらを積層してグリーンチップとする。
そして、グリーンチップを脱バインダ処理および焼成す
る。
【００９０】脱バインダ処理は、内部電極層ペースト中
の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電
材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、脱バ
インダ雰囲気中の酸素分圧を１０−４５ 〜１０５ Ｐ
ａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であ
ると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記
範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電
材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、脱バ
インダ雰囲気中の酸素分圧を１０−４５ 〜１０５ Ｐ
ａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であ
ると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記
範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００９１】また、それ以外の脱バインダ条件として
は、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好
ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは
１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、
温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ま
しくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気
もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰
囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２ とＨ
２ との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
は、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好
ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは
１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、
温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ま
しくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気
もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰
囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２ とＨ
２ との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００９２】グリーンチップの焼成雰囲気は、内部電極
層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すれば
よい。ただし、内部電極層用ペースト中の導電材にＮｉ
やＮｉ合金等の卑金属を用いる場合には、酸素分圧が好
ましくは１０−１０ 〜１０ −３Ｐａの雰囲気で焼成を
行う。内部電極層の導電材に卑金属を用いる場合におい
て、焼成雰囲気の酸素分圧が前記範囲未満であると内部
電極層の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまうこ
とがあり、焼成雰囲気の酸素分圧が前記範囲を超えると
内部電極層が酸化する傾向にある。
層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すれば
よい。ただし、内部電極層用ペースト中の導電材にＮｉ
やＮｉ合金等の卑金属を用いる場合には、酸素分圧が好
ましくは１０−１０ 〜１０ −３Ｐａの雰囲気で焼成を
行う。内部電極層の導電材に卑金属を用いる場合におい
て、焼成雰囲気の酸素分圧が前記範囲未満であると内部
電極層の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまうこ
とがあり、焼成雰囲気の酸素分圧が前記範囲を超えると
内部電極層が酸化する傾向にある。
【００９３】グリーンチップの焼成温度は、グリーンチ
ップの緻密化を十分に行え、しかも内部電極層の異常焼
結による電極の途切れ、内部電極層構成材料の拡散によ
る容量温度特性の悪化、あるいは誘電体磁器組成物の還
元が生じない範囲で適宜決定される。なぜなら、焼成温
度があまりに低いとグリーンチップが緻密せず、焼成温
度があまりに高いと内部電極が途切れたり、導電材の拡
散により容量温度特性が悪化したり、誘電体の還元が生
じてしまうからである。
ップの緻密化を十分に行え、しかも内部電極層の異常焼
結による電極の途切れ、内部電極層構成材料の拡散によ
る容量温度特性の悪化、あるいは誘電体磁器組成物の還
元が生じない範囲で適宜決定される。なぜなら、焼成温
度があまりに低いとグリーンチップが緻密せず、焼成温
度があまりに高いと内部電極が途切れたり、導電材の拡
散により容量温度特性が悪化したり、誘電体の還元が生
じてしまうからである。
【００９４】従来、グリーンチップを十分に緻密化させ
るためには１３００℃を超える温度で焼成する必要があ
ったが、本実施形態では、上述した低温焼結可能な焼結
助剤を含有していることから、好ましくは１３００℃未
満、より好ましくは１２６０℃以下、さらに好ましくは
１１８０℃以下の低温で行うことができる。これによ
り、焼成炉の損傷を防止でき、保守や管理コスト、ひい
てはエネルギーコストをも効果的に抑制でき、しかもク
ラックの発生や比誘電率の低下などの不都合も防止しう
る。なお、焼成温度の下限は、好ましくは６００℃程度
である。
るためには１３００℃を超える温度で焼成する必要があ
ったが、本実施形態では、上述した低温焼結可能な焼結
助剤を含有していることから、好ましくは１３００℃未
満、より好ましくは１２６０℃以下、さらに好ましくは
１１８０℃以下の低温で行うことができる。これによ
り、焼成炉の損傷を防止でき、保守や管理コスト、ひい
てはエネルギーコストをも効果的に抑制でき、しかもク
ラックの発生や比誘電率の低下などの不都合も防止しう
る。なお、焼成温度の下限は、好ましくは６００℃程度
である。
【００９５】これ以外の焼成条件としては、昇温速度を
好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２０
０〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５
〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ま
しくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜
３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲
気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえ
ば、Ｎ２ とＨ２ との混合ガスを加湿して用いること
が好ましい。
好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２０
０〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５
〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ま
しくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜
３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲
気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえ
ば、Ｎ２ とＨ２ との混合ガスを加湿して用いること
が好ましい。
【００９６】還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデン
サチップの焼結体（コンデンサ素子本体）にはアニール
を施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化
するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長
くすることができるので、信頼性が向上する。
サチップの焼結体（コンデンサ素子本体）にはアニール
を施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化
するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長
くすることができるので、信頼性が向上する。
【００９７】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１×１０
−４Ｐａ以上、特に１×１０−４〜１０Ｐａとすること
が好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層
の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層
が酸化する傾向にある。
−４Ｐａ以上、特に１×１０−４〜１０Ｐａとすること
が好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層
の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層
が酸化する傾向にある。
【００９８】アニールの際の保持温度は、１２００℃以
下、特に５００〜１２００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりや
すい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極
層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が
誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、Ｉ
Ｒの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、ア
ニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよ
い。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場
合、保持温度は最高温度と同義である。
下、特に５００〜１２００℃とすることが好ましい。保
持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分
となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりや
すい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極
層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が
誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、Ｉ
Ｒの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、ア
ニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよ
い。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場
合、保持温度は最高温度と同義である。
【００９９】これ以外のアニール条件としては、温度保
持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜
１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時
間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。ま
た、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿し
たＮ２ ガス等を用いることが好ましい。
持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜
１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時
間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。ま
た、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿し
たＮ２ ガス等を用いることが好ましい。
【０１００】上記した脱バインダ処理、焼成およびアニ
ールにおいて、Ｎ２ ガスや混合ガス等を加湿するに
は、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、
水温は５〜７５℃程度が好ましい。
ールにおいて、Ｎ２ ガスや混合ガス等を加湿するに
は、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、
水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【０１０１】脱バインダ処理、焼成およびアニールは、
連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを
連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰
囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して
焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達
したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好
ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際
しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２ ガスあ
るいは加湿したＮ２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ ガスあ
るいは加湿したＮ２ ガス雰囲気に変更して冷却を続け
ることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ２
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更
してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ２ ガス雰
囲気としてもよい。
連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを
連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰
囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して
焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達
したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好
ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際
しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２ ガスあ
るいは加湿したＮ２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲
気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニ
ール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ ガスあ
るいは加湿したＮ２ ガス雰囲気に変更して冷却を続け
ることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ２
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更
してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ２ ガス雰
囲気としてもよい。
【０１０２】以上のようにして得られたコンデンサ焼成
体に、たとえば、バレル研磨やサンドブラストにより端
面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写し
て焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペースト
の焼成条件は、たとえば、加湿した窒素ガスと水素ガス
との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分〜１時間
程度とすることが好ましい。そして、必要に応じて外部
電極４の表面にメッキ等により被覆層（パッド層）を形
成する。
体に、たとえば、バレル研磨やサンドブラストにより端
面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写し
て焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペースト
の焼成条件は、たとえば、加湿した窒素ガスと水素ガス
との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分〜１時間
程度とすることが好ましい。そして、必要に応じて外部
電極４の表面にメッキ等により被覆層（パッド層）を形
成する。
【０１０３】このようにして製造された本実施形態のセ
ラミックコンデンサ１は、はんだ付け等によってプリン
ト基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。
ラミックコンデンサ１は、はんだ付け等によってプリン
ト基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。
【０１０４】以上、本発明の実施形態について説明して
きたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
きたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【０１０５】たとえば、本発明に係る製造方法により得
られる誘電体磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ
のみに使用されるものではなく、誘電体層が形成される
その他の電子部品に使用されても良い。
られる誘電体磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ
のみに使用されるものではなく、誘電体層が形成される
その他の電子部品に使用されても良い。
【０１０６】
【実施例】次に、本発明の実施形態をより具体化した実
施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。但し、本
発明は、これらの実施例のみに限定されるものではな
い。
施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。但し、本
発明は、これらの実施例のみに限定されるものではな
い。
【０１０７】実施例１ まず、最終的に、組成式｛（Ｃａ０．７０Ｓ
ｒ０．３０）Ｏ−（Ｚｒ０．９７Ｔｉ０．０３）
Ｏ２ ｝で示される誘電体酸化物が得られるように各酸
化物や炭酸塩（ＣａＣＯ３ 、ＳｒＣＯ３ 、ＺｒＯ
２ 、ＴｉＯ２ ）を調合して主成分原料母材を得た。
ｒ０．３０）Ｏ−（Ｚｒ０．９７Ｔｉ０．０３）
Ｏ２ ｝で示される誘電体酸化物が得られるように各酸
化物や炭酸塩（ＣａＣＯ３ 、ＳｒＣＯ３ 、ＺｒＯ
２ 、ＴｉＯ２ ）を調合して主成分原料母材を得た。
【０１０８】次いで、得られた主成分原料母材に対し
て、予め作製しておいた焼結助剤：（Ｌｉ，Ｎａ）−
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを、次に示す割
合で添加し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥すること
によって誘電体原料（誘電体磁器組成物）を得た。（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量は、母材１００モル％に対して、表１に示す割合
（５．１３モル％、７．００モル％、８．８７モル％）
とした。なお、（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，
Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏは、次に示すようにして作製した。ま
ず、所定組成が得られるように、各成分の酸化物、炭酸
塩、あるいは水酸化物など（たとえば、Ｌｉ ２ Ｏ、Ｎ
ａ２ Ｏ、ＳｉＯ２ など）を調合した。次に、これを
ボールミルで１６時間湿式混合して粉砕後、蒸発乾燥さ
せた。得られた粉末を、１０００℃、空気中で２時間焼
成した。その後、微粉砕し、平均粒径が約１〜２μｍ程
度のガラス成分粉末を得た。
て、予め作製しておいた焼結助剤：（Ｌｉ，Ｎａ）−
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを、次に示す割
合で添加し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥すること
によって誘電体原料（誘電体磁器組成物）を得た。（Ｌ
ｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量は、母材１００モル％に対して、表１に示す割合
（５．１３モル％、７．００モル％、８．８７モル％）
とした。なお、（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，
Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏは、次に示すようにして作製した。ま
ず、所定組成が得られるように、各成分の酸化物、炭酸
塩、あるいは水酸化物など（たとえば、Ｌｉ ２ Ｏ、Ｎ
ａ２ Ｏ、ＳｉＯ２ など）を調合した。次に、これを
ボールミルで１６時間湿式混合して粉砕後、蒸発乾燥さ
せた。得られた粉末を、１０００℃、空気中で２時間焼
成した。その後、微粉砕し、平均粒径が約１〜２μｍ程
度のガラス成分粉末を得た。
【０１０９】次いで、得られた誘電体原料に対して、バ
インダとしてのポリビニルアルコールを０．６重量％と
なるように添加して、顆粒状になるようにバインダと誘
電体原料とを混合した。そして、この顆粒状の誘電体原
料を約０．３ｇ秤量して、１．３トン／ｃｍ２ の圧力
で加圧して、直径１２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの円盤状成
形体を得た。
インダとしてのポリビニルアルコールを０．６重量％と
なるように添加して、顆粒状になるようにバインダと誘
電体原料とを混合した。そして、この顆粒状の誘電体原
料を約０．３ｇ秤量して、１．３トン／ｃｍ２ の圧力
で加圧して、直径１２ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの円盤状成
形体を得た。
【０１１０】次いで、得られた円盤状成形体に、脱バイ
ンダ処理、焼成およびアニールを施して、直径約１０ｍ
ｍ、厚さ約０．５ｍｍの円盤状焼成体を得た。
ンダ処理、焼成およびアニールを施して、直径約１０ｍ
ｍ、厚さ約０．５ｍｍの円盤状焼成体を得た。
【０１１１】脱バインダ処理は、昇温速度：３００℃／
時間、保持温度：５００℃、保持時間：２時間、雰囲
気：大気中、の条件で行った。
時間、保持温度：５００℃、保持時間：２時間、雰囲
気：大気中、の条件で行った。
【０１１２】焼成は、昇温速度：２００℃／時間、保持
温度：表１に示す温度、保持時間：２時間、冷却速度：
３００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ２ ＋Ｈ２ 混合
ガス雰囲気（酸素分圧：１０−１１ 〜１０−６Ｐ
ａ）、の条件で行った。
温度：表１に示す温度、保持時間：２時間、冷却速度：
３００℃／時間、雰囲気：加湿したＮ２ ＋Ｈ２ 混合
ガス雰囲気（酸素分圧：１０−１１ 〜１０−６Ｐ
ａ）、の条件で行った。
【０１１３】アニールは、保持温度：１０５０℃、保持
時間：２時間、冷却速度：３００℃／時間、雰囲気：窒
素ガス雰囲気、の条件で行った。
時間：２時間、冷却速度：３００℃／時間、雰囲気：窒
素ガス雰囲気、の条件で行った。
【０１１４】なお、脱バインダー処理および焼成の際の
雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃としたウェッター
を用いた。
雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃としたウェッター
を用いた。
【０１１５】次いで、得られた円盤状焼成体の両面に、
Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布することで、φ６ｍｍの電極を形
成し、円盤状サンプルを作製した。
Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布することで、φ６ｍｍの電極を形
成し、円盤状サンプルを作製した。
【０１１６】実施例２ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して表
１に示す割合（４．１３モル％、５．９６モル％、１
０．５１モル％）とした以外は、実施例１と同様にして
誘電体原料を得た。得られた誘電体原料を用いて、実施
例１と同様にして円盤状サンプルを作製した。
Ｏの代わりに、（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ
−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して表
１に示す割合（４．１３モル％、５．９６モル％、１
０．５１モル％）とした以外は、実施例１と同様にして
誘電体原料を得た。得られた誘電体原料を用いて、実施
例１と同様にして円盤状サンプルを作製した。
【０１１７】実施例３ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍ
ｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００
モル％に対して表１に示す割合（４．５６モル％、５．
２７モル％、５．９８モル％、７．７６モル％）とした
以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得た。得ら
れた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にして円盤状
サンプルを作製した。なお、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｗ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏは、次に示すように
して作製した。まず、所定組成が得られるように、各成
分の酸化物、炭酸塩、あるいは水酸化物など（たとえ
ば、Ｌｉ２ Ｏ、Ｎａ２ Ｏ、ＷＯ３ など）を調合し
た。次に、これをボールミルで１６時間湿式混合して粉
砕後、蒸発乾燥させた。得られた粉末を４５０℃、空気
中で２時間焼成した。その後、微粉砕し、平均粒径が約
１〜２μｍ程度の粉末を得た。
Ｏの代わりに、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍ
ｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００
モル％に対して表１に示す割合（４．５６モル％、５．
２７モル％、５．９８モル％、７．７６モル％）とした
以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得た。得ら
れた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にして円盤状
サンプルを作製した。なお、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｗ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏは、次に示すように
して作製した。まず、所定組成が得られるように、各成
分の酸化物、炭酸塩、あるいは水酸化物など（たとえ
ば、Ｌｉ２ Ｏ、Ｎａ２ Ｏ、ＷＯ３ など）を調合し
た。次に、これをボールミルで１６時間湿式混合して粉
砕後、蒸発乾燥させた。得られた粉末を４５０℃、空気
中で２時間焼成した。その後、微粉砕し、平均粒径が約
１〜２μｍ程度の粉末を得た。
【０１１８】実施例４ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｍｏ−（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１０
０モル％に対して表１に示す割合（４．７２モル％）と
した以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にして円
盤状サンプルを作製した。なお、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｍｏ
−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏは、次に示す
ようにして作製した。まず、所定組成が得られるよう
に、各成分の酸化物、炭酸塩、あるいは水酸化物など
（たとえば、Ｌｉ２ Ｏ、Ｎａ２ Ｏ、ＭｏＯ３ な
ど）を調合した。次に、これをボールミルで１６時間湿
式混合して粉砕後、蒸発乾燥させた。得られた粉末を４
７０℃、空気中で２時間焼成した。その後、微粉砕し、
平均粒径が約１〜２μｍ程度の粉末を得た。
Ｏの代わりに、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｍｏ−（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１０
０モル％に対して表１に示す割合（４．７２モル％）と
した以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にして円
盤状サンプルを作製した。なお、（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｍｏ
−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏは、次に示す
ようにして作製した。まず、所定組成が得られるよう
に、各成分の酸化物、炭酸塩、あるいは水酸化物など
（たとえば、Ｌｉ２ Ｏ、Ｎａ２ Ｏ、ＭｏＯ３ な
ど）を調合した。次に、これをボールミルで１６時間湿
式混合して粉砕後、蒸発乾燥させた。得られた粉末を４
７０℃、空気中で２時間焼成した。その後、微粉砕し、
平均粒径が約１〜２μｍ程度の粉末を得た。
【０１１９】比較例１ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、Ｌｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓ
ｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して
表１に示す割合（８．２０モル％、１２．２０モル％）
とした以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得
た。得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にし
て円盤状サンプルを作製した。
Ｏの代わりに、Ｌｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓ
ｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して
表１に示す割合（８．２０モル％、１２．２０モル％）
とした以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得
た。得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にし
て円盤状サンプルを作製した。
【０１２０】比較例２ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
を用い、その添加量を母材１００モル％に対して表１に
示す割合（４．２０モル％）とした以外は、実施例１と
同様にして誘電体原料を得た。得られた誘電体原料を用
いて、実施例１と同様にして円盤状サンプルを作製し
た。
Ｏの代わりに、（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
を用い、その添加量を母材１００モル％に対して表１に
示す割合（４．２０モル％）とした以外は、実施例１と
同様にして誘電体原料を得た。得られた誘電体原料を用
いて、実施例１と同様にして円盤状サンプルを作製し
た。
【０１２１】比較例３ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｏを用い、その添加量
を母材１００モル％に対して表１に示す割合（１．４０
モル％）とした以外は、実施例１と同様にして誘電体原
料を得た。得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同
様にして円盤状サンプルを作製した。
Ｏの代わりに、（Ｍｎ，Ａｌ）−Ｏを用い、その添加量
を母材１００モル％に対して表１に示す割合（１．４０
モル％）とした以外は、実施例１と同様にして誘電体原
料を得た。得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同
様にして円盤状サンプルを作製した。
【０１２２】上記実施例１〜４および比較例１〜３で得
られた円盤状サンプルを用いて、磁器特性（収縮率、密
度）、電気特性（比誘電率ε、絶縁抵抗ＩＲ、ＣＲ積、
誘電損失（ｔａｎδ））の特性評価を行った。結果を表
１に示す。
られた円盤状サンプルを用いて、磁器特性（収縮率、密
度）、電気特性（比誘電率ε、絶縁抵抗ＩＲ、ＣＲ積、
誘電損失（ｔａｎδ））の特性評価を行った。結果を表
１に示す。
【０１２３】磁器特性（収縮率、密度）は、次のように
して評価した。円盤状サンプルの寸法と質量とから、磁
器密度を算出した。そして、基準密度（真密度＝４．７
９８ｇ／ｃｍ３ ）に対する相対密度を求めた。
して評価した。円盤状サンプルの寸法と質量とから、磁
器密度を算出した。そして、基準密度（真密度＝４．７
９８ｇ／ｃｍ３ ）に対する相対密度を求めた。
【０１２４】評価として、相対密度は、好ましくは９６
％（密度：４．６ｇ／ｃｍ３ ）以上、より好ましくは
９８％（密度：４．７ｇ／ｃｍ３ ）以上を良好とし
た。
％（密度：４．６ｇ／ｃｍ３ ）以上、より好ましくは
９８％（密度：４．７ｇ／ｃｍ３ ）以上を良好とし
た。
【０１２５】電気特性（比誘電率ε、絶縁抵抗ＩＲ、Ｃ
Ｒ積、誘電損失）は、次のようにして評価した。
Ｒ積、誘電損失）は、次のようにして評価した。
【０１２６】円盤状サンプルに対し、基準温度２５℃で
デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、
周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍ
ｓの条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた
静電容量と、円盤状サンプルの電極寸法および電極間距
離とから、比誘電率（単位なし）を算出した。その後、
絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用い
て、２５℃においてＤＣ５０Ｖを、円盤状サンプルに６
０秒間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定し、この測定値
と、円盤状サンプルの電極面積および厚みとから、比抵
抗ρ（単位はΩｃｍ）を計算で求めた。
デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、
周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍ
ｓの条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた
静電容量と、円盤状サンプルの電極寸法および電極間距
離とから、比誘電率（単位なし）を算出した。その後、
絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用い
て、２５℃においてＤＣ５０Ｖを、円盤状サンプルに６
０秒間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定し、この測定値
と、円盤状サンプルの電極面積および厚みとから、比抵
抗ρ（単位はΩｃｍ）を計算で求めた。
【０１２７】ＣＲ積は、静電容量（Ｃ，μＦ）と、絶縁
抵抗（Ｒ，ＭΩ）との積で表した。
抵抗（Ｒ，ＭΩ）との積で表した。
【０１２８】誘電損失（ｔａｎδ）は、１２５℃におい
て、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）に
て、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１Ｖ
ｒｍｓの条件下で測定した。
て、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）に
て、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１Ｖ
ｒｍｓの条件下で測定した。
【０１２９】評価として、比誘電率εは、小型で高誘電
率のコンデンサを作成するために重要な特性であり、好
ましくは３０以上を良好とした。絶縁抵抗ＩＲは、好ま
しくは２×１０１４Ωｃｍ以上を良好とした。ＣＲ積
は、好ましくは５００ＭΩ・μＦ以上を良好、さらに好
ましくは２０００ＭΩ・μＦ以上を良好とした。誘電損
失は、好ましくは１％未満を良好、さらに好ましくは
０．５％未満を良好とした。
率のコンデンサを作成するために重要な特性であり、好
ましくは３０以上を良好とした。絶縁抵抗ＩＲは、好ま
しくは２×１０１４Ωｃｍ以上を良好とした。ＣＲ積
は、好ましくは５００ＭΩ・μＦ以上を良好、さらに好
ましくは２０００ＭΩ・μＦ以上を良好とした。誘電損
失は、好ましくは１％未満を良好、さらに好ましくは
０．５％未満を良好とした。
【０１３０】なお、これらの特性値は、円盤状サンプル
数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値から求めた。
数ｎ＝１０個を用いて測定した値の平均値から求めた。
【０１３１】
【表１】
【０１３２】表１中、絶縁抵抗ＩＲの数値において、
「ｍＥ＋ｎ」は「ｍ×１０＋ｎ」を意味する。表１によ
り、以下のことが確認できた。
「ｍＥ＋ｎ」は「ｍ×１０＋ｎ」を意味する。表１によ
り、以下のことが確認できた。
【０１３３】表１に示すように、まず、焼結助剤の添加
量に関し、実施例１〜４（試料１〜１９）では、比較例
１（試料２１〜２８）と比較して、少量の添加量で焼結
できることが確認できた。また、焼成温度に関し、実施
例１〜４では、比較例２〜３と比較して、低い温度で焼
成できることも確認できた。
量に関し、実施例１〜４（試料１〜１９）では、比較例
１（試料２１〜２８）と比較して、少量の添加量で焼結
できることが確認できた。また、焼成温度に関し、実施
例１〜４では、比較例２〜３と比較して、低い温度で焼
成できることも確認できた。
【０１３４】さらに、電気特性に関し、実施例１では、
比較例１と比較して誘電損失を改善できることが確認で
きた。実施例２〜４では、比較例１と比較して誘電損失
の他、ＣＲ積も向上することが確認できた。すなわち、
実施例１〜４では、本発明の焼結助剤を添加しているこ
とから、少ない添加量で、しかも１３００℃未満、好ま
しくは１２６０℃以下、より好ましくは１１８０℃以下
の低温で焼成しても、電気特性を維持しながら、チップ
を十分に緻密化させることができた。また、実施例１〜
４では、誘電率を悪化させることなく絶縁抵抗が改善で
きるため、ＣＲ積を向上でき、さらには誘電損失も改善
できた。
比較例１と比較して誘電損失を改善できることが確認で
きた。実施例２〜４では、比較例１と比較して誘電損失
の他、ＣＲ積も向上することが確認できた。すなわち、
実施例１〜４では、本発明の焼結助剤を添加しているこ
とから、少ない添加量で、しかも１３００℃未満、好ま
しくは１２６０℃以下、より好ましくは１１８０℃以下
の低温で焼成しても、電気特性を維持しながら、チップ
を十分に緻密化させることができた。また、実施例１〜
４では、誘電率を悪化させることなく絶縁抵抗が改善で
きるため、ＣＲ積を向上でき、さらには誘電損失も改善
できた。
【０１３５】実施例５ 実施例１と比較例２の円盤状サンプルを用いて、焼成温
度と密度との関係（図３参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図７参照）とを評価した。また、実施例１の試
料１と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用い
て、焼成温度と誘電損失との関係（図１１参照）を評価
した。
度と密度との関係（図３参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図７参照）とを評価した。また、実施例１の試
料１と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用い
て、焼成温度と誘電損失との関係（図１１参照）を評価
した。
【０１３６】実施例６ 実施例２と比較例２の円盤状サンプルを用いて、焼成温
度と密度との関係（図４参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図８参照）とを評価した。また、実施例２の試
料７と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用い
て、焼成温度と誘電損失との関係（図１２参照）を評価
した。
度と密度との関係（図４参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図８参照）とを評価した。また、実施例２の試
料７と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用い
て、焼成温度と誘電損失との関係（図１２参照）を評価
した。
【０１３７】実施例７ 実施例３と比較例２の円盤状サンプルを用いて、焼成温
度と密度との関係（図５参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図９参照）とを評価した。また、実施例３の試
料１４と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用い
て、焼成温度と誘電損失との関係（図１３参照）を評価
した。
度と密度との関係（図５参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図９参照）とを評価した。また、実施例３の試
料１４と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用い
て、焼成温度と誘電損失との関係（図１３参照）を評価
した。
【０１３８】比較例４ 比較例１と比較例２の円盤状サンプルを用いて、焼成温
度と密度との関係（図６参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図１０参照）とを評価した。また、比較例１の
試料２２と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用
いて、焼成温度と誘電損失との関係（図１４参照）を評
価した。
度と密度との関係（図６参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図１０参照）とを評価した。また、比較例１の
試料２２と、比較例２の試料３１の円盤状サンプルを用
いて、焼成温度と誘電損失との関係（図１４参照）を評
価した。
【０１３９】密度については、図３〜６に示すように、
各実施例の試料では、本発明の焼結助剤を添加している
ので、１３００℃未満の低温で焼成しても、相対密度の
変化が小さく、緻密化したチップを得ることができるこ
とが確認できた。ＣＲ積および誘電損失については、図
７〜１４に示すように、各実施例の試料では、本発明の
焼結助剤を添加しているので、１３００℃未満の低温で
焼成しても、十分な値が得られることが確認できた。
各実施例の試料では、本発明の焼結助剤を添加している
ので、１３００℃未満の低温で焼成しても、相対密度の
変化が小さく、緻密化したチップを得ることができるこ
とが確認できた。ＣＲ積および誘電損失については、図
７〜１４に示すように、各実施例の試料では、本発明の
焼結助剤を添加しているので、１３００℃未満の低温で
焼成しても、十分な値が得られることが確認できた。
【０１４０】実施例８ （Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−
Ｏの代わりに、Ｌｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）
−Ｓｉ−Ｏを用い、、その添加量を母材１００モル％に
対して表２に示す割合（５．１３〜７．９８モル％）と
した以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にして円
盤状サンプルを作製した。
Ｏの代わりに、Ｌｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）
−Ｓｉ−Ｏを用い、、その添加量を母材１００モル％に
対して表２に示す割合（５．１３〜７．９８モル％）と
した以外は、実施例１と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例１と同様にして円
盤状サンプルを作製した。
【０１４１】実施例９ Ｌｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの代
わりに、Ｖ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを
用い、その添加量を母材１００モル％に対して表２に示
す割合（４．４０モル％、４．３７モル％）とした以外
は、実施例８と同様にして誘電体原料を得た。得られた
誘電体原料を用いて、実施例８と同様にして円盤状サン
プルを作製した。
わりに、Ｖ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏを
用い、その添加量を母材１００モル％に対して表２に示
す割合（４．４０モル％、４．３７モル％）とした以外
は、実施例８と同様にして誘電体原料を得た。得られた
誘電体原料を用いて、実施例８と同様にして円盤状サン
プルを作製した。
【０１４２】実施例１０ Ｌｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの代
わりに、Ｌｉ−Ｍｏ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓ
ｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して
表２に示す割合（４．５１モル％、４．７７モル％）と
した以外は、実施例８と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例８と同様にして円
盤状サンプルを作製した。
わりに、Ｌｉ−Ｍｏ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓ
ｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して
表２に示す割合（４．５１モル％、４．７７モル％）と
した以外は、実施例８と同様にして誘電体原料を得た。
得られた誘電体原料を用いて、実施例８と同様にして円
盤状サンプルを作製した。
【０１４３】実施例１１ Ｌｉ−Ｗ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの代
わりに、Ｎａ−Ｍｏ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓ
ｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して
表２に示す割合（４．６８モル％）とした以外は、実施
例８と同様にして誘電体原料を得た。得られた誘電体原
料を用いて、実施例８と同様にして円盤状サンプルを作
製した。
わりに、Ｎａ−Ｍｏ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓ
ｉ−Ｏを用い、その添加量を母材１００モル％に対して
表２に示す割合（４．６８モル％）とした以外は、実施
例８と同様にして誘電体原料を得た。得られた誘電体原
料を用いて、実施例８と同様にして円盤状サンプルを作
製した。
【０１４４】上記実施例８〜１１で得られた円盤状サン
プルを用いて、上記実施例１〜４および比較例１〜３と
同様に、磁器特性（収縮率、密度）、電気特性（比誘電
率ε、絶縁抵抗ＩＲ、ＣＲ積、誘電損失（ｔａｎδ））
の特性評価を行った。結果を表２に示す。
プルを用いて、上記実施例１〜４および比較例１〜３と
同様に、磁器特性（収縮率、密度）、電気特性（比誘電
率ε、絶縁抵抗ＩＲ、ＣＲ積、誘電損失（ｔａｎδ））
の特性評価を行った。結果を表２に示す。
【０１４５】
【表２】
【０１４６】表２に示すように、まず、焼結助剤の添加
量に関し、実施例８〜１１（試料３５〜６６）では、表
１に示す比較例１（試料２１〜２８）と比較して、少量
の添加量で焼結できることが確認できた。また、焼成温
度に関し、実施例８〜１１では、表１に示す比較例２〜
３（試料２９〜３４）と比較して、低い温度で焼成でき
ることも確認できた。さらに、電気特性に関し、実施例
８，１１では、表１に示す比較例１と比較して誘電損失
が向上し、ＣＲ積が向上することが確認できた。実施例
９〜１０では、表１に示す比較例１と比較して誘電損失
が向上し、ＣＲ積が同程度か、向上することが確認でき
た。
量に関し、実施例８〜１１（試料３５〜６６）では、表
１に示す比較例１（試料２１〜２８）と比較して、少量
の添加量で焼結できることが確認できた。また、焼成温
度に関し、実施例８〜１１では、表１に示す比較例２〜
３（試料２９〜３４）と比較して、低い温度で焼成でき
ることも確認できた。さらに、電気特性に関し、実施例
８，１１では、表１に示す比較例１と比較して誘電損失
が向上し、ＣＲ積が向上することが確認できた。実施例
９〜１０では、表１に示す比較例１と比較して誘電損失
が向上し、ＣＲ積が同程度か、向上することが確認でき
た。
【０１４７】すなわち、実施例８〜１１では、本発明の
焼結助剤を添加していることから、少ない添加量で、し
かも１３００℃未満、好ましくは１２６０℃以下、より
好ましくは１１８０℃以下の低温で焼成しても、電気特
性を維持しながら、チップを十分に緻密化させることが
できた。また、実施例８〜１１では、誘電率を悪化させ
ることなく絶縁抵抗が改善できるため、ＣＲ積を向上で
き、さらには誘電損失も改善できた。特に実施例８で
は、ＣＲ積の向上が顕著である。
焼結助剤を添加していることから、少ない添加量で、し
かも１３００℃未満、好ましくは１２６０℃以下、より
好ましくは１１８０℃以下の低温で焼成しても、電気特
性を維持しながら、チップを十分に緻密化させることが
できた。また、実施例８〜１１では、誘電率を悪化させ
ることなく絶縁抵抗が改善できるため、ＣＲ積を向上で
き、さらには誘電損失も改善できた。特に実施例８で
は、ＣＲ積の向上が顕著である。
【０１４８】実施例１２ 実施例８、比較例１および比較例２の円盤状サンプルを
用いて、焼成温度と密度との関係（図１６参照）と、焼
成温度と比抵抗との関係（図１７参照）と、焼成温度と
誘電率との関係（図１８参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図１９参照）とを評価した。
用いて、焼成温度と密度との関係（図１６参照）と、焼
成温度と比抵抗との関係（図１７参照）と、焼成温度と
誘電率との関係（図１８参照）と、焼成温度とＣＲ積と
の関係（図１９参照）とを評価した。
【０１４９】実施例１３ 実施例８の試料４２と、比較例２の試料３１の円盤状サ
ンプルを用いて、温度と誘電損失との関係（図２０参
照）を評価した。
ンプルを用いて、温度と誘電損失との関係（図２０参
照）を評価した。
【０１５０】実施例１４ 実施例１０の試料６１と、比較例２の試料３１の円盤状
サンプルを用いて、温度と誘電損失との関係（図２１参
照）を評価した。
サンプルを用いて、温度と誘電損失との関係（図２１参
照）を評価した。
【０１５１】密度については、図１６に示すように、実
施例８のサンプルでは、本発明の焼結助剤を添加してい
るので、１３００℃未満の低温で焼成しても、相対密度
の変化が小さく、緻密化したチップを得ることができる
ことが確認できた。
施例８のサンプルでは、本発明の焼結助剤を添加してい
るので、１３００℃未満の低温で焼成しても、相対密度
の変化が小さく、緻密化したチップを得ることができる
ことが確認できた。
【０１５２】比抵抗、誘電率およびＣＲ積については、
図１７〜１９に示すように、実施例８のサンプルでは、
本発明の焼結助剤を添加しているので、１３００℃未満
の低温で焼成しても、十分な値が得られることが確認で
きた。
図１７〜１９に示すように、実施例８のサンプルでは、
本発明の焼結助剤を添加しているので、１３００℃未満
の低温で焼成しても、十分な値が得られることが確認で
きた。
【０１５３】誘電損失については、図２０〜２１に示す
ように、実施例８，１０のサンプルでは、本発明の焼結
助剤を添加しているので、１３００℃未満の低温で焼成
しても、十分な値が得られることが確認できた。
ように、実施例８，１０のサンプルでは、本発明の焼結
助剤を添加しているので、１３００℃未満の低温で焼成
しても、十分な値が得られることが確認できた。
【０１５４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、低温で焼成しても各種電気特性（比誘電率、絶縁抵
抗、ＣＲ積、誘電損失など）を損なうことなく緻密化し
た誘電体磁器組成物を得ることができる誘電体磁器組成
物の製造方法、およびこの誘電体磁器組成物を誘電体層
として用いる電子部品の製造方法が提供される。
ば、低温で焼成しても各種電気特性（比誘電率、絶縁抵
抗、ＣＲ積、誘電損失など）を損なうことなく緻密化し
た誘電体磁器組成物を得ることができる誘電体磁器組成
物の製造方法、およびこの誘電体磁器組成物を誘電体層
として用いる電子部品の製造方法が提供される。
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。
ックコンデンサの断面図である。
【図２】 図２は誘電体磁器組成物の製造に用いる焼結
助剤（第１〜第３の観点）の組成比を示す四面体組成図
である。
助剤（第１〜第３の観点）の組成比を示す四面体組成図
である。
【図３】 図３は実施例１に係る（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加
量とを変化させた場合における焼成温度と密度との関係
を示すグラフである。
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加
量とを変化させた場合における焼成温度と密度との関係
を示すグラフである。
【図４】 図４は実施例２に係る（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｍ
ｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化さ
せた場合における焼成温度と密度との関係を示すグラフ
である。
ｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化さ
せた場合における焼成温度と密度との関係を示すグラフ
である。
【図５】 図５は実施例３に係る（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｗ−
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量とを変化させた場合における焼成温度と密度との
関係を示すグラフである。
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量とを変化させた場合における焼成温度と密度との
関係を示すグラフである。
【図６】 図６は比較例１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変
化させた場合における焼成温度と密度との関係を示すグ
ラフである。
Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変
化させた場合における焼成温度と密度との関係を示すグ
ラフである。
【図７】 図７は実施例１に係る（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加
量とを変化させた場合における焼成温度とＣＲ積との関
係を示すグラフである。
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加
量とを変化させた場合における焼成温度とＣＲ積との関
係を示すグラフである。
【図８】 図８は実施例２に係る（Ｌｉ，Ｎａ）−（Ｍ
ｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化さ
せた場合における焼成温度とＣＲ積との関係を示すグラ
フである。
ｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係る（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化さ
せた場合における焼成温度とＣＲ積との関係を示すグラ
フである。
【図９】 図９は実施例３に係る（Ｌｉ，Ｎａ）−Ｗ−
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量とを変化させた場合における焼成温度とＣＲ積と
の関係を示すグラフである。
（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比
較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの
添加量とを変化させた場合における焼成温度とＣＲ積と
の関係を示すグラフである。
【図１０】 図１０は比較例１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃ
ａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係
る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを
変化させた場合における焼成温度とＣＲ積との関係を示
すグラフである。
ａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例２に係
る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを
変化させた場合における焼成温度とＣＲ積との関係を示
すグラフである。
【図１１】 図１１は実施例１の試料１と、比較例２の
試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラ
フである。
試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラ
フである。
【図１２】 図１２は実施例２の試料７と、比較例２の
試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラ
フである。
試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグラ
フである。
【図１３】 図１３は実施例３の試料１４と、比較例２
の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグ
ラフである。
の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグ
ラフである。
【図１４】 図１４は比較例１の試料２２と、比較例２
の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグ
ラフである。
の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグ
ラフである。
【図１５】 図１５は誘電体磁器組成物の製造に用いる
焼結助剤（第４〜第６の観点）の組成比を示す四面体組
成図である。
焼結助剤（第４〜第６の観点）の組成比を示す四面体組
成図である。
【図１６】 図１６は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度と密度との関係を示すグラフである。
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度と密度との関係を示すグラフである。
【図１７】 図１７は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度と比抵抗との関係を示すグラフである。
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度と比抵抗との関係を示すグラフである。
【図１８】 図１８は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度と誘電率との関係を示すグラフである。
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度と誘電率との関係を示すグラフである。
【図１９】 図１９は実施例８に係るＬｉ−Ｗ−（Ｂ
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度とＣＲ積との関係を示すグラフである。
ａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量と、比較例
１に係るＬｉ−（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａｌ）−Ｓｉ−Ｏ
の添加量と、比較例２に係る（Ｂａ，Ｃａ，Ｍｎ，Ａ
ｌ）−Ｓｉ−Ｏの添加量とを変化させた場合における焼
成温度とＣＲ積との関係を示すグラフである。
【図２０】 図２０は実施例８の試料４２と、比較例２
の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグ
ラフである。
の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示すグ
ラフである。
【図２１】 図２１は実施例１０の試料６１と、比較例
２の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示す
グラフである。
２の試料３１とにおける温度と誘電損失との関係を示す
グラフである。
１… 積層セラミックコンデンサ １０… コンデンサ素子本体 ２… 誘電体層 ３… 内部電極層 ４… 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G030 AA01 AA02 AA03 AA04 AA07 AA08 AA09 AA10 AA16 AA17 AA19 AA20 AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AA32 AA35 AA36 AA37 BA09 GA11 GA14 GA15 GA16 GA17 GA20 GA25 GA26 GA27 GA34 4G031 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06 AA10 AA11 AA12 AA13 AA17 AA18 AA19 AA26 AA28 AA29 AA30 BA09 GA02 GA04 GA07 GA11 5E001 AB03 AH09 AJ02 5G303 AA01 AB15 CA01 CB01 CB02 CB03 CB06 CB10 CB11 CB14 CB16 CB17 CB18 CB20 CB21 CB30 CB32 CB33 CB35 CB36 CB37 CB38 CB39 CC03 CD01 CD04 DA05
Claims (15)
- 【請求項１】 誘電体酸化物を含む主成分と、 焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法で
あって、 ２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金
属）を含む第１成分と、 Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分と、 Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも
１つ）を含む第３成分と、 Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化
合物を含む第４成分とを有し、 これら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第
３，第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組
成物の製造方法。 - 【請求項２】 誘電体酸化物を含む主成分と、 焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法で
あって、 第１成分と、 第２成分、第３成分および第４成分から選ばれる少なく
とも一つの成分とを有し、 前記第１成分が２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ
１はアルカリ金属）を含み、前記第２成分がＭ２の化合
物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含
み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから
選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成分がＳｉ
の酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物
を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項３】 誘電体酸化物を含む主成分と、 焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法で
あって、 ２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金
属）を含む第１成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘
電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器
組成物の製造方法。 - 【請求項４】 誘電体酸化物を含む主成分と、 焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法で
あって、 Ｍ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属の少なくと
も一つ）を含む第１成分と、 Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分と、 Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも
１つ）を含む第３成分と、 Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化
合物を含む第４成分とを有し、 これら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第
３，第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ａ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣＤ面（第２成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組
成物の製造方法。 - 【請求項５】 誘電体酸化物を含む主成分と、 焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法で
あって、 第２成分と、 第１成分、第３成分および第４成分の少なくとも一つの
成分とを有し、 前記第１成分がＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ
金属の少なくとも一つ）を含み、前記第２成分がＭ２の
化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を
含み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから
選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成分がＳｉ
の酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物
を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項６】 誘電体酸化物を含む主成分と、 焼結助剤とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法で
あって、 Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘
電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器
組成物の製造方法。 - 【請求項７】 前記誘電体酸化物が、組成式（Ｅ１Ｏ）
Ａ ・Ｅ２Ｂ Ｏ２ で表され、前記組成式中の記号Ｅ１
がＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１つの
元素であり、記号Ｅ２がＴｉおよびＺｒの少なくとも１
つの元素である請求項１〜６のいずれかに記載の誘電体
磁器組成物の製造方法。 - 【請求項８】 前記誘電体酸化物が、組成式｛（Ｂａ
（１−ｘ−ｙ） Ｃａ ｘ Ｓｒｙ ）Ｏ｝Ａ （Ｔｉ
（１−ｚ） Ｚｒｚ ）Ｂ Ｏ２ で表され、 前記組成式中の記号Ａ、記号Ｂ、記号ｘ、記号ｙおよび
記号ｚが、 記号Ｂに対する記号Ａの比（Ａ／Ｂ）：０．７５≦Ａ／
Ｂ≦１．０４、 記号ｘ：０≦ｘ≦０．９、 記号ｙ：０≦ｙ≦０．５、 記号ｚ：０＜ｚ＜１である請求項１〜６のいずれかに記
載の誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項９】 １３００℃未満の焼成温度で前記誘電体
磁器組成物を製造する請求項１〜８のいずれかに記載の
誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項１０】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助
剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層
を有する電子部品を製造する方法であって、 ２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金
属）を含む第１成分と、 Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分と、 Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも
１つ）を含む第３成分と、 Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化
合物を含む第４成分とを有し、 これら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第
３，第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ｂ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＢＣＤ面（第１成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製
造方法。 - 【請求項１１】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助
剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層
を有する電子部品を製造する方法であって、 第１成分と、 第２成分、第３成分および第４成分から選ばれる少なく
とも一つの成分とを有し、 前記第１成分が２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ
１はアルカリ金属）を含み、前記第２成分がＭ２の化合
物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を含
み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから
選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成分がＳｉ
の酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物
を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項１２】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助
剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層
を有する電子部品を製造する方法であって、 ２種類以上のＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金
属）を含む第１成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘
電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の
製造方法。 - 【請求項１３】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助
剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層
を有する電子部品を製造する方法であって、 Ｍ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ金属の少なくと
も一つ）を含む第１成分と、 Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分と、 Ｍ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから選ばれる少なくとも
１つ）を含む第３成分と、 Ｓｉの酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化
合物を含む第４成分とを有し、 これら第１成分〜第４成分の組成比：（第１，第２，第
３，第４）を、点Ａ：（１００，０，０，０）、点Ｂ：
（０，１００，０，０）、点Ｃ：（０，０，１００，
０）および点Ｄ：（０，０，０，１００）で表される四
面体組成図で表したとき、前記組成比が、前記点Ａ、点
Ｃおよび点Ｄで囲まれるＡＣＤ面（第２成分＝０の組
成）上を除く領域を満たす焼結助剤を用いて、前記誘電
体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の製
造方法。 - 【請求項１４】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助
剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層
を有する電子部品を製造する方法であって、 第２成分と、 第１成分、第３成分および第４成分の少なくとも一つの
成分とを有し、 前記第１成分がＭ１の化合物（ただし、Ｍ１はアルカリ
金属の少なくとも一つ）を含み、前記第２成分がＭ２の
化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元素）を
含み、前記第３成分がＭ３の化合物（ただし、Ｍ３はＢ
ａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂ、ＡｌおよびＺｎから
選ばれる少なくとも１つ）を含み、前記第４成分がＳｉ
の酸化物、または焼成によりＳｉの酸化物になる化合物
を含む焼結助剤を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造
することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項１５】 誘電体酸化物を含む主成分と、焼結助
剤とを有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層
を有する電子部品を製造する方法であって、 Ｍ２の化合物（ただし、Ｍ２はＶ族元素およびＶＩ族元
素）を含む第２成分を有する焼結助剤を用いて、前記誘
電体磁器組成物を製造することを特徴とする電子部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148205A JP2002338343A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001148205A JP2002338343A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002338343A true JP2002338343A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18993574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001148205A Pending JP2002338343A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002338343A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004071992A1 (ja) * | 2003-02-17 | 2004-08-26 | Tdk Corporation | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
| JP2007001823A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Tdk Corp | 焼結助剤、誘電体磁器組成物の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| JP2007284290A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Yokowo Co Ltd | 高周波用誘電体材料 |
| CN102351533A (zh) * | 2011-07-15 | 2012-02-15 | 桂林电子科技大学 | 一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| WO2018177008A1 (zh) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 郴州功田电子陶瓷技术有限公司 | 一种小型导航天线用环保型微波介质陶瓷材料 |
| JP2021054686A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2997236B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2000-01-11 | ティーディーケイ株式会社 | 非還元性誘電体磁器材料 |
| JP2001294481A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001148205A patent/JP2002338343A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2997236B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2000-01-11 | ティーディーケイ株式会社 | 非還元性誘電体磁器材料 |
| JP2001294481A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004071992A1 (ja) * | 2003-02-17 | 2004-08-26 | Tdk Corporation | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
| US7265072B2 (en) | 2003-02-17 | 2007-09-04 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| JP2007001823A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Tdk Corp | 焼結助剤、誘電体磁器組成物の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| JP2007284290A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Yokowo Co Ltd | 高周波用誘電体材料 |
| CN102351533A (zh) * | 2011-07-15 | 2012-02-15 | 桂林电子科技大学 | 一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| WO2018177008A1 (zh) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 郴州功田电子陶瓷技术有限公司 | 一种小型导航天线用环保型微波介质陶瓷材料 |
| JP2021054686A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
| JP7327065B2 (ja) | 2019-10-01 | 2023-08-16 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物および電子部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4821357B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP3568030B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法 | |
| JP4967965B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2007331956A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP5360079B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 | |
| JP2007331958A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP5017792B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP6089770B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP4461679B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2007022819A (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP4403705B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP4696891B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2007246347A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP5482747B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 | |
| JP4576807B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2006062937A (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP4951896B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2007273684A (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
| JP2001097772A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびそれらの製造方法 | |
| JP4098224B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品及びこれらの製造方法 | |
| JP5167579B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP4387990B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP2002338343A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 | |
| JP5167591B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP4691978B2 (ja) | 誘電体組成物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070319 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110912 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110915 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120125 |