JP4951896B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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Description
組成式{(Bax Me1−x )O}m (Zr1−y Tiy )O2 で表され、前記組成式中のMeがSrおよび/またはCaであり、前記組成式中のm、x、およびyが、0.8≦m≦1.3、0.4≦x<1、0≦y<0.6の関係にある誘電体酸化物を含む主成分を、有する。
前記第1副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Mnの酸化物、Crの酸化物およびCoの酸化物換算で、0モル<第1副成分<5モルである。
前記第2副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Alの酸化物、Geの酸化物およびGaの酸化物換算で、0.1モル<第2副成分<10モルである。
前記第3副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Siの酸化物、Mの酸化物、Liの酸化物およびBの酸化物換算で、0モル<第3副成分<20モルである。
前記第4副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、R元素換算で、0モル<第4副成分<1モルである。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図2は本発明の実施例に係る積層セラミックコンデンサの充放電特性を示すグラフである。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1は、誘電体層2と内部電極層3とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体10を有する。このコンデンサ素子本体10の両端部には、素子本体10の内部で交互に配置された内部電極層3と各々導通する一対の外部電極4が形成してある。コンデンサ素子本体10の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は通常、縦(0.4〜6.0mm)×横(0.2〜5.4mm)×高さ(0.2〜3.0mm)程度とすることができる。
誘電体層2は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式{(Bax Me1−x )O}m (Zr1−y Tiy )O2 で表される誘電体酸化物を有する。なお、この組成式中、Meは、Srおよび/またはCaである。
すなわち、Mnの酸化物、Crの酸化物およびCoの酸化物から選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、
Alの酸化物、Geの酸化物およびGaの酸化物から選択される少なくとも1種を含む第2副成分と、
Siの酸化物を主成分とし、Mの酸化物(ただし、MはBa,Ca,SrおよびMgから選択される少なくとも1種の元素)、Liの酸化物およびBの酸化物から選択される少なくとも1種を含む第3副成分と、を含有していることが好ましい。
内部電極層3に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層2の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、NiまたはNi合金が好ましい。Ni合金としては、Cu,Fe,Mn,Cr,Co及びAlから選択される1種以上の元素とNiとの合金が好ましく、合金中のNi含有量は95重量%以上であることが好ましい。
内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、0.5〜5μm、特に0.5〜2.5μm程度であることが好ましい。
外部電極4に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なNi,Cuや、これらの合金を用いることができる。
外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、10〜50μm程度であることが好ましい。
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
塗料化する前の状態で、誘電体磁器組成物粉末の粒径は、通常、平均粒径0.1〜1μm程度である。
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
本実施例では、以下に示す手順で積層セラミックコンデンサのサンプルを作製した。
まず、主成分原料として、ゾルゲル法により製造され、組成式{(Bax Me1−x )O}m (Zr1−y Tiy )O2 で表される誘電体酸化物原料を準備した。(ただし、上記組成式中、Meは、Srおよび/またはCaであり、上記組成式中のm、x、およびyは、m=1.0、x,y=表1に示す各値とした。)
次いで、上記とは別に、以下に示す第1〜第3副成分の原料を準備した。
第1副成分(MnCO3 ):0.5モル
第2副成分(Al2 O3 ):0.2モル
第3副成分((Ba0.6 Ca0.4 )SiO3 ):2.8モル
なお、これら第1〜第3副成分の添加量は、各酸化物に換算した場合における、主成分100モルに対する、添加量である。
脱バインダ処理は、昇温時間15℃/時間、保持温度280℃、保持時間8時間、空気雰囲気の条件で行った。
焼成は、昇温速度200℃/時間、保持温度:1200〜1350℃、保持時間2時間、冷却速度300℃/時間、加湿したN2 +H2 混合ガス雰囲気(酸素分圧は2×10−13〜5×10−10MPa内に調節)の条件で行った。
再酸化処理(アニール)は、保持温度1050℃、温度保持時間3時間、加湿したN2 ガス雰囲気(酸素分圧は1.3×10−6MPa)とした。なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用いた。
各コンデンサ試料に対し、基準温度25℃でデジタルLCRメータ(YHP社製4274A)にて、周波数1kHz,入力信号レベル(測定電圧)1Vrmsの条件下で、静電容量を測定した。そして、得られた静電容量と、コンデンサ試料の電極寸法および電極間距離とから、比誘電率(ε、単位はなし)を算出した。比誘電率を高くすることにより、コンデンサの小型・薄層化が可能となるため、比誘電率は高い方が好ましい。本実施例では、80以上を良好とした。結果を表1に示す。
各コンデンサ試料に対し、−55℃〜150℃の温度範囲で静電容量を測定した。静電容量の測定にはデジタルLCRメータ(YHP製4274A)を用い、周波数1kHz、入力信号レベル1Vrmsの条件下で測定した。そして、これらの温度範囲で最も容量温度特性が悪くなる150℃の温度環境下での静電容量の変化率(△C/C、単位は%)を算出した。本実施例では、ΔC/C=±30%以内を良好とした。結果を表1に示す。
各コンデンサ試料に対し、充電電圧800V、試験温度150℃の条件で、充電放電周期50Hzの条件で、充放電試験を行った。そして、この充放電試験を各10個のサンプルに対して行い、充放電試験開始から、コンデンサ試料が故障するまでの充放電サイクル数(故障回数)を測定し、各サンプルの平均故障回数を求めた。なお、本実施例では、コンデンサ試料がショートしてしまい、充放電不能となった状態を故障と判断した。平均故障回数が多いほど、急速な充放電を要する用途へ使用した場合に、長寿命となるため、平均故障回数は多い方が好ましい。本実施例では、平均故障回数が10万回以上を良好とした。結果を表1に示す。また、測定の結果得られた充放電プロファイルを図2に示す。
第4副成分としてのY2 O3 を、さらに添加した以外は、実施例1の試料1と同様にして、コンデンササンプルを作製し、実施例1と同様の評価を行った。なお、実施例2においては、Y2 O3 の添加量を、主成分100モルに対して、Y2 O3 換算で、それぞれ0.25モル(試料16)、0.45モル(試料17)、0.5モル(試料18)とした。すなわち、Y元素換算では、それぞれ0.5モル(試料16)、0.9モル(試料17)、1モル(試料18)とした。結果を表2に示す。なお、表2中においては、Y2 O3 換算の添加量をモル数で表記した。
10… コンデンサ素子本体
2… 誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極
Claims (5)
- 組成式{(Bax Me1−x )O}m (Zr1−y Tiy )O2 で表され、前記組成式中のMeがSrおよび/またはCaであり、前記組成式中のm、x、およびyが、0.8≦m≦1.3、0.4≦x<1、0≦y<0.6の関係にある誘電体酸化物を含む主成分を、有し、
Yの酸化物を含む第4副成分を有し、
前記第4副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Y元素換算で、0.2モル≦第4副成分≦0.8モルである誘電体磁器組成物。 - Mnの酸化物、Crの酸化物およびCoの酸化物から選択される少なくとも1種を含む第1副成分を有し、
前記第1副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Mnの酸化物、Crの酸化物およびCoの酸化物換算で、0モル<第1副成分<5モルである請求項1に記載の誘電体磁器組成物。 - Alの酸化物、Geの酸化物およびGaの酸化物から選択される少なくとも1種を含む第2副成分を有し、
前記第2副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Alの酸化物、Geの酸化物およびGaの酸化物換算で、0.1モル<第2副成分<10モルである請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。 - Siの酸化物を主成分とし、Mの酸化物(ただし、MはBa,Ca,SrおよびMgから選択される少なくとも1種の元素)、Liの酸化物およびBの酸化物から選択される少なくとも1種を含む第3副成分を有し、
前記第3副成分の含有量が、前記主成分100モルに対して、Siの酸化物、Mの酸化物、Liの酸化物およびBの酸化物換算で、0モル<第3副成分<20モルである請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
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