JP5035016B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 54
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 40
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 22
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 5
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000003232 water-soluble binding agent Substances 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Description
主成分としてBaTiO3を有し、
主成分100モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、
MgO:0.50〜3.0モル、
MnO:0.05〜0.5モル、
Sm、Eu、Gdからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE1 2O3)、
Tb、Dyからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE2 2O3)、
Y、Ho、Er、Yb、Tm、Luからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE3 2O3)、
BaZrO3:0.20〜1.0モル、および
V、Ta、Mo、Nb、Wからなる群から選ばれる元素の酸化物:0.05〜0.25モル
を含み、
前記RE1 2O3、RE2 2O3およびRE3 2O3の含有量が、
RE1 2O3<RE2 2O3および
(RE1 2O3+RE2 2O3)≦RE3 2O3
を満たす。
0.30モル≦(RE1 2O3+RE2 2O3+RE3 2O3)≦1.50モル
を満たす。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図2は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。
本発明の誘電体磁器組成物は、主成分としてのBaTiO3と、副成分として、MgO、MnO、Sm、Eu、Gdからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE1 2O3)、Tb、Dyからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE2 2O3)、Y、Ho、Er、Yb、Tm、Luからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE3 2O3)、BaZrO3および、V、Ta、Mo、Nb、Wからなる群から選ばれる元素の酸化物を含有している。この際、酸素(O)量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。
なお、全てのBaTiO3粒子のc/aが、上記の範囲を満足している必要はない。すなわち、たとえばBaTiO3の原料粉末中に、正方晶系のBaTiO3粒子と、立方晶系のBaTiO3粒子とが共存していてもよく、原料粉末のBaTiO3全体として、正方晶性が高く、c/aが上記の範囲にあればよい。
RE1 2O3の添加量がRE2 2O3を超えてしまうと、高温側の容量温度変化率が悪化する。また、コアへのRE1 2O3の拡散により、比誘電率が低下する傾向にある。
なお、本実施形態では、複合酸化物であるBaZrO3の形態で副成分原料として用いることが好ましい。単に、BaOおよびZrO2の形態で副成分原料として用いた場合には、ZrがBaTiO3粒子内に拡散しすぎてしまい、IR寿命等の特性が悪化してしまう。
BaZrO3は、主成分100モルに対して、BaZrO3換算で、0.20〜1.0モル、好ましくは0.20〜0.70モル、より好ましくは0.20〜0.50モルの量で含まれる。BaZrO3の含有量が少なすぎると、比誘電率が低下すると共に、絶縁抵抗(IR)とIR寿命とが悪化する傾向にある。一方、BaZrO3の含有量が多すぎると、容量温度特性およびDCバイアス特性が悪化する傾向にある。なお、BaZrO3は、焼結後には、BaZrO3としてではなく、Zrとして検出されることとなる。
図2に示すように、主成分の原料と副成分の原料とを、ボールミル等により混合し、誘電体磁器組成物粉末を得る。
また副成分原料の平均粒径は、好ましくは0.05〜0.20μm、より好ましくは0.05〜0.15μmである。上記の主成分原料および副成分原料を混合することで、焼成時に均一な焼結が行われるため、クラックまたはデラミネーションを生じ難くなり、素子の耐熱性の向上にも効果がある。
なお、以下の実施例および比較例において、各種物性評価は、以下のように行った。
コンデンサの試料に対し、基準温度20℃において、デジタルLCRメータ(横河電機(株)製 YHP4274A)にて、周波数120Hz,入力信号レベル(測定電圧)0.5Vrms/μmの条件下で、静電容量Cを測定した。そして、得られた静電容量、積層セラミックコンデンサの誘電体厚みおよび内部電極同士の重なり面積から、比誘電率(単位なし)を算出した。比誘電率は、高いほど好ましい。
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計(アドバンテスト社製R8340A)を用いて、20℃において5V/μmの直流電圧を、コンデンサ試料に1分間印加した後の絶縁抵抗IRを測定した。CR積は、上記にて測定した静電容量C(単位はμF)と、絶縁抵抗IR(単位はMΩ)との積を求めることにより測定した。
コンデンサ試料に対し、電圧を印加して電流が10mA以上流れた電圧を破壊電圧とした。測定数は各組成50個であり、中心値を代表値とした。
容量の温度特性は、EIA規格のX5RおよびX6Sを満足するか否かを調べた。具体的には、X5Rについては、LCRメータにより、温度−55〜85℃について測定電圧0.5Vrmsで容量を測定し、容量変化率が±15%以内(基準温度25℃)を満足するか否かを調べた。
X6Sについては、LCRメータにより、温度−55〜105℃について測定電圧0.5Vrmsで容量を測定し、容量変化率が±22%以内(基準温度25℃)を満足するか否かを調べた。
まず、120Hz、0.5VrmsのAC電圧を印加した時の静電容量を測定した後、DC2.0V(2V/μm)、および120Hz、0.5VrmsのAC電圧を同時に印加した時の静電容量を測定した。得られた測定値により、静電容量の低下率を算出した。
加速寿命試験として、温度150℃にて直流電圧を10V(10V/μm)印加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、加速寿命試験では、各試料の絶縁抵抗(IR)値が104Ω以下になったときの時間をIR寿命時間とし、複数の試料についての平均寿命時間を求めた。
主成分の原料として、BaTiO3を、副成分の原料として、MgO、MnO、RE1 2O3、RE2 2O3およびRE3 2O3として選ばれる、それぞれのいずれかの元素の酸化物、BaZrO3、V、Ta、Mo、Nb、Wからなる群から選ばれる元素の酸化物、および焼結助剤としてのSiO2を、それぞれ準備して、誘電体スラリーを調製した。なお、BaTiO3のBa/Tiは1.000、c/aは1.0098のものを用いた。また、MgO、MnO、RE1 2O3、RE2 2O3およびRE3 2O3として選ばれる、それぞれのいずれかの元素の酸化物、BaZrO3、V、Ta、Mo、Nb、Wからなる群から選ばれる元素の酸化物は、予め仮焼したものを用いた。
焼成条件は、昇温速度:200℃/時間、保持温度:1150℃〜1250℃、温度保持時間:2時間、冷却速度:300℃/時間、雰囲気:加湿したN2とH2との混合ガスとした。
アニール条件は、保持温度:1000〜1100℃、温度保持時間:2時間、昇温、降温速度:200℃/時間、雰囲気:加湿したN2ガスとした。
10… コンデンサ素子本体
2… 誘電体層
3… 内部電極層
4… 外部電極
Claims (7)
- 主成分としてBaTiO3を有し、
主成分100モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、
MgO:0.50〜3.0モル、
MnO:0.05〜0.5モル、
Sm、Eu、Gdからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE1 2O3)、
Tb、Dyからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE2 2O3)、
Y、Ho、Er、Yb、Tm、Luからなる群から選ばれる元素の酸化物(RE3 2O3)、
BaZrO3:0.2モルより多く、1.0モル以下、および
V、Ta、Mo、Nb、Wからなる群から選ばれる元素の酸化物:0.05〜0.25モル、を含み、
前記RE1 2O3、RE2 2O3およびRE3 2O3の含有量が、
RE1 2O3<RE2 2O3および
(RE1 2O3+RE2 2O3)≦RE3 2O3
を満たす誘電体磁器組成物。 - 主成分100モルに対する前記RE1 2O3、RE2 2O3およびRE3 2O3の含有量が、
0.30モル≦(RE1 2O3+RE2 2O3+RE3 2O3)≦1.50モル
を満たす請求項1に記載の誘電体磁器組成物。 - 副成分として、さらに、焼結助剤を、主成分100モルに対して、0.40〜2.0モル含む請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記RE1がGdであり、
前記RE2がDyであり、
前記RE3がYである
請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 前記BaTiO3中のBaとTiとのモル比を示すBa/Tiが、0.997〜1.003である請求項1〜4のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 前記BaTiO3の結晶格子におけるc軸の格子定数とa軸の格子定数との比を示すc/aが、1.0095以上である請求項1〜5のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層と、内部電極層とを有する電子部品。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044449A JP5035016B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
TW097134834A TW200927698A (en) | 2007-09-28 | 2008-09-11 | Dielectric ceramic composition and electronic device |
TW101129139A TW201245098A (en) | 2007-09-28 | 2008-09-11 | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US12/232,799 US7759269B2 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-24 | Dielectric ceramic composition and electronic device |
CN2008101756311A CN101419865B (zh) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | 电介质陶瓷组合物及电子部件 |
KR1020080094619A KR100979858B1 (ko) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044449A JP5035016B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009203089A JP2009203089A (ja) | 2009-09-10 |
JP5035016B2 true JP5035016B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=41145724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008044449A Active JP5035016B2 (ja) | 2007-09-28 | 2008-02-26 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5035016B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11901127B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-02-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition and multilayer capacitor |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5146475B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2013-02-20 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 |
JP5251913B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2013-07-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
JP5146492B2 (ja) * | 2010-06-14 | 2013-02-20 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
JP5685931B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-03-18 | Tdk株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP5668572B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-02-12 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 |
KR101532118B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2015-06-29 | 삼성전기주식회사 | 유전체 조성물 및 이를 포함하는 세라믹 전자 부품 |
JP5803694B2 (ja) * | 2012-01-24 | 2015-11-04 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 |
JP6089770B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-03-08 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP6193778B2 (ja) * | 2014-02-15 | 2017-09-06 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
JP6409632B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2018-10-24 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 |
JP6387871B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2018-09-12 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 |
KR102222944B1 (ko) | 2019-02-01 | 2021-03-05 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
KR102225451B1 (ko) | 2019-06-28 | 2021-03-09 | 삼성전기주식회사 | 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층형 전자 부품 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3269909B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JP3024536B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2000-03-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP3334606B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2002-10-15 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
JP3334607B2 (ja) * | 1998-05-12 | 2002-10-15 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
KR100583844B1 (ko) * | 2001-07-04 | 2006-05-26 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 티탄산바륨 및 그의 제조방법 |
JP4191496B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2008-12-03 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP2004296857A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Tdk Corp | 電子部品の特性を予測する方法および製造方法 |
JP4576807B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2010-11-10 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
JP2007022819A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物及び電子部品 |
JP4967965B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-07-04 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008044449A patent/JP5035016B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11901127B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-02-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric composition and multilayer capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009203089A (ja) | 2009-09-10 |
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JP4893361B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
JP2008285373A (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101014 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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