JP2007273684A - 積層型電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】積層方向の最外層に位置する内部電極層の電極被覆率を向上させ、湿度の高い条件下でも最外層に位置する内部電極層の電極途切れ部分を起点に破壊が起きず、耐湿性が高く、しかも、温度特性にも優れた積層型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体ペーストを用いて形成される誘電体層２と、導電性ペーストを用いて形成される内部電極層３とを交互に積層してある素子本体１０を有する積層型電子部品を製造する方法である。導電性ペーストに導電性粒子と共材粒子とを添加する際に、積層方向の最も外側に位置する内部電極層３ａを形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量を、積層方向の中央に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量より多くする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、特に積層方向の最外層に位置する内部電極層の電極途切れが少なく、耐湿性が高く、しかも温度変化に対する容積変化率が少ない積層型電子部品とその製造方法に関する。

近年、積層セラミックコンデンサは、小型および大容量化にともない、よりいっそう薄くて欠陥の少ない誘電体層および内部電極層を積層する方法が必要とされる。

そういった要求を満たすため、積層セラミックコンデンサの誘電体層および内部電極層の多層化・薄層化が進められている。しかし、卑金属であるＮｉが内部電極として採用されている場合、Ｎｉは誘電体と比較すると融点が低く、誘電体との焼結温度の差が大きいがために、誘電体層を構成する誘電体粒子との収縮差が生じてしまう。その結果、デラミネーションやクラックが発生したり静電容量が低下し、不良率を上げる結果となっていた。

これらの問題を解決するために、これまで、電極ペースト中に、誘電体層と同じ組成物の誘電体粒子を共材粒子として添加するという手法を用いている（特許文献１〜特許文献４）。この共材粒子を電極ペースト中に、Ｎｉ粒子と共に含有させることで、ある程度、Ｎｉの粒成長による球状化を抑制することが可能である。特に、特許文献１には、内部電極層と誘電体層間のデラミネーションやクラックの発生を発生しにくくする目的で、共材の添加量を２〜２０ｗｔ％添加する方法が開示してある。

しかしながら、特許文献１により得られた積層型電子部品では、共材の添加量が低いため、湿度が高い条件下で、積層された電極層のうち積層方向の最外層に位置する電極層の電極面に電極途切れが起きやすくなり、その途切れを起点に水分が入り込んで破壊が起こるおそれがあった。

そこで、共材粒子の添加量を多くすることも考えられる。しかしながら、共材粒子の添加量を多くすると、温度変化に対する静電容量の変化が大きくなり、温度特性が悪くなるおそれがあった。
特開２００５−１２９５９１号 特開２００４−３１１９８５号 特開平７−２０１２２２号 特開平５−１９０３７３号

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、積層方向の最外層に位置する内部電極層の電極被覆率を向上させ、湿度の高い条件下でも最外層に位置する内部電極層の電極途切れ部分を起点に破壊が起きず、耐湿性が高く、しかも、温度特性にも優れた積層型電子部品の製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る積層型電子部品の製造方法は、
誘電体ペーストを用いて形成される誘電体層と、導電性ペーストを用いて形成される内部電極層とを交互に積層した積層型電子部品を製造する方法であって、
前記導電性ペーストに導電性粒子と共材粒子とを添加する際に、
積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、積層方向の中央に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量より多いことを特徴とする。

本発明者らは、最外層に位置する電極層の共材添加量を中央層よりも多くすることにより、目的とする温度特性（たとえばＸ８Ｒ特性）に影響を与えることなく、耐湿性を高める（たとえば、１５００時間以上の高湿度条件下に耐える）ことができることを見出した。

すなわち、本発明によれば、最外層に位置する内部電極層の電極被覆率（以下、「最外層電極被覆率」とも称する）が高く、したがって耐湿性が高く、しかも温度特性にも優れている積層セラミックコンデンサなどの積層型電子部品を得られる。

好ましくは、積層方向の中央に位置する前記内部電極層から積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層に向かうに従い、各内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が徐々に増加する。導電性ペーストに含まれる共材添加量を徐々に増加させることで、急激に増加させる場合に比較して、デラミネーションやクラックの発生を、効果的に抑制することができる。

好ましくは、複数の内部電極層と前記誘電体層とが積層して形成される予備積層体ユニットを、さらに積層する工程を有し、
積層方向の中央に位置する前記予備積層体ユニットに含まれる前記内部電極層を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量に比較して、積層方向の最も外側に位置する前記予備積層体ユニットに含まれる前記内部電極層を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量が多い。

予備積層体ユニットの内部に位置する複数の内部電極層を、同じ導電性ペーストで形成することで、工数の削減を図れる。

好ましくは、積層方向の中央に位置する前記予備積層体ユニットから積層方向の最も外側に位置する前記予備積層体ユニットに向かうに従い、前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、前記予備積層ユニット毎に、ステップ状に増加する。

予備積層体ユニットの内部に位置する複数の内部電極層を、同じ導電性ペーストで形成することで、工数の削減を図れる。

好ましくは、積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、前記導電性粒子１００重量部に対し３０ｗｔ％より多く６５ｗｔ％より少ない。この範囲に設定することで、さらに最外層電極被覆率を向上させることができると共に、耐湿性を向上させることができる。

好ましくは、前記内部電極層の総積層数をＮとした場合に、
積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層から（１〜０．２×Ｎ）層で隣接する全ての前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、前記導電性粒子１００重量部に対し３０ｗｔ％より多く６５ｗｔ％より少ない。

積層方向の最も外側に位置する内部電極層のみではなく、（１〜０．２×Ｎ）層で隣接する全ての前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量を上記の範囲に設定することで、耐湿性を向上させることができると共に、温度特性も向上させることができる。

好ましくは、積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層を形成する導電性ペースト中に含まれる導電性粒子の粒径をα、共材粒子の粒径をβとした時、
α／βが０．８〜８．０である。この範囲に設定することで、さらに最外層電極被覆率を向上させることができると共に、耐湿性を向上させることができる。

好ましくは、積層方向の中央に位置する前記内部電極層を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量が、導電性粒子１００重量部に対して１０〜２５ｗｔ％である。この範囲に設定することで、さらに温度特性をを向上させることができる。

好ましくは、積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層の外側には、外装用誘電体層が積層される。外装用誘電体層を設けることで、内部電極層が多数積層してある内装用誘電体層を有効に保護することができる。

本発明に係る積層型電子部品としては、特に限定されないが、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品などが例示される。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図、
図２は図１に示す積層セラミックコンデンサを製造する過程で用いられる積層体の概略図、
図３は本発明の他の実施形態に係る積層セラミックコンデンサを製造する過程で用いられる積層体の概略図、
図４は電極途切れを説明するための要部概略図である。

本実施形態では、積層型電子部品として図１に示される積層セラミックコンデンサ１を例示し、その構造および製造方法を説明する。

図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品としての積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層されたコンデンサ素子本体１０を有する。コンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。

一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。誘電体層２としては、特に限定されないが、例えば以下に示すＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足する誘電体磁器組成物で構成してある。なお、Ｘ８Ｒ特性とは、−５５〜１５０℃において静電容量変化率ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内の特性を指す。

この実施形態に係る誘電体原料は、
主成分として、組成式（Ｂａ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_３ で表される誘電体酸化物を有する。この際、酸素（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚してもよい。

上記式中、ｘは、好ましくは０≦ｘ≦０．１５、より好ましくは０．０２≦ｘ≦０．１０である。ｘはＣａの原子数を表し、記号ｘ、すなわちＣａ／Ｂａ比を変えることで結晶の相転移点を任意にシフトさせることが可能となる。そのため、容量温度係数や比誘電率を任意に制御することができる。

上記式中、ｙは、好ましくは０≦ｙ≦１．００、より好ましくは０．０５≦ｙ≦０．８０である。ｙはＴｉ原子数を表すが、ＴｉＯ_２ に比べ還元されにくいＺｒＯ_２ を置換していくことにより耐還元性がさらに増していく傾向がある。ただし、本発明においては、ＺｒとＴｉとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。

上記式中、ｍは、好ましくは０．９９５≦ｍ≦１．０２０、より好ましくは１．０００≦ｍ≦１．００６である。ｍを０．９９５以上にすることにより還元雰囲気下での焼成に対して半導体化を生じることが防止され、ｍを１．０２０以下にすることにより焼成温度を高くしなくても緻密な焼結体を得ることができる。

誘電体層２は、上記主成分に加えて、以下の第１〜第４副成分を含有する。
すなわち、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯおよびＳｒＯから選択される少なくとも１種を含む第１副成分と、
酸化シリコンを主成分として含む第２副成分と、
Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、
Ｒの酸化物（ただし、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分と、を有する。

上記各副成分の比率は、上記主成分１００モルに対し、
第１副成分：０．１〜５モル、
第２副成分：１〜１０モル、
第３副成分：０．０１〜０．２モル、
第４副成分：０．１〜１２モル、
であり、より好ましくは、
第１副成分：０．２〜２．０モル、
第２副成分：２〜５モル、
第３副成分：０．０５〜０．１モル、
第４副成分：０．２〜８モル、
である。
なお、第４副成分の上記比率は、Ｒの酸化物のモル比ではなく、Ｒ元素単独のモル比である。すなわち、たとえば第４副成分（Ｒの酸化物）として、Ｙの酸化物を用いた場合、第４副成分の比率が１モルであることは、Ｙ_２ Ｏ_３ の比率が１モルなのではなく、Ｙ元素の比率が１モルであることを意味する。

上記所定組成を有する主成分に加えて、これらの第１〜第４副成分を含有させることにより、高い誘電率を維持しながら、容量温度特性を向上させることができ、特に、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足させることができる。第１〜第４副成分の好ましい含有量は上記の通りであり、また、その理由は以下の通りである。

第１副成分（ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯおよびＳｒＯ）は、容量温度特性を平坦化させる効果を示す。第１副成分の含有量が少なすぎると、容量温度変化率が大きくなってしまうおそれがある。一方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化してしまうおそれがある。なお、第１副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。

第２副成分（酸化シリコン）は、酸化シリコンを主成分とし、好ましくは、ＳｉＯ_２ 、ＭＯ（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種である。第２副成分は、主として焼結助剤として作用するが、薄層化した際の初期絶縁抵抗の不良率を改善する効果を有する。第２副成分の含有量が少なすぎると、容量温度特性が悪くなり、また、ＩＲ（絶縁抵抗）が低下する。一方、含有量が多すぎると、ＩＲ寿命が不十分となるほか、比誘電率の急激な低下が生じてしまう。

なお、本実施形態においては、第２副成分として、（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ （ただし、ｘ＝０．７〜１．２）で表される化合物を使用しても良い。［（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ ］中のＢａＯおよびＣａＯは第１副成分にも含まれるが、複合酸化物である（Ｂａ，Ｃａ）_ｘ ＳｉＯ_２＋ｘ は融点が低いため主成分に対する反応性が良好なので、ＢａＯおよび／またはＣａＯを上記複合酸化物として添加することもできる。なお、ＢａとＣａとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであってもよい。

第３副成分（Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ ）は、キュリー温度以上での容量温度特性を平坦化する効果と、ＩＲ寿命を向上させる効果とを示す。第３副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となる。一方、含有量が多すぎると、ＩＲが著しく低下する。なお、第３副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。

第４副成分（Ｒの酸化物）は、キュリー温度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦化する効果とを示す。第４副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が不十分となり、容量温度特性が悪くなってしまう。一方、含有量が多すぎると、焼結性が悪化する傾向にある。本実施形態においては、Ｒ元素のなかでも、特性改善効果が高いという理由より、Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，ＴｍおよびＹｂが好ましい。

誘電体層２は、上記主成分および第１〜第４副成分に加えて、
ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第５副成分と、
ＣａＺｒＯ_３ またはＣａＯ＋ＺｒＯ_２ を含む第６副成分と、をさらに有することが好ましい。

上記主成分に対する第５、第６副成分の比率は、前記主成分１００モルに対し、好ましくは、
第５副成分：０．１〜２．５モル、
第６副成分：０〜５モル（ただし、０は含まない）、
であり、より好ましくは、
第５副成分：０．１〜０．５モル、
第６副成分：１．０〜３．０モル、
である。なお、第５副成分の上記比率は、Ｍｎの酸化物またはＣｒの酸化物のモル比ではなく、Ｍｎ元素またはＣｒ元素単独のモル比である。

第５副成分（ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ ）は、焼結を促進する効果と、ＩＲを高くする効果と、ＩＲ寿命を向上させる効果とを示す。第５副成分の含有量が少なすぎると、このような効果が十分に発揮されない。一方、含有量が多すぎると、容量温度特性に悪影響を与えてしまうおそれがある。

第６副成分（ＣａＺｒＯ_３ またはＣａＯ＋ＺｒＯ_２ ）は、キュリー温度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦化する効果とを示す。また、ＣＲ積、直流絶縁破壊強度を改善する効果がある。ただし、第６副成分の含有量が多すぎると、ＩＲ加速寿命が著しく悪化し、容量温度特性（Ｘ８Ｒ特性）が悪くなってしまう。

その他の副成分としては、Ａｌ_２ Ｏ_３ などが例示される。

誘電体原料の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例えば０．１〜３μｍの範囲から適宜決定すればよい。容量温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化し、また、平均結晶粒径を小さくするほど悪化する傾向にある。このため、本発明の誘電体原料は、平均結晶粒径を小さくする必要がある場合に、具体的には、平均結晶粒径が０．１〜０．５μｍである場合に特に有効である。また、平均結晶粒径を小さくすれば、ＩＲ寿命が長くなり、また、直流電界下での容量の経時変化が少なくなるため、この点からも平均結晶粒径は上記のように小さいことが好ましい。

誘電体磁器組成物のキュリー温度（強誘電体から常誘電体への相転移温度）は、組成を選択することにより変更することができるが、Ｘ８Ｒ特性を満足するためには、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１２３℃以上とする。なお、キュリー温度は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）などによって測定することができる。

誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の厚さは、一層あたり、通常、４０μｍ以下、特に３０μｍ以下である。厚さの下限は、通常、２μｍ程度である。本実施形態の誘電体磁器組成物は、このような薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの容量温度特性の改善に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とする。

誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、８０℃以上、特に１２５〜１５０℃の環境下で使用される機器用電子部品として用いて好適である。そして、このような温度範囲において、容量の温度特性がＥＩＡ規格のＲ特性を満足し、さらに、Ｘ８Ｒ特性も満足する。

内部電極層３に含有される金属は特に限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度であることが好ましい。

外部電極４に含有される卑金属は特に限定されないが、安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。

誘電体を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。

まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体粉末を準備し、これを塗料化して、誘電体層用ペーストを調整する。

誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物粉末と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。

誘電体原料粉末としては、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。誘電体原料粉末中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体の組成となるように決定すればよい。

塗料化する前の状態で、誘電体原料粉末の平均粒径は、通常、０．１〜３μｍ程度である。

有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。

また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
内部電極用ペーストは、導電性粒子と共材粒子と有機ビヒクルとを有する。導電性粒子としては、例えばＮｉやＮｉ合金が用いられ、好ましくはＮｉ粉末が用いられる。導電性粒子には、前記誘電体層に含まれる誘電体粉末の焼結温度よりも高い融点を持つこと、誘電体粉末と反応しないこと、焼成後誘電体層に拡散しないこと、コストがかからないことなどが要求されるためである。共材粒子としては、セラミック粉末であれば特に限定されないが、好ましくはＢａＴｉＯ_３粉末が用いられる。

内部電極用ペーストに用いる導電性粒子の平均粒径は０．３〜０．５μｍである。共材粒子としてのＢａＴｉＯ_３粒子は、導電性粒子の平均粒径をα、共材粒子の平均粒径をβとした時、α／βが０．８〜８．０、好ましくは１．０〜５．０になるものを用いる。導電性粒子および共材粒子と有機ビヒクルとを混練して調製する。有機ビヒクルとしては、誘電体層用ペーストに用いたものと同様なものが用いられる。

本実施形態では、内部電極用ペーストとして、共材添加量が異なるものを複数種類作製する。たとえば図２に示すように、積層方向の最外層に位置する予備積層体ユニットＵ_１に用いる内部電極用ペーストには、導電性粒子１００重量部に対して共材粒子を３０〜６５ｗｔ％（但し３０ｗｔ％、６５ｗｔ％を含まず）、好ましくは４０ｗｔ％より多く６０ｗｔ％以下の量で添加する。

積層方向の最外層に位置する予備積層体ユニットＵ_１には、最終積層体Ｕｆにおける内部電極層の総積層数をＮとした場合に、積層方向の最も外側に位置する内部電極層３から（１〜０．２×Ｎ）層の内部電極層が積層してある。

また、予備積層体ユニットＵ_１の積層方向の内側に位置する予備積層体ユニットＵ_２に用いる内部電極用ペーストには、予備積層体ユニットＵ_１の内部電極ペーストに含まれる共材の添加量よりも少ない添加量で、共材が含まれる。さらに、予備積層体ユニットＵ_２の積層方向の内側で中央に位置する予備積層体ユニットＵ_３に用いる内部電極用ペーストには、予備積層体ユニットＵ_２の内部電極ペーストに含まれる共材の添加量よりも少ない添加量で、共材が含まれる。

積層方向の中央に位置する予備積層体ユニットＵ_３に用いる内部電極用ペーストには、導電性粒子１００重量部に対して、好ましくは１０〜２５ｗｔ％の添加量で共材が含まれる。すなわち、積層方向の中央に位置する予備積層体ユニットＵ_３に含まれる内部電極層３を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量に比較して、積層方向の最も外側に位置する予備積層体ユニットＵ_１に含まれる内部電極層３を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量が多い。
導電性粒子および共材粒子と有機ビヒクルとを混練して調製する。有機ビヒクルとしては、誘電体層用ペーストに用いたものと同様なものが用いられる。

外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。

上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。

印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の支持フィルム上に積層印刷し予備積層体ユニットを得る。予備積層体ユニットのうち共材添加量が多い順に、予備積層体ユニットＵ_１、Ｕ_２，Ｕ_３とする。

次いで下から予備積層体ユニットＵ_１，Ｕ_２，Ｕ_３、Ｕ_３，Ｕ_２，Ｕ_１の順に、図２のように積層し、最外層に予備積層体ユニットＵ_１、中央層に予備積層体ユニットＵ_３が位置するようにする。その後、最外層に位置する予備積層体ユニットＵ_１の外側に、内部電極層が形成されていない厚めの外装用誘電体層を積層し、それらを圧着して最終積層体Ｕｆを得る。その後所定形状に、最終積層体Ｕｆを切断しグリーンチップとする。

また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層して予備積層体ユニットＵ_１，Ｕ_２，Ｕ_３を得る。次いで、下から予備積層体ユニットＵ_１，Ｕ_２，Ｕ_３、Ｕ_３，Ｕ_２，Ｕ_１の順に、図２に示すように積層して圧着し、印刷法で説明した方法と同様にして最終積層体Ｕｆを得る。その後所定形状に切断しグリーンチップとする。

焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、脱バインダ雰囲気中の酸素分圧を１０^−４５ 〜１０^５ Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、脱バインダ効果が低下する傾向にある。また酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。

また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ_２ とＨ_２ との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。

グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０^−７〜１０^−３Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。

また、焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３８０℃、さらに好ましくは１２６０〜１３６０℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。

これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ_２ とＨ_２ との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。

還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。

アニール雰囲気中の酸素分圧は、０．１Ｐａ以上、特に０．１〜１０Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。

アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。

これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したＮ_２ ガス等を用いることが好ましい。

上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ_２ ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。

脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ_２ ガスあるいは加湿したＮ_２ ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ_２ ガスあるいは加湿したＮ_２ ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ_２ ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ_２ ガス雰囲気としてもよい。

上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ_２ とＨ_２ との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。

このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。

たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。

このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、最外層に位置する予備積層体ユニットＵ_１における電極層の共材添加量を、中央に位置する予備積層体ユニットＵ_３よりも多くすることにより、目的とする温度特性（たとえばＸ８Ｒ特性）に影響を与えることなく、耐湿性を高める（たとえば、１５００時間以上の高湿度条件下に耐える）ことができることを見出した。

すなわち、本実施形態の方法によれば、最外層に位置する内部電極層の電極被覆率（以下、「最外層電極被覆率」とも称する）が高く、したがって耐湿性が高く、しかも温度特性にも優れている積層セラミックコンデンサを得ることができる。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。

たとえば、図３に示すように、予備積層体ユニットＵ_１〜Ｕ_ｋについて、共材添加量の関係が、Ｕ_１≧Ｕ_２≧Ｕ_３≧…≧Ｕ_ｋかつＵ_１＞Ｕ_ｋを満たすように、予備積層体ユニットＵ_１〜Ｕ_ｋを作製しても良い。その後、図３に示すように、予備積層体ユニットＵ_１〜Ｕ_ｋを積層し、最終積層体Ｕｆを形成する。その後の工程は、前述した実施形態と同様であり、同様な作用効果を奏する。

また、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。

さらに、本発明の方法は、図２および図３に示すように、予備積層体ユニット毎に積層して最終積層体Ｕｆを形成する方法に限定されず、内部電極層が印刷されたグリーンシートをつき重ねて最終積層体Ｕｆを形成する方法に適用しても良い。あるいは、本発明の方法は、内部電極層と誘電体層とを印刷法により積層して最終積層体Ｕｆを形成する方法に適用しても良い。

実施例１
図２に示すように、予備積層体ユニットＵ_１，Ｕ_２，Ｕ_３，Ｕ_３，Ｕ_２，Ｕ_１の順に積層した後、焼成を行い、得られた積層セラミックコンデンサについて、最外層電極被覆率の測定、温度特性試験および耐湿試験を行った。
予備積層体ユニットＵ _１ の形成
実施例１

まず、誘電体磁器組成物を作製するための出発原料として、主成分原料（ＢａＴｉＯ_３ ）および副成分原料を用意した。主成分原料は、この実施例では、平均粒径が０．３μｍのＢａＴｉＯ_３ 粒子を用いた。

副成分原料としては以下の原料を用いた。ＭｇＯおよびＭｎＯの原料には炭酸塩（第１副成分：ＭｇＣＯ_３ 、第５副成分：ＭｎＣＯ_３ ）を用い、他の原料には酸化物（第２副成分：（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ 、第３副成分：Ｖ_２ Ｏ_５ 、第４副成分：Ｙｂ_２ Ｏ_３ ＋Ｙ_２ Ｏ_３ 、第６副成分：ＣａＺｒＯ_３ 、その他の副成分：Ａｌ_２ Ｏ_３ を用いた。

第２副成分である（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ は、ＢａＣＯ_３ ，ＣａＣＯ_３ およびＳｉＯ_２ をボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥後、１１５０℃で空気中で焼成し、さらに、ボールミルにより１００時間湿式粉砕することにより製造した。第５副成分であるＣａＺｒＯ_３ は、ＣａＣＯ_３ およびＺｒＯ_２ をボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥後、１１５０℃にて空気中で焼成し、さらにボールミルにより２４時間湿式粉砕することにより製造した。

なお、主成分であるＢａＴｉＯ_３ は、ＢａＣＯ_３ およびＴｉＯ_２ をそれぞれ秤量し、ボールミルを用いて約１６時間湿式混合し、これを乾燥したのち、１１００℃の温度で空気中にて焼成したものをボールミルにより約１６時間湿式粉砕して作製したものを用いても同様の特性が得られた。また、主成分であるＢａＴｉＯ_３ は、水熱合成法、蓚酸塩法などによって作製されたものを用いても同様の特性が得られた。

これらの原料を、焼成後の組成が、主成分であるＢａＴｉＯ_３ １００モルに対して、ＭｇＣＯ_３ ：１モル、（Ｂａ_０．６ Ｃａ_０．４ ）ＳｉＯ_３ ：３モル、Ｖ_２ Ｏ_５ ：０．１モル、Ｙｂ_２ Ｏ_３ ：１．７５モル、Ｙ_２ Ｏ_３ ：２モル、ＭｎＣＯ_３ ：０．３７４モル、ＣａＺｒＯ_３ ：２．０モル、Ａｌ_２ Ｏ_３ ：１モル、となるように配合して、ボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥させて誘電体磁器組成物とした。

次いで、得られた乾燥後の誘電体磁器組成物１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、酢酸エチル１００重量部と、ミネラルスピリット６重量部と、トルエン４重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。

次いで、平均粒径が０．４μｍのＮｉ粒子１００重量部に対して、
平均粒径が０．１μｍのＢａＴｉＯ_３粉末（ＢＴ−０１／堺化学工業（株））：４０重量部、
有機ビヒクル（エチルセルロース８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部、
ブチルカルビトール１０重量部、
とを３本ロールにより混練してペースト化し、Ｎｉ粒子に対してＢａＴｉＯ_３粒子が４０ｗｔ％の内部電極層用ペーストを得た。

次いで、平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）３５重量部及びブチルカルビトール７重量部とを混練してペースト化し、外部電極用ペーストを得た。

次いで、上記誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に、厚さ１０μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷したのち、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離し積層し、予備積層体ユニットＵ_１を形成した。各予備積層体ユニットＵ_１におけるグリーンシートの積層数は、３０層であった。
予備積層体ユニットＵ _２ の形成

内部電極用ペーストの作製において、導電性粒子としてのＮｉ粒子１００重量部に対して、共材粒子としてのＢａＴｉＯ_３粉末を３０重量部の添加量にした以外は、予備積層体ユニットＵ_１と同様にして、予備積層体ユニットＵ_２を形成した。
予備積層体ユニットＵ _３ の形成

内部電極用ペーストの作製において、導電性粒子としてのＮｉ粒子１００重量部に対して、共材粒子としてのＢａＴｉＯ_３粉末を２０重量部の添加量にした以外は、予備積層体ユニットＵ_１と同様にして、予備積層体ユニットＵを形成した。
グリーンチップの形成

次いで、予備積層体ユニットＵ_１，Ｕ_２、Ｕ_３を、図２に示すようにして積層および圧着して、最終積層体Ｕｆを得た。この積層体を、所定のチップサイズに切断して、グリーンチップを得た。内部電極を有する予備積層体ユニットＵ_１，Ｕ_２、Ｕ_３の積層数は６層、総積層数は１８０とした。

次いで、脱バインダ処理、焼成及びアニールを行って、積層セラミック焼成体を得た。

脱バインダ処理は、昇温時間１５℃／時間、保持温度２８０℃、保持時間２時間、空気雰囲気の条件で行った。

焼成は、昇温速度２００℃／時間、保持温度１２６０〜１３４０℃、保持時間２時間、冷却速度３００℃／時間、加湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 混合ガス雰囲気（酸素分圧は１０^−６Ｐａ）の条件で行った。

アニールは、保持温度１２００℃、温度保持時間２時間、冷却速度３００℃／時間、窒素雰囲気の条件で行った。なお、脱バインダー処理及び焼成の際の雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃としたウェッターを用いた。

次いで、積層セラミック焼成体の端面をサンドブラストにて研磨したのち、外部電極用ペーストを端面に転写し、加湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 雰囲気中において、８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成し、図１に示される構成の積層セラミックコンデンサのサンプルを得た。

このようにして得られた各サンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍであり、誘電体層の厚さは７．０μｍであり、内部電極層の厚さは１．０μｍであった。
温度特性試験

容量温度特性（Ｔｃ）は、得られたサンプルに対し、−５５℃〜１５０℃の温度範囲で静電容量を測定した。静電容量の測定にはデジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ製４２７４Ａ）を用い、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。そして、これらの温度範囲で最も容量温度特性が悪くなる１５０℃の温度環境下での静電容量の変化率（△Ｃ／Ｃ。単位は％）を算出し、Ｘ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足するかどうかを調べ、満足するものを○、満足しないものを×とした。１５０℃における温度特性試験の結果を表１に示す。
最外層被覆率の測定
内部電極の電極被覆率は、積層セラミックコンデンサのサンプルを電極表面が露出するように切断し、その電極面をＳＥＭ観察し、研磨面の金属顕微鏡写真を画像処理することにより求めた。積層方向に垂直な面で切断した場合、内部電極は線分状に観察され、電極面の穴は、図４に示すように、電極途切れ２０として観察される。図４に示す最外層電極面３ａについて、視野長さの範囲内で電極途切れ２０を除いた電極線分２２のトータルの長さを測定し、視野長さに対する電極線分２２のトータル長さの比率を電極被覆率（％）とした。具体的には、電極線分２２の長さの合計（すなわち、視野長さから途切れ部分２０を除いた長さ）を求め、視野長さに対する電極線分２２の長さの合計の割合を求め算出することにより求めた。なお、電極被覆率は、金属顕微鏡写真５枚を使用し、視野長さ１００μｍについて測定を行うことにより求めた。最外層被覆率の結果を表１に示す。
耐湿試験
コンデンサのサンプルを８５゜Ｃ、相対湿度８０％の雰囲気中に置き、そのコンデンサのサンプルに対して、５０Ｖの電圧を印加し、抵抗が１桁落ちるまでの時間を測定した。その時間が長いほど、耐湿性に優れている。耐湿試験では、１５００時間以上を○と判定し、それ以下のものを×と判定した。耐湿試験の結果を表１に示す。

実施例２

予備積層体ユニットＵ_１の内部電極層に用いる内部電極ペースト作製時に、Ｎｉ粒子に対する共材添加量を５０ｗｔ％に変えた以外は実施例１と同様にサンプルを作製し、同様な評価を行った。結果を表１に示す。
実施例３

予備積層体ユニットＵ_１の内部電極層に用いる内部電極ペースト作製時に、Ｎｉ粒子に対する共材添加量を６０ｗｔ％に変えた以外は実施例１と同様にサンプルを作製し、同様な評価を行った。結果を表１に示す。
比較例１

予備積層体ユニットＵ_１、Ｕ_２，Ｕ_３の内部電極層に用いる内部電極ペースト作製時に、Ｎｉ粒子に対する共材添加量を全て２０ｗｔ％に変えた以外は実施例１と同様にサンプルを作製し、同様な評価を行った。結果を表２に示す。

比較例２

予備積層体ユニットＵ_１、Ｕ_２，Ｕ_３の内部電極層に用いる内部電極ペースト作製時に、Ｎｉ粒子に対する共材添加量を全て５０ｗｔ％に変えた以外は実施例１と同様にサンプルを作製し、同様な評価を行った。結果を表２に示す。
評価
実施例１〜３において、最外層の共材添加量を中央層よりも多くしたコンデンサについて、最外層電極被覆率は高く、耐湿試験および温度特性について合格基準を満たす。一方、最外層の共材添加量を中央層と同じにしたコンデンサーの場合、共材添加量が少ない場合は最外層電極被覆率は低く、耐湿試験に合格できない（比較例１）。共材添加量が多い場合は、温度特性試験に合格できない（比較例２）。
参考例１

予備積層体ユニットＵ_１の内部電極層に用いる内部電極ペースト作製時に、Ｎｉ粒子に対するＢａＴｉＯ_３粒子の重量比を変え、共材量を６５ｗｔ％に変えた以外は実施例１と同様にサンプルを作製したが、ペースト状にならないため内部電極ペーストを作製できなかった。

図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図２は図１に示す積層セラミックコンデンサを製造する課程で形成される本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。 図３は図１に示す積層セラミックコンデンサを製造する課程で形成される本発明の他の実施形態に係る積層体の概略断面図である。 図４は電極途切れを説明するための要部概略図である。

符号の説明

１… 積層セラミックコンデンサ
２… 誘電体層
３… 内部電極層
３ａ… 最外層電極層
４… 外部電極
１０… コンデンサ素子本体
２０… 電極途切れ
２２… 電極線分
Ｕ_１… 予備積層体ユニット（最外層）
Ｕ_２… 予備積層体ユニット
Ｕ_３… 予備積層体ユニット（中央）
Ｕ_ｋ… 予備積層体ユニット（中央）

Claims (9)

1. 誘電体ペーストを用いて形成される誘電体層と、導電性ペーストを用いて形成される内部電極層とを交互に積層した積層型電子部品を製造する方法であって、
   前記導電性ペーストに導電性粒子と共材粒子とを添加する際に、
   積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、積層方向の中央に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量より多いことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。
2. 積層方向の中央に位置する前記内部電極層から積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層に向かうに従い、各内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が徐々に増加する請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
3. 複数の内部電極層と前記誘電体層とが積層して形成される予備積層体ユニットを、さらに積層する工程を有し、
   積層方向の中央に位置する前記予備積層体ユニットに含まれる前記内部電極層を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量に比較して、積層方向の最も外側に位置する前記予備積層体ユニットに含まれる前記内部電極層を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量が多い請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
4. 積層方向の中央に位置する前記予備積層体ユニットから積層方向の最も外側に位置する前記予備積層体ユニットに向かうに従い、前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、前記予備積層ユニット毎に、ステップ状に増加する請求項３に記載の積層型電子部品の製造方法。
5. 積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、前記導電性粒子１００重量部に対し３０ｗｔ％より多く６５ｗｔ％より少ない請求項１〜４のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
6. 前記内部電極層の総積層数をＮとした場合に、
   積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層から（１〜０．２×Ｎ）層で隣接する全ての前記内部電極層を形成するための前記導電性ペーストに含まれる共材添加量が、前記導電性粒子１００重量部に対し３０ｗｔ％より多く６５ｗｔ％より少ない請求項１〜４のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
7. 積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層を形成する導電性ペースト中に含まれる導電性粒子の粒径をα、共材粒子の粒径をβとした時、
   α／βが０．８〜８．０であることを特徴とする、
   請求項５または６に記載の積層型電子部品の製造方法。
8. 積層方向の中央に位置する前記内部電極層を形成するための導電性ペーストに含まれる共材添加量が、導電性粒子１００重量部に対して１０〜２５ｗｔ％である請求項１〜７のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
9. 積層方向の最も外側に位置する前記内部電極層の外側には、外装用誘電体層が積層される請求項１〜８のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。

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