TWI665691B - 積層陶瓷電容器及其製造方法 - Google Patents
積層陶瓷電容器及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI665691B TWI665691B TW106102946A TW106102946A TWI665691B TW I665691 B TWI665691 B TW I665691B TW 106102946 A TW106102946 A TW 106102946A TW 106102946 A TW106102946 A TW 106102946A TW I665691 B TWI665691 B TW I665691B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- external electrode
- powder
- nickel
- electrode
- multilayer ceramic
- Prior art date
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 119
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 34
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 31
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 29
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 6
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000411 inducer Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 210000002257 embryonic structure Anatomy 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 etc.) Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005028 tinplate Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本發明係有關一種積層陶瓷電容器及其製造方法，該積層陶瓷電容器之基部係包括陶瓷誘電體及成型於陶瓷誘電體內之複數內部電極，內部電極的各一側邊分別設有延伸至露出基部的二側邊之內部電極端部，而供基部二側邊與各內部電極一側電極端部外部分別成型第一外部電極，再於二側第一外部電極外部成型第二外部電極後，使基部二側分別成型外部電極層之第一及第二外部電極之電極層，且第一外部電極係與基部共同燒結成型，該第二外部電極係為金屬粉末及樹脂材料所成型，達到避免外部電極層選用玻璃質成份時發生擴散或近一步防止後續電鍍時電鍍液侵入基部或陶瓷誘電體內。
Description
本發明係提供一種積層陶瓷電容器及其製造方法，尤其係一種積層陶瓷電容器之基部與位於兩側之外部電極層的第一外部電極共同燒結成型，再利用金屬粉末與樹脂固化成型外部電極層的第二外部電極。外部電極層之第一外部電極的成型溫度約1300℃，爾後再成型第二外部電極或電鍍成型更外層電極時成型溫度會下降至250℃左右或更低溫度。又，第二外部電極係以樹脂混合金屬粉末去取代傳統玻璃材質，故可避免成型第二外部電極發生玻璃質熱擴散，或後續電鍍金屬皮膜時發生電鍍液或其它雜質元素任意侵入陶瓷誘電體內，藉以維持積層陶瓷電容器的整體強度，達到電容強度增加及信賴度優越之目的。
按，現今電子產品及其周邊相關之電子設備均需使用到主動元件與被動元件，其中，主動元件(如IC或CPU)可單獨執行運算處理功能，而被動元件則是相對於主動元件在進行電流或電壓改變時，使其電阻或阻抗不會隨之改變的元件，一般為以電容(Capacitor)、電阻(Resistor)與電感(Inductor)合稱作三大被動元件，然而，就以功能而言，電容器是以靜電模式儲存電荷，可在預定的時間內將電能釋放，甚至作為濾波或旁波協調使用；而電阻為可調整 電路中之電壓及電流使用；電感係以過濾電流內雜訊、防止電磁波干擾為主要功能。目前各項資訊、通訊、消費電子或其他尖端電子產品都係藉由三者彼此相互搭配應用而達成電子迴路控制的目的。因為電子產品的種類無遠弗界，遂使被動元件中有關電容器的要求被提升，例如：電容器尺寸越來越小或電容器介電穩定性要求越來越高。
電容器依材質可分為鋁質電解電容器、陶瓷電容器、塑膠薄膜電容器、鉭質電容器以及雲母電容器等。其中，陶瓷電容器因為具有介電係數高、絕緣度好、耐熱佳、體積小、適合量產且穩定性及可靠度良好等特性，並因陶瓷電容器耐高壓和高熱、運作溫度範圍廣的優點，再加上晶片化之陶瓷電容器可透過表面黏著技術(SMT)直接焊接，生產製造之速度與數量亦較電解電容器、鉭質電容器等其它電容器來得優越許多。又，陶瓷電容器種類繁多，例如：圓板狀陶瓷電容器、錠狀陶瓷電容器及積層陶瓷電容器(Multi-Layer CeramicCapacitor，MLCC)等等都是市場上普遍常見的典型陶瓷電容器。
上述各種典型陶瓷電容器，其中，積層陶瓷電容器主要係由高介電性質之鈦酸鋇所組成，而其電容值含量通常與產品表面積大小、陶瓷薄膜堆疊層數成正比，且內部為由一層內部電極層、一層陶瓷誘電體層以及一層內部電極層呈交錯間隔堆疊形成並聯在一起的電容，也就是每一陶瓷誘電體層都被上、下二平行之內部電極層夾住形成一平板電容後，再結合外部電極層作電性導通，如此，積層陶瓷電容器即可作為儲存電量的容器。又，積層陶瓷電容器因為陶瓷誘電體層及內部電極層呈交錯間隔 的堆疊數量較多，所以係電子產品中目前最受歡迎且應用最廣泛的陶瓷電容器，特別常見於可攜式的高階電子及通訊產品，例如：PC、手機、車用電子元件等。
習知技藝如日本特開平5-3131之專利案，其揭露一種積層陶瓷電容器，具備內部電極與陶瓷誘電體交互疊層的積層體以及外部電極層。該積層陶瓷電容器的內部電極係由鎳組成，且位於陶瓷誘電體二側之外部電極層則包括第一外部電極、位於二第一外部電極外部利用玻璃結合銀(或銀合金)所成型之第二外部電極、以及成型於二第二外部電極外部由電鍍金屬皮膜所成型之第三外部電極。其中，該陶瓷誘電體與鎳材質的第一外部電極在相鄰結合位置周圍，因燒結溫度高容易形成氧化鎳的擴散層，使結合強度提升。然而，當製作第二外部電極時，由於玻璃材質的粉末具有燒結溫度甚高及燒結時間冗長的特性，遂容易使玻璃成份以熱擴散方式侵入第一外部電極與陶瓷誘電體內部，最終造成積層陶瓷電容器或誘電體的結構強度降低。此外，第二外部電極因為同時包括玻璃粉末及銀(或銀合金)材料，故容易發生玻璃粉末分佈不均勻現象，當玻璃粉末往周圍聚積或大量密集分佈時，則於第二外部電極外部再電鍍第三外部電極時，即容易造成電鍍液，例如：鎳，經由第二、第一外部電極的擴散路徑侵入至陶瓷誘電體內部，遂造成積層陶瓷電容器的緻密度嚴重不佳、品質變差、質地脆弱及易生裂縫。如果應用於電子產品，則無法發揮積層陶瓷電容器預期的正常功能，故存在諸多缺失有待改善。
又，習知技藝積層陶瓷電容器普遍係以多次的加熱或燒結製程去製作外部電極的層狀結構，但頻繁的燒結或過高溫度的加熱都會對 電容器造成破壞，特別係內部電極與第一外部電極。為了生產高電容量的積層陶瓷電容器並增加內部電極的堆疊數量，許多內部電極都漸漸趨向薄型化，致使每一層內部電極與第一外部電極彼此能夠接觸的面積縮小許多，此時若已經成型的第一外部電極受到後續製程的溫度影響並發生熱膨脹現象，則第一外部電極與內部電極原先接觸的位置將發生破壞或斷裂，繼而影響電容器的電氣特性。此外，習知技藝的積層陶瓷電容器製作外部電極或第一外部電極時可能會選擇含銅金屬或銅金屬等，但外部電極與內部電極因為材料種類不同，致使彼此熱膨脹係數不相同，一旦受熱發生體積變化，則第一外部電極與內部電極原先接觸的位置也容易發生破壞。
呈上所述，習知技藝存在上述諸多積層陶瓷電容器問題，特別係玻璃不均勻地存在會使外部電極於成型過程發生電鍍液入侵陶瓷誘電體並導致信賴性裂化。因此，如何解決積層陶瓷電容器受到玻璃粉末材料或其它雜質元素擴散侵入，此為本領域相關廠商所亟欲研究改善之方向所在者。
發明人有鑑於上述之問題與缺失，乃搜集相關資料，經由多方評估及考量，並以從事於此行業累積之多年經驗，經由不斷試作及修改，始設計出此種可保持積層陶瓷電容器的結構強度，防止外部電極層的玻璃質或電鍍液入侵陶瓷誘電體，以確保積層陶瓷電容器的緻密度佳並提升品質良率。
本發明之主要目的乃在於一種積層陶瓷電容器之基部係包括陶瓷誘電體及成型於陶瓷誘電體內之複數內部電極，其中，複數內部電 極的各一側邊分別設有內電極端部並分別露出陶瓷誘電體的二側邊，而供陶瓷誘電體二側邊成型第一外部電極，並於二側第一外部電極外部再成型第二外部電極。其中，第一外部電極與該基部或陶瓷誘電體係共同燒結成型且與各內部電極一側內電極端部呈電性接續。所以，積層陶瓷電容器成型於基部二側邊之第一外部電極及成型於第一外部電極外部之第二外部電極係作為主要外部電極層結構，而內電極端部分別露出陶瓷誘電體的二側邊將使內部電極與第一外部電極彼此接觸面積增加並使內電極端部不再受到限制，此有利於製作小尺寸薄型化的積層陶瓷電容器。再者，第一外部電極與基部係共同燒結成型能夠有效減少後續加熱次數或溫度對於電容器或內部電極端部所產生的破壞。
本發明的第一外部電極係以鈦酸鋇及鎳為主成份，其中，鈦酸鋇對鎳的體積百分率介於15vol%~70vol%，較佳係介於15vol%~55vol%，最為偏好的係15vol%~50vol%。因為第一外部電極與基部之組成近似，當電容器受熱發生膨賬時，體積變化會趨於相同或近似，以避免熱膨脹所產生的破壞。又，第一外部電極所使用鈦酸鋇粉及鎳粉的平均粒徑介於0.3μm~1.0μm，較佳粒逕係0.5μm。
又，第一外部電極有特殊的厚度要求，其厚度應介於5μm~70μm的範圍，較佳平均厚度係介於5μm~50μm，理由係如果塗佈第一外部電極的厚度超過70μm以上，隨著厚度增加，則燒結後的第一外部電極產生剝離的風險也會增加。反之，如果厚度未達5μm，則燒結後的第一外部電極與內部電極的電性接續將會不充分。
本發明的第二外部電極係為金屬粉末及樹脂材料所成型，該金屬粉末係選自銀粉、鎳粉、錫粉、銅粉及鎳粉混合之粉末所組成的群組之任一種，而樹脂材料係包括環氧樹脂、熱硬化性樹脂或有機黏合劑。其中，選擇粉末粒徑介於0．3μm~1．0μm的金屬粉末與樹脂材料作混合，當第二外部電極固化成型時，其電性接續效果會較穩定。再者，因為第二外部電極為由金屬粉末與樹脂所構成，樹脂與金屬粉末均勻地覆蓋在第一外部電極，所以不會發生有玻璃質成份分佈不均勻或擴散入侵陶瓷誘電體的問題。
本發明的外部電極層進一步包括以電鍍方式成型於二第二外部電極外部之第三外部電極。電鍍方式可以係鎳電鍍、錫電鍍或銅電鍍，透過電鍍將能夠使電性再向外接續。又，本發明的外部電極層因為具特殊層狀結構特徵，第三外部電極的電鍍液或其它雜質元素的擴散路徑會受到第二外部電極的樹脂材料所阻攔，故當適用於積層陶瓷電容器時，不會發生電鍍液任意擴散或侵入陶瓷誘電體的問題。
本發明可以係適用於附帶基板或電路板的積層陶瓷電容器。該積層陶瓷電容器進一步包括一具有配線分佈並可作電性傳輸的金屬基板或陶瓷基板或電路板，而該基板或電路板透過配線或銲球等方式去直接或間接與該第二外部電極作電性導通，使積層陶瓷電容器的電性能夠延續傳輸至基板或電路板上。該基板係氧化鋁基板、氮化鋁基板或其它同樣具有導線圖紋分佈的基板或電路板。
本發明之次要目的乃在於該積層陶瓷電容器之製造方法，先取預定重量之主成分(可為鈦酸鋇、氧化錳、氧化釔及氧化矽等成分) 、溶劑(可為乙醇及甲苯或其他成分等所組成)及黏著劑及塑化劑等，透過球磨機進行加工混合，以製成陶瓷漿料。將陶瓷漿料透過薄帶成型機之刮刀加工成型為之陶瓷薄帶，例如：在PET膜上製作寬150mm，厚度10μm的陶瓷薄帶。於陶瓷薄帶上透過網版印刷方式加工成型鎳電極膏層並待其乾燥；其中，鎳電極膏層係以鎳粉、鈦酸鋇粉、黏合劑及溶劑等所組成。又，在PET膜上製作陶瓷薄帶的較佳尺寸應係寬150mm，厚度6μm的陶瓷薄帶，再使用薄帶製作3225尺寸的10μF電容器。
印刷完成的陶瓷薄帶被切割作適當尺寸，例如：約150mmX150mm的尺寸，再以一定的寸法邊交互位移邊積層，然後於加壓接著後切斷得到積層陶瓷電容器生胚，該積層陶瓷電容器生胚具有從兩端面露出內部電極之內電極端部。
將生胚與食物粉裝填於容器，利用容器迴轉研磨生胚之各角部，接著再將生胚的端面浸漬於鎳電極膏。當浸漬鎳電極膏結束後，在生胚的端面繼續進行塗佈與乾燥，塗佈厚度約為5μm~70μm，較佳的平均厚度係5μm~50μm。其中，鎳電極膏係由鈦酸鋇粉與鎳粉所組成且粒徑皆為0．3μm~1．0μm，較佳粒徑係5μm，鈦酸鋇粉對鎳粉的體積百分率約為15vol%~70vol%，較佳為15vol%~55vol%，最佳為15vol%~50vol%。
將乾燥後的生胚置於氮氣環境中，以400℃左右的溫度進行脫脂，特別係要控制氫氣/水蒸氣的含量並以比鎳的平衡氧分壓低一位數以上的低還原氛圍氣進行1300℃燒結成型，該燒結過程會將生胚 及於生胚二側的所塗佈的鎳電極膏共同燒結成型。經過燒結以後，生胚成型作積層陶瓷電容器的基部，而生胚二側所塗佈的鎳電極膏則成型為外部電極層之第一外部電極，該第一外部電極與基部內陶瓷誘電體的內部電極二側內電極端部呈電性連接。又，脫脂條件可依使用的黏結劑與塑化劑的種類作適宜的條件決定，至於最高燒結溫度，雖然可以依陶瓷材料的種類，以可得到充分緻密性來決定溫度，但對於氣氛，若以鎳會氧化的氣氛作燒結的話，第一外部電極會氧化，因此，無法得到充分的導通，必須要留意。
將基部二側之第一外部電極浸漬於金屬電極膏，浸漬結束後於大氣環境中利用100~150℃/30分鐘進行乾燥處理，再於氮氣環境中以220~270℃溫度使金屬電極膏硬化而成型為第二外部電極。其中，金屬粉末係可為銀粉、鎳粉、錫粉、銅粉及鎳粉混合之粉末等，金屬電極膏係包括金屬粉末、熱硬化性樹脂、環氧樹脂及有機黏合劑等。又，乾燥溫度若高於150℃以上，則銅粉會過度氧化，在硬化後可能會阻礙與第一外部電極的導通，因此最為偏好以120℃進行乾燥。對於氮氣中的硬化，因為要讓外部電極層可以得到充分的固著強度作接著與導通，因此偏好以240~270℃進行硬化。
當於基部二側第一外部電極外部分別成型第二外部電極時，可再於基部二側第二外部電極外部進行電鍍加工，例如：鎳電鍍、錫電鍍或銅電鍍等，以成型第三外部電極。
1‧‧‧基部
11‧‧‧陶瓷誘電體
12‧‧‧內部電極
121‧‧‧內電極端部
2‧‧‧外部電極層
21‧‧‧第一外部電極
22‧‧‧第二外部電極
23‧‧‧第三外部電極
24‧‧‧配線
3‧‧‧氧化鋁基板
第一圖 係為本發明最佳實施例之側視剖面圖。
第二圖 係為本發明製造方法之流程圖(一)。
第三圖 係為本發明製造方法之流程圖(二)。
第四圖 係為本發明另一實施例之側視剖面圖。
為達成上述目的與功效，本發明所採用之技術手段及其構造、實施之方法等，茲繪圖就本發明之較佳實施例詳加說明其特徵與功能如下，俾利完全瞭解。
請參閱第一、二、三圖所示，係為本發明最佳實施例之側視剖面圖、製造方法之流程圖(一)及製造方法之流程圖(二)。本發明實施例之第一圖係為積層陶瓷電容器側視剖面圖，該積層陶瓷電容器係包括基部1及成型於基部1二側邊之外部電極層2，其中：
該基部1係透過複數陶瓷薄帶以間隔交錯方式，進行積層堆疊，且經加壓接著後，再予以切割成型為積層陶瓷電容器生胚之基部1。該基部1係包括陶瓷誘電體11及成型於陶瓷誘電體11內之複數內部電極12，複數內部電極12的各一側邊分別設有內電極端部121，而供各內部電極12一側內電極端部121分別露出陶瓷誘電體11的二側邊。
該外部電極層2包括成型於基部1的陶瓷誘電體11二側邊之第一外部電極21、成型於二側第一外部電極21外部之第二外部電極22及成型於二第二外部電極22外部之第三外部電極23，且二第一外部電極21與陶瓷誘電體11二側邊之各內部電極12一側內電極端部 121呈電性接續，而該第二外部電極22係為金屬粉末及樹脂等成分所固化成型。
上述之基部1，係由以鈦酸鋇為主成分之陶瓷誘電體11、以鎳為主成分之內部電極12所成型之積層陶瓷電容器生胚；且上述該外部電極層2之第一外部電極21係以鎳及鈦酸鋇為主成分，該第三外部電極23則為鎳及錫等為主成分進行電鍍加工之電鍍層。
再請參閱第二圖及第三圖分別係本發明實施例所記載積層陶瓷電容器之製造方法流程圖(一)及圖(二)，該基部1與外部電極層2之製造方法步驟係：
(A)取預定重量之主成分(以鈦酸鋇為主、再添加其它成分)、溶劑、黏結劑及塑化劑等，透過球磨機進行加工混合，以製成陶瓷漿料。
(B)將陶瓷漿料利用薄帶成型機的刮刀進行加工，可成型為陶瓷薄帶。
(C)並於各陶瓷薄帶上，可利用網版印刷加工成型鎳電極膏層，並待其乾燥，以作為後續燒結成型時的內部電極12。
(D)則以複數陶瓷薄帶採用間隔、交錯方式堆疊，再予進行加壓接著之積層結合，並予以進行切割，即成型積層陶瓷電容器生胚基部1，且內部電極12的各一側邊內電極端部121分別露出基部1的陶瓷誘電體11二側邊。
(E)且將生胚之基部1與食物粉裝填於容器，利用容器迴轉研磨生胚之基部1的各角落部位。
(F)浸漬生胚之基部1的陶瓷誘電體11二端面於鎳電極膏中，再進行塗佈預定厚度後待其乾燥，然後將生胚及二端面的鎳電極膏予以共同燒結。燒結條件係在比鎳的平衡氧分壓低一位數以上的低還原氛圍氣氛進行1300℃溫度的燒結。
(G)即於生胚之基部1的陶瓷誘電體11二側內電極端部121外部燒結成型外部電極層2之第一外部電極21。
(H)將基部1二側第一外部電極21浸漬於金屬電極膏中，或將金屬電極膏直接塗佈至第一外部電極21之二側，然後對二側金屬電極膏分別加熱或將基部1置於250℃左右溫度環境，藉以使金屬電極膏固化成型第二外部電極22。
(I)於基部1二側第二外部電極22外部進行電鍍加工，以成型第三外部電極23。
(J)成型本發明之積層陶瓷電容器。
上述步驟(A)中所述之主成分，係可為鈦酸鋇、氧化錳、氧化釔及氧化矽等材料，再與由乙醇、甲苯等所組成的溶劑以及黏結劑、塑化劑等，利用球磨機進行混合加工處理，可製作陶瓷漿料。
上述步驟(B)中之陶瓷漿料，係利用薄帶成型機之刮刀，在PET塑膠膜上，製作寬度約為150mm、厚度約為10μm之陶瓷薄帶，而較佳係製作寬度約為150mm且厚度為6μm者之陶瓷薄帶。再使用薄帶製作3225尺寸的10μF的電容器。
上述步驟(C)中作為內部電極12之鎳電極膏，係包括鎳粉、鈦酸鋇粉、黏合劑及溶劑等成分所製成。
上述步驟(D)中之陶瓷薄帶，係可被切割作成約為150mmX150mm的尺寸，並將複數陶瓷薄帶以間隔交錯方式進行積層堆疊，且透過加壓接著後，再予以切割成積層陶瓷電容器之生胚基部1，而於積層陶瓷電容器生胚基部1係包括陶瓷誘電體11、複數內部電極12，且各內部電極12一側邊之內電極端部121分別露出陶瓷誘電體11二側端面。
上述步驟(F)中之鎳電極膏，係包括有鎳粉及鈦酸鋇粉等成分，且鎳粉及鈦酸鋇粉等的粒徑係可為0.3μm~1.0μm，較佳粒徑係0.5μm，而其體積百分率約可為15vol%~70vol%，較佳為15vol%~55vol%，最佳為15vol%~50vol%；而塗佈鎳電極膏之厚度則可為5μm~70μm，較佳平均厚度係5μm~50μm，藉以保持積層陶瓷電容器較安定的電氣特性。然而，若塗佈鎳電極膏之厚度超過70μm，在陶瓷誘電體11二側進行第一外部電極21燒結成型後，可能會造成第一外部電極21發生剝離之現象。同樣地，若塗佈鎳電極膏未滿5μm時，則於陶瓷誘電體11二側進行第一外部電極21燒結成型後，即會產生第一外部電極21與各內部電極12的內電極端部121間電性接續不充分之現象，造成燒結後的成品無法得到安定的電氣特性等缺失。
上述該步驟(F)中之生胚，為將生胚基部1於浸漬鎳電極膏中進行塗佈並待其乾燥，再將生胚基部1置於氮氣環境中，並以約400℃的溫度進行脫脂處理，藉以控制氫氣/水蒸氣的含量，且於比鎳的平衡氧分壓低一位數以上的低還原氛圍進行約為1300℃的燒結，即可 成型為步驟(G)中之生胚基部1及位於陶瓷誘電體11二側之第一外部電極21，而生胚基部1係可包括陶瓷誘電體11及複數內部電極12，且複數內部電極12一側分別設有內電極端部121露出陶瓷誘電體11二側端面。當陶瓷誘電體11二側在大約1300℃左右溫度燒結成型第一外部電極21時，各第一外部電極21質地不至發生脆弱或產生裂縫等情況，特別係燒結後的第一外部電極21其緻密度極佳，可供各第一外部電極21與陶瓷誘電體11二側端面之各內電極端部121呈充分接續之電性導通。又，脫脂條件可依使用的黏結劑與塑化劑的種類作適宜的條件決定，至於最高燒結溫度，雖然也可以依陶瓷材料的種類，以可得到充分緻密性來決定溫度，但對於氣氛，若以鎳會氧化的氣氛作燒結的話，第一外部電極21會氧化，因此，無法得到充分的導通，必須要留意。
上述步驟(H)中之金屬電極膏，係包括金屬粉末、熱硬化性樹脂、環氧樹脂、有機黏合劑等成分，並可在大氣環境中利用約為100~150℃/30分鐘進行乾燥處理，再於氮氣環境中以220~270℃溫度使金屬電極膏硬化後，而於生胚基部1的陶瓷誘電體11二側第一外部電極21外部再成型為第二外部電極22，其中，該金屬電極膏之金屬粉末係可為銅粉、銀粉或銀粉及鎳粉混合之粉末等成分。又，因為第二外部電極22係在遠較燒結溫度低的溫度區間250℃左右進行固化成型，故可確保在成型第二外部電極22時，不會發生金屬粉末擴散或入侵至第一外部電極21、陶瓷誘電體11或內部電極12等位置，即不致影響第一外部電極21、陶瓷誘電體11或內部電極12等結構強度或電性傳導等性能。
上述步驟(I)中之基部1，可於陶瓷誘電體11二側第二外部電極22外部，透過進行鎳電鍍或錫電鍍等之電鍍加工，以成型第三外部電極23，則達到在基部1的陶瓷誘電體11二側邊成型外部電極層2之第一外部電極21、第二外部電極22及第三外部電極23，且可成型為本發明之積層陶瓷電容器，可使積層陶瓷電容器之結構強度增加及信賴性優越。
且在本發明之積層陶瓷電容器的製程中，該外部電極層2之第二外部電極22，係採用金屬粉末與樹脂等混合成金屬電極膏，其中，金屬粉末可為銅粉、銀粉或銀粉及鎳粉混合之粉末等。由於後續製程的固化成型溫度低(係在氮氣環境中約為250℃)，故不會發生金屬粉末向周圍擴散的現象。再者，由於第二外部電極22之樹脂材料其有阻隔金屬元素擴散的特殊性，當基部1的陶瓷誘電體11二側之第二外部電極22外部進行電鍍加工成型第三外部電極23時，第三外部電極23之電鍍液將不會侵入第二外部電極22、第一外部電極21、陶瓷誘電體11或內部電極12等位置處，而保持積層陶瓷電容器的既有結構強度，具有良好的電容器性能。
請參閱第四圖，該圖係為本發明另一實施例之側視剖面圖，由圖中可以清楚看出，本發明實施例之附帶基板積層陶瓷電容器係包括基部1、成型於基部1二側邊之外部電極層2、與外部電極層2附著在一起的氧化鋁基板3，其中：該基部1係透過複數陶瓷薄帶以間隔交錯方式，進行積層堆疊，且經加壓接著後，再予以切割成型為積層積層陶瓷電容器生胚之基部1，則該基部1係包括陶瓷誘電體11及成型於陶瓷誘電體11內之複數內部電極12，複數內部電極12的各一側內電極端部121分別露出陶瓷誘電體11的二側邊。
該外部電極層2係包括成型於基部1的陶瓷誘電體11二側邊之第一外部電極21及成型於二第一外部電極21外部之第二外部電極22，其中，各第一外部電極21同時與陶瓷誘電體11二側端面之各內電極端部121及第二外部電極22呈電性導通。外部電極層2以焊接方式固定附著於氧化鋁基板3上，而氧化鋁基板3與外部電極層2附著接觸的位置具有配線24，二第一外部電極21或第二外部電極22透過配線24能夠與氧化鋁基板3產生電性導通，以成型為本發明另一實施例。
上述位於二第一外部電極21底部之氧化鋁基板3，除了氧化鋁材質以外，基板材料另可選擇金屬板材(如銅板材或錫板材等)或具電路佈局之電路板等。
故，本發明可適用於眾多積層陶瓷電容器實施例，而最佳實施例莫過於針對積層陶瓷電容器結構之設計。於基部1的陶瓷誘電體11內部具有複數內部電極12，各內部電極12一側內電極端部121分別露出陶瓷誘電體11二側端面，而於陶瓷誘電體11二側端面外部成型外部電極層2之第一外部電極21、第二外部電極22及第三外部電極23，進而成型積層陶瓷電容器，其中該第二外部電極22為採用金屬粉末與樹脂等成分，透過較低溫度固化成型，達到第二外部電極22不會向周圍擴散為主要保護重點，且於基部1的二側第二外部電極22外部在進行電鍍加工成型第三外部電極23時，電鍍液也不會侵入第二外部電極22 、第一外部電極21、陶瓷誘電體11或內部電極12等位置處，而能確保積層陶瓷電容器具有良好緻密性質、結構強度增強及信賴性優越等功效。然而，以上僅係本發明關於積層陶瓷電容器之最佳實施例敘述而已，非因此即侷限本發明之專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所為之簡易修飾及等效結構變化，均應同理包含於本發明之專利範圍內，合予陳明。
又，為了證實本發明所製作積層陶瓷電容器所具有之電容強度及信賴度，本發明選擇平均粉末粒徑為0.5μm的鎳粉及鈦酸鋇粉，並分別依據不同體積百分率比例進行試驗，比較燒成後不同第一外部電極厚度對靜電容量及絕緣電阻裂化率的結果，全部試驗結果如表一。當鈦酸鋇對鎳的體積百分率比例為15/85時(即鈦酸鋇佔15vol%，而鎳佔85vol%)，若燒成後第一外部電極厚度為5μm、20μm或50μm時，靜電容量可達到100μF以上且不發生第一外部電極剝離，其中，第一外部電極厚度20μm時，其試驗結果顯示所有80件試驗品內沒有任何一件試驗品現缺陷或絕緣阻抗裂化；當鈦酸鋇對鎳的體積百分率比例為20/80時(即鈦酸鋇佔20vol%，而鎳佔80vol%)，若燒成後第一外部電極厚度為5μm、20μm或50μm時，靜電容量可達到100μF以上且不發生第一外部電極剝離，而無論第一外部電極厚度為5μm、20μm或50μm，全部都顯示所有80件試驗品內沒有任何一件試驗品現缺陷或絕緣阻抗裂化；當鈦酸鋇對鎳的體積百分率比例為50/50時(即鈦酸鋇佔50vol%，而鎳佔50vol%)，若燒成後第一外部電極厚度為5μm、20μm或50μm 時，靜電容量可達到100μF以上且不發生第一外部電極剝離，而無論第一外部電極厚度為5μm、20μm或50μm，全部都顯示所有80件試驗品內沒有任何一件試驗品現缺陷或絕緣阻抗裂化；當鈦酸鋇對鎳的體積百分率比例為55/45時(即鈦酸鋇佔55vol%，而鎳佔45vol%)，若燒成後第一外部電極厚度為5μm、20μm或50μm時，靜電容量可維持在9.0μF以上。
綜上所述，本發明上述積層陶瓷電容器及其製造方法於使用時，為確實能達到其功效及目的，故本發明誠為一實用性優異之研發，為符合發明專利之申請要件，爰依法提出申請，盼 審委早日賜准本案， 以保障發明人之辛苦研發、創設，倘若 鈞局審委有任何稽疑，請不吝來函指示，發明人定當竭力配合，實感德便。
Claims (12)
- 一種積層陶瓷電容器，包括基部及成型於基部二側邊之外部電極層，該基部包括陶瓷誘電體及複數內部電極，其特徵係：該複數內部電極的各一側邊分別設有露出陶瓷誘電體二側邊之內電極端部，該外部電極層係包括成型於基部二側邊之第一外部電極及成型於第一外部電極外部之第二外部電極，該第一外部電極以含有粒徑介於0.3μm~1.0μm的鎳粉及鈦酸鋇粉與該基部共同燒結成型且與各內部電極一側內電極端部呈電性接續，而該第二外部電極係為金屬粉末及樹脂材料所成型，該金屬粉末係選自銀粉、鎳粉及銅粉所組成的群組之任一且粉末粒徑介於0.3μm~1.0μm。
- 如申請專利範圍第1項所述積層陶瓷電容器，其中該第一外部電極係以鈦酸鋇及鎳為主成份的誘電體層，且鈦酸鋇對鎳的體積百分率介於15vol%~55vol%。
- 如申請專利範圍第2項所述積層陶瓷電容器，其中該鈦酸鋇對鎳的體積百分率介於15vol%~50vol%。
- 如申請專利範圍第2項所述積層陶瓷電容器，其中該第一外部電極之厚度介於5μm~70μm。
- 如申請專利範圍第1項所述積層陶瓷電容器，其中該外部電極層進一步包括以電鍍方式成型於二側第二外部電極外部之第三外部電極。
- 如申請專利範圍第1項所述積層陶瓷電容器，其中該積層陶瓷電容器進一步包括一基板或電路板，該基板或電路板具有導線分布並透過導線電性接續該第二外部電極。
- 一種積層陶瓷電容器之製造方法，其製造之步驟係為：(A)生胚二側之端面露出內部電極之端部並研磨生胚各角部；(B)將生胚二側之端面浸漬於鎳電極膏後進行塗佈及乾燥，使該生胚二側形成厚度介於5μm~70μm之塗佈層，鎳電極膏係包括鈦酸鋇粉及鎳粉，且鈦酸鋇粉及鎳粉的粒徑介於0.3μm~1.0μm；(C)選擇在比鎳的平衡氧分壓低1位數以上的低還原氛圍氣氛進行1300℃共同燒結該生胚及該生胚二側之塗佈層，使積層陶瓷電容器之基部燒結成型並同時形成外部電極層之第一外部電極；(D)將金屬電極膏塗佈至第一外部電極之二側，並固化成型該外部電極層之第二外部電極，該第二外部電極係為金屬粉末及樹脂材料所成型，該金屬粉末係含有0.3μm~1.0μm粒徑的金屬粉末並選自銀粉、鎳粉及銅粉所組成的群組之任一。
- 如申請專利範圍第7項所述積層陶瓷電容器之製造方法，其中該步驟(B)鈦酸鋇粉對鎳粉的體積百分率為15vol%~55vol%。
- 如申請專利範圍第7項所述積層陶瓷電容器之製造方法，其中該鈦酸鋇粉對鎳粉的體積百分率為15vol%~50vol%。
- 如申請專利範圍第7項所述積層陶瓷電容器之製造方法，其中該步驟(B)之生胚於浸漬鎳電極膏中進行塗佈，並於乾燥後將生胚置於氮氣環境中，並以400℃進行脫脂處理，藉以控制氫氣/水蒸氣的含量，且於比鎳的平衡氧分壓低一位數以上的低還原氛圍進行1300℃的燒結，即成型為步驟(C)之基部及位於二側之第一外部電極。
- 如申請專利範圍第7項所述積層陶瓷電容器之製造方法，其中該步驟(D)之金屬電極膏係包括金屬粉末及樹脂材料，在大氣環境中利用100~150℃/30分鐘進行乾燥處理，再於氮氣環境中以220~270℃使金屬電極膏硬化而於生胚的二側第一外部電極外部再成型為第二外部電極，其中，金屬粉末係選自銀粉、鎳粉、錫粉及銅粉所組成的群組之任一，樹脂材料係選自熱硬化性樹脂、環氧樹脂及有機黏合劑所組成的群組之任一。
- 如申請專利範圍第7項所述積層陶瓷電容器之製造方法，其中，進一步包括步驟(E)，將二側第二外部電極外部進行電鍍後成型第三外部電極。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106102946A TWI665691B (zh) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | 積層陶瓷電容器及其製造方法 |
| US15/880,027 US10217568B2 (en) | 2017-01-25 | 2018-01-25 | Multilayer ceramic capacitor |
| CN201810073901.1A CN108364786B (zh) | 2017-01-25 | 2018-01-25 | 积层陶瓷电容器及其制造方法 |
| US16/260,702 US10593481B2 (en) | 2017-01-25 | 2019-01-29 | Multilayer ceramic capacitor |
| US16/751,656 US10777359B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-01-24 | Multilayer ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW106102946A TWI665691B (zh) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | 積層陶瓷電容器及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201828315A TW201828315A (zh) | 2018-08-01 |
| TWI665691B true TWI665691B (zh) | 2019-07-11 |
Family
ID=63007121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106102946A TWI665691B (zh) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | 積層陶瓷電容器及其製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10217568B2 (zh) |
| CN (1) | CN108364786B (zh) |
| TW (1) | TWI665691B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6904309B2 (ja) * | 2018-06-21 | 2021-07-14 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
| KR102574420B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2023-09-04 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| KR102653206B1 (ko) * | 2018-08-16 | 2024-04-01 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| KR102150549B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-09-01 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| JP7136333B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-09-13 | 株式会社村田製作所 | チップ型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP7136334B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-09-13 | 株式会社村田製作所 | チップ型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP7070840B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2022-05-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| KR20190116120A (ko) * | 2019-07-02 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| CN112908697B (zh) * | 2019-12-03 | 2022-07-22 | 禾伸堂企业股份有限公司 | 积层陶瓷电容器及其制造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053131A (ja) * | 1991-04-17 | 1993-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミツクコンデンサとその製造方法 |
| TW201521062A (zh) * | 2013-01-29 | 2015-06-01 | Samsung Electro Mech | 多層式陶瓷電容器、用於製造該多層式陶瓷電容器的方法、具有多層式陶瓷電容器嵌入於其內的電路板，及用於多層式陶瓷電容器的拋光裝置 |
| US20150170786A1 (en) * | 2013-12-12 | 2015-06-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof and mounting board therefor |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04154104A (ja) * | 1990-10-18 | 1992-05-27 | Hitachi Aic Inc | 積層セラミックコンデンサ |
| US7097686B2 (en) * | 1997-02-24 | 2006-08-29 | Cabot Corporation | Nickel powders, methods for producing powders and devices fabricated from same |
| US6316100B1 (en) * | 1997-02-24 | 2001-11-13 | Superior Micropowders Llc | Nickel powders, methods for producing powders and devices fabricated from same |
| JP2001345231A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびセラミック電子部品 |
| JP3452034B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2003-09-29 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
| JP3452033B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2003-09-29 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品 |
| TWI269325B (en) * | 2002-03-07 | 2006-12-21 | Tdk Corp | Laminated electronic component |
| JPWO2004053901A1 (ja) * | 2002-12-09 | 2006-04-13 | 松下電器産業株式会社 | 外部電極を備えた電子部品 |
| KR100528330B1 (ko) * | 2003-02-19 | 2005-11-16 | 삼성전자주식회사 | 무기 분말의 코팅방법 및 이에 의하여 제조된 코팅된무기입자 |
| US7029971B2 (en) * | 2003-07-17 | 2006-04-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film dielectrics for capacitors and methods of making thereof |
| JP3944144B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2007-07-11 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| KR100861100B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2008-09-30 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 세라믹 컨덴서 |
| CN100511509C (zh) * | 2004-02-26 | 2009-07-08 | 京瓷株式会社 | 通路导体用导电性糊和用其的陶瓷配线板及其制造方法 |
| JP2006319205A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2007035848A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| TW200733159A (en) * | 2006-02-24 | 2007-09-01 | Wei-Hsing Tuan | Ceramic dielectrics and base-metal-electrode multilayer ceramic capacitors |
| JP4635928B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2007273684A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Tdk Corp | 積層型電子部品の製造方法 |
| US20100110608A1 (en) * | 2008-11-06 | 2010-05-06 | Frank Wei | Core-shell structured dielectric particles for use in multilayer ceramic capacitors |
| JP5589891B2 (ja) * | 2010-05-27 | 2014-09-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| KR20120068622A (ko) | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 삼성전기주식회사 | 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| CN102222564B (zh) * | 2011-03-31 | 2012-11-28 | 亿曼丰科技（深圳）有限公司 | 基于平衡电极内浆和陶瓷膜收缩率的mlcc电容器 |
| KR101952843B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2019-02-27 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
| KR20130017986A (ko) * | 2011-08-12 | 2013-02-20 | 삼성전기주식회사 | 내부 전극, 및 상기 내부 전극을 포함하는 적층형 세라믹 캐패시터 |
| KR20130019196A (ko) * | 2011-08-16 | 2013-02-26 | 삼성전기주식회사 | 금속 분말, 이의 제조 방법, 및 상기 금속 분말로 된 내부 전극을 포함하는 적층 세라믹 캐패시터 |
| KR101771724B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| KR20140080291A (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-30 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| KR101388690B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-04-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| US10081865B2 (en) * | 2014-04-01 | 2018-09-25 | Pneumaticoat Technologies Llc | Passive electronics components comprising coated nanoparticles and methods for producing and using the same |
| KR20150135909A (ko) * | 2014-05-26 | 2015-12-04 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품, 제조방법, 그 실장 기판 및 포장체 |
-
2017
- 2017-01-25 TW TW106102946A patent/TWI665691B/zh active
-
2018
- 2018-01-25 CN CN201810073901.1A patent/CN108364786B/zh active Active
- 2018-01-25 US US15/880,027 patent/US10217568B2/en active Active
-
2019
- 2019-01-29 US US16/260,702 patent/US10593481B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH053131A (ja) * | 1991-04-17 | 1993-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミツクコンデンサとその製造方法 |
| TW201521062A (zh) * | 2013-01-29 | 2015-06-01 | Samsung Electro Mech | 多層式陶瓷電容器、用於製造該多層式陶瓷電容器的方法、具有多層式陶瓷電容器嵌入於其內的電路板，及用於多層式陶瓷電容器的拋光裝置 |
| US20150170786A1 (en) * | 2013-12-12 | 2015-06-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method thereof and mounting board therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108364786B (zh) | 2020-11-10 |
| US20180233289A1 (en) | 2018-08-16 |
| US20190172647A1 (en) | 2019-06-06 |
| CN108364786A (zh) | 2018-08-03 |
| TW201828315A (zh) | 2018-08-01 |
| US10593481B2 (en) | 2020-03-17 |
| US10217568B2 (en) | 2019-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI665691B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| US10074483B2 (en) | Ceramic electronic component | |
| US10242802B2 (en) | Electronic component with an external electrode including a conductive material-containing resin layer | |
| KR102067175B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
| KR102139753B1 (ko) | 세라믹 전자 부품 및 이의 제조방법 | |
| KR102112107B1 (ko) | 전자부품 및 전자부품의 제조 방법 | |
| JP7302900B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| JP2015050452A (ja) | 基板内蔵用積層セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品内蔵型印刷回路基板 | |
| KR102089697B1 (ko) | 외부전극용 페이스트, 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 | |
| KR101824904B1 (ko) | 콘덴서 소자, 및 그것을 포함하는 복합 전자부품 | |
| JP2017073539A (ja) | 電子部品 | |
| KR102067177B1 (ko) | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 | |
| JP2012253077A (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
| US20140098454A1 (en) | Multilayered ceramic electronic component and method of manufacturing the same | |
| JP2012009556A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP5724262B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP4682214B2 (ja) | セラミック素子及びその製造方法 | |
| JP2004200373A (ja) | 電子部品および製造方法 | |
| US10777359B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor | |
| TWI703596B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| TWI709987B (zh) | 積層陶瓷電容器及其製造方法 | |
| JPH03296205A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| CN112908697B (zh) | 积层陶瓷电容器及其制造方法 |