JP3452033B2

JP3452033B2 - 導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品

Info

Publication number: JP3452033B2
Application number: JP2000204096A
Authority: JP
Inventors: 孝晴宮崎; 毅山名
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-05
Filing date: 2000-07-05
Publication date: 2003-09-29
Anticipated expiration: 2020-07-05
Also published as: JP2002025847A; CN1331475A; US6478882B2; KR20020004881A; US20020124910A1; CN1171243C; KR100438514B1

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペーストお
よび積層セラミック電子部品に関するもので、特に、積
層セラミック電子部品の内部電極として有利に用いられ
る導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサな
どの積層セラミック電子部品は、複数の積層されたセラ
ミック層と、これらセラミック層間の特定の界面に沿っ
て形成された少なくとも１つの内部電極と、を含む積層
体を備えている。

【０００３】このような積層セラミック電子部品におい
て、一般に内部電極は、導電粉末ならびに有機ビヒクル
を溶剤中に分散させた導電性ペーストを印刷し焼成する
ことによって形成される。より詳細には、積層セラミッ
ク電子部品を製造するにあたり、焼成によりセラミック
層となるセラミックグリーンシートの特定のものの上
に、内部電極となるべき導電性ペーストを印刷して電極
塗膜を形成した後、これら複数のセラミックグリーンシ
ートを積層し、プレスで圧着した後に焼成することで、
セラミック層の焼結と同時に内部電極の焼結が達成さ
れ、内部電極を備えるセラミック積層体が形成される。
このとき、内部電極を構成する導電粉末の融点はセラミ
ックの焼成温度より高いことを要する。導電粉末の融点
がセラミックの焼成温度よりも低い場合、導電粉末は焼
成途中で溶融して焼成後の内部電極に切れが生じ、カバ
レッジ低下の原因となる。したがって、内部電極を構成
する導電粉末としては、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，Ｎｂ，Ｎｉ等
が選択でき、加えて低コスト化を実現する場合、導電粉
末としては卑金属であるＮｉが使用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｎｉの
ような卑金属を内部電極として用いる積層セラミック電
子部品において、セラミック層の薄層化および多層化が
進むと、印刷形成された電極塗膜と生のセラミック層の
焼成時における収縮の差や熱膨張率の差によって、内部
電極とセラミック層との界面に残留応力が大きく生じ、
この影響により積層セラミック電子部品の耐熱衝撃性が
悪くなるという問題がある。また、高温・高湿下におけ
る信頼性、いわゆる耐湿負荷特性についても、セラミッ
ク層の薄膜化および多層化が進むと、同様に悪くなると
いう問題が生じる。

【０００５】また、セラミック層１層の厚みを薄くする
のに伴い、内部電極の薄層化を図る必要があるが、その
ためには内部電極を形成するための導電性ペースト中の
導電粉末の粒径をより微細にする必要がある。しかしな
がら、導電粉末の粒径をより微細にすると、焼成時に導
電粉末の焼結による内部電極の収縮がより低温で起きる
ため、デラミネーションを引き起こしやすいという問題
が生じる。

【０００６】後者の問題を解決するために、例えば、特
公平７−５６８５０号公報において、アルミノシリケー
ト層によってＮｉ内部電極とセラミック層とを接合した
積層セラミックコンデンサが開示されている。しかし、
この積層セラミックコンデンサは、前者の問題の改善、
すなわち耐熱衝撃性の改善を考慮したものではない。

【０００７】また、特開平８−２５９８４７号公報にお
いて、有機ケイ素化合物と水との反応生成物で被覆した
金属粉を用いた導電性ペーストが開示されている。しか
し、この導電性ペーストを積層セラミックコンデンサの
内部電極用として用いると、ペースト中のケイ素とセラ
ミックとが反応してセラミックの異常粒成長が起こり、
前者の問題の改善、耐熱衝撃性の改善には効果がない。

【０００８】本発明の目的は、焼成工程においてデラミ
ネーションが発生せず、耐熱衝撃性と耐湿負荷特性に優
れる導電性ペースト、ならびにこれを用いて内部電極が
形成された積層セラミック電子部品を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストは、Ｎｉを主成分とする導
電粉末と、有機ビヒクルと、Ｍｇ，ＣａおよびＢａから
選ばれる少なくとも１種を含み且つ有機酸金属塩，酸化
物粉末，金属有機錯塩およびアルコキシドから選ばれる
少なくとも１種からなる化合物Ａと、を含有し、導電粉
末の表面に、Ａｌまたは／およびＳｉを含む加水分解性
の反応基を有する化合物Ｂが、付着し、前記化合物Ｂが
Ａｌを含む場合、前記化合物Ａに含有するＭｇ，Ｃａお
よびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ換算合計量に対
する、前記化合物Ｂに含有するＡｌのＡｌ ₂ Ｏ ₃ 換算合計
量のモル比は、０．５〜４．０であり、かつ、前記化合
物ＢがＳｉを含む場合、前記化合物Ａに含有するＭｇ，
ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ換算合計
量に対する、前記化合物Ｂに含有するＳｉのＳｉＯ ₂ 換
算合計量のモル比は、０．５〜１０．０であることを特
徴とする。

【００１０】また、本発明の導電性ペーストは、Ｎｉを
主成分とする導電粉末と、有機ビヒクルと、を含有し、
導電粉末の表面に、Ｍｇ，ＣａおよびＢａから選ばれる
少なくとも１種を含有して、かつ有機酸金属塩，金属有
機錯塩およびアルコキシドから選ばれる少なくとも１種
からなる化合物Ａと、Ａｌまたは／およびＳｉを含む加
水分解性の反応基を有する化合物Ｂと、が付着し、前記
化合物ＢがＡｌを含む場合、前記化合物Ａに含有するＭ
ｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ換算
合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＡｌのＡｌ ₂
Ｏ ₃ 換算合計量のモル比は、０．５〜４．０であり、か
つ、前記化合物ＢがＳｉを含む場合、前記化合物Ａに含
有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢ
ａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＳｉ
のＳｉＯ ₂ 換算合計量のモル比は、０．５〜１０．０で
あることを特徴とする。

【００１１】また、上述の化合物Ｂの反応基は、アルコ
キシル基であることが好ましい。

【００１２】また、上述の化合物Ｂは、アルコキシドで
あることが好ましい。

【００１３】また、上述の化合物Ｂは、アルミニウムキ
レート化合物，アルミニウムアルコキシド，シランモノ
マー，シリコンアルコキシドから選ばれる少なくとも1
種を含有することが好ましい。

【００１４】また、上述の化合物Ｂの付着量は、導電粉
末１００重量％に対してＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃換算で
０．１〜５．０重量％であることが好ましい。

【００１５】

【００１６】本発明の積層セラミック電子部品は、複数
の積層されたセラミック層と、セラミック層間の特定の
界面に沿って形成された内部電極とを含む、セラミック
積層体とを備える、積層セラミック電子部品であって、
内部電極は、本発明の導電性ペーストを焼成して形成さ
れたものであることを特徴とする。

【００１７】また、本発明の積層セラミック電子部品
は、上述の積層体の端面上の互いに異なる位置に設けら
れる複数の端子電極をさらに備え、複数の内部電極は、
何れかの端子電極に電気的に接続されているように形成
されていることを特徴とする。

【００１８】また、本発明の積層セラミック電子部品に
おけるセラミック層は、チタン酸バリウムを主成分とす
る誘電体セラミックからなることを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストは、化合
物Ａと化合物Ｂを含み、少なくとも化合物Ｂは導電粉末
の表面に加水分解により付着されていることを要する。
そこで、導電粉末の表面に対して化合物Ｂを付着させる
処理方法の一つの実施形態について、以下に説明する。
なお、本発明の導電性ペーストおよび積層セラミック電
子部品は、以下の一つの実施形態によって得られること
に限定されない。

【００２０】まず、導電粉末として、例えばＮｉ粉末を
準備する。なお、導電粉末としては、Ｎｉを主成分とす
るもの、例えばＮｉの他、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐ
ｄおよびそれらの合金等を含有するものを適宜選択して
用いることができる。なお、導電粉末の平均粒径につい
ては、特に限定はしないが、一般に導電粉末が微粒であ
ると、導電粉末の焼結による内部電極の収縮がより低温
で起こるため、デラミネーションを引き起こしやすい
が、本発明によればこれを抑制することができることに
鑑みて、導電粉末の平均粒径が１０〜２００ｎｍである
とき、本発明の効果は顕著となる。

【００２１】次いで、導電粉末をアルコール等の有機溶
媒中へ分散させて、懸濁液を作製する。平均粒径が１μ
ｍ未満の導電粉末を用いる場合には、分散を促進するた
めに攪拌するのは有効であり、必要に応じて超音波式の
ホモジナイザー等の分散機を利用してもよい。

【００２２】次いで、化合物Ｂを上述の懸濁液中に添加
して分散させる。化合物Ｂは、Ａｌまたは／およびＳｉ
を含む加水分解性の反応基を有することを要する。化合
物Ｂは、具体的には、アルミニウムキレート化合物，ア
ルミニウムアルコキシド，シランモノマー，シリコンア
ルコキシドから選ばれる少なくとも1種を含有すること
が好ましく、さらに具体的には、例えば、トリ−ｉ−プ
ロポキシアルミニウム，トリ−ｎ−ブトキシアルミニウ
ム，ジ−ｉ−プロポキシアセトアルコキシアルミニウ
ム，ジ−ｉ−プロポキシエチルアセトアセテートアルミ
ニウム等のアルミニウムアルコキシド、ならびにテトラ
エトキシシラン，テトラメトキシシラン，メチルトリエ
トキシシラン，ジメチルエトキシシラン等のシリコンア
ルコキシド等が挙げられる。

【００２３】次いで、懸濁液中に水を滴下し、化合物Ｂ
の加水分解を行う。加水分解反応の速い化合物Ｂを用い
た場合は、滴下に際して必要に応じて水を有機溶媒で希
釈した混合液、あるいはアミン類やカルボン酸類等のキ
レート剤を適量添加した混合液を用いることが好まし
い。また、加水分解反応の遅い化合物Ｂを用いた場合に
は、水とともに鉱酸類あるいはアンモニア水等の加水分
解触媒を適量添加した混合液を用いることが好ましい。

【００２４】なお、化合物Ｂに加えて、化合物Ａをも導
電粉末に付着させる場合には、上述の化合物Ｂを懸濁液
中に添加して分散させる際に、同じく化合物Ａをも懸濁
液中に添加して分散させる。化合物Ａは、Ｍｇ，Ｃａお
よびＢａから選ばれる少なくとも１種を含み且つ有機酸
金属塩，金属有機錯塩およびアルコキシドから選ばれる
少なくとも1種からなることを要する。

【００２５】化合物Ａは、具体的には、例えば、ギ酸マ
グネシウム，酢酸マグネシウム，乳酸マグネシウム，ス
テアリン酸マグネシウム，オクチル酸マグネシウム，ギ
酸カルシウム，酢酸カルシウム，乳酸カルシウム，ステ
アリン酸カルシウム，オクチル酸カルシウム，ギ酸バリ
ウム，酢酸バリウム，乳酸バリウム，ステアリン酸バリ
ウム，オクチル酸バリウム等の有機酸金属塩、マグネシ
ウムアセチルアセトネート，カルシウムアセチルアセト
ネート，バリウムアセチルアセトネート等の金属有機錯
塩およびジ−ｎ−ブトキシマグネシウム，ジエトキシマ
グネシウム，ジエトキシバリウム，ジトリプロポキシバ
リウム等のアルコキシド等が挙げられる。

【００２６】なお、化合物Ａをも導電粉末に付着させる
場合の、付着形態は特に限定はしないが、例えば化合物
Ａがアルコキシド等の加水分解性の反応基を備える場
合、化合物Ａが加水分解して導電粉末に付着する。

【００２７】次いで、ろ過，デカンテーション等によっ
て溶媒と水の除去を行い、さらに乾燥させて、化合物Ｂ
の加水分解生成物、あるいはさらに化合物Ａが付着した
導電粉末が得られる。

【００２８】なお、本発明の化合物Ｂの付着量は、導電
粉末１００重量％に対してＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃換算
で０．１〜５．０重量％であることが好ましい。上述の
付着量が０．１重量％以上であれば、内部電極とセラミ
ック層との界面に生じる残留応力を低減させる効果が得
られ易くなり、デラミネーションの発生をより確実に抑
制し得る。他方、上述の付着量が５．０重量％以下であ
れば、このような導電性ペーストを印刷し焼成して得ら
れる電極の耐熱衝撃性を改善させる効果が得られ易くな
る。

【００２９】また、本発明の化合物Ａに含有するＭｇ，
ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ換算合計
量に対する、本発明の化合物Ｂに含有するＳｉのＳｉＯ
₂換算合計量のモル比は、０．５〜１０．０である。上
述のモル比が０．５以上であれば、内部電極とセラミッ
ク層との界面に生じる残留応力を低減させる効果が得ら
れ易くなり、デラミネーションの発生をより確実に抑制
し得る。他方、上述のモル比が１０以下であれば、この
ような導電性ペーストを印刷し焼成して得られる電極の
耐熱衝撃性を改善させる効果が得られ易くなる。

【００３０】また、本発明の化合物Ａに含有するＭｇ，
ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ換算合計
量に対する、本発明の化合物Ｂに含有するＡｌのＡｌ₂
Ｏ₃換算合計量のモル比は、０．５〜４．０である。上
述のモル比が０．５以上であれば、内部電極とセラミッ
ク層との界面に生じる残留応力を低減させる効果が得ら
れ易くなり、デラミネーションの発生をより確実に抑制
し得る。他方、上述のモル比が４．０以下であれば、こ
のような導電性ペーストを印刷し焼成して得られる電極
の耐熱衝撃性を改善させる効果が得られ易くなる。

【００３１】本発明の導電性ペーストの一つの形態とし
ては、例えば上述した方法により表面に化合物Ｂが付着
した導電粉末と、有機ビヒクルと、化合物Ａと、を含有
してなる。また、本発明の導電性ペーストの他の形態と
しては、例えば上述した方法により表面に化合物Ａおよ
び化合物Ｂが付着した導電粉末と、有機ビヒクルと、を
含有してなる。

【００３２】なお、本発明の導電性ペーストの製造方法
については、特に限定はしないが、従来より一般的な導
電性ペーストの作製方法と同様に、例えば、導電粉末を
有機ビヒクル中に分散させ混練して作製することができ
る。

【００３３】また、本発明の導電性ペーストを作製する
にあたり、化合物Ａならびに化合物Ｂの付着処理を行っ
た導電粉末をそのまま用いても良いが、必要に応じて、
空気中あるいは窒素中において、さらに２００〜８００
℃において熱処理を行ったものを用いても良い。

【００３４】本発明の積層セラミック電子部品の一つの
実施形態について、図１に基づいて詳細に説明する。す
なわち、積層セラミック電子部品１は、セラミック積層
体２と、内部電極３，３と、端子電極４，４と、めっき
膜５，５とを備える。

【００３５】セラミック積層体２は、例えば、ＢａＴｉ
Ｏ₃を主成分とする誘電体材料からなるセラミック層２
ａが複数積層された生のセラミック積層体が焼成されて
なる。

【００３６】内部電極３，３は、セラミック積層体２内
のセラミック層２ａ間にあって、複数の生のセラミック
層２ａ上に本発明の導電性ペーストが印刷され、生のセ
ラミック層と同時焼成されてなり、内部電極３，３のそ
れぞれの端縁は、例えば、セラミック積層体２の何れか
の端面に露出するように形成されている。

【００３７】端子電極４，４は、例えば、セラミック積
層体２の端面に内部電極３，３の一端が露出している場
合、これと電気的かつ機械的に接合されるように、端子
電極形成用の導電性ペーストがセラミック積層体２の端
面に塗布され焼付けられてなる。

【００３８】めっき膜５，５は、例えば、ＳｎやＮｉ等
の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極
上４，４上に少なくとも１層形成されてなる。

【００３９】なお、セラミック積層体２の材料は、上述
の実施形態に限定されることなく、例えばＰｂＺｒＯ₃
等その他の誘電体材料や、絶縁体、磁性体、半導体材料
からなっても構わない。

【００４０】また、本発明の積層セラミック電子部品の
内部電極３の枚数は、上述の実施形態に限定されること
なく、何層形成されていても構わない。

【００４１】また、端子電極４，４は、通常、その材料
となる導電粉末を含む導電性ペーストを焼成後のセラミ
ック積層体２上に塗布して焼き付けることによって形成
されるが、焼成前の生のセラミック積層体上に塗布し
て、セラミック積層体の焼成と同時に焼き付けることに
よって形成されるようにしても構わない。また、端子電
極の形成一ならびに個数は、上述の実施形態に限定され
ない。

【００４２】また、めっき膜５，５は、上述の実施形態
に限定されることなく、必ずしも備えている必要はな
く、また何層形成されていても構わない。

【００４３】

【実施例】（実施例１）本実施例において、積層セラミ
ック電子部品として、上述の図１に示すような構造の積
層セラミックコンデンサを作製する。

【００４４】まず、セラミック層を構成する非還元性誘
電体セラミックとして、組成式｛（Ｂａ_1-xＣａ_x）Ｏ｝
_m（Ｔｉ_1-yＺｒ_y）Ｏ₂で表され、ｍ、ｘおよびｙが、そ
れぞれ、１．００５≦ｍ≦１．０３、０．０２≦ｘ≦
０．２２、０＜ｙ≦１．２０となるセラミックが得られ
るように、平均粒径０．３μｍのセラミックの原料粉末
を、秤量、混合および仮焼したものを用意し、これにポ
リビニルブチラール系バインダおよびエタノールなどの
有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラ
ミックスラリーを調製した。しかる後、セラミックスラ
リーをドクターブレード方によりシート成形し、厚み５
μｍの矩形のセラミックグリーンシートを得た。

【００４５】次いで、化学気相法によって作製したＮｉ
粉末１００ｇを０．２リットルのエタノール中に分散さ
せた懸濁液を、超音波式ホモジナイザーで分散処理した
後、化合物Ａである酢酸マグネシウムと、化合物Ｂであ
るテトラエトキシシランとを所定量準備し、これらを懸
濁液へ溶解させ攪拌し、試料１〜１５の混合懸濁液を得
た。

【００４６】次いで、ローラーポンプを用いて、試料１
〜１５の混合懸濁液に、純水１０ｇとアンモニア水１０
ｇからなる混合液を滴下した後に１２時間攪拌して、化
合物Ａである酢酸マグネシウムをＮｉ粉末の表面に付着
させ、加えて化合物Ｂであるテトラエトキシシランを加
水分解させてＮｉ粉末の表面に付着させ、これをデカン
テーションによって固液分離し、沈殿物を１２０℃で１
２時間乾燥させて、表1に示したＳｉＯ₂換算含有量，Ｍ
ｇＯ換算含有量となるテトラエトキシシランの加水分解
生成物ならびに酢酸マグネシウムが付着した試料１〜１
５の導電粉末を得た。

【００４７】また、化合物Ｂであるテトラエトキシシラ
ンを懸濁液中に添加しないことを除いて、上述の試料１
〜１５と同様にして、化合物Ａである酢酸マグネシウム
のみをＮｉ粉末の表面に付着させて、試料１６〜１８の
導電粉末を得た。

【００４８】次いで、試料１〜１８の導電粉末４２重量
％と、エチルセルロース系有機バインダー６重部をテル
ピネオール９４重量部に溶解して作製した有機ビヒクル
４４重量％と、テルピネオール１４重量％とを加えて、
ボールミル法により分散混合して、試料１〜１８の導電
性ペーストを得た。

【００４９】そこで、各試料の、導電粉末１００重量％
に対する酸化物モル換算含有重量、ＳｉＯ₂／ＭｇＯの
モル比について、表１にまとめた。

【００５０】次いで、上述のセラミックグリーンシート
上に、試料１〜１８の導電性ペーストをスクリーン印刷
し、内部電極を構成するための導電性ペースト膜を形成
した。この時、スクリーンパターンの厚みを変更するこ
とによって、電極塗布厚（エックス線式膜厚計によるＮ
ｉ金属換算厚み）を０．５μｍに調製した。

【００５１】次いで、上述のセラミックグリーンシート
を、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違い
となるように複数積層して得られたセラミック積層体
を、窒素雰囲気中にて３００℃の温度に加熱し、有機バ
インダーを燃焼させた後、Ｈ₂−Ｎ₂−Ｈ₂Ｏガスからな
る還元性雰囲気中において焼成して、試料１〜１８のセ
ラミック積層体を得た。なお、焼成工程にて１２００℃
で２時間保持し、昇温速度と冷却速度はともに２００℃
／ｈｒとした。

【００５２】次いで、試料１〜１８のセラミック積層体
の両端面に銀を含む導電性ぺーストを塗布し、Ｎ₂−Ａ
ｉｒ雰囲気中において８００℃の温度で焼付けし、内部
電極と電気的に接続された端子電極を形成した。次い
で、上述の端子電極上にＮｉめっき層を形成し、さら
に、このＮｉめっき層上に半田めっき層を形成して、試
料１〜１８の積層セラミックコンデンサを得た。なお、
こうして得られた試料１〜１８の積層セラミックコンデ
ンサの外形寸法は、幅が１．６ｍｍ、長さが３．２ｍ
ｍ、厚さが１．２ｍｍであり、内部電極の厚みは０．７
μｍ、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚み
は３μｍで、有効誘電体セラミック層の総数は１５０個
であった。

【００５３】そこで、試料１〜１８の積層セラミックコ
ンデンサについて、デラミネーション発生率、比誘電
率、加速寿命試験による平均故障時間を測定し、さらに
評価を付して、これらを表１にまとめた。

【００５４】なお、デラミネーション発生率は、各試料
を１００個ずつ作製し、長さ方向に直行する平面で切断
して、樹脂で固めた状態で断面を研磨し、研磨断面を顕
微鏡で観察することによって、クラックの有無を検査し
てこれを計数し、全数１００個に対する発生割合を求め
た。

【００５５】また、加速寿命試験による平均故障時間
は、１５０℃において１０Ｖ／ｍｍの直流電解を印可し
ながら、その絶縁抵抗の経時変化を測定し、絶縁抵抗が
１０⁵Ωを下回った時点を故障とみなし、全数１００個
の故障に至る平均時間を求めた。

【００５６】また、評価は、デラミネーション発生率が
０％であり、比誘電率が比較例である試料１７，１８の
積層セラミックコンデンサよりも高く、かつ平均故障時
間が比較例である試料１７，１８の積層セラミックコン
デンサよりも長い試料については、本発明の特に好まし
い範囲内の試料として◎を付し、比誘電率のみ比較例で
ある試料１７，１８の積層セラミックコンデンサより低
い試料については、○を付し、比誘電率または平均故障
時間が上述の◎○である試料と比較すると低い水準にあ
るが、比較例である試料１７，１８の積層セラミックコ
ンデンサと比較して優れた効果を備える試料について
は、△を付し、比較例の試料については×を付した。そ
して、試料番号２，３，６，７，１０，１１，１４，１
５が、本発明の範囲内の試料である。

【００５７】

【表１】

【００５８】表１から明らかであるように、導電粉末１
００重量％に対して、化合物Ｂであるテトラエトキシシ
ランを加水分解させてＳｉＯ₂換算で０．１〜５．０重
量％付着させ、かつ化合物Ａである酢酸マグネシウムに
含有するＭｇのＭｇＯ換算量に対する、化合物Ｂである
テトラエトキシシランに含有するＳｉのＳｉＯ₂換算量
のモル比が０．５〜１０．０の範囲内である、試料２，
３，６，７，１０，１１の積層セラミックコンデンサ
は、デラミネーション発生率が何れも０％であり、比誘
電率が３０３０〜３３６０であり、比較例である試料１
７の積層セラミックコンデンサの比誘電率２１５０と比
較して十分に高く、かつ加速寿命試験の平均故障時間が
７３〜９０時間であり、比較例である試料１８の積層セ
ラミックコンデンサの平均故障時間３時間と比較して極
めて長いことから、本発明の特に好ましい範囲内となっ
た。

【００５９】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるテトラエトキシシランを加水分解させてＳ
ｉＯ₂換算で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合
物Ａである酢酸マグネシウムに含有するＭｇのＭｇＯ換
算量に対する、化合物Ｂであるテトラエトキシシランに
含有するＳｉのＳｉＯ₂換算量のモル比が０．５を下回
る、試料１，５，９の積層セラミックコンデンサは、比
誘電率が１７５０〜２０９０であり、比較例である試料
１７の積層セラミックコンデンサの比誘電率２１５０と
比較して僅かに劣るが、積層セラミックコンデンサの比
誘電率としては許容可能な範囲内であり、またデラミネ
ーション発生率は何れも０％であり、かつ加速寿命試験
の平均故障時間が７２〜７６時間であり、比較例である
試料１８の積層セラミックコンデンサの平均故障時間３
時間と比較して極めて長い。

【００６０】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるテトラエトキシシランを加水分解させてＳ
ｉＯ₂換算で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合
物Ａである酢酸マグネシウムに含有するＭｇのＭｇＯ換
算量に対する、化合物Ｂであるテトラエトキシシランに
含有するＳｉのＳｉＯ₂換算量のモル比が１０．０を上
回る、試料４，８，１２の積層セラミックコンデンサ
は、加速寿命試験の平均故障時間が２７〜３６時間であ
り、上述した本発明の特に好ましい範囲の試料２，３，
６，７，１０，１１の積層セラミックコンデンサと比較
すると短く劣るが、比較例である試料１８の積層セラミ
ックコンデンサの平均故障時間３時間と比較して十分に
長く、またデラミネーション発生率は何れも０％であ
り、かつ比誘電率が２３８０〜３１１０であり、比較例
である試料１７の積層セラミックコンデンサの比誘電率
２１５０と比較して十分に高い。

【００６１】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるテトラエトキシシランを加水分解させてＳ
ｉＯ₂換算で７．０重量％付着させた試料１３〜１５の
積層セラミックコンデンサは、比誘電率が１４８０〜１
５９０であり、比較例である試料１７の積層セラミック
コンデンサの比誘電率２１５０と比較して劣り、また加
速寿命試験の平均故障時間が２０〜２７時間であり、上
述した本発明の特に好ましい範囲の試料２，３，６，
７，１０，１１の積層セラミックコンデンサと比較する
と短く劣るが、積層セラミックコンデンサの比誘電率と
しては許容可能な範囲内であり、また比較例である試料
１８の積層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間
と比較して十分に長く、またデラミネーション発生率は
何れも０％である。

【００６２】これに対して、化合物Ｂを加水分解させて
Ｎｉ粉末に付着させなかった、試料１６〜１８の積層セ
ラミックコンデンサは、デラミネーション発生率が５５
〜１００％で高く劣り、加速寿命試験の平均故障時間は
測定不能〜３時間で極めて低く劣った。なお、試料１６
の積層セラミックコンデンサは、デラミネーション発生
率が１００％となったため、比誘電率ならびに平均故障
時間を測定することができなかった。

【００６３】（実施例２）化合物Ａとしてオクチル酸カ
ルシウムを、化合物Ｂとしてメチルトリエトキシシラン
を用いたことを除いて、実施例１と実質的に同様の製造
方法によって試料１９〜３６の導電粉末を作製し、試料
１９〜３６の積層セラミックコンデンサを作製した。な
お、各試料の、導電粉末１００重量％に対する酸化物モ
ル換算含有重量、ＳｉＯ₂／ＣａＯのモル比について
は、表２に示す通りである。

【００６４】そこで、試料１９〜３６の積層セラミック
コンデンサについて、デラミネーション発生率、比誘電
率、加速寿命試験による平均故障時間を測定し、さらに
評価を付して、これらを表２にまとめた。なお、各測定
ならびに評価の方法は、実施例１と同様に行なった。そ
して、試料番号２０，２１，２４，２５，２８，２９，
３２，３３が、本発明の範囲内の試料である。

【００６５】

【表２】

【００６６】表２から明らかであるように、導電粉末１
００重量％に対して、化合物Ｂであるメチルトリエトキ
シシランをＳｉＯ₂換算で０．１〜５．０重量％付着さ
せ、かつ化合物Ａであるオクチル酸カルシウムに含有す
るＣａのＣａＯ換算量に対する、化合物Ｂであるメチル
トリエトキシシランに含有するＳｉのＳｉＯ₂換算量の
モル比が０．５〜１０．０の範囲内である、試料２０，
２１，２４，２５，２８，２９の積層セラミックコンデ
ンサは、デラミネーション発生率が何れも０％であり、
比誘電率が３０３０〜３３６０であり、比較例である試
料３５の積層セラミックコンデンサの比誘電率２０５０
と比較して十分に高く、かつ加速寿命試験の平均故障時
間が７３〜９０時間であり、比較例である試料３６の積
層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間と比較し
て極めて長いことから、本発明の特に好ましい範囲内と
なった。

【００６７】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるメチルトリエトキシシランをＳｉＯ₂換算
で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａである
オクチル酸カルシウムに含有するＣａのＣａＯ換算量に
対する、化合物Ｂであるメチルトリエトキシシランに含
有するＳｉのＳｉＯ₂換算量のモル比が０．５を下回
る、試料１９，２３，２７の積層セラミックコンデンサ
は、比誘電率が１７５０〜２０１０であり、比較例であ
る試料３５の積層セラミックコンデンサの比誘電率２０
５０と比較して僅かに劣るが、積層セラミックコンデン
サの比誘電率としては許容可能な範囲内であり、またデ
ラミネーション発生率は何れも０％であり、かつ加速寿
命試験の平均故障時間が７２〜７６時間であり、比較例
である試料１８の積層セラミックコンデンサの平均故障
時間３時間と比較して極めて長い。

【００６８】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるメチルトリエトキシシランをＳｉＯ₂換算
で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａである
オクチル酸カルシウムに含有するＣａのＣａＯ換算量に
対する、化合物Ｂであるメチルトリエトキシシランに含
有するＳｉのＳｉＯ₂換算量のモル比が１０．０を上回
る、試料２２，２６，３０の積層セラミックコンデンサ
は、加速寿命試験の平均故障時間が２７〜３４時間であ
り、上述した本発明の特に好ましい範囲の試料２０，２
１，２４，２５，２８，２９の積層セラミックコンデン
サと比較すると短く劣るが、比較例である試料３６の積
層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間と比較し
て十分に長く、またデラミネーション発生率は何れも０
％であり、かつ比誘電率が２９００〜３３８０であり、
比較例である試料１７の積層セラミックコンデンサの比
誘電率２０５０と比較して十分に高い。

【００６９】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるメチルトリエトキシシランを加水分解させ
てＳｉＯ₂換算で７．０重量％付着させた試料３１〜３
３の積層セラミックコンデンサは、比誘電率が１４８０
〜１５８０であり、比較例である試料３５の積層セラミ
ックコンデンサの比誘電率２０５０と比較して劣り、ま
た加速寿命試験の平均故障時間が２０〜２５時間であ
り、上述した本発明の特に好ましい範囲の試料２０，２
１，２４，２５，２８，２９の積層セラミックコンデン
サと比較すると短く劣るが、積層セラミックコンデンサ
の比誘電率としては許容可能な範囲内であり、また比較
例である試料３６の積層セラミックコンデンサの平均故
障時間３時間と比較して十分に長く、またデラミネーシ
ョン発生率は何れも０％である。

【００７０】これに対して、化合物ＢをＮｉ粉末に付着
させなかった、試料３４〜３６の積層セラミックコンデ
ンサは、デラミネーション発生率が５５〜１００％で高
く劣り、加速寿命試験の平均故障時間は測定不能〜３時
間で極めて低く劣った。なお、試料３４の積層セラミッ
クコンデンサは、デラミネーション発生率が１００％と
なったため、比誘電率ならびに平均故障時間を測定する
ことができなかった。

【００７１】（実施例３）化合物Ａとしてアセチルアセ
トナトバリウムを、化合物Ｂとしてビニルトリエトキシ
シランを用いたことを除いて、実施例１と実質的に同様
の製造方法によって試料３７〜５４の導電粉末を作製
し、試料３７〜５４の積層セラミックコンデンサを作製
した。なお、各試料の、導電粉末１００重量％に対する
酸化物モル換算含有重量、ＳｉＯ₂／ＢａＯのモル比に
ついては、表２に示す通りである。

【００７２】そこで、試料３７〜５４の積層セラミック
コンデンサについて、デラミネーション発生率、比誘電
率、加速寿命試験による平均故障時間を測定し、さらに
評価を付して、これらを表３にまとめた。なお、各測定
ならびに評価の方法は、実施例１と同様に行なった。そ
して、試料番号３８，３９，４２，４３，４６，４７，
５０，５１が、本発明の範囲内の試料である。

【００７３】

【表３】

【００７４】表３から明らかであるように、導電粉末１
００重量％に対して、化合物Ｂであるビニルトリエトキ
シシランをＳｉＯ₂換算で０．１〜５．０重量％付着さ
せ、かつ化合物Ａであるアセチルアセトナトバリウムに
含有するＢａのＢａＯ換算量に対する、化合物Ｂである
ビニルトリエトキシシランに含有するＳｉのＳｉＯ₂換
算量のモル比が０．５〜４．０の範囲内である、試料３
８，３９，４２，４３，４６，４７の積層セラミックコ
ンデンサは、デラミネーション発生率が何れも０％であ
り、比誘電率が３０１０〜３３６０であり、比較例であ
る試料５３の積層セラミックコンデンサの比誘電率２１
４０と比較して十分に高く、かつ加速寿命試験の平均故
障時間が７３〜８０時間であり、比較例である試料５４
の積層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間と比
較して極めて長いことから、本発明の特に好ましい範囲
内となった。

【００７５】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるビニルトリエトキシシランをＳｉＯ₂換算
で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａである
アセチルアセトナトバリウムに含有するＢａのＢａＯ換
算量に対する、化合物Ｂであるビニルトリエトキシシラ
ンに含有するＳｉのＳｉＯ₂換算量のモル比が０．５を
下回る、試料３７，４１，４５の積層セラミックコンデ
ンサは、比誘電率が１７５０〜２０７０であり、比較例
である試料５３の積層セラミックコンデンサの比誘電率
２１４０と比較して僅かに劣るが、積層セラミックコン
デンサの比誘電率としては許容可能な範囲内であり、ま
たデラミネーション発生率は何れも０％であり、かつ加
速寿命試験の平均故障時間が７２〜７６時間であり、比
較例である試料５４の積層セラミックコンデンサの平均
故障時間３時間と比較して極めて長い。

【００７６】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるビニルトリエトキシシランをＳｉＯ₂換算
で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａである
アセチルアセトナトバリウムに含有するＢａのＢａＯ換
算量に対する、化合物Ｂであるビニルトリエトキシシラ
ンに含有するＳｉのＳｉＯ₂換算量のモル比が１０．０
を上回る、試料４０，４４，４８の積層セラミックコン
デンサは、加速寿命試験の平均故障時間が２４〜３６時
間であり、上述した本発明の特に好ましい範囲の試料３
８，３９，４２，４３，４６，４７の積層セラミックコ
ンデンサと比較すると短く劣るが、比較例である試料５
４の積層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間と
比較して十分に長く、またデラミネーション発生率は何
れも０％であり、かつ比誘電率が２３８０〜２９００で
あり、比較例である試料５３の積層セラミックコンデン
サの比誘電率２１４０と比較して十分に高い。

【００７７】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるビニルトリエトキシシランを加水分解させ
てＳｉＯ₂換算で７．０重量％付着させた試料４９〜５
１の積層セラミックコンデンサは、比誘電率が１４８０
〜１５２０であり、比較例である試料５３の積層セラミ
ックコンデンサの比誘電率２１４０と比較して劣り、ま
た加速寿命試験の平均故障時間が２０〜２５時間であ
り、上述した本発明の特に好ましい範囲の試料３８，３
９，４２，４３，４６，４７の積層セラミックコンデン
サと比較すると短く劣るが、積層セラミックコンデンサ
の比誘電率としては許容可能な範囲内であり、また比較
例である試料５４の積層セラミックコンデンサの平均故
障時間３時間と比較して十分に長く、またデラミネーシ
ョン発生率は何れも０％である。

【００７８】これに対して、化合物ＢをＮｉ粉末に付着
させなかった、試料５２〜５４の積層セラミックコンデ
ンサは、デラミネーション発生率が５９〜１００％で高
く劣り、加速寿命試験の平均故障時間は測定不能〜３時
間で極めて低く劣った。なお、試料５２の積層セラミッ
クコンデンサは、デラミネーション発生率が１００％と
なったため、比誘電率ならびに平均故障時間を測定する
ことができなかった。

【００７９】（実施例４）化合物Ａとしてオクチル酸マ
グネシウムを、化合物Ｂとしてトリイソプロポキシアル
ミニウムを用いたことを除いて、実施例１と実質的に同
様の製造方法によって試料５５〜７２の導電粉末を作製
し、試料５５〜７２の積層セラミックコンデンサを作製
した。なお、各試料の、導電粉末１００重量％に対する
酸化物モル換算含有重量、Ａｌ₂Ｏ₃／ＭｇＯのモル比に
ついては、表２に示す通りである。

【００８０】そこで、試料５５〜７２の積層セラミック
コンデンサについて、デラミネーション発生率、比誘電
率、加速寿命試験による平均故障時間を測定し、さらに
評価を付して、これらを表４にまとめた。なお、各測定
ならびに評価の方法は、実施例１と同様に行なった。そ
して、試料番号５６，５７，６０，６１，６４，６５，
６８，６９が、本発明の範囲内の試料である。

【００８１】

【表４】

【００８２】表４から明らかであるように、導電粉末１
００重量％に対して、化合物Ｂであるトリイソプロポキ
シアルミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０．１〜５．０重量％
付着させ、かつ化合物Ａであるオクチル酸マグネシウム
に含有するＭｇのＭｇＯ換算量に対する、化合物Ｂであ
るトリイソプロポキシアルミニウムに含有するＡｌのＡ
ｌ₂Ｏ₃換算量のモル比が０．５〜４．０の範囲内であ
る、試料５６，５７，６０，６１，６４，６５の積層セ
ラミックコンデンサは、デラミネーション発生率が何れ
も０％であり、比誘電率が３１３０〜３４８０であり、
比較例である試料７１の積層セラミックコンデンサの比
誘電率２１４０と比較して十分に高く、かつ加速寿命試
験の平均故障時間が７２〜８３時間であり、比較例であ
る試料７２の積層セラミックコンデンサの平均故障時間
３時間と比較して極めて長いことから、本発明の特に好
ましい範囲内となった。

【００８３】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるトリイソプロポキシアルミニウムをＡｌ₂
Ｏ₃換算で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物
Ａであるオクチル酸マグネシウムに含有するＭｇのＭｇ
Ｏ換算量に対する、化合物Ｂであるトリイソプロポキシ
アルミニウムに含有するＡｌのＡｌ₂Ｏ₃換算量のモル比
が０．５を下回る、試料５５，５９，６３の積層セラミ
ックコンデンサは、比誘電率が２０５０〜２１２０であ
り、比較例である試料７１の積層セラミックコンデンサ
の比誘電率２１４０と比較して僅かに劣るが、積層セラ
ミックコンデンサの比誘電率としては許容可能な範囲内
であり、またデラミネーション発生率は何れも０％であ
り、かつ加速寿命試験の平均故障時間が７９〜８１時間
であり、比較例である試料７２の積層セラミックコンデ
ンサの平均故障時間３時間と比較して極めて長い。

【００８４】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるトリイソプロポキシアルミニウムをＡｌ₂
Ｏ₃換算で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物
Ａであるオクチル酸マグネシウムに含有するＭｇのＭｇ
Ｏ換算量に対する、化合物Ｂであるトリイソプロポキシ
アルミニウムに含有するＡｌのＡｌ₂Ｏ₃換算量のモル比
が４．０を上回る、試料５８，６２，６６の積層セラミ
ックコンデンサは、加速寿命試験の平均故障時間が３２
〜４１時間であり、上述した本発明の特に好ましい範囲
の試料５６，５７，６０，６１，６４，６５の積層セラ
ミックコンデンサと比較すると短く劣るが、比較例であ
る試料７２の積層セラミックコンデンサの平均故障時間
３時間と比較して十分に長く、またデラミネーション発
生率は何れも０％であり、かつ比誘電率が２６００〜３
２１０であり、比較例である試料７１の積層セラミック
コンデンサの比誘電率２１４０と比較して十分に高い。

【００８５】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるトリイソプロポキシアルミニウムを加水分
解させてＡｌ₂Ｏ₃換算で７．０重量％付着させた試料６
７〜６９の積層セラミックコンデンサは、比誘電率が１
６８０〜３１２０であり、比較例である試料７１の積層
セラミックコンデンサの比誘電率２１４０と比較して試
料６９が劣り、また加速寿命試験の平均故障時間が２２
〜２９時間であり、上述した本発明の特に好ましい範囲
の試料５６，５７，６０，６１，６４，６５の積層セラ
ミックコンデンサと比較すると短く劣るが、積層セラミ
ックコンデンサの比誘電率としては許容可能な範囲内で
あり、また比較例である試料７２の積層セラミックコン
デンサの平均故障時間３時間と比較して十分に長く、ま
たデラミネーション発生率は何れも０％である。

【００８６】これに対して、化合物ＢをＮｉ粉末に付着
させなかった、試料７０〜７２の積層セラミックコンデ
ンサは、デラミネーション発生率が５２〜１００％で高
く劣り、加速寿命試験の平均故障時間は測定不能〜３時
間で極めて低く劣った。なお、試料７０の積層セラミッ
クコンデンサは、デラミネーション発生率が１００％と
なったため、比誘電率ならびに平均故障時間を測定する
ことができなかった。

【００８７】（実施例５）化合物Ａとしてギ酸カルシウ
ムを、化合物Ｂとしてジイソプロポキシアセトアルコキ
シアルミニウムを用いたことを除いて、実施例１と実質
的に同様の製造方法によって試料７３〜９０の導電粉末
を作製し、試料７３〜９０の積層セラミックコンデンサ
を作製した。なお、各試料の、導電粉末１００重量％に
対する酸化物モル換算含有重量、Ａｌ₂Ｏ₃／ＣａＯのモ
ル比については、表２に示す通りである。

【００８８】そこで、試料７３〜９０の積層セラミック
コンデンサについて、デラミネーション発生率、比誘電
率、加速寿命試験による平均故障時間を測定し、さらに
評価を付して、これらを表５にまとめた。なお、各測定
ならびに評価の方法は、実施例１と同様に行なった。そ
して、試料番号７４，７５，７８，７９，８２，８３，
８６，８７が、本発明の範囲内の試料である。

【００８９】

【表５】

【００９０】表５から明らかであるように、導電粉末１
００重量％に対して、化合物Ｂであるジイソプロポキシ
アセトアルコキシアルミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０．１
〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａであるギ酸カル
シウムに含有するＣａのＣａＯ換算量に対する、化合物
Ｂであるジイソプロポキシアセトアルコキシアルミニウ
ムに含有するＡｌのＡｌ₂Ｏ₃換算量のモル比が０．５〜
４．０の範囲内である、試料７４，７５，７８，７９，
８２，８３の積層セラミックコンデンサは、デラミネー
ション発生率が何れも０％であり、比誘電率が３１３０
〜３２８０であり、比較例である試料８９の積層セラミ
ックコンデンサの比誘電率２１４０と比較して十分に高
く、かつ加速寿命試験の平均故障時間が７２〜８２時間
であり、比較例である試料９０の積層セラミックコンデ
ンサの平均故障時間３時間と比較して極めて長いことか
ら、本発明の特に好ましい範囲内となった。

【００９１】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるジイソプロポキシアセトアルコキシアルミ
ニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０．１〜５．０重量％付着さ
せ、かつ化合物Ａであるギ酸カルシウムに含有するＣａ
のＣａＯ換算量に対する、化合物Ｂであるジイソプロポ
キシアセトアルコキシアルミニウムに含有するＡｌのＡ
ｌ₂Ｏ₃換算量のモル比が０．５を下回る、試料７３，７
７，８１の積層セラミックコンデンサは、比誘電率が２
０６０〜２１１０であり、比較例である試料８９の積層
セラミックコンデンサの比誘電率２１４０と比較して僅
かに劣るが、積層セラミックコンデンサの比誘電率とし
ては許容可能な範囲内であり、またデラミネーション発
生率は何れも０％であり、かつ加速寿命試験の平均故障
時間が何れも７９時間であり、比較例である試料９０の
積層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間と比較
して極めて長い。

【００９２】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるジイソプロポキシアセトアルコキシアルミ
ニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０．１〜５．０重量％付着さ
せ、かつ化合物Ａであるギ酸カルシウムに含有するＣａ
のＣａＯ換算量に対する、化合物Ｂであるジイソプロポ
キシアセトアルコキシアルミニウムに含有するＡｌのＡ
ｌ₂Ｏ₃換算量のモル比が４．０を上回る、試料７６，８
０，８４の積層セラミックコンデンサは、加速寿命試験
の平均故障時間が２９〜４０時間であり、上述した本発
明の特に好ましい範囲の試料７４，７５，７８，７９，
８２，８３の積層セラミックコンデンサと比較すると短
く劣るが、比較例である試料９０の積層セラミックコン
デンサの平均故障時間３時間と比較して十分に長く、ま
たデラミネーション発生率は何れも０％であり、かつ比
誘電率が２６２０〜３２００であり、比較例である試料
８９の積層セラミックコンデンサの比誘電率２１４０と
比較して十分に高い。

【００９３】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるジイソプロポキシアセトアルコキシアルミ
ニウムを加水分解させてＡｌ₂Ｏ₃換算で７．０重量％付
着させた試料８５〜８７の積層セラミックコンデンサ
は、比誘電率が１３５０であり、比較例である試料８９
の積層セラミックコンデンサの比誘電率２１４０と比較
して試料８５が劣り、また加速寿命試験の平均故障時間
が２０〜２８時間であり、上述した本発明の特に好まし
い範囲の試料７４，７５，７８，７９，８２，８３の積
層セラミックコンデンサと比較すると短く劣るが、積層
セラミックコンデンサの比誘電率としては許容可能な範
囲内であり、また比較例である試料９０の積層セラミッ
クコンデンサの平均故障時間３時間と比較して十分に長
く、またデラミネーション発生率は何れも０％である。

【００９４】これに対して、化合物ＢをＮｉ粉末に付着
させなかった、試料８８〜９０の積層セラミックコンデ
ンサは、デラミネーション発生率が５４〜１００％で高
く劣り、加速寿命試験の平均故障時間は測定不能〜３時
間で極めて低く劣った。なお、試料８８の積層セラミッ
クコンデンサは、デラミネーション発生率が１００％と
なったため、比誘電率ならびに平均故障時間を測定する
ことができなかった。

【００９５】（実施例６）化合物Ａとしてアセチルアセ
トナトバリウムを、化合物Ｂとしてトリブトキシアルミ
ニウムを用いたことを除いて、実施例１と実質的に同様
の製造方法によって試料９１〜１０８の導電粉末を作製
し、試料９１〜１０８の積層セラミックコンデンサを作
製した。なお、各試料の、導電粉末１００重量％に対す
る酸化物モル換算含有重量、Ａｌ₂Ｏ₃／ＢａＯのモル比
については、表２に示す通りである。

【００９６】そこで、試料９１〜１０８の積層セラミッ
クコンデンサについて、デラミネーション発生率、比誘
電率、加速寿命試験による平均故障時間を測定し、さら
に評価を付して、これらを表６にまとめた。なお、各測
定ならびに評価の方法は、実施例１と同様に行なった。
そして、試料番号９２，９３，９６，９７，１０１，１
０２，１０４，１０５が、本発明の範囲内の試料であ
る。

【００９７】

【表６】

【００９８】表６から明らかであるように、導電粉末１
００重量％に対して、化合物Ｂであるトリブトキシアル
ミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０．１〜５．０重量％付着さ
せ、かつ化合物Ａであるアセチルアセトナトバリウムに
含有するＢａのＢａＯ換算量に対する、化合物Ｂである
トリブトキシアルミニウムに含有するＡｌのＡｌ₂Ｏ₃換
算量のモル比が０．５〜４．０の範囲内である、試料９
２，９３，９６，９７，１００，１０１の積層セラミッ
クコンデンサは、デラミネーション発生率が何れも０％
であり、比誘電率が３０８０〜３１４０であり、比較例
である試料１０７の積層セラミックコンデンサの比誘電
率２１４０と比較して十分に高く、かつ加速寿命試験の
平均故障時間が７０〜８３時間であり、比較例である試
料１０８の積層セラミックコンデンサの平均故障時間３
時間と比較して極めて長いことから、本発明の特に好ま
しい範囲内となった。

【００９９】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるトリブトキシアルミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算
で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａである
アセチルアセトナトバリウムに含有するＢａのＢａＯ換
算量に対する、化合物Ｂであるトリブトキシアルミニウ
ムに含有するＡｌのＡｌ₂Ｏ₃換算量のモル比が０．５を
下回る、試料９１，９５，９９の積層セラミックコンデ
ンサは、比誘電率が１５２０〜２１１０であり、比較例
である試料１０７の積層セラミックコンデンサの比誘電
率２１４０と比較して僅かに劣るが、積層セラミックコ
ンデンサの比誘電率としては許容可能な範囲内であり、
またデラミネーション発生率は何れも０％であり、かつ
加速寿命試験の平均故障時間が７７〜８５時間であり、
比較例である試料１０８の積層セラミックコンデンサの
平均故障時間３時間と比較して極めて長い。

【０１００】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物ＢであるトリブトキシアルミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算
で０．１〜５．０重量％付着させ、かつ化合物Ａである
アセチルアセトナトバリウムに含有するＢａのＢａＯ換
算量に対する、化合物Ｂであるトリブトキシアルミニウ
ムに含有するＡｌのＡｌ₂Ｏ₃換算量のモル比が４．０を
上回る、試料９４，９８，１０２の積層セラミックコン
デンサは、加速寿命試験の平均故障時間が３０〜３６時
間であり、上述した本発明の特に好ましい範囲の試料９
２，９３，９６，９７，１００，１０１の積層セラミッ
クコンデンサと比較すると短く劣るが、比較例である試
料１０８の積層セラミックコンデンサの平均故障時間３
時間と比較して十分に長く、またデラミネーション発生
率は何れも０％であり、かつ比誘電率が２６００〜３１
３０であり、比較例である試料１０７の積層セラミック
コンデンサの比誘電率２１４０と比較して十分に高い。

【０１０１】また、導電粉末１００重量％に対して、化
合物Ｂであるトリブトキシアルミニウムを加水分解させ
てＡｌ₂Ｏ₃換算で７．０重量％付着させた試料１０３〜
１０５の積層セラミックコンデンサは、比誘電率が１４
８０〜３０２０であり、比較例である試料１０７の積層
セラミックコンデンサの比誘電率２１４０と比較して試
料１０３，１０４が劣り、また加速寿命試験の平均故障
時間が１８〜２６時間であり、上述した本発明の特に好
ましい範囲の試料９２，９３，９６，９７，１００，１
０１の積層セラミックコンデンサと比較すると短く劣る
が、積層セラミックコンデンサの比誘電率としては許容
可能な範囲内であり、また比較例である試料１０８の積
層セラミックコンデンサの平均故障時間３時間と比較し
て十分に長く、またデラミネーション発生率は何れも０
％である。

【０１０２】これに対して、化合物ＢをＮｉ粉末に付着
させなかった、試料１０６〜１０８の積層セラミックコ
ンデンサは、デラミネーション発生率が５９〜１００％
で高く劣り、加速寿命試験の平均故障時間は測定不能〜
３時間で極めて低く劣った。なお、試料１０６の積層セ
ラミックコンデンサは、デラミネーション発生率が１０
０％となったため、比誘電率ならびに平均故障時間を測
定することができなかった。

【０１０３】

【発明の効果】以上のように、本発明の導電性ペースト
によれば、Ｎｉを主成分とする導電粉末と、有機ビヒク
ルと、Ｍｇ，ＣａおよびＢａから選ばれる少なくとも１
種を含み且つ有機酸金属塩，金属有機錯塩およびアルコ
キシドから選ばれる少なくとも１種からなる化合物Ａ
と、を含有し、導電粉末の表面に、Ａｌまたは／および
Ｓｉを含む加水分解性の反応基を有する化合物Ｂが、付
着し、前記化合物ＢがＡｌを含む場合、前記化合物Ａに
含有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよび
ＢａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＡ
ｌのＡｌ ₂ Ｏ ₃ 換算合計量のモル比は、０．５〜４．０で
あり、かつ、前記化合物ＢがＳｉを含む場合、前記化合
物Ａに含有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯ
およびＢａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有
するＳｉのＳｉＯ ₂ 換算合計量のモル比は、０．５〜１
０．０であることを特徴とすることで、例えば、積層セ
ラミック電子部品の内部電極を形成するために用いられ
る場合に、焼成工程においてデラミネーションが発生せ
ず、耐熱衝撃性と耐湿負荷特性に優れる積層セラミック
電子部品が得られる効果がある。

【０１０４】また、同様に本発明の導電性ペーストによ
れば、Ｎｉを主成分とする導電粉末と、有機ビヒクル
と、を含有し、導電粉末の表面に、Ｍｇ，ＣａおよびＢ
ａから選ばれる少なくとも１種を含有して、かつ有機酸
金属塩，金属有機錯塩およびアルコキシドから選ばれる
少なくとも１種からなる化合物Ａと、Ａｌまたは／およ
びＳｉを含む加水分解性の反応基を有する化合物Ｂと、
が付着し、前記化合物ＢがＡｌを含む場合、前記化合物
Ａに含有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯお
よびＢａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有す
るＡｌのＡｌ ₂ Ｏ ₃ 換算合計量のモル比は、０．５〜４．
０であり、かつ、前記化合物ＢがＳｉを含む場合、前記
化合物Ａに含有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，Ｃ
ａＯおよびＢａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに
含有するＳｉのＳｉＯ ₂ 換算合計量のモル比は、０．５
〜１０．０であることを特徴とすることで、例えば、積
層セラミック電子部品の内部電極を形成するために用い
られる場合に、焼成工程においてデラミネーションが発
生せず、耐熱衝撃性と耐湿負荷特性に優れる積層セラミ
ック電子部品が得られる効果がある。

【０１０５】また、導電粉末の主成分としてＮｉを用い
ることで、積層セラミック電子部品の低コスト化および
セラミック層の薄層化ならびに多層化に寄与し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一つの実施の形態の積層セラミッ
クコンデンサを示す断面図である。

【符号の説明】

１積層セラミック電子部品２セラミック積層体２ａセラミック層３内部電極４端子電極５めっき膜

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｎｉを主成分とする導電粉末と、有機ビ
ヒクルと、Ｍｇ，ＣａおよびＢａから選ばれる少なくと
も１種を含み且つ有機酸金属塩，金属有機錯塩およびア
ルコキシドから選ばれる少なくとも１種からなる化合物
Ａと、を含有し、前記導電粉末の表面に、Ａｌまたは／およびＳｉを含む
加水分解性の反応基を有する化合物Ｂが、付着し、前記化合物ＢがＡｌを含む場合、前記化合物Ａに含有す
るＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ
換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＡｌのＡ
ｌ ₂ Ｏ ₃ 換算合計量のモル比は、０．５〜４．０であり、
かつ、前記化合物ＢがＳｉを含む場合、前記化合物Ａに
含有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよび
ＢａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＳ
ｉのＳｉＯ ₂ 換算合計量のモル比は、０．５〜１０．０
であることを特徴とする、導電性ペースト。
【請求項２】Ｎｉを主成分とする導電粉末と、有機ビ
ヒクルと、を含有し、前記導電粉末の表面に、Ｍｇ，ＣａおよびＢａから選ば
れる少なくとも１種を含有して、かつ有機酸金属塩，酸
化物粉末，金属有機錯塩およびアルコキシドから選ばれ
る少なくとも１種からなる化合物Ａと、Ａｌまたは／お
よびＳｉを含む加水分解性の反応基を有する化合物Ｂ
と、が付着し、前記化合物ＢがＡｌを含む場合、前記化合物Ａに含有す
るＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよびＢａＯ
換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＡｌのＡ
ｌ ₂ Ｏ ₃ 換算合計量のモル比は、０．５〜４．０であり、
かつ、前記化合物ＢがＳｉを含む場合、前記化合物Ａに
含有するＭｇ，ＣａおよびＢａのＭｇＯ，ＣａＯおよび
ＢａＯ換算合計量に対する、前記化合物Ｂに含有するＳ
ｉのＳｉＯ ₂ 換算合計量のモル比は、０．５〜１０．０
であることを特徴とする、導電性ペースト。
【請求項３】前記化合物Ｂの反応基は、アルコキシル
基であることを特徴とする、請求項１または２に記載の
導電性ペースト。
【請求項４】前記化合物Ｂは、アルコキシドであるこ
とを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の導電性
ペースト。
【請求項５】前記化合物Ｂは、アルミニウムキレート
化合物，アルミニウムアルコキシド，シランモノマー，
シリコンアルコキシドから選ばれる少なくとも１種を含
有することを特徴とする、請求項１または２に記載の導
電性ペースト。
【請求項６】前記化合物Ｂの付着量は、前記導電粉末
１００重量％に対してＳｉＯ₂およびＡｌ₂Ｏ₃換算で
０．１〜５．０重量％であることを特徴とする、請求項
１〜５の何れかに記載の導電性ペースト。
【請求項７】複数の積層されたセラミック層と、前記
セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電
極とを含む、セラミック積層体とを備える、積層セラミ
ック電子部品であって、前記内部電極は、請求項１〜６
の何れかに記載の導電性ペーストを焼成して形成された
ものであることを特徴とする、積層セラミック電子部
品。
【請求項８】前記積層体の端面上の互いに異なる位置
に設けられる複数の端子電極をさらに備え、複数の前記
内部電極は、何れかの前記端子電極に電気的に接続され
ているように形成されていることを特徴とする、請求項
７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】前記セラミック層は、チタン酸バリウム
を主成分とする誘電体セラミックからなることを特徴と
する、請求項７または８に記載の積層セラミック電子部
品。