KR101032344B1 - Mlcc의 내부전극용 페이스트 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초고용량 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법은 니켈(Ni) 혼합분말을 제조하는 단계와, 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재분말을 제조하는 단계와, 바인더 1 내지 20중량%와 유기용제 40 내지 80중량%와 가소제로 DOP(di-2-ethylhexyl phthalate) 0.1 내지 2중량%를 혼합한 후 여과하여 유기 비히클을 제조하는 단계와, 니켈(Ni) 혼합분말과 유기 비히클과 분산제로 글리세릴 모노올레인산을 플래너터리 믹서로 균질하게 혼합한 후 침강방지제로 나트륨 코코일 글루탐산을 첨가하여 50,000 내지 90,000cps 점도에서 3-롤 밀로 분산시켜 니켈(Ni) 금속 페이스트를 제조하는 단계와, 희토류 코팅 세라믹 공재 분말과 유기 비히클과 분산제로 노닐페놀 에톡실레이트 포스페이트 에스테르를 혼합하여 100 내지 3,000cps 점도에서 바스켓 밀로 분산시켜 세라믹 공재 슬러리를 제조하는 단계와, 니켈(Ni) 금속 페이스트 40 내지 60중량%와 세라믹 공재 슬러리 40 내지 60중량%를 혼합한 후 여과 및 기포를 제거하여 내부전극용 페이스트를 제조하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다.
Figure R1020080060342
MLCC, 페이스트, 내부전극, 분말, Ni, 니켈, 희토류

Description

MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법{Method for manufacturing paste for internal electrode of high multi layer ceramic capacitor}
본 발명은 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 니켈(Ni) 분말과 세라믹 공재분말의 코팅을 통해 내부전극용 페이스트를 이용하여 MLCC의 내부전극을 형성 시 산화 개시 온도를 높이고 아울러 세라믹 공재분말과 니켈(Ni) 분말간의 분리에 의해 부유되는 것을 방지할 수 있는 초고용량 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법에 관한 것이다.
MLCC(Multi Layer Ceramic Capacitor: 적층 세라믹 커패시터), 칩 인덕터(Chip Inductor)와 같은 칩 부품의 내부전극 등에 내부전극용 페이스트가 사용된다. 내부전극용 페이스트가 사용되는 예를 MLCC를 이용하여 설명하면 다음과 같다. MLCC는 그린시트에 내부전극용 페이스트를 도포하여 내부전극을 형성한 후 이를 번갈아 포개지도록 적층, 압착 후 절단한다. 절단한 칩을 200 내지 700℃ 범위에서 유기물 탈지한 후 이를 1100 내지 1400℃에서 소결한다. 소결한 칩을 연마한 후 외부전극을 형성하여 도 1에서와 같은 MLCC를 제조한다.
도 1은 종래의 MLCC의 부분 절개 사시도로, 도 1에서와 같이 MLCC(10)는 내 부전극(12)이 형성된 적층체(11) 및 내부전극(12)을 연결하는 한 쌍의 외부전극(13)으로 이루어지며, 외부전극(13)은 은(Ag)이나 구리(Cu) 등의 도전성 금속재질이 적용된다. 여기서, 도 1에 도시된 내부전극(12)은 연결이 끊어진 비정상적인 상태를 도시 하고 있다.
적층체(11)는 다수개의 내부전극(12)이 형성된 그린시트(도시 않음)를 적층하여 형성되는 것으로, 그린시트는 티탄산바륨(BaTiO3)계 유전체 재료와 유기 바인더를 혼합한 후 닥터 블레이드(doctor blade) 방법, 립 캐스팅(lip casting) 방법 등에 의해 제조된다. 이러한 적층체(11)는 유전체 재료의 입자크기가 300nm이상의 크기를 적용한 2.0㎛이상 그린시트의 두께를 적용하여 400층 이하를 적층하여 제작하였으나 전자기기의 소형화, 박층화, 고성능화 요구에 따라 고적층, 고용량 MLCC의 수요가 증가하고 있으며 이를 해결하고자 2.0㎛이하 그린시트의 두께를 적용하여 1,000층 이상을 적층한 제품을 개발 및 양산하고 있다.
내부전극(12)은 은(Ag), 팔라디윰(Pd), 백금(Pt), Ag-Pd합금(Ag-Pd)등이 적용될 수 있으며 최근에는 경제성을 고려하여 니켈(Ni), 구리(Cu)등이 적용된다. 이러한 내부전극(12)을 형성 시 일반적으로 스크린 인쇄방법이 적용되며, 스크린 인쇄방법으로 내부전극(12)을 형성하기 위해 내부전극(12)은 페이스트의 형태가 적용된다.
내부전극(12)용 페이스트는 습식이나 건식제조방법을 이용하여 제조된 니켈(Ni) 분말을 선정한 후, 세라믹 공재 분말과 유기 비히클을 혼합하여 제조한다. 이러한 내부전극용 페이스트의 제조 시 니켈(Ni) 분말은 그린시트의 두께가 2.0㎛이하인 경우에 200 내지 300nm의 입자크기를 갖는 미립 분말이 사용된다. 또한, 내부전극(12)에 수축율 제어를 위한 세라믹 공재의 경우도 30 내지 100nm 크기의 세라믹 분말을 적용하고 있다.
상기 종래의 고적층 MLCC에 적용되는 내부전극용 페이스트는 니켈(Ni) 분말과 세라믹 공재분말의 밀도차로 인해 세라믹 공재분말이 부유할 수 있게 된다. 이와 같이 세라믹 공재분말이 부유하는 경우에 적층체를 1100℃ 이상의 고온 영역에서 소결 시 세라믹 공재분말과 니켈(Ni) 분말이 서로 다르게 소결되어 내부전극이 끊어지거나 디라미네이션(delamination) 또는 크랙(crack) 등이 발생되는 문제점이 있다.
또한, 니켈(Ni) 분말이 미립화되는 경우에 분말간의 정전기력에 의해 응집이 되려는 에너지가 높아짐으로 인해 분말 분산이 어려워져 페이스트의 표면조도 및 밀도가 불균일하여 그린시트와의 접착력이 작아지게 되거나 내부전극이 단락되어 도전성이 저하되고 손실이 증가하거나 MLCC의 용량이 감소하게 되는 문제점이 있다.
또한, 니켈(Ni)의 분말의 비표면적이 커져 산화 개시 온도가 낮아짐으로 인해 바인더 탈지 온도를 높이지 못해 잔류 카본에 의한 신뢰성을 저하 시킬 수 있으며, 세라믹 공재는 그린시트의 재료로 사용되는 유전체 재료에 첨가되는 산화마그 네슘(MgO), 산화망간(Mn3O4), 산화규소(SiO2)와 반응하여 내부전극과 유전체 재료 사이에 다른 계면을 형성하여 MLCC의 전기적 신뢰성 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 산화 개시 온도를 높임과 아울러 세라믹 공재분말이 부유되는 것을 방지할 수 있는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 세라믹 공재분말이 부유되는 것을 방지함으로써 세라믹 공재의 부유로 인해 MLCC의 적층체를 고온 소결 시 세라믹 공재분말과 니켈(Ni) 분말이 서로 다르게 소결됨으로 인해 발생될 수 있는 내부전극의 끊어짐, 디라미네이션(delamination) 또는 크랙이 발생되는 것을 방지함과 아울러 전기적인 신뢰성을 개선시킬 수 있는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 니켈(Ni) 분말이나 세라믹 공재분말에 희토류를 코팅함으로써 내부전극과 유전체 재료 사이에 유전체 재료와 다른 상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명의 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법은 니켈(Ni) 분말 60 내지 90중량%와 희토류 금속산화물이 코팅된 희토류 코팅 니켈(Ni) 분말 10 내지 40중량%를 혼합하여 니켈(Ni) 혼합분말을 제조하는 단계와, 세라믹 공재 분말의 표면에 희토류 금속산화물과 첨가물을 코팅하여 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재분말을 제조하는 단계와, 바인더 1 내지 20중량%와 유기용제 40 내지 80중량%와 가소제로 DOP(di-2-ethylhexyl phthalate) 0.1 내지 2중량%를 혼합한 후 여과하여 유기 비히클을 제조하는 단계와, 니켈(Ni) 혼합분말과 유기 비히클과 분산제로 글리세릴 모노올레인산(glycerol-alpha-monooleate)을 플래너터리 믹서로 균질하게 혼합한 후 침강방지제로 나트륨 코코일 글루탐산(sodium cocoyl glutamic acid)을 첨가하여 50,000 내지 90,000cps 점도에서 3-롤 밀(roll mill)로 분산시켜 니켈(Ni) 금속 페이스트를 제조하는 단계와, 희토류 코팅 세라믹 공재 분말과 유기 비히클과 분산제로 노닐페놀 에톡실레이트 포스페이트 에스테르(nonylphenol ethoxylate phosphate ester)를 혼합하여 100 내지 3,000cps 점도에서 바스켓 밀(basket mill)로 분산시켜 세라믹 공재 슬러리를 제조하는 단계와, 니켈(Ni) 금속 페이스트 40 내지 60중량%와 세라믹 공재 슬러리 40 내지 60중량%를 혼합한 후 여과 및 기포를 제거하여 내부전극용 페이스트를 제조하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명의 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법은 글리세릴 모노올레인산을 이용하여 니켈(Ni) 분말에 나노 코팅층을 형성하여 산화 개시 온도를 높여 바인더 탈지 온도를 높여 잔류 카본을 줄일 수 있으며 산화니켈(NiO)로의 변화를 최소화하여 내부전극의 도전성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점을 제공한다.
또한, 아미노산 금속성 계면활성제인 나트륨 코코일 글루탐산을 첨가함으로서 니켈(Ni) 분말과 세라믹 공재간의 비중차 및 이온차에 의한 응집 및 분산을 최적화하여 세라믹 공재분말이 부유되는 것을 방지함으로 인쇄성 및 분산성이 우수한 페이스트 특성을 얻을 수 있는 이점을 제공한다.
또한, 금속분말 및 세라믹 공재에 희토류계 코팅을 통해 MLCC의 적층체를 고온 소결 시 유전체 세라믹과 내부전극간의 계면반응에 의해 유전체 세라믹 조성의 불균일을 최소화하여 신뢰성 저하를 개선시킬 수 있으며, 니켈(Ni) 분말과 세라믹 공재분말이 서로 다르게 소결되어 발생될 수 있는 내부전극의 끊어짐, 디라미네이션(delamination) 또는 크랙이 발생되는 것을 방지할 수 있는 이점을 제공한다.
본 발명의 페이스트 제조 방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2에서와 같이 본 발명의 MLCC(10: 도 1에 도시됨)의 내부전극용 페이스트 제조방법은 먼저, 니켈(Ni) 분말 60 내지 90중량%와 희토류 금속산화물이 코팅된 희토류 코팅 니켈(Ni) 분말 10 내지 40중량%를 혼합하여 니켈(Ni) 혼합분말을 제조한다(S10).
니켈(Ni) 혼합분말을 제조하기 위해 먼저, 니켈(Ni) 분말을 준비한다(S11). 이 단계(S11)에서 준비되는 니켈(Ni) 분말은 건식방법으로 제조된 분말로 유기물이 코팅되지 않은 니켈(Ni) 분말이 사용되며, 분말의 입자크기는 100 내지 400nm 정도가 되는 것을 준비한다. 이와 같이 유기물이 코팅되지 않은 건식방법으로 제조된 니켈(Ni) 분말은 습식법에 비하여 저가로 구매가 가능하며 이로 인해 MLCC(10)의 내부전극용 페이스트의 제조 시 제조원가를 절감할 수 있다. 여기서, 니켈(Ni) 분말의 제조방법인 건식방법은 공지된 기술(CVD(chemical vapoor deposition)방법, PVD(physical vapor deposition)방법)이 적용됨으로 상세한 설명은 생략한다.
니켈(Ni) 분말이 준비되면 니켈(Ni) 분말의 표면에 산화이트륨(Y2O3), 산화에르븀(Er2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3) 중 하나의 희토류 금속산화물을 선택하여 SHS(self propagation high-temperature synthesis)방법과 EB(electron beam)증착방법 중 하나를 이용하여 코팅(coating)한다(S12). 희토류가 코팅된 니켈(Ni) 분말의 제조 시 니켈(Ni) 분말의 표면에 코팅된 희토류 금속산화물의 두께는 5 내지 50nm가 되도록 한다.
SHS방법이나 EB증착 방법을 이용하여 희토류 코팅 니켈(Ni) 분말이 제조되면 니켈(Ni) 분말 60 내지 90중량%와 희토류가 코팅된 니켈(Ni) 분말 10 내지 40중량%를 혼합하여(S13) 니켈(Ni) 혼합하여(S13) 니켈(Ni) 혼합분말을 제조한다.
상기 과정을 통해 니켈(Ni) 혼합분말을 제조하는 한편, 세라믹 공재 분말의 표면에 희토류 금속산화물과 첨가물을 코팅하여 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재분말을 제조한다(S20).
세라믹 공재 분말에 의해 소결 수축 제어에 도움이 되지만 100nm 이하의 공재를 적용 시 내부전극(12)과 그린시트의 재료인 유전체 재료 사이의 반응을 최소화하기 위한 희토류 코팅 세라믹 공재분말을 제조하기 위해 먼저, 세라믹 공재 분말을 준비한다(S21). 여기서, 세라믹 공재분말의 재질은 MLCC(10)의 적층체(11)와 동일한 재질이나 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄지르코늄산바륨(Ba(TiZr)O3), BaTiO3-Y2O3 (희토류계)-MgO-Mn3O4-SiO2계 중 하나가 선택되어 적용되며, 입자 크기는 30 내지 200nm 범위인 것을 준비한다.
세라믹 공재분말이 준비되면 희토류 금속산화물 및 첨가물을 코팅하여(S22) 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재 분말을 제조한다. 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재 분말의 제조 시 세라믹 공재 분말의 표면에 코팅되는 희토류 및 첨가물의 두께는 5 내지 50nm이며, 희토류 금속산화물의 재질은 산화이트륨(Y2O3), 산화에르븀(Er2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3) 중 하나가 적용되며, 첨가물은 산화마그네슘(MgO), 산화망간(Mn3O4), 산화규소(SiO2)를 첨가시킨다. 이러한 희토류 금속산화물과 첨가물의 코팅은 SHS방법과 EB증착방법 중 하나가 적용되며, 세라믹 공재 분말에 희토류 금속산화물과 첨가물을 코팅함으로써 적층체(11)의 그린시트의 재료인 유전체 세라믹과 동일한 조성을 갖도록 한다.
이와 같이 니켈(Ni) 분말이나 세라믹 공재분말에 희토류 금속산화물을 코팅하는 것은 내부전극(12: 도 1에 도시됨)의 계면에 2차상이 형성되는 것을 방지하여 전기적인 신뢰성 및 유전특성을 개선시키는 데 있다. 예를 들어, 그린시트의 재료인 X7R이 적용되는 경우에 티탄산바륨(BaTiO3)을 주조성으로 하고 첨가제로 산화이트륨(Y2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화망간(Mn3O4), 산화규소(SiO2), 유리 프릿(glass frit) 등을 첨가하며, 특히 고적층하여 고용량 MLCC를 제조하기 위해 입자크기가 200nm가 되는 티탄산바륨(BaTiO3)을 적용하는 경우에 유리 프릿(glass frit)을 저온 소결 조제로 사용하기 어렵기 때문에 입자크기가 100nm 이하인 이산화규소(SiO2)를 적용하여 저온 소결한다.
100nm 급 이하 산화규소(SiO2)를 이용하여 저온 소결하는 경우에 그린시트의 재료인 X7R(BaTiO3-Y2O3-MgO-Mn3O4-SiO2)와 내부전극(12: 도 1에 도시됨)용으로 적용하는 니켈(Ni)이 상호 반응하여 내부전극(12: 도 1에 도시됨)의 전극 계면에 2차상을 형성하여 절연 특성 및 신뢰성을 저하된다. 이를 개선하기 위해 니켈(Ni) 분말이나 세라믹 공재분말에 희토류를 코팅함으로써 내부전극(12)의 계면에 2차상이 형성되는 것을 방지하여 전기적인 신뢰성 및 유전특성을 개선시킨다. 즉, 니켈(Ni) 분말이나 세라믹 공재분말에 희토류를 코팅함으로써 내부전극(12)과 유전체 재료 사이에 유전체 재료와 다른 상이 발생되는 것을 방지하여 MLCC의 전기적인 신뢰성 및 유전특성을 개선시킬 수 있다.
상기 과정을 통해 니켈(Ni) 혼합분말과 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재 분말을 제조함과 아울러 유기 비히클을 제조한다(S30).
유기 비히클은 바인더 1 내지 20중량%와 유기용제 40 내지 80중량%와 가소제로 DOP(di-2-ethylhexyl phthalate) 0.1 내지 2중량%를 혼합한 후 여과하여 제조하며, 유기 비히클의 여과 시 1㎛의 카트리지 필터가 적용된다.
유기 비히클의 제조 시 사용되는 바인더는 에틸셀룰로우스계(Ethyl Cellulose, EC)를 사용하며 분자량이 180,000 ~ 300,000인 수지가 사용된다. 이러 한 바인더는 유기용제로 터피네올(Terpineol) 계열이 사용되는 경우에 터피네올 계열과 상용성이 좋아 잘 용해되어 접착력이 높아진다. 또한, 유기용제는 터피네올(Terpineol), 알파 터피네올(α-Terpineol), 디하이드로 터피네올(Dethydro-Terpineol), 디하이드로 터피네올 아세테이트(Dethydro-Terpineol-Acetate) 중 하나가 적용된다. 유기용제로 터피네올이 적용되는 경우에 그린시트에 내부전극용 도전성 페이스트를 도포 시 그린시트와의 어택(attack)성이 적고 가격이 저렴한 탄화수소계열이 적용된다.
가소제는 프탈산계로 DOP(di-2-ethylhexyl phthalate)가 적용된다. 이러한 가소제는 강한 분자간력으로 응집하고 있는 바인더 즉, 에틸세룰로우스를 연화시켜 인쇄성을 향상시킨다.
니켈(Ni) 혼합분말과 희토류 코팅 세라믹 공재 분말과 유기 비히클이 제조되면 니켈(Ni) 혼합분말과 유기 비히클과 분산제로 글리세릴 모노올레인산(glycerol-alpha-monooleate)을 플래너터리 믹서로 균질하게 혼합한 후 침강방지제로 나트륨 코코일 글루탐산(sodium cocoyl glutamic acid)을 첨가하여 50,000 내지 90,000cps 점도에서 3-롤 밀(roll mill)로 분산시켜 니켈(Ni) 금속 페이스트를 제조한다(S40).
니켈(Ni) 금속 페이스트의 제조 시 니켈(Ni) 혼합분말 30 내지 70중량%, 유기 비히클 10 내지 50중량%, 분산제인 글리세릴 모노올레인산(glycerol-alpha-monooleate, 화학식: CH3(CH2)7CH = CH(CH2)7COOCH2CCH2OHH) 0.1 내지 3중량%와 침강방지제인 아미노산 금속성 계면활성제인 나트륨 코코일 글루탐산(sodium cocoyl glutamic acid: 화학식은 도 3에 도시됨)으로서 pH가 7.0에서 9.0인 것을 0.1 내지 5중량%를 첨가한다.
글리세릴 모노올레인산은 유기 코팅(coating)막으로 작용하여 바인더 탈지 온도를 높이지 못해 카본이 잔류함으로써 발생될 수 있는 MLCC(10: 도 1에 도시됨)의 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다. 아미노산 금속성 계면활성제인 나트륨 코코일 글루탐산이 적용되는 계면 활성제는 입자의 표면에 흡착되어 입자간의 정전기력 혹은 팅김(고분자막 같은)으로 분말간의 흡착을 방해하여 분산성을 개선시키며, 금속 분말간의 흡착을 방해하여 밀도차로 인해 세라믹 공재분말이 부유되는 것을 방지하기 위해 첨가된다. 즉, 니켈(Ni) 분말과 세라믹 공재간의 비중차 및 이온차에 의한 응집 및 분산을 최적화하여 세라믹 공재분말이 부유되는 것을 방지한다.
또한, 니켈(Ni) 금속 페이스트의 제조 시 니켈(Ni) 분말의 습윤성 악화로 인해 니켈(Ni) 분말과 세라믹 공재분말 사이에 밀도차가 발생되고, 이로 인해 세라믹 공재가 부유하여 1000℃ 이상의 고온 영역에서 적층체(11: 도 1에 도시됨)의 소결 시 세라믹 공재와 니켈(Ni) 분말이 서로 다르게 소결되어 내부전극(12: 도 1에 도시됨)이 끊어지거나 적층체(11)가 디라미네이션(delamination)되거나 크랙(crack)등이 발생되는 것을 방지한다.
니켈(Ni) 금속 페이스트의 제조와 함께 희토류 코팅 세라믹 공재 분말과 유기 비히클과 분산제로 노닐페놀 에톡실레이트 포스페이트 에스테르(nonylphenol ethoxylate phosphate ester)를 혼합하여 100 내지 3,000cps 점도에서 바스켓 밀(basket mill)로 분산시켜 세라믹 공재 슬러리를 제조한다(S50). 즉, 세라믹 공재 페이스트를 저 점도(100 내지 3,000cps) 분산시켜 제조한다. 세라믹 공재 슬러리의 제조 시 세라믹 공재 분말 30 내지 70중량%, 유기 비히클 10 내지 50중량%, 분산제로 노닐페놀 에톡실레이트 포스페이트 에스테르 0.1 내지 5중량%를 혼합하여 제조한다.
니켈(Ni) 금속 페이스트와 세라믹 공재 페이스트가 제조되면 니켈(Ni) 금속 페이스트 40 내지 60중량%와 세라믹 공재 페이스트 40 내지 60중량%를 혼합한 후 여과 및 기포를 제거하여 내부전극용 페이스트를 제조한다(S60). 페이스트 혼합은 3-롤밀로하며 내부전극용 페이스트가 제조되면 이를 400 메쉬 필터(mesh filter)에서 1차 여과한 후 다시 1400 내지 2000 메쉬 필터에서 2차 여과한다. 여과가 완료된 내부전극용 페이스트를 다시 진공 상태에서 미세 기포를 제거하여 페이스트가 균질하게 되도록 제조하여 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조를 완료하게 된다. 최종 페이스트의 점도는 용매와 희석제를 이용하여 12,000 ~ 25, 000 cps로 점도를 조절한다.
본 발명의 고적층용 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법은 박막의 적층 유전체를 고적층하여 고용량 MLCC를 제작하는 분야에 적용 할 수 있다. 특히, 고 신뢰성이 요구되는 전자부품 전극 제조에 적용 할 수 있으며 저가 이면서도 분산 특성이 우수한 페이스트 제조 방법으로 적용이 가능하다.
도 1은 종래의 MLCC의 부분 절개 사시도,
도 2는 본 발명의 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법을 나타낸 흐름도,
도 3은 도 2에 도시된 니켈(Ni) 금속 페이스트를 제조단계에서 분산제로 사용되는 나트륨 코코일 글루탐산의 화학식.

Claims (8)

  1. 니켈(Ni) 분말 60 내지 90중량%와 희토류 금속산화물이 코팅된 희토류 코팅 니켈(Ni) 분말 10 내지 40중량%를 혼합하여 니켈(Ni) 혼합분말을 제조하는 단계와,
    세라믹 공재분말의 표면에 희토류 금속산화물과 첨가물을 코팅하여 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재분말을 제조하는 단계와,
    바인더 1 내지 20중량%와 유기용제 40 내지 80중량%와 가소제로 DOP(di-2-ethylhexyl phthalate) 0.1 내지 2중량%를 혼합한 후 여과하여 유기 비히클을 제조하는 단계와,
    상기 니켈(Ni) 혼합분말과 상기 유기 비히클과 분산제로 글리세릴 모노올레인산(glycerol-alpha-monooleate)을 플래너터리 믹서로 균질하게 혼합한 후 침강방지제로 나트륨 코코일 글루탐산(sodium cocoyl glutamic acid)을 첨가하여 50,000 내지 90,000cps 점도에서 3-롤 밀(roll mill)로 분산시켜 니켈(Ni) 금속 페이스트를 제조하는 단계와,
    상기 희토류 코팅 세라믹 공재 분말과 상기 유기 비히클과 분산제로 노닐페놀 에톡실레이트 포스페이트 에스테르(nonylphenol ethoxylate phosphate ester)를 혼합하여 100 내지 3,000cps 점도에서 바스켓 밀(basket mill)로 분산시켜 세라믹 공재 슬러리를 제조하는 단계와,
    상기 니켈(Ni) 금속 페이스트 40 내지 60중량%와 상기 세라믹 공재 슬러리 40 내지 60중량%를 혼합한 후 여과 및 기포를 제거하여 내부전극용 페이스트를 제조하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 니켈(Ni) 혼합분말을 제조하는 단계는 니켈(Ni) 분말을 준비하는 단계와,
    상기 니켈(Ni) 분말의 표면에 산화이트륨(Y2O3), 산화에르븀(Er2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3) 중 하나의 희토류 금속산화물을 선택하여 SHS(self propagation high-temperature synthesis)방법과 EB(electron beam)증착방법 중 하나를 이용하여 코팅하는 단계와,
    상기 니켈(Ni) 분말 60 내지 90중량%와 희토류 코팅 니켈(Ni) 분말 10 내지 40중량%를 혼합하는 단계로 구성되며,
    상기 니켈(Ni) 분말은 건식방법으로 제조되고 입자 크기는 100 내지 400nm이며, 상기 희토류 코팅 니켈(Ni) 분말의 표면에 코팅된 희토류 금속산화물의 두께는 5 내지 50nm임을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 희토류 및 첨가물 코팅 세라믹 공재분말을 제조하는 단계는 세라믹 공재분말을 준비하는 단계와,
    상기 세라믹 공재분말이 준비되면 희토류 금속산화물 및 첨가물을 코팅하는 단계로 구성되며,
    상기 세라믹 공재분말의 재료는 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄지르코늄산바륨(Ba(TiZr)O3), BaTiO3-Y2O3(희토류계)-MgO-Mn3O4-SiO2계 중에서 하나가 적용되고, 입자 크기는 30 내지 200nm이며, 상기 세라믹 공재분말에 코팅된 희토류 및 첨가물의 두께는 5 내지 50nm임을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 희토류 금속산화물 및 첨가물을 코팅하는 단계에서 희토류 금속산화물은 산화이트륨(Y2O3), 산화에르븀(Er2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3) 중 하나가 적용되고, 첨가물은 산화마그네슘(MgO), 산화망간(Mn3O4),산화규소(SiO2)가 적용되며, 희토류 금속산화물 및 첨가물의 코팅방법은 SHS방법과 EB증착방법 중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기 비히클을 제조하는 단계에서 상기 바인더는 에틸셀룰로우스계, 부틸랄계, 아크릴계 중 하나가 적용되며, 상기 유기용제는 터피네올, 알파 터피네올, 디하이드로 터피네올, 디하이드로 터피네올 아세테이트 중 하나가 적용됨을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 비히클을 제조하는 단계에서 여과 시 1㎛의 카트리지 필터가 적용됨을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 니켈(Ni) 금속 페이스트를 제조하는 단계에서 나트륨 코코일 글루탐산(sodium cocoyl glutamic acid)의 산도는 pH가 7.0에서 9.0인 것이 적용됨을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 내부전극용 페이스트를 제조하는 단계에서 내부전극용 페이스트의 점도는 12,000 ~ 25,000 cps임을 특징으로 하는 MLCC의 내부전극용 페이스트 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170112381A (ko) 2016-03-31 2017-10-12 삼성전기주식회사 세라믹 조성물 및 이를 포함하는 적층형 커패시터
KR102466461B1 (ko) * 2021-04-28 2022-11-11 삼화콘덴서공업 주식회사 적층 세라믹 커패시터의 제조방법
CN113270270B (zh) * 2021-05-27 2022-04-05 广东省先进陶瓷材料科技有限公司 一种抗氧化镍浆及其制备方法与应用
CN114496347A (zh) * 2022-01-12 2022-05-13 广东风华高新科技股份有限公司 一种内电极浆料及其制备方法与应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198252A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストならびに導電性ペーストの製造方法、および積層セラミック電子部品。
JP2003187638A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd グラビア印刷用導電性ペーストおよびその製造方法、ならびに積層セラミック電子部品
KR20070022766A (ko) * 2004-08-30 2007-02-27 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 도전성 니켈 페이스트
JP2008053488A (ja) 2006-08-25 2008-03-06 Tdk Corp 導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198252A (ja) 2000-12-26 2002-07-12 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストならびに導電性ペーストの製造方法、および積層セラミック電子部品。
JP2003187638A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd グラビア印刷用導電性ペーストおよびその製造方法、ならびに積層セラミック電子部品
KR20070022766A (ko) * 2004-08-30 2007-02-27 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 도전성 니켈 페이스트
JP2008053488A (ja) 2006-08-25 2008-03-06 Tdk Corp 導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101383253B1 (ko) 2012-04-19 2014-04-10 삼화콘덴서공업주식회사 적층세라믹커패시터의 내부전극용 금속페이스트 제조방법

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