JP2019149392A - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019149392A JP2019149392A JP2018031512A JP2018031512A JP2019149392A JP 2019149392 A JP2019149392 A JP 2019149392A JP 2018031512 A JP2018031512 A JP 2018031512A JP 2018031512 A JP2018031512 A JP 2018031512A JP 2019149392 A JP2019149392 A JP 2019149392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- electrode layer
- less
- ceramic capacitor
- multilayer ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Abstract
Description
図1は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ100の部分断面斜視図である。図1で例示するように、積層セラミックコンデンサ100は、直方体形状を有する積層チップ10と、積層チップ10のいずれかの対向する2端面に設けられた外部電極20a,20bとを備える。なお、積層チップ10の当該2端面以外の4面のうち、積層方向の上面および下面以外の2面を側面と称する。外部電極20a,20bは、積層チップ10の積層方向の上面、下面および2側面に延在している。ただし、外部電極20a,20bは、互いに離間している。
まず、図2で例示するように、誘電体層11を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層11に含まれるAサイト元素およびBサイト元素は、通常はABO3の粒子の焼結体の形で誘電体層11に含まれる。例えば、BaTiO3は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このBaTiO3は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層11を構成するセラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル−ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み0.8μm以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
このようにして得られた成型体を、250〜500℃のN2雰囲気中で脱バインダ処理した後に、酸素分圧10−5〜10−8atmの還元雰囲気中で1100〜1300℃で10分〜2時間焼成することで、各化合物が焼結して粒成長する(緻密化する)。このようにして、積層セラミックコンデンサ100が得られる。なお、焼成条件を調整することで、内部電極層12に残存する共材の残存量を調整することができる。具体的には、焼成工程において昇温速度を大きくすることで、共材が金属導電ペーストから吐き出される前に主成分金属が焼結するため、共材が内部電極層12に残存しやすくなる。例えば、内部電極層12における共材の残存量を多くする観点から、焼成工程において室温から最高温度までの平均昇温速度は、30℃/分以上とすることが好ましく、45℃/分以上とすることがより好ましい。なお、平均昇温速度が大きすぎると、成型体に残留する有機成分の排出が十分に行われず、焼成工程中にクラックが発生するなどの不具合が生じるおそれがある。あるいは、成型体の焼結に内外差が発生することで緻密化が不十分となり、静電容量が低下するなどの不具合が生じるおそれがある。そこで、平均昇温速度を、80℃/分以下とすることが好ましく、65℃/分以下とすることがより好ましい。
その後、N2ガス雰囲気中で600℃〜1000℃で再酸化処理を行ってもよい。
(めっき処理工程)
その後、めっき処理により、外部電極20a,20bの下地層に、Cu,Ni,Sn等の金属コーティングを行う。
平均粒径が100nm(比表面積10m2/g)のチタン酸バリウム粉末に必要な添加物を添加し、ボールミルで十分に湿式混合粉砕して誘電体材料を得た。誘電体材料に有機バインダおよび溶剤を加えてドクターブレード法にて誘電体グリーンシートを作製した。誘電体グリーンシートの塗工厚みを0.8μmとし、有機バインダとしてポリビニルブチラール(PVB)等を用い、溶剤としてエタノール、トルエン酸等を加えた。その他、可塑剤などを加えた。
比較例1〜5においては、図3に示すように、内部電極形成用導電ペーストの主成分金属(Ni)の粉末に、平均粒径が70nm、粒径の標準偏差が12、累積粒度分布の傾きが8のものを用いた。共材には、平均粒径が29nm、粒径の標準偏差が8.7、累積粒度分布の傾きが5のものを用いた。また、共材の添加量は、比較例1では2.5部、比較例2では5部、比較例3では10部、比較例4では20部、比較例5では25部とした。
図4(a)〜図4(d)は、長さ方向、幅方向、及び高さ方向における中央付近での誘電体層11と内部電極層12との積層方向における断面のSEM(走査型電子顕微鏡)写真を描いた図である。図4(a)は、セラミック積層体を900℃で焼成した場合の比較例3のSEM写真であり、図4(b)は、セラミック積層体を1250℃で焼成した場合の比較例3のSEM写真である。図4(c)は、セラミック積層体を900℃で焼成した場合の実施例3のSEM写真であり、図4(d)は、セラミック積層体を1250℃で焼成した場合の実施例3のSEM写真である。図4(b)及び図4(d)の結果から、誘電体層11と内部電極層12との積層方向における内部電極層12の算術平均粗さRa及び最大高さRzを計測した。なお、内部電極層12が途切れた箇所102では、内部電極層12の積層方向での高さを最大高さRzとした。
11 誘電体層
12 内部電極層
13 カバー層
20a,20b 外部電極
100 積層セラミックコンデンサ
Claims (11)
- セラミックを主成分とする誘電体層と、金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、
前記内部電極層の少なくとも一部において、前記内部電極層の算術平均粗さRaは30nm以下であり、
前記内部電極層の少なくとも一部において、前記内部電極層の最大高さRzは360nm以下である、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記内部電極層の少なくとも一部において、前記内部電極層の算術平均粗さRaは25nm以下であり、
前記内部電極層の少なくとも一部において、前記内部電極層の最大高さRzは150nm以下である、
ことを特徴とする請求項1記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記内部電極層の主成分金属は、ニッケルであることを特徴とする請求項1又は2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層の主成分セラミックは、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記内部電極層の厚さは、0.5μm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
- セラミック粉末を含むグリーンシート上に、平均粒径が100nm以下で粒度分布の標準偏差が1.5以下の金属粉末を主成分とし、平均粒径が10nm未満で粒度分布の標準偏差が5以下のセラミック粉末を、前記金属粉末100重量部に対する部数2.5以上25以下で共材として含む金属導電ペーストのパターンを配置する第1工程と、
前記第1工程によって得られた積層単位を複数積層して得られたセラミック積層体を焼成する第2工程と、を含み、
前記第2工程において前記金属粉末の焼結によって得られる内部電極層の算術平均粗さRaを前記内部電極層の少なくとも一部において30nm以下とし、前記内部電極層の最大高さRzを前記内部電極層の少なくとも一部において360nm以下とする、
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記第2工程において前記金属粉末の焼結によって得られる前記内部電極層の算術平均粗さRaを前記内部電極層の少なくとも一部において25nm以下とし、前記内部電極層の最大高さRzを前記内部電極層の少なくとも一部において150nm以下とする、
ことを特徴とする請求項6記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記金属導電ペーストは、平均粒径が10nm未満で粒度分布の標準偏差が5以下のセラミック粉末を、前記金属粉末100重量部に対する部数5以上20以下で共材として含む、
ことを特徴とする請求項6又は7に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記金属粉末は、ニッケルを主成分とすることを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記共材は、チタン酸バリウムを主成分とすることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記グリーンシートのセラミック粉末は、チタン酸バリウムを主成分とすることを特徴とする請求項6〜10のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018031512A JP7290914B2 (ja) | 2018-02-26 | 2018-02-26 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
US16/274,076 US11017945B2 (en) | 2018-02-26 | 2019-02-12 | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor |
CN201910131047.4A CN110197767B (zh) | 2018-02-26 | 2019-02-21 | 层叠陶瓷电容器和层叠陶瓷电容器的制造方法 |
JP2023014149A JP2023052831A (ja) | 2018-02-26 | 2023-02-01 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018031512A JP7290914B2 (ja) | 2018-02-26 | 2018-02-26 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023014149A Division JP2023052831A (ja) | 2018-02-26 | 2023-02-01 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019149392A true JP2019149392A (ja) | 2019-09-05 |
JP7290914B2 JP7290914B2 (ja) | 2023-06-14 |
Family
ID=67686131
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018031512A Active JP7290914B2 (ja) | 2018-02-26 | 2018-02-26 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2023014149A Pending JP2023052831A (ja) | 2018-02-26 | 2023-02-01 | 積層セラミックコンデンサ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023014149A Pending JP2023052831A (ja) | 2018-02-26 | 2023-02-01 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11017945B2 (ja) |
JP (2) | JP7290914B2 (ja) |
CN (1) | CN110197767B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6986361B2 (ja) * | 2017-04-05 | 2021-12-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP6986360B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-12-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
KR102304250B1 (ko) * | 2018-08-01 | 2021-09-23 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
US11715602B2 (en) * | 2019-08-02 | 2023-08-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component |
KR20190116146A (ko) * | 2019-08-02 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
JP2021141131A (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-16 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品の製造方法、および金属導電ペースト |
JP7348890B2 (ja) | 2020-10-30 | 2023-09-21 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
KR20220067953A (ko) * | 2020-11-18 | 2022-05-25 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
KR20220068568A (ko) * | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
JP2022143334A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
CN114188157B (zh) * | 2021-12-17 | 2023-09-29 | 广东风华邦科电子有限公司 | 一种大功率多层片式电容器的半干法成型方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002245874A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Noritake Co Ltd | 導体ペースト及びその製造方法 |
JP2013058718A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP2014007187A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2015002250A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 日揮触媒化成株式会社 | 積層セラミックコンデンサ内部電極層形成用ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
JP2016033850A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 導電性ペースト及びその製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07211132A (ja) * | 1994-01-10 | 1995-08-11 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびこれを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP3447488B2 (ja) * | 1996-10-30 | 2003-09-16 | 京セラ株式会社 | 導電性ペーストの製造方法 |
JP4671530B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2011-04-20 | 京セラ株式会社 | 積層型電子部品 |
JP4200792B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2008-12-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
US20080090273A1 (en) * | 2005-11-21 | 2008-04-17 | Aaron Adriaan Winkler | Malic Acid Production in Recombinant Yeast |
JP2007173714A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP4947418B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-06-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性ペースト、導電性ペースト乾燥膜及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP2010067418A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Noritake Co Ltd | 導体ペーストおよびその製造方法 |
KR101141369B1 (ko) * | 2010-12-13 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법 |
KR101275426B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2013-06-14 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 |
JP5450696B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2014-03-26 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101771724B1 (ko) * | 2012-04-18 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
WO2013157516A1 (ja) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、積層セラミック電子部品、および該積層セラミック電子部品の製造方法 |
KR101761939B1 (ko) * | 2012-04-26 | 2017-07-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
KR101912266B1 (ko) * | 2012-07-20 | 2018-10-29 | 삼성전기 주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
KR102041629B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2019-11-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
JP2014057098A (ja) | 2013-11-22 | 2014-03-27 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP6152808B2 (ja) * | 2014-02-28 | 2017-06-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層セラミックコンデンサ内部電極用導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
-
2018
- 2018-02-26 JP JP2018031512A patent/JP7290914B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-12 US US16/274,076 patent/US11017945B2/en active Active
- 2019-02-21 CN CN201910131047.4A patent/CN110197767B/zh active Active
-
2023
- 2023-02-01 JP JP2023014149A patent/JP2023052831A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002245874A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Noritake Co Ltd | 導体ペースト及びその製造方法 |
JP2013058718A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP2014007187A (ja) * | 2012-06-21 | 2014-01-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
JP2015002250A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 日揮触媒化成株式会社 | 積層セラミックコンデンサ内部電極層形成用ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
JP2016033850A (ja) * | 2014-07-30 | 2016-03-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 導電性ペースト及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023052831A (ja) | 2023-04-12 |
US20190267189A1 (en) | 2019-08-29 |
CN110197767B (zh) | 2022-03-29 |
US11017945B2 (en) | 2021-05-25 |
CN110197767A (zh) | 2019-09-03 |
JP7290914B2 (ja) | 2023-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7290914B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
KR102648161B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
KR102587765B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
KR102520018B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
JP7424740B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
KR102412983B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
TWI790686B (zh) | 陶瓷電子零件及其製造方法 | |
JP6823975B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP6986360B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2018032788A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP7441120B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよび誘電体材料 | |
JP7186014B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2018041814A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2018056239A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP5838968B2 (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、およびこれらの製造方法 | |
JP2021002646A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2018139253A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP7197985B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2023050840A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP7477080B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2019021817A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2022151231A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP7169069B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP2022154959A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
WO2024070416A1 (ja) | セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220825 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230201 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20230201 |
|
C12 | Written invitation by the commissioner to file intermediate amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C12 Effective date: 20230221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20230222 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20230228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7290914 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |