JP3447488B2 - 導電性ペーストの製造方法 - Google Patents
導電性ペーストの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペーストお
よびその製造方法に関し、特に積層セラミックコンデン
サの内部電極用として好適に用いられる導電性ペースト
およびその製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサは、内
部電極を構成する電極層と誘電体層とを交互に積層した
後、一体焼成して製造されている。 【０００３】ところで積層セラミックコンデンサを作製
する場合、従来のＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体材
料では、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電
極材料としては、このような温度で溶融しないＰｔ、Ｐ
ｄ等の貴金属が使用されてきた。 【０００４】また、上記したＰｔ、Ｐｄ等の貴金属は高
価であり、高容量化を図るために内部電極数を増加させ
た場合にはコスト高となるために、近年、安価なＮｉ等
の卑金属が内部電極材料として用いられている。 【０００５】Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属やＮｉ等の卑金属
は、有機溶剤中に分散されて導電性ペーストが作製され
ていた。そして、積層セラミックコンデンサは、セラミ
ックグリーンシートに上記導電性ペーストを塗布し、こ
の導電性ペーストが塗布されたグリーンシートを複数枚
積層し、この積層成形体を脱バインダー処理し、焼成す
ることにより作製されていた。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】例えば、従来のＮｉの
導電性ペーストでは、平均粒径が０．６μｍのＮｉ粒子
を主成分とし、粒径が０．２μｍ以下のＮｉ粒子の個数
を２５％程度含有する粒度分布を有していた。 【０００７】このため、導電性ペーストの粒径が０．２
μｍ以下の微粒子により、コンデンサ作製時の脱バイン
ダー工程や焼成工程において急激な酸化膨張や過焼結を
引き起し、クラック、デラミネーション等の構造欠陥が
生じたり、静電容量等の電気特性に悪影響を与えるとい
う問題があった。 【０００８】本発明は、積層セラミックコンデンサの製
造工程でのクラック、デラミネーション等の構造欠陥を
抑制でき、静電容量を向上できる導電性ペーストの製造
方法を提供することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
の製造方法は、平均粒径０．４〜２．０μｍの金属粒子
を有機溶剤に分散させてスラリー化した後、該スラリー
を一定時間静止状態にして、前記スラリーの上層部のみ
を除去して沈降速度の遅い微粒子を除去し、粒径が０．
２μｍ以下の金属粒子の個数を全金属粒子の個数の５％
以下とすることにより得られる。 【００１０】 【作用】本発明の導電性ペーストは、平均粒径が０．４
〜２．０μｍのＮｉ金属粒子中から、粒径が０．２μｍ
以下の微粒子を全粒度分布中の５％以下とすることによ
り、Ｎｉ金属粒子自体の活性が抑えられ、この微粒子を
除いたＮｉ金属粒子により作製した内部電極用の導電性
ペーストも、活性が抑えられることにより、積層セラミ
ックコンデンサの作製時における脱バインダー工程での
クラック、または焼成工程でのデラミネーション等の構
造欠陥や、内部電極の過焼結による電気特性の劣化を抑
制できる。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストは、平均
粒径０．４〜２．０μｍのＮｉ金属粒子を主成分とする
導電性ペーストであって、粒径が０．２μｍ以下のＮｉ
金属粒子の個数が全金属粒子の個数中５％以下のもので
ある。 【００１２】金属粉末には平均粒径が０．４〜２．０μ
ｍのものを使用するが、これは、平均粒径が０．４μｍ
未満だと金属粉末の活性が強くなり、脱バイ工程で酸化
膨張によるクラック等が発生し易くなるからである。一
方、平均粒径が２μｍを超える金属粉末は、薄層の内部
電極を形成することが困難となるからである。金属粉末
は、特に、薄層で構造欠陥が発生しないという観点から
平均粒径が０．５〜１．０μｍのものを使用することが
望ましい。 【００１３】また、Ｎｉ金属粒子の粒度分布中、０．２
μｍ以下のＮｉ金属粒子の個数を全金属粒子の個数中５
％以下としたのは、０．２μｍ以下のＮｉ金属粒子の個
数が全金属粒子の個数中５％よりも多くなると、Ｎｉ金
属粒子自体の活性が大きくなり、脱バインダー工程での
クラック、または焼成工程でのデラミネーション等の構
造欠陥が発生し易くなるからである。０．２μｍ以下の
Ｎｉ金属粒子の個数は、特に、脱バインダー工程でのク
ラック、焼成工程でのデラミネーションの抑制という理
由から全金属粒子の個数中４％以下とすることが望まし
い。 【００１４】本発明の導電性ペーストは、例えば、平均
粒径０．４〜２．０μｍのＮｉ金属粒子を有機溶剤に分
散させてスラリー化した後、一定時間静止状態にしてＮ
ｉ金属粒子を沈降させ、前記スラリーの上層部のみを除
去して沈降速度の遅い０．２μｍ以下のＮｉ金属粒子の
一部または全部を除去することにより製造される。 【００１５】金属粉末には平均粒径が０．４〜２μｍの
ものを使用する必要がある。平均粒径が０．４μｍ未満
だと沈降し難いために、金属微粉末を取り除く効果がな
くなる。また、平均粒径が２μｍを超える金属粉末は、
ペースト化してセラミックコンデンサー用内部電極に対
応する薄い内部電極を形成するには適さないからであ
る。 【００１６】また、使用する有機溶剤には適度な粘度が
必要である。粘度が低すぎると短時間で沈降が起こり、
微粉末も沈降が速いために十分に微粉末を取り除く効果
が得られない。一方、有機溶剤の粘度が高いと沈降が起
き難く、不向きとなるからである。有機溶剤としては、
適度な粘度を有するテルピネオールが望ましい。 【００１７】 【実施例】先ず、表１に示すような平均粒径を有し、
０．２μｍ以下の微粒粉末を所定両含有するＮｉ金属粉
末を、α−テルピネオール中に分散させる。Ｎｉ金属粉
末をα−テルピネオール中に十分に分散させるために、
直径２ｍｍのジルコニアボールを使用して、ボールミル
により２時間混合してＮｉ金属粉末をスラリー化させ
た。この時のスラリーの固形分（金属粉末）は５０重量
％とした。 【００１８】このスラリーを、下部に穴の開いた容器に
移した。この時の容器は、金属粉末が沈降してもスラリ
ー上部に有機溶剤が十分残るような大きさの縦長の容器
（直径１５ｃｍ、長さ２０ｃｍ）を使用した。そして、
スラリーを撹拌機で撹拌した後に１５分間静止状態にし
て放置し、スラリーの上部にまだ沈降しきらないＮｉ金
属の微粉末がある状態で、スラリーを容器の下から全ス
ラリー量の１／３を取り出した。この取り出したスラリ
ーをマイクロトラックにより粒度を測定し、平均粒径
と、全金属粒子個数中に対する０．２μｍ以下のＮｉ金
属粒子の個数の割合を求めた。 【００１９】そして、スラリーの固形分を測定して、こ
の固形分１００重量部に対して樹脂量が５重量部となる
ように、有機溶剤成分であるα−テルピネオールに溶か
したエチルセルロースを添加して三本ロールで混合し
て、スクリーン印刷に適した粘度のペーストを作製し
た。 【００２０】次に、このペーストをスクリーン印刷によ
りグリーンシートに印刷し、ペーストが印刷されたグリ
ーンシートを複数積層し、セラミックコンデンサのグリ
ーンチップを作製した。グリーンシートは、チタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ3）と、ＢａＴｉＯ3１００重量部に
対して酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を１重量部、酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）を０．２重量部、ＭｎＣＯ3を
０．１重量部、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2を合計０．５重量部
（Ｌｉ2Ｏ ５０モル％、ＳｉＯ2 ５０モル％）含有す
る誘電体磁器組成物を用いた。 【００２１】そして、チップの脱バインダ処理を４００
℃で２時間かけて大気中で行った。脱バインダ処理後の
チップの研磨断面を実体顕微鏡（×４０）で１００個観
察し、クラックの有無を調べ、クラックの発生している
チップの割合を求めた。 【００２２】この後、酸素分圧が１ｐｐｍ以下の還元雰
囲気により１２５０℃で２時間焼成を行い、縦２ｍｍ×
横１．１ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、有効積層数１００層、
有効電極面積１．６ｍｍ×０．９８ｍｍ、誘電体セラミ
ック層厚み５μｍのチップコンデンサ用焼結体を得た。
このチップコンデンサ用焼結体の研磨断面を実体顕微鏡
（×４０）で１００個観察し、クラックの有無を調べ、
クラックの発生している焼結体の割合を求めた。また、
内部電極の状態を観察した。 【００２３】次に、この焼結体をバレル研磨後、銅ペー
ストを塗布し、９００℃で焼付け、更にその表面にＮｉ
メッキ及びＳｎメッキを施し、外部電極を形成して積層
セラミックコンデンサを得た。 【００２４】ＬＣＲメーター４２８４Ａを用い、周波数
１．０ＫＨｚ、入力信号レベル１．０Ｖｒｍｓにて−５
５〜１２５℃における静電容量を測定し、＋２５℃での
静電容量に対する各温度での静電容量の変化率ＴＣＣ
（％）を算出した。これらの結果を表１に示す。 【００２５】 【表１】 【００２６】この表１より、０．２μｍ以下の微粉末が
全粒度中で５％以下である本発明のペーストを用いた場
合には、脱バイ後、及び焼成後にクラックの発生はなか
った。一方、０．２μｍ以下の微粉末が全粒度中で６％
含有する試料Ｎｏ．１０では焼成後にクラックが発生
し、８％含有する試料Ｎo.１１は脱バインダー処理およ
び焼成時でクラックが発生した。 【００２７】尚、試料Ｎｏ．１２は微粉末除去処理をし
ない従来のペーストを用いた場合であり、この場合に
は、０．２μｍ以下の微粉末が全粒度中で２５％であ
り、脱バインダー処理でのクラック発生率が２０％、焼
成時で１００％であった。これを実体顕微鏡で観察した
ところ、内部電極が脱バインダー工程時に酸化膨張し、
クラックが発生している事が判った。 【００２８】また、本発明の試料Ｎｏ．８と、０．２μ
ｍ以下の微粉末量が８％の試料Ｎｏ．１１とを、実体顕
微鏡で観察したところ、本発明の試料は比較例よりも内
部電極の連続性が高く、形成状態が良好であった。ま
た、静電容量も大きくなっていた。 【００２９】 【発明の効果】本発明によれば、平均粒径が０．４〜
２．０μｍであるＮｉ金属粉末において、０．２μｍ以
下のＮｉ金属微粉末を全粒度分布中で５％以下にするこ
とによりＮｉ金属微粉末の活性を抑制でき、ペースト化
しても活性が抑制される。従って、この導体ペーストを
使用することにより、セラミックコンデンサの脱バイン
ダー工程でのクラック、または焼成工程でのデラミネー
ション等の構造欠陥や電気的特性の劣化を抑制できる。
よびその製造方法に関し、特に積層セラミックコンデン
サの内部電極用として好適に用いられる導電性ペースト
およびその製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサは、内
部電極を構成する電極層と誘電体層とを交互に積層した
後、一体焼成して製造されている。 【０００３】ところで積層セラミックコンデンサを作製
する場合、従来のＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体材
料では、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電
極材料としては、このような温度で溶融しないＰｔ、Ｐ
ｄ等の貴金属が使用されてきた。 【０００４】また、上記したＰｔ、Ｐｄ等の貴金属は高
価であり、高容量化を図るために内部電極数を増加させ
た場合にはコスト高となるために、近年、安価なＮｉ等
の卑金属が内部電極材料として用いられている。 【０００５】Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属やＮｉ等の卑金属
は、有機溶剤中に分散されて導電性ペーストが作製され
ていた。そして、積層セラミックコンデンサは、セラミ
ックグリーンシートに上記導電性ペーストを塗布し、こ
の導電性ペーストが塗布されたグリーンシートを複数枚
積層し、この積層成形体を脱バインダー処理し、焼成す
ることにより作製されていた。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】例えば、従来のＮｉの
導電性ペーストでは、平均粒径が０．６μｍのＮｉ粒子
を主成分とし、粒径が０．２μｍ以下のＮｉ粒子の個数
を２５％程度含有する粒度分布を有していた。 【０００７】このため、導電性ペーストの粒径が０．２
μｍ以下の微粒子により、コンデンサ作製時の脱バイン
ダー工程や焼成工程において急激な酸化膨張や過焼結を
引き起し、クラック、デラミネーション等の構造欠陥が
生じたり、静電容量等の電気特性に悪影響を与えるとい
う問題があった。 【０００８】本発明は、積層セラミックコンデンサの製
造工程でのクラック、デラミネーション等の構造欠陥を
抑制でき、静電容量を向上できる導電性ペーストの製造
方法を提供することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明の導電性ペースト
の製造方法は、平均粒径０．４〜２．０μｍの金属粒子
を有機溶剤に分散させてスラリー化した後、該スラリー
を一定時間静止状態にして、前記スラリーの上層部のみ
を除去して沈降速度の遅い微粒子を除去し、粒径が０．
２μｍ以下の金属粒子の個数を全金属粒子の個数の５％
以下とすることにより得られる。 【００１０】 【作用】本発明の導電性ペーストは、平均粒径が０．４
〜２．０μｍのＮｉ金属粒子中から、粒径が０．２μｍ
以下の微粒子を全粒度分布中の５％以下とすることによ
り、Ｎｉ金属粒子自体の活性が抑えられ、この微粒子を
除いたＮｉ金属粒子により作製した内部電極用の導電性
ペーストも、活性が抑えられることにより、積層セラミ
ックコンデンサの作製時における脱バインダー工程での
クラック、または焼成工程でのデラミネーション等の構
造欠陥や、内部電極の過焼結による電気特性の劣化を抑
制できる。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストは、平均
粒径０．４〜２．０μｍのＮｉ金属粒子を主成分とする
導電性ペーストであって、粒径が０．２μｍ以下のＮｉ
金属粒子の個数が全金属粒子の個数中５％以下のもので
ある。 【００１２】金属粉末には平均粒径が０．４〜２．０μ
ｍのものを使用するが、これは、平均粒径が０．４μｍ
未満だと金属粉末の活性が強くなり、脱バイ工程で酸化
膨張によるクラック等が発生し易くなるからである。一
方、平均粒径が２μｍを超える金属粉末は、薄層の内部
電極を形成することが困難となるからである。金属粉末
は、特に、薄層で構造欠陥が発生しないという観点から
平均粒径が０．５〜１．０μｍのものを使用することが
望ましい。 【００１３】また、Ｎｉ金属粒子の粒度分布中、０．２
μｍ以下のＮｉ金属粒子の個数を全金属粒子の個数中５
％以下としたのは、０．２μｍ以下のＮｉ金属粒子の個
数が全金属粒子の個数中５％よりも多くなると、Ｎｉ金
属粒子自体の活性が大きくなり、脱バインダー工程での
クラック、または焼成工程でのデラミネーション等の構
造欠陥が発生し易くなるからである。０．２μｍ以下の
Ｎｉ金属粒子の個数は、特に、脱バインダー工程でのク
ラック、焼成工程でのデラミネーションの抑制という理
由から全金属粒子の個数中４％以下とすることが望まし
い。 【００１４】本発明の導電性ペーストは、例えば、平均
粒径０．４〜２．０μｍのＮｉ金属粒子を有機溶剤に分
散させてスラリー化した後、一定時間静止状態にしてＮ
ｉ金属粒子を沈降させ、前記スラリーの上層部のみを除
去して沈降速度の遅い０．２μｍ以下のＮｉ金属粒子の
一部または全部を除去することにより製造される。 【００１５】金属粉末には平均粒径が０．４〜２μｍの
ものを使用する必要がある。平均粒径が０．４μｍ未満
だと沈降し難いために、金属微粉末を取り除く効果がな
くなる。また、平均粒径が２μｍを超える金属粉末は、
ペースト化してセラミックコンデンサー用内部電極に対
応する薄い内部電極を形成するには適さないからであ
る。 【００１６】また、使用する有機溶剤には適度な粘度が
必要である。粘度が低すぎると短時間で沈降が起こり、
微粉末も沈降が速いために十分に微粉末を取り除く効果
が得られない。一方、有機溶剤の粘度が高いと沈降が起
き難く、不向きとなるからである。有機溶剤としては、
適度な粘度を有するテルピネオールが望ましい。 【００１７】 【実施例】先ず、表１に示すような平均粒径を有し、
０．２μｍ以下の微粒粉末を所定両含有するＮｉ金属粉
末を、α−テルピネオール中に分散させる。Ｎｉ金属粉
末をα−テルピネオール中に十分に分散させるために、
直径２ｍｍのジルコニアボールを使用して、ボールミル
により２時間混合してＮｉ金属粉末をスラリー化させ
た。この時のスラリーの固形分（金属粉末）は５０重量
％とした。 【００１８】このスラリーを、下部に穴の開いた容器に
移した。この時の容器は、金属粉末が沈降してもスラリ
ー上部に有機溶剤が十分残るような大きさの縦長の容器
（直径１５ｃｍ、長さ２０ｃｍ）を使用した。そして、
スラリーを撹拌機で撹拌した後に１５分間静止状態にし
て放置し、スラリーの上部にまだ沈降しきらないＮｉ金
属の微粉末がある状態で、スラリーを容器の下から全ス
ラリー量の１／３を取り出した。この取り出したスラリ
ーをマイクロトラックにより粒度を測定し、平均粒径
と、全金属粒子個数中に対する０．２μｍ以下のＮｉ金
属粒子の個数の割合を求めた。 【００１９】そして、スラリーの固形分を測定して、こ
の固形分１００重量部に対して樹脂量が５重量部となる
ように、有機溶剤成分であるα−テルピネオールに溶か
したエチルセルロースを添加して三本ロールで混合し
て、スクリーン印刷に適した粘度のペーストを作製し
た。 【００２０】次に、このペーストをスクリーン印刷によ
りグリーンシートに印刷し、ペーストが印刷されたグリ
ーンシートを複数積層し、セラミックコンデンサのグリ
ーンチップを作製した。グリーンシートは、チタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ3）と、ＢａＴｉＯ3１００重量部に
対して酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）を１重量部、酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）を０．２重量部、ＭｎＣＯ3を
０．１重量部、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2を合計０．５重量部
（Ｌｉ2Ｏ ５０モル％、ＳｉＯ2 ５０モル％）含有す
る誘電体磁器組成物を用いた。 【００２１】そして、チップの脱バインダ処理を４００
℃で２時間かけて大気中で行った。脱バインダ処理後の
チップの研磨断面を実体顕微鏡（×４０）で１００個観
察し、クラックの有無を調べ、クラックの発生している
チップの割合を求めた。 【００２２】この後、酸素分圧が１ｐｐｍ以下の還元雰
囲気により１２５０℃で２時間焼成を行い、縦２ｍｍ×
横１．１ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ、有効積層数１００層、
有効電極面積１．６ｍｍ×０．９８ｍｍ、誘電体セラミ
ック層厚み５μｍのチップコンデンサ用焼結体を得た。
このチップコンデンサ用焼結体の研磨断面を実体顕微鏡
（×４０）で１００個観察し、クラックの有無を調べ、
クラックの発生している焼結体の割合を求めた。また、
内部電極の状態を観察した。 【００２３】次に、この焼結体をバレル研磨後、銅ペー
ストを塗布し、９００℃で焼付け、更にその表面にＮｉ
メッキ及びＳｎメッキを施し、外部電極を形成して積層
セラミックコンデンサを得た。 【００２４】ＬＣＲメーター４２８４Ａを用い、周波数
１．０ＫＨｚ、入力信号レベル１．０Ｖｒｍｓにて−５
５〜１２５℃における静電容量を測定し、＋２５℃での
静電容量に対する各温度での静電容量の変化率ＴＣＣ
（％）を算出した。これらの結果を表１に示す。 【００２５】 【表１】 【００２６】この表１より、０．２μｍ以下の微粉末が
全粒度中で５％以下である本発明のペーストを用いた場
合には、脱バイ後、及び焼成後にクラックの発生はなか
った。一方、０．２μｍ以下の微粉末が全粒度中で６％
含有する試料Ｎｏ．１０では焼成後にクラックが発生
し、８％含有する試料Ｎo.１１は脱バインダー処理およ
び焼成時でクラックが発生した。 【００２７】尚、試料Ｎｏ．１２は微粉末除去処理をし
ない従来のペーストを用いた場合であり、この場合に
は、０．２μｍ以下の微粉末が全粒度中で２５％であ
り、脱バインダー処理でのクラック発生率が２０％、焼
成時で１００％であった。これを実体顕微鏡で観察した
ところ、内部電極が脱バインダー工程時に酸化膨張し、
クラックが発生している事が判った。 【００２８】また、本発明の試料Ｎｏ．８と、０．２μ
ｍ以下の微粉末量が８％の試料Ｎｏ．１１とを、実体顕
微鏡で観察したところ、本発明の試料は比較例よりも内
部電極の連続性が高く、形成状態が良好であった。ま
た、静電容量も大きくなっていた。 【００２９】 【発明の効果】本発明によれば、平均粒径が０．４〜
２．０μｍであるＮｉ金属粉末において、０．２μｍ以
下のＮｉ金属微粉末を全粒度分布中で５％以下にするこ
とによりＮｉ金属微粉末の活性を抑制でき、ペースト化
しても活性が抑制される。従って、この導体ペーストを
使用することにより、セラミックコンデンサの脱バイン
ダー工程でのクラック、または焼成工程でのデラミネー
ション等の構造欠陥や電気的特性の劣化を抑制できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 1/00 - 1/24
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】平均粒径０．４〜２．０μｍのＮｉ金属粒
子を有機溶剤に分散させてスラリー化した後、該スラリ
ーを一定時間静止状態にして、前記スラリーの上層部の
みを除去して沈降速度の遅い微粒子を除去し、粒径が
０．２μｍ以下のＮｉ金属粒子の個数を全金属粒子の個
数の５％以下とすることを特徴とする導電性ペーストの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28873796A JP3447488B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 導電性ペーストの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28873796A JP3447488B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 導電性ペーストの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10134637A JPH10134637A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3447488B2 true JP3447488B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=17734048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28873796A Expired - Fee Related JP3447488B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 導電性ペーストの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3447488B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP7131955B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2022-09-06 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7290914B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2023-06-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP28873796A patent/JP3447488B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10134637A (ja) | 1998-05-22 |
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