JPH053131A - 積層セラミツクコンデンサとその製造方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサとその製造方法Info
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- JPH053131A JPH053131A JP8509291A JP8509291A JPH053131A JP H053131 A JPH053131 A JP H053131A JP 8509291 A JP8509291 A JP 8509291A JP 8509291 A JP8509291 A JP 8509291A JP H053131 A JPH053131 A JP H053131A
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 積層セラミックコンデンサにおいて、比較的
安価に製造できるニッケル内部電極の積層セラミックコ
ンデンサとその製造方法を提供する。 【構成】 ニッケル内部電極２と誘電体１とを交互に積
層した積層体と、電極２に接続する外部電極が、積層体
と同時焼成したニッケルからなる第１の層３と、層３の
上に形成したガラス結合型の銀からなる第２の層４と、
層４の上に形成しためっき金属皮膜からなる第３の層５
とからなり、誘電体１のニッケルからなる第１の層３と
の接合部近傍には酸化ニッケルの拡散層を有する。これ
により、内部電極の露出部分を、外部電極材料で被覆し
たのち、これを同時焼成する方法によるニッケル内部電
極の積層セラミックコンデンサの製造を可能にし、誘電
体セラミックの焼結不足による各種特性の劣化等の問題
がなく、外部電極の接続が良好で、第３の層によりはん
だ付け性および耐はんだ食われ性が良好である。
安価に製造できるニッケル内部電極の積層セラミックコ
ンデンサとその製造方法を提供する。 【構成】 ニッケル内部電極２と誘電体１とを交互に積
層した積層体と、電極２に接続する外部電極が、積層体
と同時焼成したニッケルからなる第１の層３と、層３の
上に形成したガラス結合型の銀からなる第２の層４と、
層４の上に形成しためっき金属皮膜からなる第３の層５
とからなり、誘電体１のニッケルからなる第１の層３と
の接合部近傍には酸化ニッケルの拡散層を有する。これ
により、内部電極の露出部分を、外部電極材料で被覆し
たのち、これを同時焼成する方法によるニッケル内部電
極の積層セラミックコンデンサの製造を可能にし、誘電
体セラミックの焼結不足による各種特性の劣化等の問題
がなく、外部電極の接続が良好で、第３の層によりはん
だ付け性および耐はんだ食われ性が良好である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電気機器に利用さ
れる積層セラミックコンデンサとその製造方法に関する
もので、特に、比較的安価に製造できる卑金属内部電極
の積層セラミックコンデンサとその製造方法に関するも
のである。
れる積層セラミックコンデンサとその製造方法に関する
もので、特に、比較的安価に製造できる卑金属内部電極
の積層セラミックコンデンサとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】卑金属内部電極の積層セラミックコンデ
ンサは、電子部品に対する低コスト化の要望から、パラ
ジウム，白金，銀−パラジウム等の貴金属を内部電極と
する従来の積層セラミックコンデンサに変わるものとし
て、次第に実用化されつつある。
ンサは、電子部品に対する低コスト化の要望から、パラ
ジウム，白金，銀−パラジウム等の貴金属を内部電極と
する従来の積層セラミックコンデンサに変わるものとし
て、次第に実用化されつつある。
【０００３】そして、この卑金属内部電極の積層セラミ
ックコンデンサについては、その誘電体材料，内部電極
材料，外部電極材料，製造方法およびそれらの構成につ
いて、種々の提案がされている。
ックコンデンサについては、その誘電体材料，内部電極
材料，外部電極材料，製造方法およびそれらの構成につ
いて、種々の提案がされている。
【０００４】例えば、誘電体材料としてＢａＴｉＯ3，
ＣａＺｒＯ3，ＢａＣＯ3およびＭｎＯ2などのような耐
還元性材料を用い、内部電極材料としてニッケル粒子を
含むインキを用い、外部電極材料として、ニッケル微粉
末と、硼珪酸バリウムガラスおよびアルミノ珪酸バリウ
ムガラスから選択されたガラスフリットと、ＭｎＯ2と
の混合物を含む有機ビヒクルよりなるペーストを用い、
内部電極パターンを印刷した誘電体生シートを積み重ね
た未焼成の積層体の端部、つまり内部電極の露出部分
を、上記の外部電極材料で被覆したのち、これを共焼成
（同時焼成）する製造方法により、卑金属内部電極の積
層セラミックコンデンサを作成する方法が提案されてい
る（特開昭５５−１０５３１８号公報）。
ＣａＺｒＯ3，ＢａＣＯ3およびＭｎＯ2などのような耐
還元性材料を用い、内部電極材料としてニッケル粒子を
含むインキを用い、外部電極材料として、ニッケル微粉
末と、硼珪酸バリウムガラスおよびアルミノ珪酸バリウ
ムガラスから選択されたガラスフリットと、ＭｎＯ2と
の混合物を含む有機ビヒクルよりなるペーストを用い、
内部電極パターンを印刷した誘電体生シートを積み重ね
た未焼成の積層体の端部、つまり内部電極の露出部分
を、上記の外部電極材料で被覆したのち、これを共焼成
（同時焼成）する製造方法により、卑金属内部電極の積
層セラミックコンデンサを作成する方法が提案されてい
る（特開昭５５−１０５３１８号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の未焼成の積層体
の端部、つまり内部電極の露出部分を、外部電極材料で
被覆したのち、これを共焼成（同時焼成）する製造方法
は、積層体を焼成したのち、外部電極を形成する方法に
比べて、より経済的であり、内部電極と外部電極との接
続がより確実であるという利点がある。
の端部、つまり内部電極の露出部分を、外部電極材料で
被覆したのち、これを共焼成（同時焼成）する製造方法
は、積層体を焼成したのち、外部電極を形成する方法に
比べて、より経済的であり、内部電極と外部電極との接
続がより確実であるという利点がある。
【０００６】しかしながら、上記に外部電極材料として
示された、ニッケル微粉末と、硼珪酸バリウムガラスお
よびアルミノ珪酸バリウムガラスから選択されたガラス
フリットと、ＭｎＯ2との混合物を含む有機ビヒクルよ
りなるペーストを、外部電極材料として用いた場合に
は、この材料がガラスフリットにより誘電体セラミック
との接合を行うものであり、ガラスフリットを含有して
いるため、次のような欠点がある。
示された、ニッケル微粉末と、硼珪酸バリウムガラスお
よびアルミノ珪酸バリウムガラスから選択されたガラス
フリットと、ＭｎＯ2との混合物を含む有機ビヒクルよ
りなるペーストを、外部電極材料として用いた場合に
は、この材料がガラスフリットにより誘電体セラミック
との接合を行うものであり、ガラスフリットを含有して
いるため、次のような欠点がある。
【０００７】すなわち、ガラスフリットの軟化温度が、
誘電体セラミックの焼結温度に比較して低温度であるた
めに、同時焼成した場合、ガラスフリットが誘電体セラ
ミック中に拡散し、このために材料組成によって誘電体
セラミックの焼結性が阻害され、誘電体セラミックの焼
結不足による変形、機械的強度の劣化、コンデンサ特性
の劣化を引き起こすという問題がある。また、ガラスフ
リットを含有しているため、内部電極と外部電極との接
続性が、金属成分のみの場合に比較してやや劣るという
問題がある。
誘電体セラミックの焼結温度に比較して低温度であるた
めに、同時焼成した場合、ガラスフリットが誘電体セラ
ミック中に拡散し、このために材料組成によって誘電体
セラミックの焼結性が阻害され、誘電体セラミックの焼
結不足による変形、機械的強度の劣化、コンデンサ特性
の劣化を引き起こすという問題がある。また、ガラスフ
リットを含有しているため、内部電極と外部電極との接
続性が、金属成分のみの場合に比較してやや劣るという
問題がある。
【０００８】また、上記の外部電極は、ガラスフリット
を用いているためと、金属がニッケルであり、表面が酸
化されやすいために、はんだ付け性が極めて悪く、実用
上、そのままでは使用に耐え得ないという問題がある。
を用いているためと、金属がニッケルであり、表面が酸
化されやすいために、はんだ付け性が極めて悪く、実用
上、そのままでは使用に耐え得ないという問題がある。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、未焼成の積層体の端部、つまり内部電極の露出部
分を、外部電極材料で被覆したのち、これを同時焼成す
るニッケル内部電極の積層セラミックコンデンサの製造
方法に適した外部電極構成を有する積層セラミックコン
デンサとその製造方法を提供するものである。
ので、未焼成の積層体の端部、つまり内部電極の露出部
分を、外部電極材料で被覆したのち、これを同時焼成す
るニッケル内部電極の積層セラミックコンデンサの製造
方法に適した外部電極構成を有する積層セラミックコン
デンサとその製造方法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極と
誘電体とを交互に積層した積層体と、前記内部電極に接
続される外部電極とを備え、前記内部電極がニッケルか
らなり、前記外部電極は、前記積層体と同時焼成したニ
ッケルの第１の層と、前記第１の層の上に形成したガラ
ス結合型の銀または銀合金の第２の層と、前記第２の層
の上に形成しためっき金属皮膜の第３の層とからなり、
前記誘電体の前記ニッケルの第１の層との接合部近傍に
は酸化ニッケルの拡散層を有するものである。
に、本発明の積層セラミックコンデンサは、内部電極と
誘電体とを交互に積層した積層体と、前記内部電極に接
続される外部電極とを備え、前記内部電極がニッケルか
らなり、前記外部電極は、前記積層体と同時焼成したニ
ッケルの第１の層と、前記第１の層の上に形成したガラ
ス結合型の銀または銀合金の第２の層と、前記第２の層
の上に形成しためっき金属皮膜の第３の層とからなり、
前記誘電体の前記ニッケルの第１の層との接合部近傍に
は酸化ニッケルの拡散層を有するものである。
【００１１】また、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法は、内部電極となるニッケル粉末ペースト膜
と誘電体セラミック生シートとを交互に積層し、これを
所定形状に切断して積層体を作成し、前記積層体の前記
内部電極となるニッケル粉末ペースト膜の露出端面に、
無機成分が、少なくとも酸化ニッケルの粉末とニッケル
の粉末の混合物からなるペーストを塗布し、これを焼成
して、前記積層体の焼結と前記内部電極に接続される外
部電極の第１の層の形成とを同時に行い、次に、前記第
１の層の上に銀または銀合金粉末とガラスフリットと有
機ビヒクルとからなるペーストを塗布し、これを焼成し
て、外部電極の第２の層を形成し、次に、前記第２の層
の上にめっき金属皮膜からなる外部電極の第３の層の形
成を行うものである。
の製造方法は、内部電極となるニッケル粉末ペースト膜
と誘電体セラミック生シートとを交互に積層し、これを
所定形状に切断して積層体を作成し、前記積層体の前記
内部電極となるニッケル粉末ペースト膜の露出端面に、
無機成分が、少なくとも酸化ニッケルの粉末とニッケル
の粉末の混合物からなるペーストを塗布し、これを焼成
して、前記積層体の焼結と前記内部電極に接続される外
部電極の第１の層の形成とを同時に行い、次に、前記第
１の層の上に銀または銀合金粉末とガラスフリットと有
機ビヒクルとからなるペーストを塗布し、これを焼成し
て、外部電極の第２の層を形成し、次に、前記第２の層
の上にめっき金属皮膜からなる外部電極の第３の層の形
成を行うものである。
【００１２】
【作用】本発明は上記したように、ニッケル内部電極に
接続される外部電極の第１の層を形成するための外部電
極材料として、無機成分を、少なくとも酸化ニッケルの
粉末とニッケルの粉末の混合物としたものであり、この
外部電極材料を用いることにより、内部電極と誘電体と
を交互に積層した積層体と外部電極とを同時焼成した場
合に、酸化ニッケルの大部分は焼成雰囲気中により還元
されてニッケルの金属皮膜となり、酸化ニッケルの一部
が誘電体中に拡散して外部電極との接合部近傍には酸化
ニッケルの拡散層が形成される。このために、内部電極
と外部電極との間、誘電体と外部電極との間のいずれに
おいても良好な接合が得られる。これにより、未焼成の
積層体の端部、つまり内部電極の露出部分を、外部電極
材料で被覆したのち、これを同時焼成する方法によるニ
ッケル内部電極の積層セラミックコンデンサの製造を可
能にしたものであり、従来用いられていたガラスフリッ
トを含有している外部電極材料と異なり、誘電体セラミ
ックの焼結不足による変形、機械的強度の劣化、コンデ
ンサ特性の劣化等の問題がない。
接続される外部電極の第１の層を形成するための外部電
極材料として、無機成分を、少なくとも酸化ニッケルの
粉末とニッケルの粉末の混合物としたものであり、この
外部電極材料を用いることにより、内部電極と誘電体と
を交互に積層した積層体と外部電極とを同時焼成した場
合に、酸化ニッケルの大部分は焼成雰囲気中により還元
されてニッケルの金属皮膜となり、酸化ニッケルの一部
が誘電体中に拡散して外部電極との接合部近傍には酸化
ニッケルの拡散層が形成される。このために、内部電極
と外部電極との間、誘電体と外部電極との間のいずれに
おいても良好な接合が得られる。これにより、未焼成の
積層体の端部、つまり内部電極の露出部分を、外部電極
材料で被覆したのち、これを同時焼成する方法によるニ
ッケル内部電極の積層セラミックコンデンサの製造を可
能にしたものであり、従来用いられていたガラスフリッ
トを含有している外部電極材料と異なり、誘電体セラミ
ックの焼結不足による変形、機械的強度の劣化、コンデ
ンサ特性の劣化等の問題がない。
【００１３】また、外部電極は、積層体と同時焼成した
ニッケルの第１の層と、第１の層の上に形成したガラス
結合型の銀または銀合金の第２の層と、第２の層の上に
形成しためっき金属皮膜の第３の層で形成しているの
で、ニッケル内部電極と外部電極の間において良好な接
続が得られ、また上記の外部電極の表面層として、めっ
き金属皮膜の第３の層で形成しているので、はんだ付け
性および耐はんだ食われ性が良好であり、高品質で安価
な積層セラミックコンデンサが得られる。
ニッケルの第１の層と、第１の層の上に形成したガラス
結合型の銀または銀合金の第２の層と、第２の層の上に
形成しためっき金属皮膜の第３の層で形成しているの
で、ニッケル内部電極と外部電極の間において良好な接
続が得られ、また上記の外部電極の表面層として、めっ
き金属皮膜の第３の層で形成しているので、はんだ付け
性および耐はんだ食われ性が良好であり、高品質で安価
な積層セラミックコンデンサが得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例の積層セラミックコ
ンデンサとその製造方法について、図面に基づき説明す
る。
ンデンサとその製造方法について、図面に基づき説明す
る。
【００１５】図１は本発明の一実施例における積層セラ
ミックコンデンサの断面図である。本実施例の積層セラ
ミックコンデンサの構成について、その製造方法ととも
に以下に詳細に説明する。
ミックコンデンサの断面図である。本実施例の積層セラ
ミックコンデンサの構成について、その製造方法ととも
に以下に詳細に説明する。
【００１６】まず、耐還元性の誘電体材料の組成とし
て、ＢａＴｉＯ3を主成分とし、これに添加物としてＢ
ａＺｒＯ3，ＭｎＯ2およびＤｙ2Ｏ3等を加えた酸化物の
混合粉末を用いた。この混合粉末をポリブチルアルコー
ル樹脂系バインダとともに有機溶剤中に分散してセラミ
ックスラリーとした。このセラミックスラリーをドクタ
ーブレード法等によりキャリアフィルムの片面に塗布
し、これを乾燥し、１００mm×１００mm程度の大きさに
切断してセラミックグリーンシートを作成した。
て、ＢａＴｉＯ3を主成分とし、これに添加物としてＢ
ａＺｒＯ3，ＭｎＯ2およびＤｙ2Ｏ3等を加えた酸化物の
混合粉末を用いた。この混合粉末をポリブチルアルコー
ル樹脂系バインダとともに有機溶剤中に分散してセラミ
ックスラリーとした。このセラミックスラリーをドクタ
ーブレード法等によりキャリアフィルムの片面に塗布
し、これを乾燥し、１００mm×１００mm程度の大きさに
切断してセラミックグリーンシートを作成した。
【００１７】このセラミックグリーンシートの表面に、
ニッケル粉末と有機バインダと溶剤とからなる内部電極
ペーストを、所定のパターン形状でスクリーン印刷し
た。なお、内部電極の印刷は、積層ののち、切断して複
数個の積層セラミックコンデンサを得ることを意図して
おり、そのために内部電極となるペーストの形成は、独
立した短形のパターンを縦横に整列させて形成した。
ニッケル粉末と有機バインダと溶剤とからなる内部電極
ペーストを、所定のパターン形状でスクリーン印刷し
た。なお、内部電極の印刷は、積層ののち、切断して複
数個の積層セラミックコンデンサを得ることを意図して
おり、そのために内部電極となるペーストの形成は、独
立した短形のパターンを縦横に整列させて形成した。
【００１８】次に、内部電極となるペーストを形成した
セラミックグリーンシートを、一定寸法で交互にずらし
て積層し、加圧圧着したのち、切断して、両端面から内
部電極部分が交互に露出した積層セラミックコンデンサ
のグリーンチップとした。
セラミックグリーンシートを、一定寸法で交互にずらし
て積層し、加圧圧着したのち、切断して、両端面から内
部電極部分が交互に露出した積層セラミックコンデンサ
のグリーンチップとした。
【００１９】次に、このグリーンチップをおがくず中で
強制振動させて角体の稜線部分の面取りをした。
強制振動させて角体の稜線部分の面取りをした。
【００２０】また、ニッケル粉末と有機バインダと溶剤
とこれに種々の無機添加物を加えて各種の外部電極第１
層用ペーストを作製した。
とこれに種々の無機添加物を加えて各種の外部電極第１
層用ペーストを作製した。
【００２１】そして、上記の面取りをしたグリーンチッ
プの内部電極部分が交互に露出した両端面に、上記の各
種の外部電極第１層用ペーストを浸漬法により塗布し
た。塗布後、１２０℃で１０分間乾燥した。乾燥後の塗
布膜厚は、１０μｍから５０μｍとなるよう形成した。
プの内部電極部分が交互に露出した両端面に、上記の各
種の外部電極第１層用ペーストを浸漬法により塗布し
た。塗布後、１２０℃で１０分間乾燥した。乾燥後の塗
布膜厚は、１０μｍから５０μｍとなるよう形成した。
【００２２】これを、大気中で２０時間、最高温度３５
０℃・２時間で加熱処理して、脱バインダ処理をした。
そののち、ニッケルに対して還元雰囲気中、具体的に
は、６００℃以上でニッケルの平衡酸素分圧の１００分
の１の酸素濃度にコントロールした雰囲気中で１５時
間、最高温度１３００℃・２時間で加熱処理して焼成し
て焼結体とし、図１に示す誘電体１とニッケル内部電極
２とを交互に積層した積層体に接合されたニッケルから
なる外部電極の第１の層３までを形成した状態を得た。
０℃・２時間で加熱処理して、脱バインダ処理をした。
そののち、ニッケルに対して還元雰囲気中、具体的に
は、６００℃以上でニッケルの平衡酸素分圧の１００分
の１の酸素濃度にコントロールした雰囲気中で１５時
間、最高温度１３００℃・２時間で加熱処理して焼成し
て焼結体とし、図１に示す誘電体１とニッケル内部電極
２とを交互に積層した積層体に接合されたニッケルから
なる外部電極の第１の層３までを形成した状態を得た。
【００２３】なお、本実施例では、面取りをグリーンチ
ップで行ったが、焼成後に行ってもよい。
ップで行ったが、焼成後に行ってもよい。
【００２４】上記で得られた各５０個について、外観検
査および静電容量等の電気特性の測定検査を行った。な
お、電気特性については、外部電極を形成しないで得た
焼結体にインジウム・ガリウム合金を塗布して測定した
値と比較して、静電容量，誘電正接，絶縁抵抗のいずれ
かにおいて異常値のものは不良とした。それぞれの外部
電極第１層用ペーストの組成とその結果について下記の
（表１）に示す。
査および静電容量等の電気特性の測定検査を行った。な
お、電気特性については、外部電極を形成しないで得た
焼結体にインジウム・ガリウム合金を塗布して測定した
値と比較して、静電容量，誘電正接，絶縁抵抗のいずれ
かにおいて異常値のものは不良とした。それぞれの外部
電極第１層用ペーストの組成とその結果について下記の
（表１）に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】（表１）において、試料番号１から１０は
比較例であり、試料番号１１から１７は本発明の実施例
である。また、（表１）中における無機添加物としての
誘電体粉末には、上記で説明したＢａＴｉＯ3を主成分
とする粉末を用いた。
比較例であり、試料番号１１から１７は本発明の実施例
である。また、（表１）中における無機添加物としての
誘電体粉末には、上記で説明したＢａＴｉＯ3を主成分
とする粉末を用いた。
【００２７】（表１）に示した結果から明らかなよう
に、本発明の実施例の試料番号１１から１７、つまり、
外部電極第１層用ペーストとして無機成分を、少なくと
も酸化ニッケルの粉末とニッケルの粉末の混合物とした
ものは、誘電体とニッケル外部電極との接合部近傍には
酸化ニッケルの拡散層が形成され、誘電体とニッケル外
部電極との接合が良好で、無機添加物の誘電体への拡散
による焼結体の変形という悪影響もなく、内部電極との
接続が良好で電気特性にも異常がなく、また誘電体と電
極との接合強度や電極膜の形成状態も良く、極めて良好
な結果が得られた。
に、本発明の実施例の試料番号１１から１７、つまり、
外部電極第１層用ペーストとして無機成分を、少なくと
も酸化ニッケルの粉末とニッケルの粉末の混合物とした
ものは、誘電体とニッケル外部電極との接合部近傍には
酸化ニッケルの拡散層が形成され、誘電体とニッケル外
部電極との接合が良好で、無機添加物の誘電体への拡散
による焼結体の変形という悪影響もなく、内部電極との
接続が良好で電気特性にも異常がなく、また誘電体と電
極との接合強度や電極膜の形成状態も良く、極めて良好
な結果が得られた。
【００２８】ここで、誘電体とニッケル外部電極との接
合部近傍について、Ｘ線マイクロアナライザーにより分
析した結果、誘電体中に酸化ニッケルが拡散した拡散層
が形成されていることを確認した。また、この拡散層の
形成は、焼成雰囲気の条件によっても影響され、焼成温
度６００℃から１３００℃までの昇温過程において、酸
素濃度がニッケルの平衡酸素分圧の１０万分の１では、
十分な拡散層の形成がなかった。
合部近傍について、Ｘ線マイクロアナライザーにより分
析した結果、誘電体中に酸化ニッケルが拡散した拡散層
が形成されていることを確認した。また、この拡散層の
形成は、焼成雰囲気の条件によっても影響され、焼成温
度６００℃から１３００℃までの昇温過程において、酸
素濃度がニッケルの平衡酸素分圧の１０万分の１では、
十分な拡散層の形成がなかった。
【００２９】一方、比較例については、無機添加物とし
てガラスフリットやＭｎＯ2，ＳｉＯ2を用いた場合に
は、これらの無機添加物が誘電体中へ拡散し、誘電体の
焼結が阻害され、誘電体とニッケル外部電極との接合部
近傍で焼結収縮が小さく、焼結体の変形という問題があ
った。また、無機添加物として誘電体粉を用いた場合に
は、添加量を多くすることにより多少は接合強度が改善
されるが十分ではなく、添加量を多くすることにより内
部電極との接続不良も発生し、実用に耐え得るものでは
なかった。
てガラスフリットやＭｎＯ2，ＳｉＯ2を用いた場合に
は、これらの無機添加物が誘電体中へ拡散し、誘電体の
焼結が阻害され、誘電体とニッケル外部電極との接合部
近傍で焼結収縮が小さく、焼結体の変形という問題があ
った。また、無機添加物として誘電体粉を用いた場合に
は、添加量を多くすることにより多少は接合強度が改善
されるが十分ではなく、添加量を多くすることにより内
部電極との接続不良も発生し、実用に耐え得るものでは
なかった。
【００３０】次に、上記の誘電体１とニッケル内部電極
２とを交互に積層した積層体に接合されたニッケルから
なる外部電極の第１の層３を形成した状態の焼結体に、
銀粉末（りん片状６０重量％・球状４０重量％）１００
重量部、ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2系ガラスフリット１
２重量部、有機ビヒクル８重量部からなる銀ペーストを
浸漬法により塗布し乾燥した後、これを大気中で投入か
ら取り出しまで１時間、最高温度保持時間１０分間のベ
ルト式焼成炉で最高温度を種々変えて焼成し、図１に示
すガラス結合型の銀からなる外部電極の第２の層４を形
成した。上記で得られたものについて、外観検査および
静電容量等の電気特性の測定検査を行った。なお、電気
特性については、第２の層を形成しないものを測定した
値と比較して、静電容量，誘電正接，絶縁抵抗のいずれ
かにおいて異常値のものは不良とした。その結果、最高
温度５００℃から８００℃で焼成したものは良好であっ
た。しかし、最高温度９００℃で焼成したものは、静電
容量が低下し誘電正接が増大し不良となった。
２とを交互に積層した積層体に接合されたニッケルから
なる外部電極の第１の層３を形成した状態の焼結体に、
銀粉末（りん片状６０重量％・球状４０重量％）１００
重量部、ＰｂＯ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2系ガラスフリット１
２重量部、有機ビヒクル８重量部からなる銀ペーストを
浸漬法により塗布し乾燥した後、これを大気中で投入か
ら取り出しまで１時間、最高温度保持時間１０分間のベ
ルト式焼成炉で最高温度を種々変えて焼成し、図１に示
すガラス結合型の銀からなる外部電極の第２の層４を形
成した。上記で得られたものについて、外観検査および
静電容量等の電気特性の測定検査を行った。なお、電気
特性については、第２の層を形成しないものを測定した
値と比較して、静電容量，誘電正接，絶縁抵抗のいずれ
かにおいて異常値のものは不良とした。その結果、最高
温度５００℃から８００℃で焼成したものは良好であっ
た。しかし、最高温度９００℃で焼成したものは、静電
容量が低下し誘電正接が増大し不良となった。
【００３１】なお、上記では銀粉末を用いたが、銀−パ
ラジウム等の混合粉末を用いてもよい。
ラジウム等の混合粉末を用いてもよい。
【００３２】次に、上記で得られた良品について、これ
をバレルめっき法により電気めっきして、ニッケル皮膜
約５μｍ、続いてスズ鉛合金皮膜約３μｍを上記第２の
層４の上に図１に示すめっき金属皮膜からなる外部電極
の第３の層５を形成し、本実施例の積層セラミックコン
デンサの完成状態を得た。
をバレルめっき法により電気めっきして、ニッケル皮膜
約５μｍ、続いてスズ鉛合金皮膜約３μｍを上記第２の
層４の上に図１に示すめっき金属皮膜からなる外部電極
の第３の層５を形成し、本実施例の積層セラミックコン
デンサの完成状態を得た。
【００３３】次に、上記で得られた積層セラミックコン
デンサの完成品について、外観検査，静電容量等の電気
特性検査、はんだ付け性および耐はんだ食われ性の検査
を行った。その結果、いずれかの検査結果とも良好で問
題はなかった。
デンサの完成品について、外観検査，静電容量等の電気
特性検査、はんだ付け性および耐はんだ食われ性の検査
を行った。その結果、いずれかの検査結果とも良好で問
題はなかった。
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明は、ニッケル内部電
極に接続される外部電極の第１の層を形成するための外
部電極材料として、無機成分を、少なくとも酸化ニッケ
ルの粉末とニッケルの粉末の混合物としたものであり、
これを用いることにより、内部電極と誘電体とを交互に
積層した積層体と外部電極の第１の層とを同時焼成した
場合に、酸化ニッケルの大部分は焼成雰囲気中により還
元されてニッケルの金属皮膜となり、酸化ニッケルの一
部が誘電体中に拡散して外部電極との接合部近傍には酸
化ニッケルの拡散層が形成される。このために、内部電
極と外部電極との間、誘電体と外部電極との間のいずれ
においても良好な接合が得られる。これにより、外部電
極の第１の層を同時焼成する方法によるニッケル内部電
極の積層セラミックコンデンサの製造を可能にしたもの
であり、従来用いられたガラスフリットを含有している
外部電極材料と異なり、誘電体セラミックの焼結不足に
よる変形、機械的強度の劣化、コンデンサ特性の劣化等
の問題がない。
極に接続される外部電極の第１の層を形成するための外
部電極材料として、無機成分を、少なくとも酸化ニッケ
ルの粉末とニッケルの粉末の混合物としたものであり、
これを用いることにより、内部電極と誘電体とを交互に
積層した積層体と外部電極の第１の層とを同時焼成した
場合に、酸化ニッケルの大部分は焼成雰囲気中により還
元されてニッケルの金属皮膜となり、酸化ニッケルの一
部が誘電体中に拡散して外部電極との接合部近傍には酸
化ニッケルの拡散層が形成される。このために、内部電
極と外部電極との間、誘電体と外部電極との間のいずれ
においても良好な接合が得られる。これにより、外部電
極の第１の層を同時焼成する方法によるニッケル内部電
極の積層セラミックコンデンサの製造を可能にしたもの
であり、従来用いられたガラスフリットを含有している
外部電極材料と異なり、誘電体セラミックの焼結不足に
よる変形、機械的強度の劣化、コンデンサ特性の劣化等
の問題がない。
【００３５】また、外部電極は、積層体と同時焼成した
ニッケルの第１の層と、第１の層の上に形成したガラス
結合型の銀または銀合金の第２の層と、第２の層の上に
形成しためっき金属皮膜の第３の層で形成しているの
で、ニッケル内部電極と外部電極の間において良好な接
続が得られ、また上記の外部電極の表面層として、めっ
き金属皮膜の第３の層で形成しているので、はんだ付け
性および耐はんだ食われ性が良好であり、高品質で安価
な積層セラミックコンデンサが得られ、工業的価値は極
めて大である。
ニッケルの第１の層と、第１の層の上に形成したガラス
結合型の銀または銀合金の第２の層と、第２の層の上に
形成しためっき金属皮膜の第３の層で形成しているの
で、ニッケル内部電極と外部電極の間において良好な接
続が得られ、また上記の外部電極の表面層として、めっ
き金属皮膜の第３の層で形成しているので、はんだ付け
性および耐はんだ食われ性が良好であり、高品質で安価
な積層セラミックコンデンサが得られ、工業的価値は極
めて大である。
【図１】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサの断面図
デンサの断面図
１ 誘電体
２ ニッケル内部電極
３ ニッケルからなる第１の層
４ ガラス結合型の銀からなる第２の層
５ めっき金属皮膜からなる第３の層
Claims (2)
- 【請求項１】内部電極と誘電体とを交互に積層した積層
体と、上記内部電極に接続される外部電極とを備え、上
記内部電極がニッケルからなり、上記外部電極は、上記
積層体と同時焼成したニッケルの第１の層と、上記第１
の層の上に形成したガラス結合型の銀または銀合金の第
２の層と、上記第２の層の上に形成しためっき金属皮膜
の第３の層とからなり、上記誘電体の上記ニッケルの第
１の層との接合部近傍には酸化ニッケルの拡散層を有す
る積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】内部電極となるニッケル粉末ペースト膜と
誘電体セラミック生シートとを交互に積層し、これを所
定形状に切断して積層体を作成し、上記積層体の上記内
部電極となるニッケル粉末ペースト膜の露出端面に、無
機成分が、少なくとも酸化ニッケルの粉末とニッケルの
粉末の混合物からなるペーストを塗布し、これを焼成し
て、上記積層体の焼結と上記内部電極に接続される外部
電極の第１の層の形成とを同時に行い、次に、上記第１
の層の上に銀または銀合金粉末とガラスフリットと有機
ビヒクルとからなるペーストを塗布し、これを焼成し
て、外部電極の第２の層を形成し、次に、上記第２の層
の上にめっき金属皮膜からなる外部電極の第３の層の形
成を行う積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8509291A JP2943380B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8509291A JP2943380B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053131A true JPH053131A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2943380B2 JP2943380B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=13848965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8509291A Expired - Lifetime JP2943380B2 (ja) | 1991-04-17 | 1991-04-17 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2943380B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999018588A1 (fr) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Tdk Corporation | Dispositif electronique et son procede de production |
| JPH11251204A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| EP0777242A3 (en) * | 1995-11-29 | 1999-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | A ceramic electronic component and its manufacturing method |
| JP2000243662A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tdk Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| KR100449623B1 (ko) * | 2001-11-01 | 2004-09-22 | 삼성전기주식회사 | 적층세라믹 캐피시터의 제조방법 |
| US7206187B2 (en) | 2004-08-23 | 2007-04-17 | Kyocera Corporation | Ceramic electronic component and its manufacturing method |
| JP2008270328A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層バリスタとその製造方法 |
| JP2009182011A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2010238742A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Fdk Corp | チップ型電子部品の製造方法、チップ型電子部品 |
| JP2012156171A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2014096406A (ja) * | 2012-11-07 | 2014-05-22 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| US10217568B2 (en) | 2017-01-25 | 2019-02-26 | Holy Stone Enterprise Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| CN110880416A (zh) * | 2018-09-06 | 2020-03-13 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100663942B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2007-01-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-04-17 JP JP8509291A patent/JP2943380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0777242A3 (en) * | 1995-11-29 | 1999-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | A ceramic electronic component and its manufacturing method |
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| WO1999018588A1 (fr) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Tdk Corporation | Dispositif electronique et son procede de production |
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| JP4501143B2 (ja) * | 1999-02-19 | 2010-07-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
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| JP2008270328A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層バリスタとその製造方法 |
| JP2009182011A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2010238742A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Fdk Corp | チップ型電子部品の製造方法、チップ型電子部品 |
| JP2012156171A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
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| US10217568B2 (en) | 2017-01-25 | 2019-02-26 | Holy Stone Enterprise Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| TWI665691B (zh) * | 2017-01-25 | 2019-07-11 | 禾伸堂企業股份有限公司 | 積層陶瓷電容器及其製造方法 |
| US10593481B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-03-17 | Holy Stone Enterprise Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| CN110880416A (zh) * | 2018-09-06 | 2020-03-13 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器 |
| US11302478B2 (en) | 2018-09-06 | 2022-04-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| CN110880416B (zh) * | 2018-09-06 | 2022-08-26 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2943380B2 (ja) | 1999-08-30 |
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