JP2000058375A - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的強度や耐熱衝撃性に優れた積層セラミ
ック電子部品及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉
末と、有機ビヒクルとを含有する導電ペーストを用いて
内部電極を形成する。また、導電ペースト中のＳｉＯ2
粉末の割合を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉
末の合計量（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割
合とする。
ック電子部品及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉
末と、有機ビヒクルとを含有する導電ペーストを用いて
内部電極を形成する。また、導電ペースト中のＳｉＯ2
粉末の割合を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉
末の合計量（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割
合とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、積層セラミック
電子部品に関し、詳しくは、セラミック中に内部電極が
配設された構造を有する積層セラミック電子部品及びそ
の製造方法に関する。
電子部品に関し、詳しくは、セラミック中に内部電極が
配設された構造を有する積層セラミック電子部品及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】代表的な積層セラミック電子部品の一つ
である積層セラミックコンデンサは、通常、図５に示す
ように、複数の内部電極５１がセラミック層５２を介し
て互いに対向して配設された素子５３の両端側に、交互
に逆側の端面に引き出された内部電極５１と導通するよ
うに外部電極５４ａ，５４ｂを配設することにより形成
されている。
である積層セラミックコンデンサは、通常、図５に示す
ように、複数の内部電極５１がセラミック層５２を介し
て互いに対向して配設された素子５３の両端側に、交互
に逆側の端面に引き出された内部電極５１と導通するよ
うに外部電極５４ａ，５４ｂを配設することにより形成
されている。
【０００３】そして、このような積層セラミックコンデ
ンサは、図６に示すように、導電ペーストをスクリーン
印刷法などの方法で印刷して内部電極パターン６１（焼
成後に内部電極５１（図５）となる）を形成したセラミ
ックグリーンシート６２と、その上下両面側に配設され
る内部電極パターンの形成されていない外層用のセラミ
ックグリーンシート６３を積層して圧着した後、所定の
条件で焼成し、得られた積層体（素子５３（図５））
に、導電ペースト（外部電極形成用ペースト）を塗布、
焼き付けして外部電極５４ａ，５４ｂ（図５）を形成す
る工程を経て製造されている。
ンサは、図６に示すように、導電ペーストをスクリーン
印刷法などの方法で印刷して内部電極パターン６１（焼
成後に内部電極５１（図５）となる）を形成したセラミ
ックグリーンシート６２と、その上下両面側に配設され
る内部電極パターンの形成されていない外層用のセラミ
ックグリーンシート６３を積層して圧着した後、所定の
条件で焼成し、得られた積層体（素子５３（図５））
に、導電ペースト（外部電極形成用ペースト）を塗布、
焼き付けして外部電極５４ａ，５４ｂ（図５）を形成す
る工程を経て製造されている。
【０００４】なお、実際には、多数の内部電極パターン
が印刷されたマザーセラミックグリーンシートを積層、
圧着して、複数の素子を含むマザー積層体を形成し、こ
れを所定の位置でカットして個々の素子を切り出した
後、焼成し、外部電極を形成することにより、一度に多
数の積層セラミックコンデンサを製造する方法が一般的
に用いられている。
が印刷されたマザーセラミックグリーンシートを積層、
圧着して、複数の素子を含むマザー積層体を形成し、こ
れを所定の位置でカットして個々の素子を切り出した
後、焼成し、外部電極を形成することにより、一度に多
数の積層セラミックコンデンサを製造する方法が一般的
に用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
積層セラミックコンデンサの中には、誘電体として、優
れた特性を有するＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラ
ミックを用いたものがある。この、Ｐｂ系複合ペロブス
カイト誘電体セラミックは、誘電特性に優れており、そ
れを用いた積層セラミックコンデンサは、大きな静電容
量を得ることができるという特徴を有しているが、機械
的強度や耐熱衝撃性が、チタン酸バリウムやチタン酸ス
トロンチウムなどを用いたものに比べて劣るという問題
点があり、外部からの機械的衝撃や、熱的衝撃により、
内部にクラックが発生して、絶縁抵抗が低下し、場合に
よってはショートに至ることがある。
積層セラミックコンデンサの中には、誘電体として、優
れた特性を有するＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラ
ミックを用いたものがある。この、Ｐｂ系複合ペロブス
カイト誘電体セラミックは、誘電特性に優れており、そ
れを用いた積層セラミックコンデンサは、大きな静電容
量を得ることができるという特徴を有しているが、機械
的強度や耐熱衝撃性が、チタン酸バリウムやチタン酸ス
トロンチウムなどを用いたものに比べて劣るという問題
点があり、外部からの機械的衝撃や、熱的衝撃により、
内部にクラックが発生して、絶縁抵抗が低下し、場合に
よってはショートに至ることがある。
【０００６】なお、上記問題点は、積層セラミックコン
デンサの場合に限られるものではなく、積層ＬＣ複合部
品や積層インダクタなどの種々の積層セラミック電子部
品にあてはまるものである。
デンサの場合に限られるものではなく、積層ＬＣ複合部
品や積層インダクタなどの種々の積層セラミック電子部
品にあてはまるものである。
【０００７】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、機械的強度や耐熱衝撃性に優れた積層セラミック
電子部品及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
あり、機械的強度や耐熱衝撃性に優れた積層セラミック
電子部品及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の積層セラミック電子部品の
製造方法は、セラミック中に内部電極が配設された構造
を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉末と、有機ビヒ
クルとを含有する導電ペーストを用いて内部電極を形成
することを特徴としている。
に、本願発明（請求項１）の積層セラミック電子部品の
製造方法は、セラミック中に内部電極が配設された構造
を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉末と、有機ビヒ
クルとを含有する導電ペーストを用いて内部電極を形成
することを特徴としている。
【０００９】また、請求項２の積層セラミック電子部品
の製造方法は、セラミック中に内部電極が配設された構
造を有する積層セラミック電子部品の製造方法であっ
て、導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉末と、有機
ビヒクルとを含有する導電ペーストを用いてセラミック
グリーンシートに内部電極パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーン
シートを積層、圧着して積層体を形成する工程と、前記
積層体を焼成する工程とを含むことを特徴としている。
の製造方法は、セラミック中に内部電極が配設された構
造を有する積層セラミック電子部品の製造方法であっ
て、導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉末と、有機
ビヒクルとを含有する導電ペーストを用いてセラミック
グリーンシートに内部電極パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーン
シートを積層、圧着して積層体を形成する工程と、前記
積層体を焼成する工程とを含むことを特徴としている。
【００１０】本願発明の請求項１又は請求項２の積層セ
ラミック電子部品の製造方法は、ＳｉＯ2粉末を含有さ
せた導電ペーストを用いて内部電極を形成するようにし
ているので、積層セラミック電子部品の機械的強度及び
耐熱衝撃性を向上させることが可能になり、信頼性の高
い積層セラミック電子部品を提供することが可能にな
る。なお、ＳｉＯ2粉末を含有する導電ペーストを用い
て内部電極を形成した場合に、機械的強度及び耐熱衝撃
性を向上させることが可能になるのは、焼成工程での内
部電極の急激な収縮が抑制され、セラミックとの収縮差
が緩和されるためであると考えられる。また、本願発明
において用いられる導電ペーストを構成する金属粉末と
しては、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、その他種々の導電金
属粉末を用いることが可能である。また、有機ビヒクル
としては、アクリル樹脂、アルキド樹脂、硝化綿、エチ
ルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロースなど
を各種の有機溶剤に溶解したものなど、種々のものを用
いることが可能である。
ラミック電子部品の製造方法は、ＳｉＯ2粉末を含有さ
せた導電ペーストを用いて内部電極を形成するようにし
ているので、積層セラミック電子部品の機械的強度及び
耐熱衝撃性を向上させることが可能になり、信頼性の高
い積層セラミック電子部品を提供することが可能にな
る。なお、ＳｉＯ2粉末を含有する導電ペーストを用い
て内部電極を形成した場合に、機械的強度及び耐熱衝撃
性を向上させることが可能になるのは、焼成工程での内
部電極の急激な収縮が抑制され、セラミックとの収縮差
が緩和されるためであると考えられる。また、本願発明
において用いられる導電ペーストを構成する金属粉末と
しては、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、その他種々の導電金
属粉末を用いることが可能である。また、有機ビヒクル
としては、アクリル樹脂、アルキド樹脂、硝化綿、エチ
ルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロースなど
を各種の有機溶剤に溶解したものなど、種々のものを用
いることが可能である。
【００１１】また、請求項３の積層セラミック電子部品
の製造方法は、前記セラミックが、Ｐｂ系複合ペロブス
カイト誘電体セラミックであることを特徴としている。
の製造方法は、前記セラミックが、Ｐｂ系複合ペロブス
カイト誘電体セラミックであることを特徴としている。
【００１２】Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミッ
クは、機械的強度や耐熱衝撃性が必ずしも十分ではない
が、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを用い
た積層セラミック電子部品に本願発明を適用することに
より、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが可能
になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミック電子
部品を得ることが可能になる。なお、Ｐｂ系複合ペロブ
スカイト誘電体セラミックを用いた積層セラミック電子
部品において、ＳｉＯ2粉末を含有する導電ペーストを
用いて内部電極を形成した場合に、機械的強度及び耐熱
衝撃性を向上させることが可能になるのは、焼結時に、
Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミック中のＰｂＯ
とＳｉＯ2が９００℃以上の高温で結びついてガラス化
し、内部電極とセラミックの界面に析出して接合強度を
高めるためと考えられる。
クは、機械的強度や耐熱衝撃性が必ずしも十分ではない
が、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを用い
た積層セラミック電子部品に本願発明を適用することに
より、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが可能
になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミック電子
部品を得ることが可能になる。なお、Ｐｂ系複合ペロブ
スカイト誘電体セラミックを用いた積層セラミック電子
部品において、ＳｉＯ2粉末を含有する導電ペーストを
用いて内部電極を形成した場合に、機械的強度及び耐熱
衝撃性を向上させることが可能になるのは、焼結時に、
Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミック中のＰｂＯ
とＳｉＯ2が９００℃以上の高温で結びついてガラス化
し、内部電極とセラミックの界面に析出して接合強度を
高めるためと考えられる。
【００１３】また、請求項４の積層セラミック電子部品
の製造方法は、導電ペースト中の前記ＳｉＯ2粉末の割
合を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計
量（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合とした
ことを特徴としている。
の製造方法は、導電ペースト中の前記ＳｉＯ2粉末の割
合を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計
量（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合とした
ことを特徴としている。
【００１４】導電ペースト中のＳｉＯ2粉末の配合割合
を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計量
（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合とするこ
とにより、導電性などの内部電極として要求される性能
を損なうことなく、積層セラミック電子部品の強度を向
上させることが可能になり、本願発明を実効あらしめる
ことができる。
を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計量
（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合とするこ
とにより、導電性などの内部電極として要求される性能
を損なうことなく、積層セラミック電子部品の強度を向
上させることが可能になり、本願発明を実効あらしめる
ことができる。
【００１５】また、請求項５の積層セラミック電子部品
の製造方法は、前記導電ペーストを構成する導電成分が
Ａｇ−Ｐｄ粉末であり、Ａｇ−Ｐｄ粉末中のＡｇの割合
が７０〜８５重量％の範囲にあることを特徴としてい
る。
の製造方法は、前記導電ペーストを構成する導電成分が
Ａｇ−Ｐｄ粉末であり、Ａｇ−Ｐｄ粉末中のＡｇの割合
が７０〜８５重量％の範囲にあることを特徴としてい
る。
【００１６】導電ペーストを構成する導電成分として、
Ａｇの割合が７０〜８５重量％の範囲にあるＡｇ−Ｐｄ
粉末を用いることにより、誘電体として、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた、比較的低
温で焼成される積層セラミック電子部品を効率よく製造
することができるようになる。
Ａｇの割合が７０〜８５重量％の範囲にあるＡｇ−Ｐｄ
粉末を用いることにより、誘電体として、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた、比較的低
温で焼成される積層セラミック電子部品を効率よく製造
することができるようになる。
【００１７】また、本願発明（請求項６）の積層セラミ
ック電子部品は、請求項１〜５のいずれかに記載の方法
により製造され、セラミック中に内部電極が配設された
構造を有する積層セラミック電子部品であって、内部電
極中に、ＳｉＯ2が、内部電極を構成する金属とＳｉＯ2
との合計量（重量）に対して４０〜６０００ppmの割合
で含有されていることを特徴としている。
ック電子部品は、請求項１〜５のいずれかに記載の方法
により製造され、セラミック中に内部電極が配設された
構造を有する積層セラミック電子部品であって、内部電
極中に、ＳｉＯ2が、内部電極を構成する金属とＳｉＯ2
との合計量（重量）に対して４０〜６０００ppmの割合
で含有されていることを特徴としている。
【００１８】内部電極中に、ＳｉＯ2を、内部電極を構
成する金属とＳｉＯ2との合計量（重量）に対して４０
〜６０００ppmの割合で含有させることにより、積層セ
ラミック電子部品の機械的強度及び耐熱衝撃性を向上さ
せることが可能になり、信頼性を高めることができる。
成する金属とＳｉＯ2との合計量（重量）に対して４０
〜６０００ppmの割合で含有させることにより、積層セ
ラミック電子部品の機械的強度及び耐熱衝撃性を向上さ
せることが可能になり、信頼性を高めることができる。
【００１９】また、請求項７の積層セラミック電子部品
は、前記セラミックが、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電
体セラミックであることを特徴としている。
は、前記セラミックが、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電
体セラミックであることを特徴としている。
【００２０】Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミッ
クを用いた積層セラミック電子部品に本願発明を適用す
ることにより、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させるこ
とが可能になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミ
ック電子部品を得ることが可能になる。
クを用いた積層セラミック電子部品に本願発明を適用す
ることにより、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させるこ
とが可能になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミ
ック電子部品を得ることが可能になる。
【００２１】また、請求項８の積層セラミック電子部品
は、前記内部電極を構成する導電成分がＡｇ−Ｐｄ合金
であり、Ａｇ−Ｐｄ合金中のＡｇの割合が７０〜８５重
量％の範囲にあることを特徴としている。
は、前記内部電極を構成する導電成分がＡｇ−Ｐｄ合金
であり、Ａｇ−Ｐｄ合金中のＡｇの割合が７０〜８５重
量％の範囲にあることを特徴としている。
【００２２】内部電極を、Ａｇの割合が７０〜８５重量
％の範囲にあるＡｇ−Ｐｄから形成するようにした場
合、例えば、誘電体として、比較的低温で焼成されるＰ
ｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた
場合にも、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが
可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
％の範囲にあるＡｇ−Ｐｄから形成するようにした場
合、例えば、誘電体として、比較的低温で焼成されるＰ
ｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた
場合にも、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが
可能になり、本願発明を実効あらしめることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
なお、この実施形態では、積層セラミック電子部品とし
て、積層セラミックコンデンサを例にとって説明する。
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
なお、この実施形態では、積層セラミック電子部品とし
て、積層セラミックコンデンサを例にとって説明する。
【００２４】［積層セラミックコンデンサ］図１は本願
発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの
断面図である。この積層セラミックコンデンサは、図１
に示すように、複数の内部電極１がセラミック層２を介
して互いに対向して配設された素子３の両端側に、交互
に逆側の端面に引き出された内部電極１と導通するよう
に外部電極４ａ，４ｂが配設された構造を有している。
発明の一実施形態にかかる積層セラミックコンデンサの
断面図である。この積層セラミックコンデンサは、図１
に示すように、複数の内部電極１がセラミック層２を介
して互いに対向して配設された素子３の両端側に、交互
に逆側の端面に引き出された内部電極１と導通するよう
に外部電極４ａ，４ｂが配設された構造を有している。
【００２５】そして、この積層セラミックコンデンサに
おいては、素子３がＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体セ
ラミックであるＰｂ（Ｍｇ1／3Ｎｂ2／3）Ｏ2を用いて
形成されている。また、内部電極としては、金属成分
（Ａｇ−Ｐｄ合金）とＳｉＯ2の合計量に対して、Ｓｉ
Ｏ2を４０〜６０００ppmの割合で含有するＡｇ−Ｐｄ合
金から形成されている。また、Ａｇ−Ｐｄ合金として
は、ＡｇとＰｄの割合（重量比）が、Ａｇ７０〜８５
％、Ｐｄ３０〜１５％の範囲のものが用いられている。
おいては、素子３がＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体セ
ラミックであるＰｂ（Ｍｇ1／3Ｎｂ2／3）Ｏ2を用いて
形成されている。また、内部電極としては、金属成分
（Ａｇ−Ｐｄ合金）とＳｉＯ2の合計量に対して、Ｓｉ
Ｏ2を４０〜６０００ppmの割合で含有するＡｇ−Ｐｄ合
金から形成されている。また、Ａｇ−Ｐｄ合金として
は、ＡｇとＰｄの割合（重量比）が、Ａｇ７０〜８５
％、Ｐｄ３０〜１５％の範囲のものが用いられている。
【００２６】上記の積層セラミックコンデンサは、Ｓｉ
Ｏ2粉末を４０〜６０００ppmの割合で含有する内部電極
を備えており、それ自体では必ずしも機械的強度や耐熱
衝撃性が十分ではないＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体
セラミックであるＰｂ（Ｍｇ1／3Ｎｂ2／3）Ｏ2が用い
られているにもかかわらず、機械的強度や耐熱衝撃性に
優れ、十分な信頼性を備えている。
Ｏ2粉末を４０〜６０００ppmの割合で含有する内部電極
を備えており、それ自体では必ずしも機械的強度や耐熱
衝撃性が十分ではないＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体
セラミックであるＰｂ（Ｍｇ1／3Ｎｂ2／3）Ｏ2が用い
られているにもかかわらず、機械的強度や耐熱衝撃性に
優れ、十分な信頼性を備えている。
【００２７】［積層セラミックコンデンサの製造方法］
次に、上記積層セラミックコンデンサを製造する方法に
ついて説明する。まず、Ａｇ−Ｐｄ合金とＳｉＯ2と有
機ビヒクル（例えば、エチルセルロースをターピネオー
ルに溶かしたもの）を混練して作製した導電ペースト
を、図２に示すように、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電
体セラミックを用いたセラミックグリーンシート（マザ
ーセラミックグリーンシート）１２上に、スクリーン印
刷法を用いて印刷することにより所定の内部電極パター
ン１１（焼成後に内部電極１（図１）となる）を形成す
る。
次に、上記積層セラミックコンデンサを製造する方法に
ついて説明する。まず、Ａｇ−Ｐｄ合金とＳｉＯ2と有
機ビヒクル（例えば、エチルセルロースをターピネオー
ルに溶かしたもの）を混練して作製した導電ペースト
を、図２に示すように、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電
体セラミックを用いたセラミックグリーンシート（マザ
ーセラミックグリーンシート）１２上に、スクリーン印
刷法を用いて印刷することにより所定の内部電極パター
ン１１（焼成後に内部電極１（図１）となる）を形成す
る。
【００２８】それから、内部電極パターン１１の形成さ
れた複数枚のセラミックグリーンシート１２と、その上
下両面側に配設される、内部電極パターンの形成されて
いない外層用のセラミックグリーンシート１３を積層、
圧着して、図３に示すようなマザー積層体１４を形成す
る。
れた複数枚のセラミックグリーンシート１２と、その上
下両面側に配設される、内部電極パターンの形成されて
いない外層用のセラミックグリーンシート１３を積層、
圧着して、図３に示すようなマザー積層体１４を形成す
る。
【００２９】そして、このマザー積層体１４を所定の位
置でカットして、図４に示すような個々の素子３を切り
出し、所定の条件で焼成する。
置でカットして、図４に示すような個々の素子３を切り
出し、所定の条件で焼成する。
【００３０】それから、得られた素子３に、導電ペース
ト（外部電極形成用ペースト）を塗布して焼き付けるこ
とにより外部電極４ａ，４ｂ（図１）を形成する。な
お、外部電極４ａ，４ｂは、素子３の焼成前に外部電極
形成用ペーストを塗布しておき、素子３の焼成と同時に
焼付けを行って形成するようにしてもよい。これによ
り、図１に示すような積層セラミックコンデンサが得ら
れる。
ト（外部電極形成用ペースト）を塗布して焼き付けるこ
とにより外部電極４ａ，４ｂ（図１）を形成する。な
お、外部電極４ａ，４ｂは、素子３の焼成前に外部電極
形成用ペーストを塗布しておき、素子３の焼成と同時に
焼付けを行って形成するようにしてもよい。これによ
り、図１に示すような積層セラミックコンデンサが得ら
れる。
【００３１】［性能確認試験１］上記の積層セラミック
コンデンサの性能を確認するために、以下の方法で、比
較用の試料（比較例）と、本願発明の実施形態にかかる
試料（実施例）を作製し、その特性を測定した。
コンデンサの性能を確認するために、以下の方法で、比
較用の試料（比較例）と、本願発明の実施形態にかかる
試料（実施例）を作製し、その特性を測定した。
【００３２】試料の作成 まず、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミック材料
として、Ｐｂ（Ｍｇ1／3Ｎｂ2／3）Ｏ2からなるセラミ
ック材料を粉砕した後、これをセラミックグリーンシー
トに加工した。次に、表１に示すように、ＡｇとＰｄの
割合が、Ａｇ７０〜８５％、Ｐｄ３０〜１５％の範囲に
あるＡｇ−Ｐｄ粉末に、有機ビヒクルと、表１に示すよ
うな添加成分を配合し、混練して導電ペースト（電極ペ
ースト）を作製した。なお、表１において、試料番号に
＊印を付したものは本願発明の範囲内の実施例であり、
その他は本願発明の範囲外の比較例である。
として、Ｐｂ（Ｍｇ1／3Ｎｂ2／3）Ｏ2からなるセラミ
ック材料を粉砕した後、これをセラミックグリーンシー
トに加工した。次に、表１に示すように、ＡｇとＰｄの
割合が、Ａｇ７０〜８５％、Ｐｄ３０〜１５％の範囲に
あるＡｇ−Ｐｄ粉末に、有機ビヒクルと、表１に示すよ
うな添加成分を配合し、混練して導電ペースト（電極ペ
ースト）を作製した。なお、表１において、試料番号に
＊印を付したものは本願発明の範囲内の実施例であり、
その他は本願発明の範囲外の比較例である。
【００３３】
【表１】
【００３４】ただし、Ａｇ−Ｐｄ粉末、有機ビヒクル、
及び添加成分の配合割合は下記の通りである。 ・Ａｇ−Ｐｄ粉末：５０．０重量％ ・有機ビヒクル ：４９．９重量％ ・添加成分 ： ０．１重量％ なお、有機ビヒクルとしては、エチルセルロースをター
ピネオールに溶かしたものを用いた。また、添加成分と
しては、本願発明の実施例としては、ＳｉＯ2を用い、
比較例では、表１に示すようなＰｂ−Ｂ−Ｓｉガラス、
Ｐｂ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃａガラス、Ｐｂ−Ｂ−Ｓｉ−Ｎａガ
ラスなどを用いた。
及び添加成分の配合割合は下記の通りである。 ・Ａｇ−Ｐｄ粉末：５０．０重量％ ・有機ビヒクル ：４９．９重量％ ・添加成分 ： ０．１重量％ なお、有機ビヒクルとしては、エチルセルロースをター
ピネオールに溶かしたものを用いた。また、添加成分と
しては、本願発明の実施例としては、ＳｉＯ2を用い、
比較例では、表１に示すようなＰｂ−Ｂ−Ｓｉガラス、
Ｐｂ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃａガラス、Ｐｂ−Ｂ−Ｓｉ−Ｎａガ
ラスなどを用いた。
【００３５】次に、このようにして作製した導電ペース
トを用い、上記の［積層セラミックコンデンサの製造方
法］で述べた方法に準じる方法により、導電ペーストの
セラミックグリーンシートへの印刷、セラミックグリー
ンシートの積層、圧着、カット、焼成、外部電極の形成
の諸工程を経て試験用の積層セラミックコンデンサ（試
料）を作製した。
トを用い、上記の［積層セラミックコンデンサの製造方
法］で述べた方法に準じる方法により、導電ペーストの
セラミックグリーンシートへの印刷、セラミックグリー
ンシートの積層、圧着、カット、焼成、外部電極の形成
の諸工程を経て試験用の積層セラミックコンデンサ（試
料）を作製した。
【００３６】特性の測定 それから、このようにして作製した積層セラミックコン
デンサ（試料）について、以下の試験を行った。
デンサ（試料）について、以下の試験を行った。
【００３７】(ａ)はんだ浸漬後の絶縁抵抗不良率の測定
試験 試料を３５０℃、及び４００℃の溶融はんだに１０cm／
secの速度で浸漬して引き上げた後、絶縁抵抗を測定し
て、絶縁抵抗不良率を調べた（ｎ＝２００）。
試験 試料を３５０℃、及び４００℃の溶融はんだに１０cm／
secの速度で浸漬して引き上げた後、絶縁抵抗を測定し
て、絶縁抵抗不良率を調べた（ｎ＝２００）。
【００３８】(ｂ)おもり落下後の絶縁抵抗不良率、静電
容量、及び誘電損失の測定試験 試料に３ｇのおもりを３cmの高さから落下させた後、絶
縁抵抗を測定して、絶縁抵抗不良率を調べるとともに、
静電容量及び誘電損失を測定した（ｎ＝１００）。
容量、及び誘電損失の測定試験 試料に３ｇのおもりを３cmの高さから落下させた後、絶
縁抵抗を測定して、絶縁抵抗不良率を調べるとともに、
静電容量及び誘電損失を測定した（ｎ＝１００）。
【００３９】上記試験の結果を表１に併せて示す。表１
より、ＳｉＯ2を添加した本願発明の実施例の試料（試
料番号３，４）では、はんだ浸漬後の絶縁抵抗不良率
や、おもり落下後の絶縁抵抗不良率、静電容量、及び誘
電損失などの諸特性について、他の比較例に比べて良好
な結果が得られていることがわかる。これは、電極中
にＳｉＯ2を添加することにより、焼成工程での内部電
極の急激な収縮が抑制され、セラミックとの収縮差が緩
和されたためであり、また、焼結時に、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト誘電体セラミック中のＰｂＯとＳｉＯ2が
９００℃以上の高温で結びついてガラス化し、内部電極
とセラミックの界面に析出して接合強度を高めたためで
あると考えられる。
より、ＳｉＯ2を添加した本願発明の実施例の試料（試
料番号３，４）では、はんだ浸漬後の絶縁抵抗不良率
や、おもり落下後の絶縁抵抗不良率、静電容量、及び誘
電損失などの諸特性について、他の比較例に比べて良好
な結果が得られていることがわかる。これは、電極中
にＳｉＯ2を添加することにより、焼成工程での内部電
極の急激な収縮が抑制され、セラミックとの収縮差が緩
和されたためであり、また、焼結時に、Ｐｂ系複合ペ
ロブスカイト誘電体セラミック中のＰｂＯとＳｉＯ2が
９００℃以上の高温で結びついてガラス化し、内部電極
とセラミックの界面に析出して接合強度を高めたためで
あると考えられる。
【００４０】これに対して、試料番号５〜１０の比較例
のように、最初からガラス材料を添加した場合には、セ
ラミックの焼結領域である９００℃以上の温度でガラス
材料が素子中に拡散して、誘電体のペロブスカイト構造
を破壊してしまうため、特性が劣化するものと考えられ
る。
のように、最初からガラス材料を添加した場合には、セ
ラミックの焼結領域である９００℃以上の温度でガラス
材料が素子中に拡散して、誘電体のペロブスカイト構造
を破壊してしまうため、特性が劣化するものと考えられ
る。
【００４１】また、Ａｇ−Ｐｄ合金中のＡｇとＰｄの割
合（重量比）が、Ａｇ／Ｐｄ＝９０／１０とＡｇの割合
が高い場合（試料番号１３）、セラミック焼結温度であ
る９３０℃付近でＡｇがセラミック中に拡散してしまう
ため、静電容量が低く、電極としての特性がよくないこ
とがわかる。
合（重量比）が、Ａｇ／Ｐｄ＝９０／１０とＡｇの割合
が高い場合（試料番号１３）、セラミック焼結温度であ
る９３０℃付近でＡｇがセラミック中に拡散してしまう
ため、静電容量が低く、電極としての特性がよくないこ
とがわかる。
【００４２】また、Ａｇ−Ｐｄ合金中のＡｇとＰｄの割
合（重量比）が、Ａｇ／Ｐｄ＝５０／５０の場合（試料
番号１４）、はんだ浸漬試験での絶縁抵抗不良率が高
く、また、誘電損失も大きくなるため、好ましくない。
これは、Ｐｄの比率が高いため、セラミック焼結過程で
Ｐｄの酸化膨張により、内部にデラミネーションが発生
しやすくなるためであると考えられる。
合（重量比）が、Ａｇ／Ｐｄ＝５０／５０の場合（試料
番号１４）、はんだ浸漬試験での絶縁抵抗不良率が高
く、また、誘電損失も大きくなるため、好ましくない。
これは、Ｐｄの比率が高いため、セラミック焼結過程で
Ｐｄの酸化膨張により、内部にデラミネーションが発生
しやすくなるためであると考えられる。
【００４３】上記の結果より、Ａｇ−Ｐｄ合金中のＡｇ
とＰｄの割合（重量比）は、Ａｇが７０〜８５、Ｐｄが
３０〜１５の範囲とすることが好ましい。
とＰｄの割合（重量比）は、Ａｇが７０〜８５、Ｐｄが
３０〜１５の範囲とすることが好ましい。
【００４４】［性能確認試験２］ 試料の作成 上記の性能確認試験１の場合と同様に、誘電体セラミッ
クとしてＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを
用いて積層セラミックコンデンサ（試料）を作製し、性
能を確認した。なお、ここでは、導電ペーストとして、
ＡｇとＰｄの重量比が、Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０と、Ａ
ｇ／Ｐｄ＝８５／１５の２種類のＡｇ−Ｐｄ粉末（金属
粉末）を用い、この金属粉末に有機ビヒクル（ここでは
エチルセルロースをターピネオールに溶かしたものを使
用）と、表２に示すような量のＳｉＯ2（添加成分）を
配合し、混練することにより作製したものを用いた。な
お、表２において、試料番号に＊印を付したものは本願
発明の範囲内の実施例であり、その他は本願発明の範囲
外の比較例である。
クとしてＰｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを
用いて積層セラミックコンデンサ（試料）を作製し、性
能を確認した。なお、ここでは、導電ペーストとして、
ＡｇとＰｄの重量比が、Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０と、Ａ
ｇ／Ｐｄ＝８５／１５の２種類のＡｇ−Ｐｄ粉末（金属
粉末）を用い、この金属粉末に有機ビヒクル（ここでは
エチルセルロースをターピネオールに溶かしたものを使
用）と、表２に示すような量のＳｉＯ2（添加成分）を
配合し、混練することにより作製したものを用いた。な
お、表２において、試料番号に＊印を付したものは本願
発明の範囲内の実施例であり、その他は本願発明の範囲
外の比較例である。
【００４５】
【表２】
【００４６】なお、Ａｇ−Ｐｄ粉末、有機ビヒクル、及
びＳｉＯ2の配合割合は下記の通りである。 ・Ａｇ−Ｐｄ粉末：５０．０重量％ ・ＳｉＯ2 ：１０〜５０００ppm （但し、金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計量（重量）に対
するＳｉＯ2の割合としては２０〜１００００ppmであ
る） ・有機ビヒクル ：残部
びＳｉＯ2の配合割合は下記の通りである。 ・Ａｇ−Ｐｄ粉末：５０．０重量％ ・ＳｉＯ2 ：１０〜５０００ppm （但し、金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計量（重量）に対
するＳｉＯ2の割合としては２０〜１００００ppmであ
る） ・有機ビヒクル ：残部
【００４７】特性の測定 それから、このようにして作製した積層セラミックコン
デンサ（試料）について、(ａ)はんだ浸漬後の絶縁抵抗
不良率の測定試験、及び(ｂ)おもり落下後の絶縁抵抗不
良率、静電容量、及び誘電損失の測定試験を行った。な
お、測定試験の内容については、上記の［性能確認試験
１］の場合と同様である。測定試験の結果を表２に併せ
て示す。
デンサ（試料）について、(ａ)はんだ浸漬後の絶縁抵抗
不良率の測定試験、及び(ｂ)おもり落下後の絶縁抵抗不
良率、静電容量、及び誘電損失の測定試験を行った。な
お、測定試験の内容については、上記の［性能確認試験
１］の場合と同様である。測定試験の結果を表２に併せ
て示す。
【００４８】表２より、Ａｇ／Ｐｄ（重量比）＝７０／
３０の導電ペーストを用いた場合（試料番号２１〜２
７）における、ＳｉＯ2の好ましい添加量範囲（金属粉
末（Ａｇ／Ｐｄ粉末）とＳｉＯ2粉末の合計量（重量）
に対する割合）は、４０〜６０００ppmの範囲であるこ
とがわかる。なお、ＳｉＯ2の添加量がこの範囲を下回
ると、焼成工程での内部電極の急激な収縮を抑制する効
果が不十分になり、耐衝撃性が低下するため好ましくな
い。また、ＳｉＯ2の添加量がこの範囲を超えると、静
電容量の低下や誘電損失の劣化を引き起こすため好まし
くない。なお、これは、ＳｉＯ2が過剰で、セラミック
中に拡散し、誘電率を変化させるためであると考えられ
る。
３０の導電ペーストを用いた場合（試料番号２１〜２
７）における、ＳｉＯ2の好ましい添加量範囲（金属粉
末（Ａｇ／Ｐｄ粉末）とＳｉＯ2粉末の合計量（重量）
に対する割合）は、４０〜６０００ppmの範囲であるこ
とがわかる。なお、ＳｉＯ2の添加量がこの範囲を下回
ると、焼成工程での内部電極の急激な収縮を抑制する効
果が不十分になり、耐衝撃性が低下するため好ましくな
い。また、ＳｉＯ2の添加量がこの範囲を超えると、静
電容量の低下や誘電損失の劣化を引き起こすため好まし
くない。なお、これは、ＳｉＯ2が過剰で、セラミック
中に拡散し、誘電率を変化させるためであると考えられ
る。
【００４９】また、Ａｇ／Ｐｄ（重量比）＝８５／１５
の導電ペーストを用いた場合（試料番号２８〜３２）に
おける、ＳｉＯ2の好ましい添加量範囲（金属粉末（Ａ
ｇ／Ｐｄ粉末）とＳｉＯ2粉末の合計量（重量）に対す
る割合）も、４０〜６０００ppmの範囲であることがわ
かる。なお、その理由は、上述の、Ａｇ／Ｐｄ（重量
比）＝７０／３０の導電ペーストを用いた場合と同様で
ある。
の導電ペーストを用いた場合（試料番号２８〜３２）に
おける、ＳｉＯ2の好ましい添加量範囲（金属粉末（Ａ
ｇ／Ｐｄ粉末）とＳｉＯ2粉末の合計量（重量）に対す
る割合）も、４０〜６０００ppmの範囲であることがわ
かる。なお、その理由は、上述の、Ａｇ／Ｐｄ（重量
比）＝７０／３０の導電ペーストを用いた場合と同様で
ある。
【００５０】なお、上記実施形態では、セラミックとし
て、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを用い
た場合について説明したが、他のセラミックを用いた積
層セラミックコンデンサに適用した場合にも、上記実施
形態に準じた効果を得ることが可能である。
て、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを用い
た場合について説明したが、他のセラミックを用いた積
層セラミックコンデンサに適用した場合にも、上記実施
形態に準じた効果を得ることが可能である。
【００５１】また、上記実施形態では、内部電極を構成
する金属がＡｇ−Ｐｄである場合について説明したが、
内部電極が他の金属から形成されるような積層セラミッ
ク電子部品にも適用することが可能である。
する金属がＡｇ−Ｐｄである場合について説明したが、
内部電極が他の金属から形成されるような積層セラミッ
ク電子部品にも適用することが可能である。
【００５２】また、上記実施形態では、積層セラミック
コンデンサを例にとって説明したが、本願発明は、積層
ＬＣ複合部品や積層インダクタなどの種々の積層セラミ
ック電子部品に適用することが可能である。
コンデンサを例にとって説明したが、本願発明は、積層
ＬＣ複合部品や積層インダクタなどの種々の積層セラミ
ック電子部品に適用することが可能である。
【００５３】本願発明は、さらにその他の点においても
上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の
範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の
範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能
である。
【００５４】
【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１及び
２）の積層セラミック電子部品の製造方法は、ＳｉＯ2
粉末を含有させた導電ペーストを用いて内部電極を形成
するようにしているので、積層セラミック電子部品の機
械的強度及び耐熱衝撃性を向上させることが可能にな
り、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供するこ
とができる。
２）の積層セラミック電子部品の製造方法は、ＳｉＯ2
粉末を含有させた導電ペーストを用いて内部電極を形成
するようにしているので、積層セラミック電子部品の機
械的強度及び耐熱衝撃性を向上させることが可能にな
り、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提供するこ
とができる。
【００５５】また、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セ
ラミックは、機械的強度や耐熱衝撃性が必ずしも十分で
はないが、請求項３の積層セラミック電子部品の製造方
法のように、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミッ
クを用いた積層セラミック電子部品に本願発明を適用す
ることにより、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させるこ
とが可能になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミ
ック電子部品を得ることが可能になる。
ラミックは、機械的強度や耐熱衝撃性が必ずしも十分で
はないが、請求項３の積層セラミック電子部品の製造方
法のように、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミッ
クを用いた積層セラミック電子部品に本願発明を適用す
ることにより、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させるこ
とが可能になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミ
ック電子部品を得ることが可能になる。
【００５６】また、請求項４の積層セラミック電子部品
の製造方法のように、導電ペースト中のＳｉＯ2粉末の
配合割合を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末
の合計量（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合
とすることにより、導電性などの内部電極として要求さ
れる性能を損なうことなく、積層セラミック電子部品の
強度を向上させることが可能になり、本願発明を実効あ
らしめることができる。
の製造方法のように、導電ペースト中のＳｉＯ2粉末の
配合割合を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末
の合計量（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合
とすることにより、導電性などの内部電極として要求さ
れる性能を損なうことなく、積層セラミック電子部品の
強度を向上させることが可能になり、本願発明を実効あ
らしめることができる。
【００５７】また、請求項５の積層セラミック電子部品
の製造方法のように、導電ペーストを構成する導電成分
として、Ａｇの割合が７０〜８５重量％の範囲にあるＡ
ｇ−Ｐｄ粉末を用いることにより、誘電体として、Ｐｂ
系複合ペロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた、
比較的低温で焼成される積層セラミック電子部品を効率
よく製造することができる。
の製造方法のように、導電ペーストを構成する導電成分
として、Ａｇの割合が７０〜８５重量％の範囲にあるＡ
ｇ−Ｐｄ粉末を用いることにより、誘電体として、Ｐｂ
系複合ペロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた、
比較的低温で焼成される積層セラミック電子部品を効率
よく製造することができる。
【００５８】また、本願発明（請求項６）の積層セラミ
ック電子部品は、内部電極中に、ＳｉＯ2を、内部電極
を構成する金属とＳｉＯ2との合計量（重量）に対して
４０〜６０００ppmの割合で含有させるようにしている
ので、積層セラミック電子部品の機械的強度及び耐熱衝
撃性を向上させることが可能になり、信頼性を高めるこ
とができる。
ック電子部品は、内部電極中に、ＳｉＯ2を、内部電極
を構成する金属とＳｉＯ2との合計量（重量）に対して
４０〜６０００ppmの割合で含有させるようにしている
ので、積層セラミック電子部品の機械的強度及び耐熱衝
撃性を向上させることが可能になり、信頼性を高めるこ
とができる。
【００５９】また、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セ
ラミックは、機械的強度や耐熱衝撃性が必ずしも十分で
はないが、請求項７の積層セラミック電子部品のよう
に、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを用い
た積層セラミック電子部品に本願発明を適用することに
より、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが可能
になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミック電子
部品を得ることが可能になる。
ラミックは、機械的強度や耐熱衝撃性が必ずしも十分で
はないが、請求項７の積層セラミック電子部品のよう
に、Ｐｂ系複合ペロブスカイト誘電体セラミックを用い
た積層セラミック電子部品に本願発明を適用することに
より、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが可能
になり、優れた誘電特性を生かした積層セラミック電子
部品を得ることが可能になる。
【００６０】また、請求項８の積層セラミック電子部品
のように、内部電極を、Ａｇの割合が７０〜８５重量％
の範囲にあるＡｇ−Ｐｄから形成するようにした場合、
例えば、誘電体として、比較的低温で焼成されるＰｂ系
複合ペロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた場合
にも、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが可能
になり、本願発明を実効あらしめることができる。
のように、内部電極を、Ａｇの割合が７０〜８５重量％
の範囲にあるＡｇ−Ｐｄから形成するようにした場合、
例えば、誘電体として、比較的低温で焼成されるＰｂ系
複合ペロブスカイト誘電体セラミックなどを用いた場合
にも、機械的強度や耐熱衝撃性を向上させることが可能
になり、本願発明を実効あらしめることができる。
【図１】本願発明の一実施形態にかかる積層セラミック
電子部品（積層セラミックコンデンサ）を示す断面図で
ある。
電子部品（積層セラミックコンデンサ）を示す断面図で
ある。
【図２】本願発明の一実施形態にかかる積層セラミック
コンデンサの製造方法の一工程において、マザーセラミ
ックグリーンシートを積層している状態を示す図であ
る。
コンデンサの製造方法の一工程において、マザーセラミ
ックグリーンシートを積層している状態を示す図であ
る。
【図３】本願発明の一実施形態にかかる積層セラミック
コンデンサの製造方法の一工程において作製されたマザ
ー積層体の要部を示す断面図である。
コンデンサの製造方法の一工程において作製されたマザ
ー積層体の要部を示す断面図である。
【図４】図３のマザー積層体を所定の位置でカットする
ことにより切り出した素子を示す図である。
ことにより切り出した素子を示す図である。
【図５】従来の積層セラミック電子部品（積層セラミッ
クコンデンサ）を示す断面図である。
クコンデンサ）を示す断面図である。
【図６】従来の積層セラミック電子部品（積層セラミッ
クコンデンサ）の製造方法の一例を示す図である。
クコンデンサ）の製造方法の一例を示す図である。
１ 内部電極 ２ セラミック層 ３ 素子 ４ａ，４ｂ 外部電極 １１ 内部電極パターン １２ セラミックグリーンシート １３ 外層用のセラミックグリーンシート １４ マザー積層体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高倉 真一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E082 AA01 AB03 BC33 BC35 EE04 EE22 EE23 EE29 EE35 FG06 FG26 FG46 FG54 GG10 GG28 KK01 PP03
Claims (8)
- 【請求項１】セラミック中に内部電極が配設された構造
を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、 導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉末と、有機ビヒ
クルとを含有する導電ペーストを用いて内部電極を形成
することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項２】セラミック中に内部電極が配設された構造
を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、 導電成分である金属粉末と、ＳｉＯ2粉末と、有機ビヒ
クルとを含有する導電ペーストを用いてセラミックグリ
ーンシートに内部電極パターンを形成する工程と、 前記内部電極パターンが形成されたセラミックグリーン
シートを積層、圧着して積層体を形成する工程と、 前記積層体を焼成する工程とを含むことを特徴とする積
層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項３】前記セラミックが、Ｐｂ系複合ペロブスカ
イト誘電体セラミックであることを特徴とする請求項１
又は２記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項４】導電ペースト中の前記ＳｉＯ2粉末の割合
を、導電ペースト中の金属粉末とＳｉＯ2粉末の合計量
（重量）に対して、４０〜６０００ppmの割合としたこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層セ
ラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】前記導電ペーストを構成する導電成分がＡ
ｇ−Ｐｄ粉末であり、Ａｇ−Ｐｄ粉末中のＡｇの割合が
７０〜８５重量％の範囲にあることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製
造方法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の方法によ
り製造され、セラミック中に内部電極が配設された構造
を有する積層セラミック電子部品であって、 内部電極中に、ＳｉＯ2が、内部電極を構成する金属と
ＳｉＯ2との合計量（重量）に対して４０〜６０００ppm
の割合で含有されていることを特徴とする積層セラミッ
ク電子部品。 - 【請求項７】前記セラミックが、Ｐｂ系複合ペロブスカ
イト誘電体セラミックであることを特徴とする請求項６
に記載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項８】前記内部電極を構成する導電成分がＡｇ−
Ｐｄ合金であり、Ａｇ−Ｐｄ合金中のＡｇの割合が７０
〜８５重量％の範囲にあることを特徴とする請求項６又
は７に記載の積層セラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23032598A JP3554957B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23032598A JP3554957B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058375A true JP2000058375A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3554957B2 JP3554957B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=16906072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23032598A Expired - Lifetime JP3554957B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3554957B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191046A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置 |
| CN102867564A (zh) * | 2011-07-07 | 2013-01-09 | 三星电机株式会社 | 内电极导电浆料组合物和含该组合物的多层陶瓷电子元件 |
| CN102867565A (zh) * | 2011-07-06 | 2013-01-09 | 三星电机株式会社 | 内电极导电浆料组合物和含该组合物的多层陶瓷电子元件 |
| KR20190019117A (ko) * | 2019-02-19 | 2019-02-26 | 삼성전기주식회사 | 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP23032598A patent/JP3554957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
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