CN115036135B - 陶瓷电子部件 - Google Patents
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Abstract
本发明的陶瓷电子部件具有：元件主体，其包含陶瓷层和内部电极层；以及外部电极，其形成于该元件主体的端面，与内部电极层的一部分电连接。陶瓷层包含由ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分，外部电极包含导体和分散于该导体中的玻璃粉，所述玻璃粉包含B、Si、Ba、Zn。而且，在元件主体的端面，在与外部电极相接的陶瓷层的端部存在边界层，该边界层中包含含有Ba、Zn、Si的氧化物。
Description
技术领域
本公开涉及具有外部电极的陶瓷电子部件。
背景技术
如专利文献1所示，已知有一种陶瓷电子部件，其具备包含陶瓷成分的元件主体和形成于该素体的外表面的外部电极。作为陶瓷电子部件的外部电极，广泛采用烧附电极，烧附电极能通过将包含导体粉末和玻璃粉的导电膏体涂布于素体表面并烧附而形成。该烧附电极与将镀敷电极或树脂电极直接形成于素体表面的情况相比，能够得到高的接合强度。
但是，当对陶瓷电子部件施加热冲击等负荷时，在烧附电极和素体表面之间的界面产生应力，烧附电极有时从素体表面剥离。因此，要求开发提高素体和烧附电极的接合可靠性的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平4-171912号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本公开是鉴于这种实际情况而完成的，其目的在于，提供一种元件主体和外部电极的接合可靠性高的陶瓷电子部件。
用于解决问题的技术手段
为了实现上述目的，本发明的陶瓷电子部件具有：
元件主体，其包含陶瓷层和内部电极层；以及
外部电极，其形成于所述元件主体的端面，与所述内部电极层的一部分电连接，
所述陶瓷层包含由ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分，
所述外部电极包含导体和分散于所述导体中的玻璃粉，所述玻璃粉包含B、Si、Ba、Zn，
在所述元件主体的所述端面，在与所述外部电极相接的所述陶瓷层的端部存在边界层，所述边界层中包含含有Ba、Zn、Si的氧化物。
本发明人发现了，通过陶瓷电子部件具有上述的结构，与现有相比，能够提高元件主体和外部电极的接合可靠性。即，在本发明的陶瓷电子部件中，即使受到热冲击，也能够抑制外部电极从元件主体的端面剥离。得到上述效果的理由虽然并不明确，但考虑以下所示的事由。
首先，认为相互扩散现象有助于接合可靠性的提高。在本发明中，在外部电极和边界层之间，Ba、Zn、及Si成为共同成分。因此，认为：在外部电极和边界层之间，上述的共同成分相互扩散，并且认为：通过该相互扩散，提高外部电极与元件主体的接合强度。另外，认为：如上述，含有规定的元素的边界层呈现缓和元件主体和外部电极之间产生的热应力的作用，并且认为：通过该应力缓和作用，相对于热冲击等的耐性提高。
优选的是，所述边界层中还包含所述钙钛矿型化合物。通过边界层中包含构成元件主体的陶瓷层的主成分，边界层和元件主体的接合强度进一步提高。
优选的是，在所述边界层中包含的所述氧化物中，如果将Ba的含量、Zn的含量、以及Si的含量的和设为1摩尔份，
则Zn的含量为0.27摩尔份～0.40摩尔份，
Si的含量为0.27摩尔份～0.40摩尔份，
剩余部分为Ba。
或者，优选的是，所述边界层中包含的所述氧化物为BaZnSiO4。通过边界层满足上述的要件，元件主体和外部电极的接合可靠性趋于进一步提高。
优选的是，在所述外部电极中包含的所述玻璃粉中，如果将B的含量、Si的含量、Ba的含量、以及Zn的含量的和设为1摩尔份，
则Si的含量为0.05摩尔份～0.20摩尔份，
Ba的含量为0.05摩尔份～0.25摩尔份，
Zn的含量为0.15摩尔份～0.35摩尔份，
剩余部分为B。通过外部电极满足上述的要件，元件主体和外部电极的接合可靠性趋于进一步提高。
优选的是，所述外部电极中抱哈的所述导体包含Cu。
另外，优选的是，在包含所述元件主体的所述端面和所述外部电极的接合边界的截面，所述玻璃粉与所述边界层直接相接的扩散区域，在所述接合边界100μm中，存在3处以上。通过满足该要件，元件主体和外部电极的接合可靠性趋于进一步提高。
附图说明
图1是示出本公开一实施方式的层叠陶瓷电容器的截面图。
图2是将图1所示的区域II放大的主要部分截面图。
附图标记说明
2…层叠陶瓷电容器
4…元件主体
4a…端面
4b…侧面
10…陶瓷层
12…内部电极层
14…边界层
6…外部电极
6a…烧附电极
61…导体
62…玻璃粉
46…接合边界
46a…扩散区域
具体实施方式
以下，基于附图所示的实施方式对本公开进行详细说明。
在本实施方式中，作为本公开的陶瓷电子部件的一例，对图1所示的层叠陶瓷电容器2进行说明。层叠陶瓷电容器2具有元件主体4和形成于该元件主体4的外表面的一对外部电极6。
图1所示的元件主体4的形状通常为大致长方体状，具有：在X轴方向上相对的两个端面4a、在Y轴方向上相对的两个侧面4b、以及在Z轴方向上相对的两个侧面4b。但是，元件主体4的形状没有特别限制，也可以为椭圆柱状、圆柱状、其它棱柱状等。另外，元件主体4的外形尺寸也没有特别限制，例如，能够将X轴方向的长度L0设为0.4mm～5.7mm，将Y轴方向的宽度W0设为0.2mm～5.0mm，将Z轴方向的高度T0设为0.2mm～3.0mm。此外，在本实施方式中，X轴、Y轴、Z轴相互垂直。
而且，元件主体4具有与包含X轴及Y轴的平面实质上平行的陶瓷层10和内部电极层12，在元件主体4的内部，陶瓷层10和内部电极层12沿着Z轴方向交替层叠。在此，“实质上平行”是指大部分的部分平行，但也可以具有稍微不平行的部分，陶瓷层10和内部电极层12也可以稍微具有凹凸、或倾斜。
陶瓷层10包含由通式ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分。在此，陶瓷层10的主成分是指相对于陶瓷层10整体含有80摩尔％的成分。
在钙钛矿型化合物中，优选在A位点至少包含Ba，在钙钛矿型化合物中，也特别优选为钛酸钡(BT)、或钛酸钡钙(BCT)。钛酸钡及钛酸钡钙通常能够由组成式(Ba1-a-bSraCab)m(Ti1-c-dZrcHfd)O3表示。
在上述组成式中，符号a、b、c、d、m分别表示元素比率，各元素比率没有特别限定，能够设定为公知的范围。例如，m表示A位点相对于B位点的元素比率，通常能够设为0.9～1.1的范围。另外，a表示Sr占A位点的元素比率，b表示Ca占A位点的元素比率。在本实施方式中，能够设为0≦a+b＜1，优选设为0≦a+b≦0.1。另外，c表示Zr占B位点的元素比率，d表示Hf占B位点的元素比率。在本实施方式中，能够设为0≦c+d＜1.0，优选设为0≦c+d≦0.15。此外，上述组成式中的氧(O)的元素比率也可以从化学计量组成稍微偏差。
另外，在陶瓷层10，除上述主成分外，也可以包含副成分。作为副成分，例如，可列举Mn化合物、Mg化合物、Cr化合物、Ni化合物、稀土元素化合物、Si化合物、Li化合物、B化合物、V化合物等，副成分的种类、组合、及其添加量没有特别限定。
陶瓷层10的每1层的平均厚度Td(层间厚度)没有特别限制，例如，能够设为100μm以下，优选为30μm以下。另外，对于陶瓷层10的层叠数只要根据期望的特性确定即可，没有特别限定。例如，能够设为20层以上，更优选设为50层以上。
另一方面，内部电极层12层叠在各陶瓷层10之间，其层叠数根据陶瓷层10的层叠数而确定。而且，内部电极层12的每1层的平均厚度Te没有特别限制，例如，能够设为3.0μm以下。
另外，对于多个内部电极层12，以一端部在于元件主体4的X轴方向上相对的两个端面4a交替露出的方式进行层叠。而且，一对外部电极6分别形成于元件主体4的一端面4a，与交替配置的内部电极层12的露出端电连接。通过这样形成外部电极6，由外部电极6和内部电极层12构成电容器电路。
即，内部电极层12作为电容器电路的一部分，实现对各陶瓷层10施加电压的功能。因此，内部电极层12的材质包含导电材料而构成。作为具体的材质，能够使用例如Cu、Ni、Ag、Pd、Au、Pt、或包含这些金属元素中的至少1种的合金。由于陶瓷层10的构成材料具有耐还原性，因此，内部电极层12中包含的导电材料更优选为Ni或Ni系合金。另外，在将Ni或Ni系合金设为主成分的情况下，也可以含有选自Mn、Cu、Cr等的1种类以上的内部电极用副成分。
此外，在内部电极层12，除上述导电材料外，也可以包含陶瓷层10中包含的陶瓷成分作为常用材料，也可以包含微量的S或P等非金属成分(例如，0.1质量％以下程度)。
如图1所示，本实施方式的外部电极6一体地具有：形成于元件主体4的X轴方向的端面4a的端面部、和在元件主体4的四个侧面4b形成于X轴方向的端部的延长部。即，一对外部电极6分别以从元件主体4的端面4a绕入侧面4b的方式形成。此外，一对外部电极6以在X轴方向上相互不接触的方式绝缘。
如上述，在本实施方式中，外部电极6的延长部分别形成于元件主体4的四个侧面4b。但是，外部电极6的延长部不是必须的，外部电极6也可以仅由端面部构成。或者，在将层叠陶瓷电容器2面安装于基板的情况下，外部电极6的延长部只要形成在至少与基板的安装面相对的侧面4b即可，也可以不形成于与安装面为相反侧的侧面4b。
图2是将外部电极6和元件主体4的接合边界46放大的概略截面图。此外，图2中，示出一对外部电极6中的一个，但另一个外部电极6也具有与图2同样的特征。以下，基于图2，对本实施方式中的外部电极6的详细特征、及外部电极6和元件主体4的接合状态进行说明。
如图2所示，外部电极6具有包含导体61和玻璃粉62的烧附电极6a，该烧附电极6a与元件主体4的外表面(端面4a)相接。此外，外部电极6也可以由单一的电极层构成，也可以层叠多个电极层而构成。在由多个电极层构成外部电极6的情况下，以与元件主体4的外表面相接的方式形成上述烧附电极，在其烧附电极之上，形成其它烧附电极或树脂电极、或镀敷电极等。例如，外部电极6能够设为烧附电极－镀Ni层－镀Sn层的三层构造(以记载顺序层叠)，在该情况下，镀Sn层位于外部电极6的最表面，因此，外部电极6的焊料润湿性变得良好。
与端面4a相接的烧附电极6a的平均厚度能够设为5μm～200μm，优选设为50μm以下。另外，在外部电极6由多层构成的情况下，外部电极6的平均厚度能够设为5μm～300μm程度，优选为100μm以下。
烧附电极6a中包含的导体61为导电性的金属，能够设为例如Cu、Ni、Ag、Pd、Au、Pt、或包含这些金属元素中的至少1种的合金，优选为Cu或Cu合金。在将导体61设为Cu合金的情况下，在导体61，除Cu以外，也可以包含Al、Ni、Ag、Pd、Sn、Zn、P、Fe、Mn等元素。Cu以外的元素相对于Cu100摩尔份优选为5摩尔份以下。
另一方面，玻璃粉62为包含B、Si、Ba、Zn的非晶质玻璃，在导体61中分散地存在。玻璃粉62的组成优选满足以下的条件。即，如果将B的含量、Si的含量、Ba的含量、以及Zn的含量的和设为1摩尔份，则Si的含量优选为0.05摩尔份～0.20摩尔份，Ba的含量优选为0.05摩尔份～0.25摩尔份，Zn的含量优选为0.15摩尔份～0.35摩尔份，剩余部分为B(B的含量优选为0.20摩尔份～0.60摩尔份)。
此外，玻璃粉62的化合物结构没有特别限定，通过混合存在多个玻璃成分，也可以实现上述组成比。例如，玻璃粉62也可以为由SiO2构成的玻璃成分和B2O3-BaO-ZnO构成的玻璃成分(优选Ba3Zn(BO3)2)的混合物。另外，除上述主要元素(B、Si、Ba、Zn、O)外，玻璃粉62也可以包含微量元素。作为微量元素，可列举例如Al、稀土元素、Zr、Mn、Ca、Mg、Ti、K、Na等，微量元素的合计含量相对于除O以外的主要元素的合计含量1.0摩尔份，优选为0.20摩尔份以下。
如上述，烧附电极6a包含导体61和玻璃粉62，另外，可以包含未图示的空隙或氧化物副成分等。另外，烧附电极6a的导体61和玻璃粉62的含有比没有特别限定。例如，导体61占烧附电极6a的截面的平均面积比例能够设为30％～90％，优选为70％～90％。
此外，外部电极6能够通过由SEM(扫描型电子显微镜)或STEM(扫描透射电子显微镜)等的截面观察进行解析。例如，导体61及玻璃粉62的组成在截面观察时，能够通过进行由电子束显微分析仪(EPMA)的成分分析来测定。成分分析至少在3处以上实施，优选根据测定结果的平均值计算各要素(61、62)的组成。在本实施方式中，在通过EPMA进行成分分析等的情况下，作为X射线分光器，能够使用EDS(能量色散型分光器)、或WDS(波长分散型分光器)。
另外，导体61的面积比例能够通过对由SEM或STEM等截面观察得到的截面照片进行图像解析来测定。在通过SEM的反射电子像或STEM的HAADF像等观察烧附电极6a的截面的情况下，具有金属结合的导体61能够识别为对比度明亮的部分，玻璃粉62等非金属成分(另外，还包含空隙或氧化物)能够识别为对比度暗的部分。因此，就导体61占烧附电极6a的截面的面积比例而言，将截面照片进行二值化等，并能够作为对比度明亮的部分的面积相对于测定视野整体的面积的比率来计算。此外，该测定优选至少在5个视野以上实施，计算其平均值。
如图2所示，在外部电极6和元件主体4的陶瓷层10之间介设有边界层14。该边界层14存在于陶瓷层10的X轴方向的端部，构成元件主体4中的端面4a的最表面的一部分。在外部电极6从端面4a跨侧面4b的一部分而形成的情况下，边界层14除端面4a以外，优选还存在于侧面4b的最表面。
此外，在图2所示的截面上，内部电极层12贯通边界层14，露出于端面4a，该露出的内部电极层12的端部与外部电极6的烧附电极6a(特别是导体61)电接合。但是，在观察X-Z截面的情况下，在端面4a，也可以存在边界层14覆盖一部分的内部电极层12的端部(X轴方向的端部)的部位。各内部电极层12沿着Y轴方向存在，如果各内部电极层12的端部的一部分也贯通边界层14并与烧附电极6a直接相接，则即使端部被边界层14部分地覆盖，也能够确保各内部电极层12和外部电极6的电接合。另外，外部电极6的一部分可以进入边界层14的内部，外部电极6和元件主体4的端面4a(边界层14及内部电极层12)的接合边界46也可以不清晰。
另外，边界层14的X轴方向的平均长度Lr(平均厚度)优选为1μm～10μm，更优选为3μm～8μm。
边界层14包含含有Ba、Zn、Si、O的氧化物作为主成分。此外，边界层14的主成分是指相对于边界层14整体含有50摩尔％以上的成分。该氧化物优选为未玻璃化的结晶质的氧化物，具体而言，优选满足以下的组成。
即，在边界层14所含的氧化物中，如果将Ba的含量、Zn的含量、以及Si的含量的和(除O以外的主要元素的含量的和)设为1摩尔份，则Zn的含量优选为0.27摩尔份～0.40摩尔份，Si的含量优选为0.27摩尔份～0.40摩尔份，剩余部分为Ba(Ba的含量优选为0.28摩尔份～0.39摩尔份)。在满足上述组成比的氧化物中，特别是，更优选BaZnSiO4包含于边界层14。
另外，在边界层14，除上述氧化物外，优选还包含作为陶瓷层10的主成分的钙钛矿型化合物。该钙钛矿型化合物通过在用于形成边界层14的原料膏体中有意地添加而能够包含于边界层14中。但是，也考虑钙钛矿型化合物从陶瓷层10扩散，侵入边界层14中，边界层14的钙钛矿型化合物的含量没有特别限定。通过在边界层14包含陶瓷层10的主成分，认为边界层14与陶瓷层10的接合强度进一步提高。
此外，在边界层14，除上述氧化物及钙钛矿型化合物外，也可以包含含有Al、Ti、Ca、B等的微量化合物。另外，边界层14也可以包含Cu或Ni等导电性的金属成分。微量化合物及金属成分的含量没有特别限定。
具有上述特征的边界层14具有提高元件主体4的陶瓷层10和烧附电极6a的接合强度的功能。特别是，通过烧附电极6a中包含的玻璃粉62的一部分与边界层14的一部分直接相接，烧附电极6a与端面4a的接合强度进一步提高。玻璃粉62和边界层14均包含Ba、Zn、Si，通过这些共同要素在玻璃粉62和边界层14之间相互扩散，认为烧附电极6a的接合强度提高。在本实施方式中，将玻璃粉62的一部分与边界层14的一部分直接相接的部位称为扩散区域46a(参照图2)。
该扩散区域46a优选在Z轴方向上的接合边界46的规定长度Lz中存在规定数以上。具体而言，在图2所示的包含端面4a和外部电极6的接合边界46的截面(X-Z截面)上，如果将规定长度Lz设为100μm，则扩散区域46a优选存在3处以上，更优选存在7处以上。扩散区域46a的个数的上限值没有特别限制，但从确保内部电极层12和烧附电极6a的电接合的观点出发，优选为15处以下。
此外，接合边界46有时在图2所示的截面上蜿蜒或部分地不清晰。在测定扩散区域46a的个数时，不需要精确测定接合边界46的蜿蜒部位或不清晰部位等来计算规定长度Lz，只要将截面照片的宽度视为接合边界46的规定长度Lz即可。例如，如图2所示，以接合边界46和截面照片的一边实质上平行的方式拍摄截面照片，将截面照片的Z轴方向的宽度视为接合边界46的规定长度Lz。
另外，与边界层14直接相接的玻璃粉62的颗粒(即，构成扩散区域46a的玻璃粉62的颗粒)优选为得到锚定(lock)效应的形状。“得到锚定效应的颗粒形状”是指颗粒不是沿着边界层14的外表面(Y-Z面)薄地扩展，而是如图2所示，颗粒从边界层14的外表面朝向烧附电极6a的内侧(即，朝向X轴方向的外侧)三维地扩展。即，通过位于接合边界46的玻璃粉62的颗粒从接合边界46朝向导体61的间隙进入，以咬住钩的倒钩的方式得到锚定效应，外部电极6与元件主体4的接合强度进一步提高。此外，该锚定效应例如能够通过控制在烧附电极6a的原料膏体添加的玻璃粉的颗粒形状来实现。
此外，边界层14与烧附电极6a同样，能够通过由SEM或STEM等的截面观察进行解析。例如，边界层14的平均长度Lr、及扩散区域46a的个数能够通过对截面照片进行图像解析来测定。另外，边界层14的组成能够通过由EPMA的成分分析来测定。
接着，对图1所示的层叠陶瓷电容器2的制造方法的一例进行说明。
首先，对元件主体4的制造工序进行说明。在元件主体4的制造工序中，准备在烧成后成为陶瓷层10的电介质用膏体和在烧成后成为内部电极层12的内部电极用膏体。
电介质用膏体例如通过以下的方法制造。首先，通过湿式混合等方法将电介质原料均匀地混合，并使其干燥。然后，通过在规定的条件下进行热处理，得到煅烧粉。接着，在得到的煅烧粉中，添加公知的有机载体或公知的水系载体并混炼，调制电介质用膏体。通过刮刀法等手法将这样得到的电介质用膏体片材化，从而得到陶瓷生片。此外，电介质用膏体根据需要也可以含有选自各种分散剂、增塑剂、电介质、副成分化合物、玻璃粉等中的添加物。
另一方面，将由导电性金属或其合金构成的导电性粉末和公知的粘合剂或溶剂混炼并调制内部电极用膏体。此外，内部电极用膏体根据需要也可以包含陶瓷粉末(例如钛酸钡粉末)作为常用材料。常用材料起到在烧成过程中抑制导电性粉末的烧结的作用。
接着，在陶瓷生片上通过丝网印刷等各种印刷法及转印法，以规定的图案涂布内部电极用膏体。然后，在将形成了内部电极图案的生片遍及多层地层叠后，在层叠方向上加压，由此，得到母层叠体。此外，此时，以陶瓷生片位于母层叠体的层叠方向的上表面及下表面的方式层叠陶瓷生片和内部电极图案。
将通过上述工序得到的母层叠体通过切割或压切切断成规定的尺寸，得到多个生坯片(green chip)。生坯片根据需要为了去除增塑剂等，也可以进行固化干燥，也可以在固化干燥后使用水平离心滚筒机等进行滚筒研磨。在滚筒研磨中，将生坯片与介质(media)及研磨液一起投入到滚筒容器内，通过对该滚筒容器给予旋转运动或振动等，研磨切断时产生的毛刺等不需要的部位。此外，滚筒研磨后的生坯片通过水等清洗液清洗并使其干燥。
接着，对上述得到的生坯片实施脱粘合剂处理及烧成处理，得到元件主体4。
脱粘合剂处理的条件只要根据陶瓷层10的主成分组成及内部电极层12的主成分组成适当确定即可，没有特别限定。例如，将升温速度优选设为5～300℃/小时，将保持温度优选设为180～400℃，将温度保持时间优选设为0.5～24小时。另外，脱粘合剂气氛为空气或还原性气氛。
烧成处理的条件只要根据陶瓷层10的主成分组成或内部电极层12的主成分组成适当确定即可，没有特别限定。例如，烧成时的保持温度优选为1200～1350℃，更优选为1220～1300℃，其保持时间优选为0.5～8小时，更优选为1～3小时。另外，烧成气氛优选为还原性气氛，作为气氛气体，例如，能够将N2和H2的混合气体加湿来使用。另外，在由Ni或Ni合金等贱金属构成内部电极层12的情况下，优选将烧成气氛中的氧分压设为1.0×10-14～1.0×10-10MPa。
此外，在烧成处理后，根据需要也可以实施退火。退火是用于将陶瓷层10再氧化的处理，在还原性气氛下实施烧成处理的情况下，优选实施退火。退火处理的条件也根据根据陶瓷层10的主成分组成等适当确定即可，没有特别限定。例如，将保持温度优选设为950～1150℃，将温度保持时间优选设为0～20小时，将升温速度及降温速度优选设为50～500℃/小时。另外，作为气氛气体，优选使用加湿了的N2气体等，退火气氛中的氧分压优选设为1.0×10-9～1.0×10-5MPa。
在上述脱粘合剂处理、烧成处理及退火处理中，为了加湿N2气体或混合气体等，例如只要使用加湿器等即可，在该情况下，水温优选为5～75℃程度。另外，脱粘合剂处理、烧成处理及退火处理也可以连续地进行，也可以独立地进行。
接着，在上述得到的元件主体4的外表面涂布边界层用膏体，然后通过烧附，形成边界层14。此外，边界层14也可以不使用膏体，通过由各种蒸镀法的陶瓷涂覆而形成。
在通过膏体形成边界层14的情况下，在边界层用膏体中，包含边界层用原料粉末、粘合剂、溶剂，另外，根据需要，也可以添加分散剂、增塑剂等。作为边界层用原料粉末，能够使用ZnO粉末、SiO2粉末、以及BaCO3粉末的混合粉末。或者，能够使用在将ZnO粉末、SiO2粉末、以及BaCO3粉末以规定的比率混合后，煅烧并粉碎的粉末。另外，作为边界层用原料粉末，也可以使用BaZnSiO4粉末等复合氧化物的粉末。在边界层用原料粉末中，除上述外，也可以添加：作为陶瓷层10的主成分的电介质化合物的粉末、Al2O3等微量化合物的粉末、Cu粉末、Ni粉末或包含Cu或Ni等的合金粉末等。
另外，边界层用膏体中所使用的粘合剂、溶剂、分散剂没有特别限定，能够使用与电介质用膏体同样的材质。例如，粘合剂能够从乙基纤维素、丙烯酸、丁缩醛等通常的各种粘合剂中适当选择，溶剂能够从萜品醇、丁基卡必醇、醇、甲基乙基酮、丙酮、甲苯等各种有机溶剂或水系溶剂中适当选择。
作为对元件主体4涂布边界层用膏体的方法，能够应用浸渍法、丝网印刷等各种印刷法、使用分配器(dispenser)等的涂布法、使用喷雾器的喷雾法等。另外，边界层用膏体至少涂布于元件主体4的端面4a，另外，也可以涂布于形成外部电极6的侧面4b的一部分。此时，通过控制边界层用膏体的涂布量，能够调整边界层14的平均长度Lr(平均厚度)。
接着，使涂布了边界层用膏体的元件主体4干燥，在700℃～1000℃的温度下，烧附处理0.1小时～3小时，形成边界层14。边界层14的平均长度Lr也受烧附处理的条件影响。如果将烧附处理时的温度设定得低、或缩短保持时间，则平均长度Lr趋于变小(平均厚度变薄)。
优选地，在形成边界层14后，对元件主体4的端面4a实施喷砂处理、激光照射、滚筒研磨等表面处理。通过实施这种表面处理，内部电极层12的端部容易露出于端面4a的最表面，内部电极层12与外部电极6的电接合变得良好。
在形成了边界层14后，通过浸渍法或印刷法等将烧附电极6a用的导电性膏体涂布于元件主体4的端面4a、或以从端面4a跨侧面4b的一部的方式涂布。此时使用的导电性膏体包含：烧附处理后成为导体61的导电性金属颗粒、和玻璃粉62，另外，可以适当包含粘合剂、溶剂、分散剂、增塑剂、氧化物粉末等副成分原料等。扩散区域46a的个数受导电性膏体中的玻璃粉62的添加量影响，随着玻璃粉62的添加量增加，扩散区域46a的个数趋于增加。
然后，通过将涂布了导电性膏体的元件主体4在700℃～1000℃的温度下保持0.1小时～3小时，能够形成烧附电极6a。
在烧附电极6a上形成镀敷电极层的情况下，对形成了烧附电极6a后的元件主体4实施电镀或化学镀等镀敷处理即可。另外，在烧附电极6a上形成树脂电极的情况下，通过浸渍法法或印刷法等将包含热固性树脂的树脂电极用导电性膏体以覆盖烧附电极6a的方式涂布，然后，实施固化处理即可。在该情况下，也可以在树脂电极上进一步形成镀敷电极层。另外，也可以在烧附电极6a上层叠其它烧附电极，在该情况下，也可以将烧附电极6a和其它烧附电极同时进行烧附处理。
通过上述工序，得到具有外部电极6的层叠陶瓷电容器2。
此外，在上述制造工序中，在烧成生坯片后，形成了边界层14，但也可以对烧成前的生坯片涂布边界层用膏体，与生坯片的烧成同时地烧附边界层14。
另外，在烧成元件主体4后形成边界层14的情况下，作为前处理，优选对元件主体4实施喷砂处理、激光照射、滚筒研磨等表面处理。在该情况下，在元件主体4的端面4a，通过表面处理，与内部电极层12的端部相比选择地研磨陶瓷层10。因此，在该表面处理后涂布边界层用膏体时，在选择地去除了陶瓷层10的部位涂抹边界层用膏体，内部电极层12的端部没有被边界层14覆盖而容易露出于端面4a。其结果，内部电极层12的端部和外部电极6的电接合进一步变得良好。另外，通过在选择地去除了陶瓷层10的部位涂抹边界层用膏体，边界层14与陶瓷层10的接合强度进一步提高。
得到的层叠陶瓷电容器2能够使用焊料(包含熔融焊料、焊膏(cream)、焊料膏体(paste))或导电性粘接剂而面安装于印刷配线板等基板，用于各种电子设备等。或者，层叠陶瓷电容器2也能够经由线状的引线端子或板状的金属端子安装于基板。
(实施方式的总结)
在本实施方式的层叠陶瓷电容器2中，元件主体4的陶瓷层10包含钙钛矿型化合物(BT或BCT等)作为主成分，外部电极6(烧附电极6a)由导体61和包含B、Si、Ba、Zn的玻璃粉62构成。而且，在与外部电极6(烧附电极6a)相接的陶瓷层10的X轴方向的端部存在边界层14，该边界层14包含含有Ba、Zn、Si的氧化物。
本公开人发现了：通过层叠陶瓷电容器2具有上述的结构，元件主体4和外部电极6的接合可靠性提高。即，本实施方式的层叠陶瓷电容器2即使受到热冲击，也能够抑制外部电极6从元件主体4的端面4a剥离。得到该效果的理由并不是很明确，但考虑以下所示的事由。
首先，认为相互扩散现象有助于接合可靠性的提高。假设在不存在边界层14的情况下，元件主体4和外部电极6的共同要素仅为Ba。另一方面，在本实施方式的层叠陶瓷电容器2中，通过边界层14介设在与外部电极6的接合部，从而在元件主体4和外部电极6之间，Ba、Zn、Si成为共同要素。这样，通过存在多个共同要素，认为在烧附电极6a和边界层14之间，多个共同要素相互扩散。其结果，外部电极6与元件主体4的接合强度提高。
特别是，认为：烧附电极6a的玻璃粉62与边界层14直接相接的部位越多，上述的相互扩散越活跃。在本实施方式中，存在于接合边界46的规定长度Lz(Lz＝100μm)的扩散区域46a的个数为3处以上，通过满足该要件，外部电极6与元件主体4的接合强度进一步提高。
另外，认为：边界层14呈现缓和在元件主体4和外部电极6之间产生的热应力的作用，认为通过该应力缓和作用，相对于热冲击等的耐性提高。
假设在不存在边界层14的情况下，在包含非晶质的玻璃粉的烧附电极和结晶质的陶瓷层，线膨胀系数中存在差异。在该情况下，当对层叠陶瓷电容器施加热冲击时，在烧附电极和陶瓷层之间产生热应力，认为导致烧附电极剥离。另一方面，在本实施方式中，通过边界层14由包含规定的元素的氧化物构成，外部电极6和元件主体4的线膨胀系数差变小。即，边界层14的线膨胀系数呈现接近陶瓷层10的线膨胀系数的值。由此，认为能够抑制基于线膨胀系数差的热应力的产生，相对于热冲击的耐性进一步提高。
特别是，在本实施方式中，在边界层14的主成分(氧化物)中，Zn的含量为0.27摩尔份～0.40摩尔份，Si的含量为0.27摩尔份～0.40摩尔份，剩余部分为Ba。或者，边界层14的主成分(氧化物)为BaZnSiO4。通过边界层14的组成满足上述的要件，认为：烧附电极6a和元件主体4的端面4a的线膨胀系数差进一步变小，相对于热冲击的耐性进一步提高。另外，认为烧附电极6a和边界层14之间的相互扩散更活跃化，外部电极6与元件主体4的接合强度进一步提高。
而且，在本实施方式中，在烧附电极6a中包含的玻璃粉62中，Si的含量为0.05摩尔份～0.20摩尔份，Ba的含量为0.05摩尔份～0.25摩尔份，Zn的含量为0.15摩尔份～0.35摩尔份，剩余部分为B。通过玻璃粉62的组成满足上述的要件，认为烧附电极6a和边界层14之间的相互扩散更活跃化，外部电极6与元件主体4的接合强度进一步提高。
以上，对本公开的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够进行各种改变。
例如，在本实施方式中，作为陶瓷电子部件，示例了层叠陶瓷电容器2，但本公开的陶瓷电子部件也可以为例如带通滤波器、层叠三端子滤波器、压电元件、PTC热敏电阻、NTC热敏电阻、变阻器等。
另外，在本实施方式中，将陶瓷层10和内部电极层12在Z轴方向上层叠，但层叠方向也可以为X轴方向或Y轴方向。该情况下，只要按照内部电极层12的露出面形成外部电极6即可。另外，元件主体4不一定必须为层叠体，也可以为单层。另外，内部电极层12可以经由通孔电极引出元件主体4的外表面，在该情况下，通孔电极和外部电极6电接合。
实施例
以下，基于更详细的实施例对本公开进行说明，但本发明不限定于这些实施例。
(实验1)
在实验1中，按以下所示的顺序制作了实施例1～3的层叠陶瓷电容器2。首先，制作电介质用膏体和内部电极用膏体，使用这些膏体，通过片材法制造生坯片。此时，作为成为陶瓷层10的主成分的电介质原料，在实施例1及实施例2中，使用钛酸钡(BT)，在实施例3中，使用钛酸钡钙(BCT)。另外，在各实施例中，作为陶瓷层10的副成分，均添加MgCO3、MnCO3、Y2O3、SiO2等，内部电极层12的主成分为Ni。
接着，对上述得到的生坯片，在实施方式中叙述的条件下实施脱粘合剂处理，然后，在生坯片的外表面(端面)通过浸渍法涂布边界层用膏体，并使其干燥。此外，实施例1～3中使用的边界层用膏体中均添加了BaZnSiO4粉末作为边界层14的主成分。另外，实施例2的边界层用膏体中，除BaZnSiO4粉末外，添加BaTiO3粉末，实施例3的边界层用膏体中添加了(Ba,Ca)TiO3粉末。
接着，对涂布了边界层用膏体的生坯片，实施烧成处理，得到在端面4a形成有边界层14的元件主体4。烧成处理的条件为，保持温度：1250℃、保持时间：2小时、气氛气体：加湿的N2+H2混合气体。然后，对上述元件主体4在实施方式中所述的条件下实施退火处理。另外，对元件主体4实施滚筒研磨，使内部电极层12的端部露出于端面4a。
接着，准备烧附电极用的导电性膏体，通过浸渍法将该导电性膏体涂布于元件主体4的外表面(端面4a及侧面4b的一部分)，使其干燥。实施例1～3中使用的导电性膏体均添加作为导体粉末的Cu，且添加作为玻璃粉62的B、Si、Ba、Zn系玻璃粉。然后，将涂布了导电性膏体的元件主体4在800℃下保持0.5小时，并烧附导电性膏体，在元件主体4的外表面形成烧附电极6a。另外，在烧附电极6a上形成镀Ni电极层及镀Sn镀电极层。由此，得到形成有外部电极6的电容器试样(层叠陶瓷电容器2)。此外，对于各实施例1～3的每一个，制造了400个以上电容器试样。
在实验1的各实施例1～3中，电容器试样的元件主体4的尺寸均为L0×W0×T0＝2.0mm×1.25mm×1.25mm。另外，被内部电极层12夹着的陶瓷层10的层叠数为80。
另外，从各实施例1～3的电容器试样中抽出破坏检查用的样品，使用该样品进行由SEM的截面观察。具体而言，将抽出的样品沿着X-Z面切断，将该截面镜面研磨后，通过SEM测定陶瓷层10的平均厚度Td、内部电极层12的平均厚度Te、边界层14的平均长度Lr、烧附电极层的平均厚度。实施例1～3的测定结果均如下述。
陶瓷层10的平均厚度Td：10μm
内部电极层12的平均厚度Te：1.5μm
边界层14的平均长度Lr：5μm
烧附电极层的平均厚度：25μm
另外，在上述的截面观察中，通过EPMA实施了边界层14及烧附电极6a的成分分析。其结果，在任意的实施例中，能够确认：原料膏体(边界层用膏体及烧附电极用导电性膏体)中添加的原料粉末的组成和测定结果大致一致。此外，在截面观察中，在所有实施例中，能够确认在陶瓷层10的X轴方向的端部形成有边界层14。
在实验1中，为了评价制作的电容器试样的外部电极6的接合可靠性，进行了2种热冲击试验(冷热循环试验)。以下，对详情进行说明。
气槽式热冲击试验
在气槽式热冲击试验中，每一循环，将试验样品(电容器试样)在-55℃的气槽中保持30分钟后，在150℃的气槽中保持30分钟，将其重复1000循环。在该试验中，基于静电电容的衰减率来判断是否合格，将试验后的静电电容Cβ相对于试验前的静电电容Cα的比率(Cβ/Cα)为0.9(90％)以上的样品设为合格，将小于0.9的样品设为不合格。在实验1中，对于各实施例，对80个样品进行上述试验，计算成为不合格的样品的比率(NG比率)。评价结果示于表1。
液槽式热冲击试验
在液槽式热冲击试验中，冷热循环不是在气槽中而是在液槽中进行。在使用液槽的情况下，与使用气槽的情况相比，对试验样品施加急剧的温度变化，因此，能够在比气槽式试验更严酷的条件下评价试验样品的接合可靠性。具体而言，在本实施例中，每一循环，将试验样品在-55℃的液槽中保持30分钟后，在150℃的液槽中保持30分钟，将其重复1000循环。此外，液槽式热冲击试验的是否合格与气槽式热冲击试验同样，基于静电电容的衰减率来判断。在实验1中，对于各实施例，对80个样品进行上述的试验，计算成为不合格的样品的比率(NG比率)。评价结果示于表1。
比较例1
在实验1中，为了确认形成了边界层14的实施例1～3的优越性，制造了未形成边界层的比较例1的电容器试样(层叠陶瓷电容器)。具体而言，在比较例1中，不使用边界层用膏体，在烧成后的元件主体4的外表面直接形成外部电极。在比较例1中，不形成边界层14以外的制造条件与上述实施例1同样，比较例1也进行了与实施例1同样的评价。评价结果示于表1。
【表1】
如表1所示，在比较例1中，气槽式热冲击试验的NG比率为5/80。另一方面，在形成了包含规定的成分的边界层14的实施例1～3中，气槽式热冲击试验的NG比率为0/80，通过形成边界层14，能够确认外部电极6的接合可靠性提高。
另外，在实施例2及实施例3中，液槽式热冲击试验的NG比率为0/80。从其结果能够确认：通过在边界层14中包含陶瓷层10的主成分，外部电极6的接合可靠性进一步提高。
(实验2)
在实验2中，改变边界层14的形成方法并制造实施例4～6的电容器试样。以下，对各实施例的边界层14的形成方法进行说明。
实施例4
在实施例4中，与实验1的实施例1同样，经边界层用膏体涂布于烧成前的生坯片，在烧成生坯片的同时，烧附边界层用膏体，形成边界层14。在本实施例中，将上述的形成方法称为制法1。此外，实施例4的制造条件与实施例1共通。
实施例5
在实施例5中，对烧成－退火处理后的元件主体4的外表面通过浸渍法涂布边界层用膏体，使其干燥。然后，将涂布了边界层用膏体的元件主体4通过在800℃下保持0.5小时来进行烧附处理，形成了边界层14。在本实施例中，将上述的形成方法称为制法2。此外，实施例5的上述以外的制造条件与实施例1共通。
实施例6
在实施例6中，在形成边界层14前，对烧成－退火处理后的元件主体4实施了滚筒研磨。然后，对湿式滚筒研磨后的元件主体4的外表面通过浸渍法涂布边界层用膏体，使其干燥。然后，将涂布了边界层用膏体的元件主体4通过在800℃下保持0.5小时来进行烧附处理，形成了边界层14。在本实施例中，将上述的形成方法称为制法3。此外，实施例6的上述以外的制造条件与实施例1共通。
在实验2中，也对各实施例4～6的电容器试样实施了与实验1同样的热冲击试验。而且，在实验2中，还实施了将评价样品数(n数)从80增加至200的液槽式热冲击试验。评价结果示于表2。
【表2】
如表2所示，与对生坯片涂布了边界层用膏体的实施例4相比，对烧成后的元件主体4涂布了边界层用膏体的实施例5及6，能够确认外部电极6的接合可靠性进一步提高。另外，在实施例6中，在增加了n数的液槽式热冲击试验中，NG比率也为0/200。从其结果可知：在形成边界层14时，通过实施滚筒研磨作为前处理，从而外部电极6的接合可靠性进一步提高。
(实验3)
在实验3中，制造了：变更了边界层14的组成比的实施例11～14的电容器试样、和变更了玻璃粉62的组成比的实施例15～20的电容器试样。
具体而言，在实施例11～14中，在将BaCO3粉末、ZnO粉末、以及SiO2粉末以规定的比率混合后，将该混合粉末煅烧并粉碎，由此，制作了边界层用膏体的原料粉末。然后，使用该边界层用膏体，通过与实施例1相同的方法(制法1)形成边界层14，得到电容器试样。实施例11～14的上述以外的实验条件与实施例1同样，实施了与实验1同样的评价。评价结果示于表3。此外，表3所示的边界层14的组成为由SEM-EPMA的成分分析的测定结果，将Ba的含量、Zn的含量、Si的含量的合计设为1.0摩尔份，示出各元素的含量。
另一方面，在实施例15～20中，通过与实施例1相同的方法(制法1)形成边界层14，在该边界层14上涂布了包含以规定的组成比调制的玻璃粉62的导电性膏体。在此，将BaCO3粉末、ZnO粉末、SiO2粉末、以及B2O3粉末以规定的比率混合后，煅烧并粉碎，由此得到导电性膏中所添加的玻璃粉62。此外，通过浸渍法涂布导电性膏体，然后，通过烧附处理，得到具有烧附电极6a的电容器试样。实施例15～20的上述以外的实验条件与实施例1同样，实施了与实验1同样的评价。评价结果示于表4。此外，表4所示的玻璃粉62的组成为由SEM-EPMA的成分分析的测定结果，将Ba的含量、Zn的含量、Si的含量、B的含量的合计设为1.0摩尔份，示出各元素的含量。
【表3】
【表4】
如表3所示，在实施例11～14中，气槽式热冲击试验及液槽式热冲击试验的NG比率均为0％。从其结果可知：在边界层14的组成为实施例11～14的范围内的情况下，能够进一步提高外部电极6的接合可靠性。
如表4所示，在实施例15～20中，气槽式热冲击试验及液槽式热冲击试验的NG比率均为0％。从其结果可知：在玻璃粉62的组成为实施例15～20的范围内的情况下，能够进一步提高外部电极6的接合可靠性。
(实验4)
在实验4中，制造了变更了扩散区域46a的个数的实施例21～23的电容器试样。扩散区域46a的个数通过烧附电极用的导电性膏体中添加的玻璃粉62的含量来控制。实施例21～23的上述以外的实验条件与实施例1(即，边界层14的形成方法为制法1)同样，实施了与实验1同样的评价。评价结果示于表5。
此外，从制造的多个电容器试样中抽出5个破坏试验用的样品，通过对该抽出样品的截面观察至少5视野以上，作为平均值计算扩散区域46a的个数。
【表5】
从表5的结果能够确认：在接合边界100μm中存在的扩散区域46a的个数为3处以上的情况下，外部电极6的接合可靠性进一步提高。
Claims (7)
1.一种陶瓷电子部件，其中，
具有：
元件主体，其包含陶瓷层和内部电极层；以及
外部电极，其形成于所述元件主体的端面，与所述内部电极层的一部分电连接，
所述陶瓷层包含由ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分，
所述外部电极包含导体和分散于所述导体中的玻璃粉，
所述玻璃粉包含B、Si、Ba、以及Zn，
在所述元件主体的所述端面，在与所述外部电极相接的所述陶瓷层的端部存在边界层，所述边界层中包含含有Ba、Zn、以及Si的氧化物，
在所述边界层中包含的所述氧化物中，
如果将Ba的含量、Zn的含量、以及Si的含量的和设为1摩尔份，
则Zn的含量为0.27摩尔份～0.40摩尔份，
Si的含量为0.27摩尔份～0.40摩尔份，
剩余部分为Ba。
2.一种陶瓷电子部件，其中，
具有：
元件主体，其包含陶瓷层和内部电极层；以及
外部电极，其形成于所述元件主体的端面，与所述内部电极层的一部分电连接，
所述陶瓷层包含由ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分，
所述外部电极包含导体和分散于所述导体中的玻璃粉，
所述玻璃粉包含B、Si、Ba、以及Zn，
在所述元件主体的所述端面，在与所述外部电极相接的所述陶瓷层的端部存在边界层，所述边界层中包含含有Ba、Zn、以及Si的氧化物，
在所述外部电极中包含的所述玻璃粉中，
如果将B的含量、Si的含量、Ba的含量、以及Zn的含量的和设为1摩尔份，
则Si的含量为0.05摩尔份～0.20摩尔份，
Ba的含量为0.05摩尔份～0.25摩尔份，
Zn的含量为0.15摩尔份～0.35摩尔份，
剩余部分为B。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，
所述边界层中还包含所述钙钛矿型化合物。
4.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，
所述边界层中包含的所述氧化物为BaZnSiO4。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，
在所述外部电极中包含的所述玻璃粉中，
如果将B的含量、Si的含量、Ba的含量、以及Zn的含量的和设为1摩尔份，
则Si的含量为0.05摩尔份～0.20摩尔份，
Ba的含量为0.05摩尔份～0.25摩尔份，
Zn的含量为0.15摩尔份～0.35摩尔份，
剩余部分为B。
6.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，
所述外部电极中包含的所述导体包含Cu。
7.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，
在包含所述元件主体的所述端面和所述外部电极的接合边界的截面，
所述玻璃粉与所述边界层直接相接的扩散区域，在所述接合边界100μm中，存在3处以上。
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