JPH0897006A - チップ状セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】チップ状セラミック電子部品の耐メッキ液腐食
性を防止するセラミック素体の被覆層形成の生産工程を
短縮し、外部電極用導電ペースト膜を焼付ける際のセラ
ミック素体等のクラックを防止する。 【構成】セラミック素体及びその無機質被覆層用材料の
組成物の押出成形体を形成し、これをチップ化して焼成
するか又はさらに導電ペースト膜も同時に焼成する工程
を設ける。 【効果】セラミック素体と無機質被覆層を別々に形成す
るより工程数が短縮され、無機質被覆層の厚さも一定に
でき、無機質被覆層形成の焼付けが省略され熱履歴を受
ける回数が経ることともに、セラミック素体と無機質被
覆層の熱膨脹率の差によりこれらにクラックが入ること
を防止でき、生産工程と歩留まりの点で生産性を高める
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント基板等に実装
されるチップ状サーミスタ等のチップ状電子部品の構造
及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近の電子機器の小型化に伴って、プリ
ント基板に電子部品を高密度に実装した回路部品が用い
られているが、この高密度に実装するための電子部品と
して例えばチップ状のサーミスタ等のチップ状の電子部
品が多く用いられている。チップ状の電子部品は、両端
に外部電極を有し、これらがプリント基板のはんだ付け
ランドにはんだ付けされることにより取り付けられる
が、その小型で軽量な部品を良くはんだ付けするため
に、外部電極ははんだがよく濡れるように工夫される。
例えば、チップ状セラミックサーミスタでは、そのセラ
ミック素体の両端部に導電性ペースト膜を形成し、これ
にニッケル又は銅メッキを施し、さらに素地への密着性
を高めるためのこのニッケル又は銅メッキ膜を介するこ
とにより錫又ははんだメッキを行って外部電極を形成し
ている。

【０００３】ところが、チップ状セラミックサーミスタ
のようなチップ状セラミック部品にこのような外部電極
をメッキ工程を設けることにより形成すると、そのセラ
ミック素体に用いるセラミック材料はアルミナ絶縁材料
などと比較すると、抵抗値が低いため、メッキを行うと
きにセラミック素体の両端の導電ペースト膜のみなら
ず、その中間部にもメッキが行われることがある。ま
た、ニッケルメッキはそのメッキ液のｐＨが４〜５、は
んだメッキはそのメッキ液のｐＨが４で行われるのが電
子部品用外部電極を形成する場合は殆どであるので、セ
ラミック素体の腐食が起こり易い。さらにはセラミック
素体が多孔質の場合にはメッキ液が孔内に浸透し、イオ
ンとして残り、抵抗値等の特性を変化させ、信頼性を高
く維持できないという問題がある。このようにセラミッ
ク素体にメッキ膜が付着し、セラミック素体の腐食が起
こり、セラミック素体内にイオンが残留すると、サーミ
スタの場合は抵抗値、その他の電子部品の場合にはそれ
ぞれの特性値が変化し、信頼性高い電子部品を供給する
ことができないという問題がある。また、セラミック素
体が腐食された場合には外観を害するという問題もあ
る。これらの問題を解決するための対策として、特開平
３−２５０６０３号公報に記載されているように、サー
ミスタにおいてそのセラミック素体の両端の外部電極以
外のその素体表面をガラス質で被覆し、メッキ液に対す
る耐蝕性を高める方法が知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法によると、焼成体のセラミック素体を形成してからそ
のセラミック素体表面にガラス粉末を含有するガラスペ
ースト膜を形成し、焼き付けるので、セラミック素体を
形成する焼成工程、ガラスペースト膜形成工程、ガラス
ペースト膜焼付け工程を設ける必要がある。また、ガラ
スペースト塗布工程は小型であるセラミック素体の表裏
面のみならず幅狭の周面にまでその塗布を印刷で行うこ
とも容易ではなく、また、その塗布をデョッピングによ
り行う場合にはその塗布膜厚を一定にすることが容易で
なく、膜厚の異なるガラスペースト膜を焼付ける際、あ
るいはさらに電極用導電膜を焼きつける際にセラミック
素体とガラス層の熱膨脹係数が異なることによりこれら
にクラックが生じ易く、そのため製品の歩留まりを低下
させ、いずれも生産性の点で改善の余地があった。

【０００５】本発明の第１の目的は、セラミック素体に
耐メッキ液腐食性の無機質被覆層を形成する際のその生
産工程数を減らすことができるチップ状電子部品及びそ
の製造方法を提供することにある。本発明の第２の目的
は、セラミック素体に形成する無機質被覆層の厚さを一
定にすることができるチップ状電子部品及びその製造方
法を提供することにある。本発明の第３の目的は、無機
質被覆層や電極用導電膜の焼付工程でセラミック素体や
無機質被覆層にクラックの生じ難いチップ状電子部品及
びその製造方法を提供することにある。本発明の第４の
目的は、メッキ液の浸透がなく、メッキ液に対する腐食
性がなく、セラミック素体にメッキ膜が付着することの
ないチップ状電子部品及びその製造方法を提供すること
にある。本発明の第５の目的は、生産工程数と製品の歩
留まりを向上させて生産性を高めることができるチップ
状電子部品及びその製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、（１）、両端面を除くセラミック素体に
該セラミック素体より絶縁性が高くかつ耐メッキ液腐食
性の無機質被覆層を有し、該セラミック素体の両端部に
焼付導電層、メッキ層を順次形成した外部電極を有する
チップ状セラミック電子部品であって、上記セラミック
素体と無機質被覆層はそれぞれの材料の組成物の押出成
形体から得られる未焼成チップ状体の同時焼成により得
られるか又は上記セラミック素体と無機質被覆層と焼付
導電層は該未焼成チップ状体の両端に上記焼付導電層用
導電ペースト膜を形成した後同時焼成により得られるチ
ップ状セラミック電子部品を提供するものである。ま
た、本発明は、（２）、セラミック素体がインダクタ、
サーミスタ、バリスター又は積層電子部品用のセラミッ
ク素体であり、電子部品がそれぞれに対応するフェライ
トビーズインダクタ、サーミスタ、バリスター又は積層
電子部品である上記（１）のチップ状セラミック電子部
品、（３）、セラミック材料粉末と結合剤を含有するセ
ラミック素体用スラリーを中心にし、該セラミック素体
より絶縁性が高くかつ耐メッキ液腐食性の無機質被覆層
を形成する無機質粉末と結合剤を含有する無機質被覆層
用スラリーを外側にして押出成形する押出成形工程と、
該押出成形工程で得られた押出成形体を切断し未焼成チ
ップ状体を形成する工程と、該未焼成チップ状体のみを
焼成し上記セラミック素体に上記無機質被覆層を形成す
るか又は該未焼成チップ状体の端面とその周辺の周面に
導電性ペースト膜を形成した後同時焼成することにより
上記セラミック素体に上記無機質被覆層を形成しさらに
焼成焼付導電膜を形成する焼成チップ状体形成工程と、
上記未焼成チップ状体のみを焼成した場合は該焼成チッ
プ状体の端面とその周辺の周面に導電性ペースト膜を形
成し焼き付けて焼付導電膜を形成する焼付導電膜形成工
程と、該焼成焼付導電膜又は該焼付導電膜にメッキを施
すメッキ工程を有するチップ状セラミック電子部品の製
造方法、（４）、セラミック素体がサーミスタ又はバリ
スター用のセラミック素体であり、電子部品がそれぞれ
に対応するサーミスタ又はバリスターである上記（３）
のチップ状セラミック電子部品の製造方法、（５）、金
属線又は導電性粉末と結合剤を含有する導電体用スラリ
ーを中心にし、セラミック磁性体材料粉末と結合剤を含
有するセラミック素体用スラリーを中間にし、該セラミ
ック素体より絶縁性が高くかつ耐メッキ液腐食性の無機
質粉末と結合剤を含有する無機質被覆層用スラリーを外
側にして押出成形する押出成形工程と、該押出成形工程
で得られた押出成形体を切断し未焼成チップ状体を形成
する工程と、該未焼成チップ状体のみを焼成し上記導電
体を被覆した上記セラミック素体に上記無機質被覆層を
形成するか又は該未焼成チップ状体の端面とその周辺の
周面に導電性ペースト膜を形成した後同時焼成すること
により上記導電体を被覆した上記セラミック素体に上記
無機質被覆層を形成しさらに焼成焼付導電膜を形成する
焼成チップ状体形成工程と、上記未焼成チップ状体のみ
を焼成する場合は該焼成チップ状体の端面とその周辺の
周面に導電性ペースト膜を形成し焼き付けて焼付導電膜
を形成する焼付導電膜形成工程と、該焼成焼付導電膜又
は該焼付導電膜にメッキを施すメッキ工程を有し、チッ
プ状フェライトビーズインダクタを製造するチップ状セ
ラミック電子部品の製造方法、（６）、内部電極又は内
部導体用の導電性ペースト膜を形成したセラミックグリ
ーンシートを少なくとも用いて積層セラミック電子部品
のセラミック素体用の未焼成積層体を形成しさらにこれ
を圧着して未焼成積層圧着体を作成する工程と、該未焼
成積層圧着体を中心にし、該セラミック素体より絶縁性
が高くかつ耐メッキ液腐食性の無機質被覆層を形成する
無機質粉末と結合剤を含有する無機質被覆層用スラリー
を外側にして押出成形する押出成形工程と、該押出成形
工程で得られた押出成形体を切断し未焼成チップ状体を
形成する工程と、該チップ状体のみを焼成し上記セラミ
ック素体に上記無機質被覆層を形成するか又は該未焼成
チップ状体の端面とその周辺の周面に導電性ペースト膜
を形成した後同時焼成することにより上記セラミック素
体に上記無機質被覆層を形成しさらに焼成焼付導電膜を
形成する焼成チップ状体形成工程と、上記未焼成チップ
状体のみを焼成する場合は該焼成チップ状体の端面とそ
の周辺の周面に導電性ペースト膜を形成し焼き付ける焼
付導電膜形成工程と、該焼成焼付導電膜又は該焼付導電
膜にメッキを施すメッキ工程を有し、積層セラミック電
子部品を製造するチップ状セラミック電子部品の製造方
法、（７）、セラミック素体が積層コンデンサ、積層イ
ンダクタ、積層トランス又は積層ＬＣ部品用セラミック
素体であり、積層セラミック電子部品がこれらのそれぞ
れに対応する積層セラミックコンデンサ、積層セラミッ
クインダクタ積層セラミックトランス又は積層セラミッ
クＬＣ部品である請求項６記載のチップ状セラミック電
子部品の製造方法を提供するものである。

【０００７】本発明において、チップ状電子部品として
は、チップ状フェライトビーズインダクタ、ＮＴＣ又は
ＰＴＣ型のチップ状サーミスタ、チップ状バリスター、
チップ状積層電子部品等が挙げられ、チップ状積層電子
部品とては、チップ状積層セラミックコンデンサ、チッ
プ状積層セラミックインダクタ、チップ状積層セラミッ
クトランス、チップ状積層セラミックＬＣ部品等が挙げ
られる。本発明において、セラミック素体とは、セラミ
ック材料の焼成体を主体としたものをいうが、これを用
いた電子部品がサーミスタの場合は抵抗体、フェライト
ビーズの場合は導体の磁性体による被覆体、積層セラミ
ックコンデンサの場合はセラミック層を内部電極を挟ん
で積層した積層体、積層セラミックインダクタ、積層セ
ラミックトランスの場合はセラミック層を内部導体を挟
んで積層した積層体をいい、その他の電子部品のセラミ
ック素体もこれらに準ずる。

【０００８】本発明において、セラミック素体より絶縁
性が高くかつ耐メッキ液腐食性の無機質被覆層（以下、
絶縁性耐蝕性無機質被覆層という）とは、電解メッキを
行う場合にその無機質被覆層にメッキ膜が付着すること
がないような絶縁性と、メッキ液に対する耐腐食性を有
する無機質材料の焼成体からなるセラミック素体の被覆
層をいう。メッキ液に対する耐腐食性は、ニッケルメッ
キを行う場合のメッキ液のｐＨが４〜５、はんだメッキ
を行う場合のメッキ液のｐＨが４であるから、耐酸性の
無機質材料が好ましい。この絶縁性耐蝕性無機質被覆層
としては、その厚さは５μｍ〜１００μｍが好ましい。
その無機質材料としては、チタン酸バリウム等のチタン
酸塩、Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ₂ を主成分とする無機材料、
ガラス材料、その他が挙げられる。

【０００９】本発明のチップ状電子部品を製造するに
は、チップ状サーミスタのようにセラミック層が単層の
場合にはその抵抗体となるセラミック素体のセラミック
材料と結合剤を含有するスラリーを中心にし、絶縁性耐
蝕性無機質被覆層用の無機質材料と結合剤を含有するス
ラリーを外側にして押出成形する。また、フェライトビ
ーズインダクタ等のインダクタの場合は、金属線又は導
体粉末と結合剤を含有するスラリーを中心にし、フェラ
イト等の磁性体のセラミック材料と結合剤を含有するス
ラリーを中間にし、絶縁性耐蝕性無機質被覆層用の無機
質材料と結合剤を含有するスラリーを外側にして押出成
形する。また、チップ状積層セラミック電子部品のよう
に、内部電極や内部導体を有する多層体の場合には、誘
電体セラミックグリーンシートに複数の内部電極又は内
部導体用導電ペースト膜を印刷し、これらを多数枚重ね
て未焼成積層体を形成し、さらにこれを圧着して未焼成
積層体を形成する。次に、多数のチップ状積層セラミッ
クコンデンサ単位を有するように短冊状に裁断し、これ
を中心にしてその外側に絶縁性耐蝕性無機質被覆層用の
無機質材料と結合剤を含有するスラリーを外側にして押
出成形する。上記抵抗体材料、誘電体材料、磁性材料は
通常使用されるものその他のセラミック材料が使用で
き、また、結合剤としては、エチルセルローズ、ポリビ
ニルブチラール樹脂等の通常使用される有機質結合剤そ
の他の樹脂等が使用できる。このようにして得られた成
形体は、それぞれ該当するチップ状のセラミック電子部
品単位ごとに切断され、多数の未焼成チップ状体が得ら
れる。これらの未焼成チップ状体のみを焼成するか又は
その未焼成チップ状体の両端に導電性粉末を含有する導
電性ペースト膜を形成し、同時焼成することにより、セ
ラミック素体に上無機質被覆層を形成しさらに焼成焼付
導電膜を形成するかセラミック素体に上無機質被覆層を
形成した焼成チップ状体が得られる。

【００１０】未焼成チップ状体のみを焼成した場合に
は、焼成チップ状体の端面とその周辺の周面に導電性粉
末を含有する導電性ペースト膜を印刷又はデイッピング
法により形成し、乾燥させて焼き付け焼付導電膜を形成
する。上記焼成焼付導電膜又は焼付導電膜にニッケル又
は銅メッキを施し、さらに錫又ははんだのメッキを施
す。これらのメッキはメッキしようとする被処理物をバ
レルに入れた、いわゆるバレルメッキを行うことが一般
的に好ましいが、その際のメッキ液はそれぞれの金属の
鉱酸塩水溶液が用いられ、ｐＨとしては通常４〜５に調
整される。

【００１１】

【作用】セラミック素体とこれを被覆する無機質被覆層
のそれぞれの材料の組成物の成形体を同時焼成すると、
その成形体は押出成形をすることにより無機質被覆層の
厚さを一定にすることができ、その同時焼成によりセラ
ミック素体と無機質被覆層が同時に得られ、これらを別
々に行うよりはその熱膨脹係数の相違によるクラック等
の起こる危険を少なくできるとともに、工程を短縮でき
る。さらに、外部電極を形成する際の導電ペースト膜の
焼付時の加熱によっても無機質被覆層はその厚さが一定
しないものよりはこの無機質被覆層及びセラミック素体
にクラックの入る危険が少ない。この導電ペースト膜は
上記材料の組成物の成形体に形成され、同時焼成される
ことによりさらに上記のクラック等が起こる危険は少な
くなる。

【００１２】

【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。 実施例１（チップ状フェライトビーズインダクの例） 図１（イ）に示すように、銀の細線１を用意する。 次に、酸化第２鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛を主成
分とするＮｉ−Ｚｎフェライト材料をエチルセルローズ
（結合剤）、ターピネオール（溶剤）と混練した磁性体
材料スラリーと、チタン酸バリウムを主とする絶縁体材
料をエチルセルローズ（結合剤）、ターピネオール（溶
剤）と混練した無機質被覆層用スラリーを用意する。 図１（ロ）に示すように銀の細線１を中心にし、上
記磁性体材料スラリー２ａを中間にし、さらに上記無機
質被覆層用スラリー２ｂを外側にしてそれぞれ密着させ
て有心押出成形機により押出成形し、長尺な円柱状成形
体の直径２ｍｍの未焼成被覆銀線２を作成する。 これを１．５ｍｍのチップ寸法に切断し、乾燥して
得られた同図（ハ）に示す個々のフェライトビーズ用未
焼成チップ状体３を１００℃で焼成し、その両端に銀粉
末をエチルセルローズ（結合剤）、ターピネオール（溶
剤）と混練した銀導電ペーストをディピング法により塗
布して乾燥し、銀導電ペースト膜を８００℃で焼付け、
同図（ニ）に示すように、銀の細線１とフェライト層４
を有するフッライビーズ用セラミック素体５とフェライ
トビーズ用無機質被覆層６と焼付導電膜７を形成したフ
ェライトビーズ用焼成チップ状体８を作成する。 次に、硫酸ニッケル２０％の水溶液をメッキ液とし
（ｐＨ４〜５）、上記セラミック素体にバレルメッキを
施し、さらにはんだの金属１０ｇ／リットルの水溶液
（ｐＨ３〜５）を用いてバレルメッキを行い、図１
（ホ）に示す焼付導電膜７上に、ニッケルメッキ層９及
びはんだメッキ層１０を順次積層した外部電極１１を有
するフェライトビーズインダクタを製造した。得られた
フェライトビーズインダクタについて、その１０００個
の外観を調べたところ、無機質被覆層の腐食箇所は見つ
けられなかった。

【００１３】実施例２（チップ状セラミックサーミスタ
の例） 酸化マンガン、酸化コバルト、その他原子価制御
剤、焼成助剤等のサーミスタ材料粉末と水とを混練した
抵抗体材料スラリーと、チタン酸バリウムを主とする絶
縁体材料をエチルセルローズ（結合剤）、ターピネオー
ル（溶剤）と混練した無機質被覆層用スラリーを用意す
る。 横１．２ｍｍ×高さ０．８ｍｍの矩形断面を有する
ノズルと、このノズルの外側を覆う横１．６ｍｍ×高さ
１．０ｍｍの角状のノズルを備えた押出成形機に、図２
（イ）に示すように上記抵抗体材料スラリー１２ａを中
心にし、無機質被覆層用スラリー１２ｂをその外側に密
着させて押出成形し、長尺なサーミスタ用未焼成角柱状
体１２を得た。 この長尺な角状体を３．２ｍｍの長さに切断して乾
燥し、同図（ロ）に示すサーミスタ用未焼成チップ状体
１３を得、これを１３００℃で焼成し、その両端に銀粉
末をエチルセルローズ（結合剤）、ターピネオール（溶
剤）と混練した銀導電ペーストをディピング法により塗
布して乾燥し、銀導電ペースト膜を８００℃で焼付け、
図２（ハ）に示すように、サーミスタ用セラミック素体
１４とこれを被覆したサーミスタ用無機質被覆層１５と
焼付導電膜１６を形成したサーミスタ用焼成チップ状体
１７を得た。 次に、硫酸ニッケル２０％の水溶液をメッキ液とし
（ｐＨ４〜５）、上記焼成チップ状体にバレルメッキを
施し、さらにはんだの金属１０ｇ／リットルの水溶液
（ｐＨ３〜５）を用いてバレルメッキを行い、図１
（ニ）に示す焼付導電膜１６上に、ニッケルメッキ層１
８及びはんだメッキ層１９を順次積層した外部電極２０
を有するチップ状セラミックサーミスタを得た。得られ
たチップ状セラミックサーミスタについて、その１００
０個の外観を調べたところ、無機質被覆層の腐食箇所は
見つけられず、無作為に５０個選び、抵抗値を測定した
結果、平均値は５１Ωであり、その精度は±１０％以内
であった。

【００１４】実施例３（チップ状積層セラミックコンデ
ンサの例） チタン酸バリウム等の誘電体材料、エチルセルロー
ズ等の結合剤、ターピネオール等の溶剤等からなる誘電
体材料スラリーから得られた１０ｃｍ四方角の誘電体セ
ラミックグリーンシート上に複数の内部電極用導電ペー
スト膜を銅粉末等の導電性粉末をエチルセルローズ（結
合剤）、ターピネオール（溶剤）と混練した導電ペース
トをスクリーン印刷法により形成し、その複数枚を重
ね、さらにその上下に誘電体セラミックグリーンシート
と同様のシートを重ね、未焼成誘電体積層体を得、つい
でこれを圧着し未焼成誘電体圧着積層体を得る。この未
焼成誘電体圧着積層体をコンデンサ単位を複数含むよう
に短冊状に切断する。 Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 等を主成分とする無機質材料
とエチルセルローズ（結合剤）、ターピネオール（溶
剤）と混練した無機質被覆層用スラリーを調製し、図３
（イ）に示すように上記短冊状の未焼成誘電体圧着積層
体２１ａを中心にし、この無機質被覆層用スラリー２１
ｂをその外側に密着させて押出成形機により押出成形
し、長尺な積層コンデンサ用未焼成角柱状体（未焼成積
層体）２１を得た。 この長尺な角柱状体を各コンデンサ単位毎に切断し
て乾燥し、同図（ロ）に示す積層コンデンサ用未焼成チ
ップ状体２２を得た。この未焼成チップ状体の両端にニ
ッケル粉末をエチルセルローズ（結合剤）、ターピネオ
ール（溶剤）と混練したニッケル導電ペーストをディピ
ング法により塗布して乾燥し、未焼成チップ状体とニッ
ケル導電ペースト膜を１２００℃で同時焼成し、図３
（ハ）に示すように、セラミック誘電体層２３と内部電
極２４からなる積層コンデンサ用セラミック素体２５と
これを被覆した積層コンデンサ用無機質被覆層２６と焼
成焼付導電膜２７を形成した積層コンデンサ用焼成チッ
プ状体２８を得た。 次に、硫酸ニッケル２０％の水溶液をメッキ液（ｐ
Ｈ４〜５）とし、上記積層コンデンサ用焼成チップ状体
２７にバレルメッキを施し、さらにはんだの金属１０ｇ
／リットルの水溶液をメッキ液として（ｐＨ３〜５）バ
レルメッキを行い、図３（ニ）に示す焼成焼付導電膜２
７上に、ニッケルメッキ層２９及びはんだメッキ層３０
を順次積層した外部電極３１を有するチップ状積層セラ
ミックコンデンサを得た。得られたチップ状積層セラミ
ックコンデンサについて、その１０００個の外観を調べ
たところ、無機質被覆層の腐食箇所は見つけられず、さ
らに無作為に５０個選び、８５℃の温度で１０００時
間、両外部電極間に３２Ｖ印加する高温負荷試験を行な
い、その試験後に両外部電極に１００Ｖ印加した時の絶
縁抵抗値の平均値は５×１０⁴ ＭΩであり、上記でニ
ッケルメッキ、はんだメッキをする前の絶縁抵抗値とほ
ぼ同じであった。

【００１５】比較例１ 実施例１において、無機質被覆層用スラリーを用いず、
無機質被覆層を形成しなかった以外は同様にしてチップ
状フェライビーズインダクタを作成し、実施例１と同様
に試験を行ったところ、素地の腐食は外観で１０００個
の内４３２個見つけられた。

【００１６】比較例２ 実施例２において、無機質被覆層用スラリーを用いず、
無機質被覆層を形成しなかった以外は同様にしてチップ
状セラミックサーミスタを作成し、実施例２と同様に試
験を行ったところ、素地の腐食は外観では１０００個の
内全部にあり、その抵抗値の平均値は８５Ωであり、そ
の精度は±２８％であった。

【００１７】比較例３ 実施例３において、無機質被覆層用スラリーを用いず、
無機質被覆層を形成しなかった以外は同様にしてチップ
状積層セラミックコンデンサを作成し、実施例３と同様
に試験を行ったところ、高温負荷試験後の１００Ｖ絶縁
抵抗値の平均値は３×１０² ＭΩであった。

【００１８】上記実施例３は、外部電極用導電ペースト
膜をセラミック素体等を焼成して得る際に同時に焼成し
たが、セラミック素体と無機質被覆層の焼成体に導電ペ
ースト膜を形成し、焼き付けるようにしても上記と同様
に良い結果が得られた。また、チップ状バリスター、チ
ップ状積層セラミックインダクタ、チップ状積層セラミ
ックトランス、チップ状積層ＬＣ部品等においても上記
に準じて得られたチップ状セラミック電子部品は上記と
同様な良い結果が得られた。

【００１９】

【発明の効果】本発明によれば、セラミック素体と耐メ
ッキ液腐食性の無機質被覆層を同時焼成により形成した
ので、これらを別々に形成するよりもその生産工程数を
減らすことができる。また、セラミック素体に形成する
無機質被覆層の厚さを一定にすることができるので、無
機質被覆層の焼成工程や電極用導電ペースト膜の焼付工
程でセラミック素体や無機質被覆層にクラック等を生じ
難くすることができる。このクラック等は電極用導電ペ
ースト膜もセラミック素体と無機質被覆層を焼成による
得る際に同時焼成することによりさらに生じ難くするこ
とができる。さらに、セラミック素体に耐メッキ液腐食
性の無機質被覆層を形成したので、メッキ液の浸透がな
く、メッキ液に対する腐食性がなく、セラミック素体に
メッキ膜が付着することのないようにでき、さらに外観
を害さないようにできる。このようにして、生産工程数
と製品の歩留まりを向上させて生産性を高めることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例のチップ状セラミック電
子部品の断面図による工程説明図である。

【図２】本発明の第２の実施例のチップ状セラミック電
子部品の断面図による工程説明図である。

【図３】本発明の第３の実施例のチップ状セラミック電
子部品の断面図による工程説明図である。

【符号の説明】

１ 銀の細線 ２ 未焼成被覆銀線 ３ フェライトビーズ用未焼成チップ状体 ５ フェライトビーズ用セラミック素体 ６ フェライトビーズ用無機質被覆層 ７、１６ 焼付導電膜 ８ フェライトビーズ用焼成チップ状体 ９、１８、２９ ニッケルメッキ層 １０、１９、３０ はんだメッキ層 １１、２０、３１ 外部電極 １２ サーミスタ用未焼成角柱状体 １３ サーミスタ用未焼成チップ状体 １４ サーミスタ用セラミック素体 １５ サーミスタ用無機質被覆層 １７ サーミスタ用焼成チップ状体 ２１ 積層コンデンサ用未焼成角柱状体 ２２ 積層コンデンサ用未焼成チップ状体 ２５ 積層コンデンサ用セラミック素体 ２６ 積層コンデンサ用無機質被覆層 ２７ 焼成焼付導電膜 ２８ 積層コンデンサ用焼成チップ状体

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 両端面を除くセラミック素体に該セラミ
   ック素体より絶縁性が高くかつ耐メッキ液腐食性の無機
   質被覆層を有し、該セラミック素体の両端部に焼付導電
   層、メッキ層を順次形成した外部電極を有するチップ状
   セラミック電子部品であって、上記セラミック素体と無
   機質被覆層はそれぞれの材料の組成物の押出成形体から
   得られる未焼成チップ状体の同時焼成により得られるか
   又は上記セラミック素体と無機質被覆層と焼付導電層は
   該未焼成チップ状体の両端に上記焼付導電層用導電ペー
   スト膜を形成した後同時焼成により得られるチップ状セ
   ラミック電子部品。
2. 【請求項２】 セラミック素体がインダクタ、サーミス
   タ、バリスター又は積層電子部品用のセラミック素体で
   あり、電子部品がそれぞれに対応するフェライトビーズ
   インダクタ、サーミスタ、バリスター又は積層電子部品
   である請求項１記載のチップ状セラミック電子部品。
3. 【請求項３】 セラミック材料粉末と結合剤を含有する
   セラミック素体用スラリーを中心にし、該セラミック素
   体より絶縁性が高くかつ耐メッキ液腐食性の無機質被覆
   層を形成する無機質粉末と結合剤を含有する無機質被覆
   層用スラリーを外側にして押出成形する押出成形工程
   と、該押出成形工程で得られた押出成形体を切断し未焼
   成チップ状体を形成する工程と、該未焼成チップ状体の
   みを焼成し上記セラミック素体に上記無機質被覆層を形
   成するか又は該未焼成チップ状体の端面とその周辺の周
   面に導電性ペースト膜を形成した後同時焼成することに
   より上記セラミック素体に上記無機質被覆層を形成しさ
   らに焼成焼付導電膜を形成する焼成チップ状体形成工程
   と、上記未焼成チップ状体のみを焼成した場合は該焼成
   チップ状体の端面とその周辺の周面に導電性ペースト膜
   を形成し焼き付けて焼付導電膜を形成する焼付導電膜形
   成工程と、該焼成焼付導電膜又は該焼付導電膜にメッキ
   を施すメッキ工程を有するチップ状セラミック電子部品
   の製造方法。
4. 【請求項４】 セラミック素体がサーミスタ又はバリス
   ター用のセラミック素体であり、電子部品がそれぞれに
   対応するサーミスタ又はバリスターである請求項３記載
   のチップ状セラミック電子部品の製造方法。
5. 【請求項５】 金属線又は導電性粉末と結合剤を含有す
   る導電体用スラリーを中心にし、セラミック磁性体材料
   粉末と結合剤を含有するセラミック素体用スラリーを中
   間にし、該セラミック素体より絶縁性が高くかつ耐メッ
   キ液腐食性の無機質粉末と結合剤を含有する無機質被覆
   層用スラリーを外側にして押出成形する押出成形工程
   と、該押出成形工程で得られた押出成形体を切断し未焼
   成チップ状体を形成する工程と、該未焼成チップ状体の
   みを焼成し上記導電体を被覆した上記セラミック素体に
   上記無機質被覆層を形成するか又は該未焼成チップ状体
   の端面とその周辺の周面に導電性ペースト膜を形成した
   後同時焼成することにより上記導電体を被覆した上記セ
   ラミック素体に上記無機質被覆層を形成しさらに焼成焼
   付導電膜を形成する焼成チップ状体形成工程と、上記未
   焼成チップ状体のみを焼成する場合は該焼成チップ状体
   の端面とその周辺の周面に導電性ペースト膜を形成し焼
   き付けて焼付導電膜を形成する焼付導電膜形成工程と、
   該焼成焼付導電膜又は該焼付導電膜にメッキを施すメッ
   キ工程を有し、チップ状フェライトビーズインダクタを
   製造するチップ状セラミック電子部品の製造方法。
6. 【請求項６】 内部電極又は内部導体用の導電性ペース
   ト膜を形成したセラミックグリーンシートを少なくとも
   用いて積層セラミック電子部品のセラミック素体用の未
   焼成積層体を形成しさらにこれを圧着して未焼成積層圧
   着体を作成する工程と、該未焼成積層圧着体を中心に
   し、該セラミック素体より絶縁性が高くかつ耐メッキ液
   腐食性の無機質被覆層を形成する無機質粉末と結合剤を
   含有する無機質被覆層用スラリーを外側にして押出成形
   する押出成形工程と、該押出成形工程で得られた押出成
   形体を切断し未焼成チップ状体を形成する工程と、該チ
   ップ状体のみを焼成し上記セラミック素体に上記無機質
   被覆層を形成するか又は該未焼成チップ状体の端面とそ
   の周辺の周面に導電性ペースト膜を形成した後同時焼成
   することにより上記セラミック素体に上記無機質被覆層
   を形成しさらに焼成焼付導電膜を形成する焼成チップ状
   体形成工程と、上記未焼成チップ状体のみを焼成する場
   合は該焼成チップ状体の端面とその周辺の周面に導電性
   ペースト膜を形成し焼き付ける焼付導電膜形成工程と、
   該焼成焼付導電膜又は該焼付導電膜にメッキを施すメッ
   キ工程を有し、積層セラミック電子部品を製造するチッ
   プ状セラミック電子部品の製造方法。
7. 【請求項７】 セラミック素体が積層コンデンサ、積層
   インダクタ、積層トランス又は積層ＬＣ部品用セラミッ
   ク素体であり、積層セラミック電子部品がこれらのそれ
   ぞれに対応する積層セラミックコンデンサ、積層セラミ
   ックインダクタ積層セラミックトランス又は積層セラミ
   ックＬＣ部品である請求項６記載のチップ状セラミック
   電子部品の製造方法。