JPH04154104A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH04154104A JPH04154104A JP2280349A JP28034990A JPH04154104A JP H04154104 A JPH04154104 A JP H04154104A JP 2280349 A JP2280349 A JP 2280349A JP 28034990 A JP28034990 A JP 28034990A JP H04154104 A JPH04154104 A JP H04154104A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層セラミックコンデンサの改良に関する。
従来の技術
従来の積層セラミックコンデンサ8は、第3図に示す如
く、グリーンシート1上に内部電極2として銀/パラジ
ウム合金とガラスからなる成分のものが塗布された誘電
体シート3を複数枚積層してなるコンデンサ素子4とな
し、このコンデンサ素子4の両端部に形成する端子電1
i!5は内部電極2と同一の材料である銀/パラジウム
合金とガラスからなる組成のものが用いられている。第
4図コンデンサ10の場合は第3図と同一のコンデンサ
素子4の両端部に形成される端子電極15が異なる例を
示す、この端子電極15は第1層に銀又は銀/パラジウ
ム合金とガラスからなる成分層16、第2層にニッケル
めっき層17、第3層にはんだめっき層18の3層構成
を示す、第4図のコンデンサ20は別の従来例であって
、端子電極25の第1層が銅又は銅合金と有a1!#着
荊とからなる成分層26、第2層として溶融はんだめっ
き層27からなる2層構造の場合を示す。
く、グリーンシート1上に内部電極2として銀/パラジ
ウム合金とガラスからなる成分のものが塗布された誘電
体シート3を複数枚積層してなるコンデンサ素子4とな
し、このコンデンサ素子4の両端部に形成する端子電1
i!5は内部電極2と同一の材料である銀/パラジウム
合金とガラスからなる組成のものが用いられている。第
4図コンデンサ10の場合は第3図と同一のコンデンサ
素子4の両端部に形成される端子電極15が異なる例を
示す、この端子電極15は第1層に銀又は銀/パラジウ
ム合金とガラスからなる成分層16、第2層にニッケル
めっき層17、第3層にはんだめっき層18の3層構成
を示す、第4図のコンデンサ20は別の従来例であって
、端子電極25の第1層が銅又は銅合金と有a1!#着
荊とからなる成分層26、第2層として溶融はんだめっ
き層27からなる2層構造の場合を示す。
発明が解決しようとする課題
従来の積層セラミックコンデンサは端子電極として第3
図に示す如き、銀/パラジウム合金とガラスからなる組
成材料を用いたものが一般的であるが、コンデンサをプ
リント基板へ実装する際のはんだ付は条件によっては、
端子電極5が溶融はんだ中に溶解しコンデンサ素子のセ
ラミック1が露出してしまう、いわゆるはんだ喰われが
発生し易い問題があった。
図に示す如き、銀/パラジウム合金とガラスからなる組
成材料を用いたものが一般的であるが、コンデンサをプ
リント基板へ実装する際のはんだ付は条件によっては、
端子電極5が溶融はんだ中に溶解しコンデンサ素子のセ
ラミック1が露出してしまう、いわゆるはんだ喰われが
発生し易い問題があった。
第4図に示す場合は、端子電極15の第2層にニッケル
めっき層17を設け、このニッケルをはんだ喰われの障
壁として用いたものであるが、ニッケルめっきの際のめ
つき液が僅かなボイドや狭き間に残留し、この影響で耐
湿性や絶縁抵抗が低下し易い問題があった。
めっき層17を設け、このニッケルをはんだ喰われの障
壁として用いたものであるが、ニッケルめっきの際のめ
つき液が僅かなボイドや狭き間に残留し、この影響で耐
湿性や絶縁抵抗が低下し易い問題があった。
第4図に示す場合は、このニッケルめっき層の代りに銅
と有機接着剤とからなる銅層26をはんだ喰われに対す
る障壁として用いている。これはドライプロセス製法で
あるため耐湿性や絶縁抵抗の低下に対しては影響ないが
、第3層にはんだ層27を形成しているため、静電容量
等の電気的特性を自動検査するチエッカ−工程でチエッ
カ−の電極を汚損し、検査の信頼性を低下するという欠
点を有している。
と有機接着剤とからなる銅層26をはんだ喰われに対す
る障壁として用いている。これはドライプロセス製法で
あるため耐湿性や絶縁抵抗の低下に対しては影響ないが
、第3層にはんだ層27を形成しているため、静電容量
等の電気的特性を自動検査するチエッカ−工程でチエッ
カ−の電極を汚損し、検査の信頼性を低下するという欠
点を有している。
課題を解決するための手段
本発明のコンデンサは、端子電極として、銅又は銅合金
と有m接着剤からなる第1層のiS極層とこの上に銀/
パラジウム合金と有sa!#着剤からなる第2層の![
!層を形成する積層セラミックコンデンサである。
と有m接着剤からなる第1層のiS極層とこの上に銀/
パラジウム合金と有sa!#着剤からなる第2層の![
!層を形成する積層セラミックコンデンサである。
また、端子!@とじて、銅又は銅合金とガラスフリット
とからなる第1層の電極層と、この上に銀/パラジウム
合金とガラスフリットとからなる第2層の電極層を形成
する積層セラミックコンデンサを提供する。
とからなる第1層の電極層と、この上に銀/パラジウム
合金とガラスフリットとからなる第2層の電極層を形成
する積層セラミックコンデンサを提供する。
さらに、端子電極として、銅又は銅合金とガラスフリッ
トとからなる第1層の電極層とこの上に銀/パラジウム
合金と有機接着剤とからなる第2層の電極層を形成する
積層セラミックコンデンサを提供する。
トとからなる第1層の電極層とこの上に銀/パラジウム
合金と有機接着剤とからなる第2層の電極層を形成する
積層セラミックコンデンサを提供する。
作用
本発明の積層セラミックコンデンサは、端子電極として
第1層に溶融はんだに対する溶解速度が銀又は銀/パラ
ジウム合金より小さい銅又は銅合金を用いているので、
通常のはんだ条件下でははんだ喰われが生じない、また
第2層は銀又は銀パラジウム合金を用いているのでコン
デンサの電気的特性を検査するチエッカ−の電極を汚損
することがない。
第1層に溶融はんだに対する溶解速度が銀又は銀/パラ
ジウム合金より小さい銅又は銅合金を用いているので、
通常のはんだ条件下でははんだ喰われが生じない、また
第2層は銀又は銀パラジウム合金を用いているのでコン
デンサの電気的特性を検査するチエッカ−の電極を汚損
することがない。
実施例
本発明の積層セラミックコンデンサの実施例を図面に基
づき説明する。
づき説明する。
BaTi0i系の誘電体又はPbTiO3系の誘電体を
用い、公知の方法でポリビニルブチラール系樹脂をバイ
ンダーとしてグリーンシート1を作製し、BaTiO3
系に対しては銀/40%パラジウム合金を、PbTiO
3系には銀/15%パラジウム合金を内部を極2として
公知の方法で印刷し誘電体シート3を製作し、これらの
誘電体シート3を複数枚積層し、所定寸法に切断し、大
気中で脱脂後前者は1175℃、後者は960℃で焼成
する。焼成後、端子t’liが均一に塗布することがで
きるようバレル研磨を行なって角を面取りしてコンデン
サ素子4を製作する。
用い、公知の方法でポリビニルブチラール系樹脂をバイ
ンダーとしてグリーンシート1を作製し、BaTiO3
系に対しては銀/40%パラジウム合金を、PbTiO
3系には銀/15%パラジウム合金を内部を極2として
公知の方法で印刷し誘電体シート3を製作し、これらの
誘電体シート3を複数枚積層し、所定寸法に切断し、大
気中で脱脂後前者は1175℃、後者は960℃で焼成
する。焼成後、端子t’liが均一に塗布することがで
きるようバレル研磨を行なって角を面取りしてコンデン
サ素子4を製作する。
このコンデンサ素子4の両端部に端子電極35を形成す
る。第1層としては、フェノールWIJ脂系接着剤と平
均粒径が10μmの銀被覆銅粉を混合し、ブチルカルピ
トールを溶剤として30μm厚になるよう第1層の電極
層36を形成する。この第1層36上に銀/10%パラ
ジウム合金の平均粒度1μmの粉末をフェノール樹脂系
接着剤と混合し、ブチルカルピトールを溶剤として20
μmになるよう粘度調整を行なって60°C15分間乾
燥し、180℃で15分焼付けして第2層の電極層37
を形成し積層セラミックコンデンサ30を製作する。
る。第1層としては、フェノールWIJ脂系接着剤と平
均粒径が10μmの銀被覆銅粉を混合し、ブチルカルピ
トールを溶剤として30μm厚になるよう第1層の電極
層36を形成する。この第1層36上に銀/10%パラ
ジウム合金の平均粒度1μmの粉末をフェノール樹脂系
接着剤と混合し、ブチルカルピトールを溶剤として20
μmになるよう粘度調整を行なって60°C15分間乾
燥し、180℃で15分焼付けして第2層の電極層37
を形成し積層セラミックコンデンサ30を製作する。
従来の端子電極として外層にはんだ層18(第5図)及
び27(第6図)を形成したコンデンサ10.20を各
10万個、本発明のコンデンサ30(第1図)、すなわ
ち外層として銀/パラジウム合金を用いたものを20万
個製作し、電気特性測定用チエッカ−で検査した0本発
明のコンデンサ30はチエッカ−で20万個連続測定検
査した。
び27(第6図)を形成したコンデンサ10.20を各
10万個、本発明のコンデンサ30(第1図)、すなわ
ち外層として銀/パラジウム合金を用いたものを20万
個製作し、電気特性測定用チエッカ−で検査した0本発
明のコンデンサ30はチエッカ−で20万個連続測定検
査した。
この結果、本発明のコンデンサ30は測定値に変化はな
かったが、従来のコンデンサは5万個をこえるところか
ら誘電正接が高い値を示し始め10万個に近づくと当初
の値の50〜100%大きな値を示し規格値を満足しな
いものが10〜20%発主20% これは、はんだめっき18のはんだがやわらかいために
チエッカ−の電極にはんだが付着し、酸化して電気抵抗
の大きな被覆を電極表面に形成するためである。他方本
発明品のコンデンサは電極の表面を汚損しないことが判
明した。
かったが、従来のコンデンサは5万個をこえるところか
ら誘電正接が高い値を示し始め10万個に近づくと当初
の値の50〜100%大きな値を示し規格値を満足しな
いものが10〜20%発主20% これは、はんだめっき18のはんだがやわらかいために
チエッカ−の電極にはんだが付着し、酸化して電気抵抗
の大きな被覆を電極表面に形成するためである。他方本
発明品のコンデンサは電極の表面を汚損しないことが判
明した。
これらのコンデンサをチエッカ−で選別した後、65℃
95%RHの耐湿負荷試験にかけたところ、従来品の絶
縁劣化速度が本発明品と比べて10倍以上速い、この原
因はチエッカ−の超音波振動方式によるフィーダでコン
デンサを列化整列させる工程でチップ同志がお互いに接
触しあう際にはんだがコンデンサの表面のセラミック部
分に付着し、導電パスを形成するためである。しかし本
発明品ではこの現象は殆んど見られず影響はない。
95%RHの耐湿負荷試験にかけたところ、従来品の絶
縁劣化速度が本発明品と比べて10倍以上速い、この原
因はチエッカ−の超音波振動方式によるフィーダでコン
デンサを列化整列させる工程でチップ同志がお互いに接
触しあう際にはんだがコンデンサの表面のセラミック部
分に付着し、導電パスを形成するためである。しかし本
発明品ではこの現象は殆んど見られず影響はない。
次いで、本発明品100個と、従来の第1図に示すコン
デンサ8100個とを、ガラスエポキシ基板に230℃
で20秒、はんだ溶融時間60秒の条件で5n−40%
pbはんだリフローソルダーを行なった。その結果、本
発明品は1個のはんだ喰われもなかったが、従来品は微
小なはんだ喰われを含め約25%発生した。
デンサ8100個とを、ガラスエポキシ基板に230℃
で20秒、はんだ溶融時間60秒の条件で5n−40%
pbはんだリフローソルダーを行なった。その結果、本
発明品は1個のはんだ喰われもなかったが、従来品は微
小なはんだ喰われを含め約25%発生した。
実施例2
コンデンサ素子4の端子t[i45として、第2図に示
す如くガラスフリット接着剤と平均粒度10μmの銀被
覆銅粉を混合しブチルカルピトールを溶剤として用い3
0μm厚になるよう第1層の電極層46を形成し、次い
で銀/パラジウム合金とガラスフリットからなる第2層
の電極層47を形成してコンデンサ40を製作した。
す如くガラスフリット接着剤と平均粒度10μmの銀被
覆銅粉を混合しブチルカルピトールを溶剤として用い3
0μm厚になるよう第1層の電極層46を形成し、次い
で銀/パラジウム合金とガラスフリットからなる第2層
の電極層47を形成してコンデンサ40を製作した。
実施例3
コンデンサ素子4の端子電極55として、第3図に示す
如く、ガラスフリット接着剤と平均粒度10μmの銀被
覆銅粉を混合し、ブチルカルピトールを溶剤として用い
30μm厚で第1層の電極層56を形成し、次いで銀/
パラジウム合金と有II接着剤とからなる第2層の電極
層57を形成するコンデンサ50を製作した。
如く、ガラスフリット接着剤と平均粒度10μmの銀被
覆銅粉を混合し、ブチルカルピトールを溶剤として用い
30μm厚で第1層の電極層56を形成し、次いで銀/
パラジウム合金と有II接着剤とからなる第2層の電極
層57を形成するコンデンサ50を製作した。
ガラスフリットを接着剤として用いる場合には、非酸化
性雰囲気で焼付ける必要があり、かつ焼付は温度が高い
ことにやや難点はあるが、m能的には同等品が得られる
。
性雰囲気で焼付ける必要があり、かつ焼付は温度が高い
ことにやや難点はあるが、m能的には同等品が得られる
。
発明の効果
本発明のコンデンサは、従来品と対比して、はんだ付は
性が良好で、かつはんだ喰われを発生せず、耐湿特性に
優れ、コンデンサの電気特性を検査するチエッカ−の測
定電極を汚損しない特徴を有するもので、検査装置の信
頼性を向上することができる発明である。
性が良好で、かつはんだ喰われを発生せず、耐湿特性に
優れ、コンデンサの電気特性を検査するチエッカ−の測
定電極を汚損しない特徴を有するもので、検査装置の信
頼性を向上することができる発明である。
第1図〜第3図は本発明の断面図、第4〜第6図は従来
の断面図である。 30.40.50:コンデンサ、 35.45,55:端子電極、 36.46.56+第1層の電極層、 37.47.57:第2層の電極層。 特許出願人 日立ニーアイシー株式会社第20 茅4の
の断面図である。 30.40.50:コンデンサ、 35.45,55:端子電極、 36.46.56+第1層の電極層、 37.47.57:第2層の電極層。 特許出願人 日立ニーアイシー株式会社第20 茅4の
Claims (3)
- (1)グリーンシート上に内部電極を形成した誘電体シ
ートを複数枚積層してコンデンサ素子となし、このコン
デンサ素子の両端部に端子電極として、銅又は銅合金と
有機接着剤とからなる第1層の電極層を形成し、この上
に銀/パラジウム合金と有機接着剤とからなる第2層の
電極層を形成してなる積層セラミックコンデンサ。 - (2)請求項第1項の端子電極として、銅又は銅合金と
ガラスフリットからなる第1層の電極層を形成し、この
上に銀/パラジウム合金とガラスフリットからなる第2
層の電極層を形成してなる積層セラミックコンデンサ。 - (3)請求項第1項の端子電極として、銅又は銅合金と
ガラスフリットからなる第1層の電極層を形成し、この
上に銀/パラジウム合金と有機接着剤とからなる第2層
の電極層を形成してなる積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2280349A JPH04154104A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2280349A JPH04154104A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04154104A true JPH04154104A (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=17623770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2280349A Pending JPH04154104A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 積層セラミックコンデンサ |
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Cited By (5)
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WO1999018588A1 (fr) * | 1997-10-06 | 1999-04-15 | Tdk Corporation | Dispositif electronique et son procede de production |
JP2000243662A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tdk Corp | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP2001307947A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Tdk Corp | 積層チップ部品及びその製造方法 |
CN108364786A (zh) * | 2017-01-25 | 2018-08-03 | 禾伸堂企业股份有限公司 | 积层陶瓷电容器及其制造方法 |
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-
1990
- 1990-10-18 JP JP2280349A patent/JPH04154104A/ja active Pending
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US6124769A (en) * | 1997-10-06 | 2000-09-26 | Tdk Corporation | Electronic device, and its fabrication method |
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