JP2001307947A - 積層チップ部品及びその製造方法 - Google Patents

積層チップ部品及びその製造方法

Info

Publication number
JP2001307947A
JP2001307947A JP2000124132A JP2000124132A JP2001307947A JP 2001307947 A JP2001307947 A JP 2001307947A JP 2000124132 A JP2000124132 A JP 2000124132A JP 2000124132 A JP2000124132 A JP 2000124132A JP 2001307947 A JP2001307947 A JP 2001307947A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
glass frit
underlayer
layer
chip component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000124132A
Other languages
English (en)
Inventor
Akitoshi Yoshii
彰敏 吉井
Shintaro Kin
慎太郎 金
Kazuhiko Kikuchi
和彦 菊地
Takashi Kamiya
貴志 神谷
Akira Sasaki
昭 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2000124132A priority Critical patent/JP2001307947A/ja
Priority to EP01109475A priority patent/EP1156498B1/en
Priority to DE60143504T priority patent/DE60143504D1/de
Priority to US09/840,904 priority patent/US6400553B2/en
Publication of JP2001307947A publication Critical patent/JP2001307947A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導電性接着剤によるＰｂフリー実装を適用し
ても、高温多湿の環境下における外部電極の酸化を防
げ、導電性接着剤と外部電極との間における微細なマイ
クロクラックの発生も防げて信頼性の高い低コストな積
層チップ部品を構成する。 【解決手段】 部品素体１に設けた卑金属の内部電極１
０ａ，１０ｂ…と電気的に導通する銅（Ｃｕ）を主成分
とする導電材料並びにガラスフリットを含有する下地層
２０，３０と、パラジウム（Ｐｄ）を含んで銀（Ａｇ）
を主とする貴金属の導電材料並びに下地層のガラスリッ
トと同じガラスフリットを含有する外層２１，３１と、
下地層２０，３０と外層２１，３１との界面に生成する
Ｃｕ／Ｐｄの合金層２２，３２とからなる外部電極２，
３を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、卑金属の内部電極
とセラミック層とを複数交互に積層形成した部品素体を
備え、その卑金属の内部電極と電気的に導通する外部電
極を部品素体の両端部に設ける積層チップ部品及びその
製造方法に係り、主に、積層チップ部品を導電性接着剤
で回路基板に固着実装するのに適するよう外部電極を形
成する積層チップ部品及びその製造方法の改良に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層チップ部品を回路基板に固
着実装するには鉛（Ｐｂ）を含むはんだが用いられてい
る。その積層チップ部品としては、部品の固着強度及び
はんだ濡れ性を考慮し、外部電極が錫（Ｓｎ）またはＳ
ｎ／Ｐｂの電気メッキ等による被膜の最外層で形成され
ている。
【０００３】それに対して、Ｐｂによる環境への影響を
考慮することから、Ｐｂフリー実装（Ｐｂを組成材料と
して含まない。）を目的とし、導電接着剤による電子部
品の固着実装が求められている。
【０００４】然し、そのＰｂフリー実装を適用すると、
従来の外部電極では最外層のＳｎまたはＳｎ／Ｐｂ被膜
が高温多湿の環境下で加速的に酸化し、接続抵抗（ＥＳ
Ｒ）が高くなり、コンデンサ機能としてもｔａｎδが大
きくなって電気回路上不具合が生ずる。また、ヒートサ
イクルを繰り返すことによって、微細なマイクロクラッ
クが導電性接着剤と外部電極との間に生じ、固着強度が
劣化するばかりでなく、部品が電気回路上機能しないと
共に、回路基板から脱落する事態が生ずる虞れもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、主に、導電
性接着剤によるＰｂフリー実装を適用しても、高温多湿
の環境下における外部電極の酸化を防げ、また、導電性
接着剤と外部電極との間における微細なマイクロクラッ
クの発生も防げて信頼性の高い低コストな積層チップ部
品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】それに加えて、本発明は低コストで信頼性
の高い積層チップ部品を簡略な工程でしかも寸法精度の
良好なものに製造できる積層チップ部品の製造方法を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
積層チップ部品においては、卑金属の内部電極とセラミ
ック層とを複数交互に積層形成した部品素体を備え、そ
の卑金属の内部電極と電気的に導通する外部電極を部品
素体の両端部に設けるもので、銅（Ｃｕ）を主成分とす
る導電材料並びにガラスフリットを含有する下地層と、
パラジウム（Ｐｄ）を含んで銀（Ａｇ）を主とする貴金
属の導電材料並びに下地層のガラスリットと同じガラス
フリットを含有する外層と、下地層と外層との界面に生
成するＣｕ／Ｐｄの合金層とからなる外部電極を設ける
ことにより構成されている。
【０００８】本発明の請求項２に係る積層チップ部品に
おいては、ホウケイ酸ストロンチウム系のガラスフリッ
トを各々同一の組成で含有する下地層並びに外層からな
る外部電極を設けることにより構成されている。
【０００９】本発明の請求項３に係る積層チップ部品の
製造方法においては、卑金属の内部電極とセラミック層
とを複数交互に積層させて部品素体を形成し、その卑金
属の内部電極と電気的に導通する外部電極を部品素体の
両端部に形成するにあたり、銅（Ｃｕ）を主成分とする
導電材料並びにガラスフリットを含有する導電性ペース
トを下地層用として部品素体の両端部に塗布，乾燥し、
パラジウム（Ｐｄ）を含んで銀（Ａｇ）を主とする貴金
属の導電材料並びに下地層のガラスリットと同じガラス
フリットを含有する導電性ペーストを外層用として下地
層用の上に塗布，乾燥してから、下地層用及び外層用を
６５０〜７５０℃の温度で同時に焼付け処理し、Ｃｕ／
Ｐｄの合金層を下地層と外層との界面に生成させて外部
電極を形成するようにされている。
【００１０】本発明の請求項４に係る積層チップ部品の
製造方法においては、銅（Ｃｕ）を主成分とする導電材
料並びにガラスフリットを含有する導電性ペーストを下
地層用として部品素体の両端面にのみ塗布するようにさ
れている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して説明す
ると、図示実施の形態では積層チップコンデンサが積層
チップ部品として構成されている。この積層チップコン
デンサは、図１で示すように卑金属の内部電極１０ａ，
１０ｂ…と誘電体セラミック層１１ａ，１１ｂ…とを交
互に複数積層形成した部品素体１を備え、その卑金属の
内部電極１０ａ，１０ｂ…と電気的に導通する外部電極
２，３を部品素体１の両端部に設けることにより構成さ
れている。
【００１２】その内部電極１０ａ，１０ｂ…は、卑金属
のニッケル（Ｎｉ）を用いて形成できる。この卑金属は
価格的に安価なものであるため、部品における内部電極
の占める割合や積層数が増えても、部品全体として材料
面のコスト高を抑えられる。
【００１３】その卑金属の内部電極１０ａ，１０ｂ…と
電気的に導通するものとし、外部電極２，３は銅（Ｃ
ｕ）を主成分とする導電材料並びにガラスフリットを含
有する下地層２０，３０と、パラジウム（Ｐｄ）を含ん
で銀（Ａｇ）を主とする貴金属の導電材料並びに下地層
のガラスリットと同じガラスフリットを含有する外層２
１，３１と、下地層２０，３０と外層２１，３１との界
面に生成するＣｕ／Ｐｄの合金層２２，３２とから構成
されている。
【００１４】その構成中、下地層２０，３０はＣｕを主
成分とし、他の金属材料としてＮｉ，Ａｇ，Ｐｄのいず
れかを添加した金属材料から形成できる。外層２１，３
１はＡｇを主成分とし、Ｐｄを含んで、他の貴金属とし
てＣｕ，Ａｇのいずれかを添加した貴金属材料から形成
できる。この他に、組成材料としてはガラスフリット，
バインダー樹脂，溶剤等を夫々含有する。
【００１５】ガラスフリットはホウケイ酸ストロンチウ
ム系のものとし、ストロンチウム（Ｓｒ），ホウ素
（Ｂ），ケイ素（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），亜鉛
（Ｚｎ）から選択される。このうち、Ｓｒはバリウム
（Ｂａ）に一部置き換えできる。そのガラスフリットと
しては同一の組成のものを含み、下地層２０，３０並び
に外層２１，３１が夫々形成されている。
【００１６】このように構成する積層チップコンデンサ
では、下地層２０，３０は内部電極１０ａ，１０ｂ…の
卑金属と濡れ性のよいＣｕを主成分として形成されてい
るため、内部電極１０ａ，１０ｂ…と良好な結合強度を
保てる。外層２１，３１はＡｇを主とする貴金属により
形成されているから、高温多湿の環境下で導電性接着剤
によるＰｂフリー実装を適用しても酸化を防げ、また、
焼付け時の内部電極１０ａ，１０ｂ…と外部電極２，３
との界面の酸化を防げる。
【００１７】それに加えて、外層２１，３１がＰｄを含
んで、Ｃｕ／Ｐｄの合金層２２，３２が下地層２０，３
０との界面に生成されているため、下地層２０，３０と
外層２１，３１との界面における結合強度も良好に保て
る。また、下地層２０，３０と外層２１，３１とが同じ
ガラスフリットを含有するところから、Ｃｕ／Ｐｄの合
金層２２，３２を含む外部電極２，３が全体に緻密な結
合層として形成できる。
【００１８】従って、この積層チップコンデンサでは接
続抵抗（ＥＳＲ）を低く抑えられ、コンデンサ機能とし
てｔａｎδを小さくでき、また、ヒートサイクルを繰り
返すことによっても、微細なマイクロクラックが導電性
接着剤と外部電極との間に生ずるのを防げて固着強度を
高く保てることにより、電気回路上の不具合や回路基板
から脱落する等の事態が生ずるのを確実に防げる。
【００１９】その積層チップコンデンサを製造するに
は、図２で示すように下地層用並びに外層用の導電性ペ
ースト，を作製する。この導電性ペースト，
は、３本ロールミルを用いて各金属材料並びにガラスフ
リット、その他の組成材料を混合することにより行え
る。
【００２０】その導電性ペースト，のうち、まず、
Ｃｕを主成分とする金属材料の導電性ペーストを下地
層用として部品素体の両端部に塗布，乾燥し、次に、パ
ラジウム（Ｐｄ）を含んで銀（Ａｇ）を主とする貴金属
材料の導電性ペーストを外層用として下地層用の上に塗
布，乾燥する。これら導電性ペースト，には、乾燥
処理を１５０℃の加熱温度で１０分程度施せばよい。
【００２１】その導電性ペーストの乾燥処理後、導電
性ペースト，の脱バインダー処理を大気下で施し、
これを還元雰囲気中で６５０〜７５０℃の加熱温度によ
り同時に焼付け処理する。その同時焼付けに伴って、Ｃ
ｕ／Ｐｄの合金層が下地層と外層との界面に生成するこ
とにより外部電極として形成できる。
【００２２】この積層チップコンデンサの製造工程で
は、上述した構成の積層チップコンデンサを所定通り得
られると共に、導電性ペースト，を個別に焼付け処
理せずに同時焼付けし、その他に電気メッキ等を施さず
に外部電極を形成できることから簡略な製造工程で得ら
れる。このため、内部電極１０ａ，１０ｂ…を価格的に
安価な卑金属で形成する材料面に加えて、製造工程面で
もコスト高を抑えられることにより低コストな製品とし
て得られる。
【００２３】その外部電極を形成する際に、銅（Ｃｕ）
を主成分とする金属材料の導電性ペーストは内部電極
１０ａ，１０ｂ…が露出する部品素体１の両端面にのみ
塗布する。換言すれば、外層の縁回りが形成される部品
素体１の周側面縁回りを除いて塗布するとよい。外部端
子の厚みは焼付け処理により増大するが、この厚みの増
大を導電性ペーストの塗布されていない部品素体１の
周側面縁回りで抑えられるから外部電極の寸法精度を正
確に出せる。
【００２４】上述した積層チップコンデンサの構成を確
認するべく、Ｎｉの内部電極を形成し、Ｃｕの下地層を
形成し、Ｐｄを含むＡｇの外層を下地層の上に形成し、
それを６００℃，６５０℃，７００℃，７５０℃，８０
０℃の温度で焼付け処理し、下地層と外層との界面にお
けるＣｕ／Ｐｄの合金層の有無，下地層と内部電極との
結合状態，下地層と外層との結合状態を各焼付け温度毎
に検査した。この検査項目並びに評価結果は、次の表１
に示す通りである。
【００２５】
【表１】
【００２６】この表１で示す通り、焼付け温度が６５０
〜８００℃のときは下地層と外層との界面におけるＣｕ
／Ｐｄの合金層がＥＰＭＡで確認できたが、焼付け温度
が６００℃のときはＣｕ／Ｐｄの合金層が認められなか
った。それは焼付け温度不足のため、下地層と内部電極
との化学的結合が不十分なことによる。
【００２７】また、焼付け温度が６００℃のとき並びに
焼付け温度が８００℃のときは下地層と内部電極の結合
について容量チェックで不適が認められた。これは焼付
け温度が不適なためで、特に、焼付け温度が８００℃の
ときは焼付け温度が過剰で下地層と外層との結合が強く
なり、下地層と内部電極との結合が切れてしまうことに
よる。この結果から、Ｃｕ／Ｐｄ合金層の生成は焼付け
温度に依存し、その焼付け温度としては６５０〜７５０
℃程度がよいことが確認された。
【００２８】その実証として焼付け処理を６９５℃で施
したものについて、研磨面のＣＯＭＰ像を順次大きな倍
率に変えて示すと、図３ａ〜図３ｃの通りである。ま
た、同じ資料によるＥＰＭＯ結果を示すと、図４ａ〜図
４ｃで示す通りである。図４ａからは、Ｎｉ内部電極と
Ｃｕ下地層が相互に拡散していることが判る。図４ｂか
らは、Ｓｒガラスフリットが電極全体に均一に分散して
いることが判る。図４ｃからは、Ｐｂ組成分も電極全体
に拡散していることが判る。
【００２９】本発明品の熱衝撃による固着強度を確認す
るべく、従来のＳｎメッキを施したもの並びにＡｇ／Ｐ
ｄの一層でなる外部電極（即ち、Ｃｕ／Ｐｄ合金層がな
い外部電極、以下、同じ。）を形成したものと共に、ヒ
ートサイクル試験を行った。この結果は図５で示す通り
であり、本発明品の固着強度はＡｇ／Ｐｄの一層でなる
外部電極を形成したものよりもやや向上する程度である
が、従来のＳｎメッキを施したものよりも著しく向上で
きることが判る。
【００３０】同じ資料に基づいて耐湿，プレッシャクッ
カー（ＰＣＴ），熱衝撃による接触抵抗の変化を測定し
た。その結果は、次の表２で示す通りである。同表中の
単位はΩであり、初期値は０．１〜０．２Ωであり、表
中の値は１００時関経過後のものを示す。
【００３１】
【表２】
【００３２】この表２で示す通り、本発明品の接触抵抗
はＡｇ／Ｐｄの一層でなる外部電極を形成したものと略
同等であるが、従来のＳｎメッキを施したものよりも著
しく向上できることが判る。
【００３３】本発明品で焼付け処理を６９５℃，７４５
℃で施したものと、Ａｇ／Ｐｄの一層でなる外部電極を
形成したものについて、半田固着したときの部品素体と
外部電極間の引張り強度試験を行った。この結果は図６
で示す通りで、本発明品はいずれの焼付け温度でもＡｇ
／Ｐｄの一層でなる外部電極を形成したものよりも引張
り強度を高められるが、取り分け、焼付け処理を６９５
℃に設定したものが引張り強度を高められることが判
る。
【００３４】本発明品でＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成割合を
変えて外層を形成したものと、Ａｇの最外層を形成した
のものとから、イオンマイグレーション評価を行った。
その結果は図７で示す通りで、本発明品はＡｇの最外層
を形成したものよりも著しくイオンマイグレーションを
向上できるが、特に、Ａｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成割合を７
２．５／２５．０／２．５に設定したものがイオンマイ
グレーションを著しく向上可能なことが判る。
【００３５】上述した実施の形態は積層チップコンデン
サに基づいて説明したが、それ以外に、インダクタ，共
振器，フィルタ等の積層チップ部品を構成しまたは製造
するのにも同様に適用できる。
【００３６】
【発明の効果】以上の如く、本発明の請求項１に係る積
層チップ部品に依れば、銅（Ｃｕ）を主成分とする導電
材料並びにガラスフリットを含有する下地層と、パラジ
ウム（Ｐｄ）を含んで銀（Ａｇ）を主とする貴金属の導
電材料並びに下地層のガラスリットと同じガラスフリッ
トを含有する外層と、下地層と外層との界面に生成する
Ｃｕ／Ｐｄの合金層とからなる外部電極を設けることに
より、接続抵抗（ＥＳＲ）を低く抑えられ、コンデンサ
機能としてｔａｎδを小さくでき、また、ヒートサイク
ルを繰り返すことによっても、微細なマイクロクラック
が導電性接着剤と外部電極との間に生ずるのを防げて固
着強度を高く保てることにより、電気回路上の不具合や
回路基板から脱落する等の事態が生ずるのを確実に防げ
る。
【００３７】本発明の請求項２に係る積層チップ部品に
依れば、ホウケイ酸ストロンチウム系のガラスフリット
を各々同一の組成で含有する下地層並びに外層からなる
外部電極を設けることにより、ガラスフリットが電極全
体に均一に分散するから、外部電極を全体的に緻密な結
合層として形成できる。
【００３８】本発明の請求項３に係る積層チップ部品の
製造方法に依れば、銅（Ｃｕ）を主成分とする導電材料
並びにガラスフリットを含有する導電性ペーストを下地
層用として部品素体の両端部に塗布，乾燥し、パラジウ
ム（Ｐｄ）を含んで銀（Ａｇ）を主とする貴金属の導電
材料並びに下地層のガラスリットと同じガラスフリット
を含有する導電性ペーストを外層用として下地層用の上
に塗布，乾燥してから、下地層用及び外層用を６５０〜
７５０℃の温度で同時に焼付け処理し、Ｃｕ／Ｐｄの合
金層を下地層と外層との界面に生成させて外部電極を形
成することにより、積層チップ部品を所期通りの構成で
得られると共に、導電性ペーストを個別に焼付け処理せ
ずに同時焼付けすることから簡略な製造工程で得られ、
内部電極を価格的に安価な卑金属で形成する材料面に加
えて、製造工程面でもコスト高を抑えられることにより
低コストな製品として得られる。
【００３９】本発明の請求項４に係る積層チップ部品の
製造方法に依れば、銅（Ｃｕ）を主成分とする導電材料
並びにガラスフリットを含有する導電性ペーストを下地
層用として部品素体の両端面にのみ塗布することによ
り、外部端子の厚みが焼付け処理により増大しても、そ
の厚みの増大を部品素体の周側面縁回りで抑えられるか
ら外部電極の寸法精度を正確に出せる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る積層チップ部品の内部構造を示す
断面図である。
【図２】本発明に係る積層チップ部品の製造工程を示す
説明図である。
【図３ａ】本発明の係る積層チップ部品の研磨面のＣＯ
ＭＰ像を示す顕微鏡写真である。
【図３ｂ】図３ａのＣＯＭＰ像を高倍率で示す顕微鏡写
真である。
【図３ｃ】図３ａのＣＯＭＰ像を図３ｂよりも高倍率で
示す顕微鏡写真である。
【図４ａ】本発明に係る積層チップ部品の研磨面のＣＯ
ＭＰ像をＮｉ内部電極とＣｕ下地層との相互拡散状態で
示す顕微鏡写真である。
【図４ｂ】本発明に係る積層チップ部品の研磨面のＣＯ
ＭＰ像をガラスフリットの分散状態で示す顕微鏡写真で
ある。
【図４ｃ】本発明に係る積層チップ部品の研磨面のＣＯ
ＭＰ像をＰｂ組成分の拡散状態で示す顕微鏡写真であ
る。
【図５】本発明に係る積層チップ部品と、従来のＳｎメ
ッキを施したもの並びにＡｇ／Ｐｄの一層でなる外部電
極を形成したものとのヒートサイクル試験結果を示す説
明図である。
【図６】本発明に係る積層チップ部品の６９５℃，７４
５℃で焼付け処理を施したものと、Ａｇ／Ｐｄの一層で
なる外部電極を形成したものとの半田固着したときの引
張り強度試験結果を示す説明図である。
【図７】本発明に係る積層チップ部品の外層をＡｇ／Ｐ
ｄ／Ｃｕの組成割合を変えて形成したものと、Ａｇの最
外層を形成したのものとのイオンマイグレーション評価
結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 部品本体 １０ａ，１０ｂ… 内部電極 １１ａ，１１ｂ… セラミック層 ２，３ 外部電極 ２０，３０ 下地層 ２１，３１ 外層 ２２，３２ 合金層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊地 和彦 秋田県由利郡仁賀保町平沢字前田151 テ ィーディーケイ エムシーシー株式会社内 (72)発明者 神谷 貴志 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐々木 昭 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AC09 AF00 AH01 AH08 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC19 BC32 EE04 EE23 EE35 FG06 FG26 GG10 GG11 GG12 GG28 JJ03 JJ05 JJ12 JJ13 LL01 MM24 PP06

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 卑金属の内部電極とセラミック層とを複
    数交互に積層形成した部品素体を備え、その卑金属の内
    部電極と電気的に導通する外部電極を部品素体の両端部
    に設けてなる積層チップ部品において、 銅（Ｃｕ）を主成分とする導電材料並びにガラスフリッ
    トを含有する下地層と、パラジウム（Ｐｄ）を含んで銀
    （Ａｇ）を主とする貴金属の導電材料並びに下地層のガ
    ラスリットと同じガラスフリットを含有する外層と、下
    地層と外層との界面に生成するＣｕ／Ｐｄの合金層とか
    らなる外部電極を設けたことを特徴とする積層チップ部
    品。
  2. 【請求項２】 ホウケイ酸ストロンチウム系のガラスフ
    リットを各々同一の組成で含有する下地層並びに外層か
    らなる外部電極を設けたことを特徴とする請求項１に記
    載の積層チップ部品。
  3. 【請求項３】 卑金属の内部電極とセラミック層とを複
    数交互に積層させて部品素体を形成し、その卑金属の内
    部電極と電気的に導通する外部電極を部品素体の両端部
    に形成する積層チップ部品の製造方法において、 銅（Ｃｕ）を主成分とする導電材料並びにガラスフリッ
    トを含有する導電性ペーストを下地層用として部品素体
    の両端部に塗布，乾燥し、パラジウム（Ｐｄ）を含んで
    銀（Ａｇ）を主とする貴金属の導電材料並びに下地層の
    ガラスリットと同じガラスフリットを含有する導電性ペ
    ーストを外層用として下地層用の上に塗布，乾燥してか
    ら、下地層用及び外層用を６５０〜７５０℃の温度で同
    時に焼付け処理し、Ｃｕ／Ｐｄの合金層を下地層と外層
    との界面に生成させて外部電極を形成するようにしたこ
    とを特徴とする積層チップ部品の製造方法。
  4. 【請求項４】 銅（Ｃｕ）を主成分とする導電材料並び
    にガラスフリットを含有する導電性ペーストを下地層用
    として部品素体の両端面にのみ塗布するようにしたこと
    を特徴とする請求項３に記載の積層チップ部品の製造方
    法。
JP2000124132A 2000-04-25 2000-04-25 積層チップ部品及びその製造方法 Pending JP2001307947A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000124132A JP2001307947A (ja) 2000-04-25 2000-04-25 積層チップ部品及びその製造方法
EP01109475A EP1156498B1 (en) 2000-04-25 2001-04-24 Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same
DE60143504T DE60143504D1 (de) 2000-04-25 2001-04-24 Keramisches elektronisches Mehrschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US09/840,904 US6400553B2 (en) 2000-04-25 2001-04-25 Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000124132A JP2001307947A (ja) 2000-04-25 2000-04-25 積層チップ部品及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001307947A true JP2001307947A (ja) 2001-11-02

Family

ID=18634308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000124132A Pending JP2001307947A (ja) 2000-04-25 2000-04-25 積層チップ部品及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6400553B2 (ja)
EP (1) EP1156498B1 (ja)
JP (1) JP2001307947A (ja)
DE (1) DE60143504D1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7510673B2 (en) 2004-07-06 2009-03-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electroconductive paste and ceramic electronic component including electroconductive paste
JP2010510644A (ja) * 2006-11-16 2010-04-02 エプコス アクチエンゲゼルシャフト コンポーネント構造
KR101140455B1 (ko) 2010-05-27 2012-04-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP2015529967A (ja) * 2012-06-25 2015-10-08 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 外部接続部を有する多層デバイス、および外部接続部を有する多層デバイスの製造方法
US20170309403A1 (en) * 2016-04-25 2017-10-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor and board having the same
US11430607B2 (en) 2020-05-20 2022-08-30 Tdk Corporation Ceramic electronic component
US11887789B2 (en) 2021-12-24 2024-01-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer electronic component

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3846378B2 (ja) * 2002-07-25 2006-11-15 株式会社村田製作所 負特性サーミスタの製造方法
KR100471155B1 (ko) * 2002-12-03 2005-03-10 삼성전기주식회사 저온소성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹커패시터
JP4186667B2 (ja) * 2003-03-25 2008-11-26 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
US7633214B2 (en) * 2003-09-24 2009-12-15 Kyocera Corporation Multi-layer piezoelectric element
US7279724B2 (en) * 2004-02-25 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection
TWI246095B (en) * 2004-02-27 2005-12-21 Murata Manufacturing Co Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing thereof
US7786652B2 (en) * 2004-03-29 2010-08-31 Kyocera Corporation Multi-layer piezoelectric element
JP4476701B2 (ja) * 2004-06-02 2010-06-09 日本碍子株式会社 電極内蔵焼結体の製造方法
JP4635928B2 (ja) * 2006-03-27 2011-02-23 Ｔｄｋ株式会社 積層型電子部品およびその製造方法
JP2007281400A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Taiyo Yuden Co Ltd 表面実装型セラミック電子部品
US7456548B2 (en) * 2006-05-09 2008-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric element, piezoelectric actuator, and ink jet recording head
EP2065908B1 (en) * 2006-09-22 2018-09-12 Murata Manufacturing Co. Ltd. Laminated ceramic capacitor
SE530400C2 (sv) 2006-10-09 2008-05-20 Sandvik Intellectual Property Uppvärmningsenhet med ett motståndselement format som ett ledningsmönster
US20090036303A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Motorola, Inc. Method of forming a co-fired ceramic apparatus including a micro-reader
KR100920026B1 (ko) * 2007-10-16 2009-10-05 주식회사 쎄라텍 자성체 및 유전체 복합 전자 부품
JP5056485B2 (ja) * 2008-03-04 2012-10-24 株式会社村田製作所 積層型電子部品およびその製造方法
JP5217609B2 (ja) * 2008-05-12 2013-06-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2010021371A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Fujitsu Ltd 配線基板、配線製造方法、および、導電性ペースト
JP5293971B2 (ja) * 2009-09-30 2013-09-18 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法
KR101060824B1 (ko) * 2009-12-22 2011-08-30 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP5267583B2 (ja) * 2011-01-21 2013-08-21 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
US9287049B2 (en) * 2013-02-01 2016-03-15 Apple Inc. Low acoustic noise capacitors
KR101496815B1 (ko) * 2013-04-30 2015-02-27 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
KR101444598B1 (ko) * 2013-05-13 2014-09-24 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판
DE102013106810A1 (de) * 2013-06-28 2014-12-31 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Vielschicht-Varistorbauelements und Vielschicht-Varistorbauelement
KR101434108B1 (ko) * 2013-07-22 2014-08-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판과 제조 방법
KR102061503B1 (ko) * 2013-09-24 2020-01-02 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102037264B1 (ko) * 2014-12-15 2019-10-29 삼성전기주식회사 기판 내장용 소자, 그 제조 방법 및 소자 내장 인쇄회로기판
JP2018037473A (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
DE102018123611A1 (de) * 2018-09-25 2020-03-26 Tdk Electronics Ag Keramisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung des keramischen Bauelements
DE102018123594B4 (de) * 2018-09-25 2022-06-09 Tdk Electronics Ag Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements
JP7379899B2 (ja) * 2019-07-22 2023-11-15 Tdk株式会社 セラミック電子部品
JP7276296B2 (ja) * 2020-09-30 2023-05-18 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR20230102525A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154104A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Hitachi Aic Inc 積層セラミックコンデンサ
JPH097878A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック電子部品とその製造方法
JPH11144998A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Tdk Corp Ｃｒ複合電子部品およびその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59184511A (ja) * 1983-04-04 1984-10-19 株式会社村田製作所 セラミツク積層コンデンサ
JP2618019B2 (ja) * 1988-09-22 1997-06-11 住友金属鉱山株式会社 メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法
JPH02109202A (ja) * 1988-10-17 1990-04-20 Tdk Corp セラミックインダクタ部品およびセラミックｌｃ部品
JPH04273417A (ja) * 1991-02-28 1992-09-29 Mitsubishi Materials Corp 積層セラミックコンデンサ
US5335139A (en) * 1992-07-13 1994-08-02 Tdk Corporation Multilayer ceramic chip capacitor
JP2967666B2 (ja) 1992-12-08 1999-10-25 株式会社村田製作所 チップ型電子部品
JPH06342734A (ja) * 1993-06-01 1994-12-13 Tdk Corp セラミック電子部品
JPH07161223A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
WO1996013046A1 (fr) * 1994-10-19 1996-05-02 Tdk Corporation Condensateur pastille en ceramique multicouche
US6160472A (en) * 1995-03-24 2000-12-12 Tdk Corporation Multilayer varistor
JPH08330173A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Kyocera Corp 積層セラミックコンデンサならびにその製造方法
JPH0935995A (ja) 1995-07-25 1997-02-07 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
JP3039403B2 (ja) * 1996-12-06 2000-05-08 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
DE69840976D1 (de) * 1997-10-06 2009-08-27 Tdk Corp Elektronische einrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JPH11340074A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 粒界絶縁型積層半導体コンデンサの製造方法
US6185087B1 (en) * 1999-04-08 2001-02-06 Kemet Electronics Corp. Multilayer ceramic chip capacitor with high reliability compatible with nickel electrodes

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154104A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Hitachi Aic Inc 積層セラミックコンデンサ
JPH097878A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック電子部品とその製造方法
JPH11144998A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Tdk Corp Ｃｒ複合電子部品およびその製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7510673B2 (en) 2004-07-06 2009-03-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electroconductive paste and ceramic electronic component including electroconductive paste
DE112005001527B4 (de) 2004-07-06 2019-10-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektrisch leitfähige Paste und eine elektrisch leitfähige Paste aufweisendes keramisches Elektronikbauelment
JP2010510644A (ja) * 2006-11-16 2010-04-02 エプコス アクチエンゲゼルシャフト コンポーネント構造
KR101140455B1 (ko) 2010-05-27 2012-04-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 전자부품 및 그 제조방법
JP2015529967A (ja) * 2012-06-25 2015-10-08 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 外部接続部を有する多層デバイス、および外部接続部を有する多層デバイスの製造方法
US20170309403A1 (en) * 2016-04-25 2017-10-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor and board having the same
US10128048B2 (en) * 2016-04-25 2018-11-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor and board having the same
US11430607B2 (en) 2020-05-20 2022-08-30 Tdk Corporation Ceramic electronic component
JP7338554B2 (ja) 2020-05-20 2023-09-05 Tdk株式会社 セラミック電子部品
US11887789B2 (en) 2021-12-24 2024-01-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
US6400553B2 (en) 2002-06-04
EP1156498A3 (en) 2006-06-07
DE60143504D1 (de) 2011-01-05
EP1156498A2 (en) 2001-11-21
EP1156498B1 (en) 2010-11-24
US20010043454A1 (en) 2001-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001307947A (ja) 積層チップ部品及びその製造方法
JP4423707B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
KR100812077B1 (ko) 전자부품 및 그 제조방법
US20070242416A1 (en) Surface-mounting ceramic electronic component
JP6020503B2 (ja) 積層セラミック電子部品
JPH10284343A (ja) チップ型電子部品
JPH0341710A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2013179269A (ja) セラミック電子部品及びその製造方法
JPH0837127A (ja) 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP2003318059A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP2023099415A (ja) 積層型電子部品
JP4083971B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JP4333594B2 (ja) 導電性ペースト及びセラミック電子部品
EP1134757B1 (en) Ceramic electronic component having lead terminal
JP3679529B2 (ja) 端子電極ペーストおよび積層セラミックコンデンサ
JP2019117901A (ja) 電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP4269795B2 (ja) 導電性ペースト及びインダクタ
JPH09190950A (ja) 電子部品の外部電極
JP2019117900A (ja) 積層電子部品
JP2019117899A (ja) 積層電子部品
JP2006332284A (ja) 電子部品および電子部品の製造方法
JPH10163067A (ja) チップ型電子部品の外部電極
JP4556337B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JPH0878279A (ja) チップ型電子部品の外部電極形成方法
JP2000260654A (ja) 極小チップ型電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040120