JPH04273417A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JPH04273417A JPH04273417A JP5780691A JP5780691A JPH04273417A JP H04273417 A JPH04273417 A JP H04273417A JP 5780691 A JP5780691 A JP 5780691A JP 5780691 A JP5780691 A JP 5780691A JP H04273417 A JPH04273417 A JP H04273417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner layer
- paste
- layer
- baking
- outer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は端子電極が金属粉末とガ
ラスフリットを含むペーストを焼付けた電極層からなり
、めっき層を有しない積層セラミックコンデンサに関す
る。更に詳しくは焼付け電極層が２層からなる積層セラ
ミックコンデンサに関するものである。
ラスフリットを含むペーストを焼付けた電極層からなり
、めっき層を有しない積層セラミックコンデンサに関す
る。更に詳しくは焼付け電極層が２層からなる積層セラ
ミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、内部電極
を有するベアチップを複数個重合して形成されたセラミ
ック誘電体と、この内部電極と電気的に接続された端子
電極とにより主として構成される。この端子電極は金属
粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを混練してつく
られたペーストをセラミック誘電体の両端部に塗布した
後、６００〜８００℃程度の温度で焼成して製造される
。この積層セラミックコンデンサは端子電極を基板には
んだ付けして使用される。
を有するベアチップを複数個重合して形成されたセラミ
ック誘電体と、この内部電極と電気的に接続された端子
電極とにより主として構成される。この端子電極は金属
粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを混練してつく
られたペーストをセラミック誘電体の両端部に塗布した
後、６００〜８００℃程度の温度で焼成して製造される
。この積層セラミックコンデンサは端子電極を基板には
んだ付けして使用される。
【０００３】従来、上記ペーストにはＡｇに主としては
んだ耐熱性を向上させるためにＰｄを加えたＡｇ−Ｐｄ
ペーストが多用されている。しかしＰｄを多く含むとは
んだ付け性が劣り、焼付け時に誘電体にクラックが生じ
易いため、Ａｇ−Ｐｄ端子電極のＰｄの含有率は１〜１
５％と比較的低く押えられている。このため従来のＡｇ
−Ｐｄ端子電極のはんだ耐熱性はそれほど高くなく、セ
ラミックコンデンサをはんだ付けできる温度範囲は狭い
。この点を解決するため、従来より焼付け端子電極の表
面にＮｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきの２層のめ
っき電極層が形成されている。Ｎｉめっきは、はんだ耐
熱性の向上と、はんだによる電極食われの防止とを主た
る目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきは、はんだ濡れ
性の向上を目的としている。
んだ耐熱性を向上させるためにＰｄを加えたＡｇ−Ｐｄ
ペーストが多用されている。しかしＰｄを多く含むとは
んだ付け性が劣り、焼付け時に誘電体にクラックが生じ
易いため、Ａｇ−Ｐｄ端子電極のＰｄの含有率は１〜１
５％と比較的低く押えられている。このため従来のＡｇ
−Ｐｄ端子電極のはんだ耐熱性はそれほど高くなく、セ
ラミックコンデンサをはんだ付けできる温度範囲は狭い
。この点を解決するため、従来より焼付け端子電極の表
面にＮｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきの２層のめ
っき電極層が形成されている。Ｎｉめっきは、はんだ耐
熱性の向上と、はんだによる電極食われの防止とを主た
る目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっきは、はんだ濡れ
性の向上を目的としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、端子電極にＮ
ｉめっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層を形成した従
来の積層セラミックコンデンサは、Ｎｉめっき層の降温
時の引張り応力が高いため、コンデンサを予熱せずに３
００℃以上のはんだ層に浸漬して引上げると、端子電極
の内側のセラミック誘電体にクラックが発生し易い。ま
た電解めっき処理した場合には、端子電極の焼結金属粒
子間や焼結金属層とめっき層の間に電解液が残存して、
コンデンサを実装した後に電解液が基板上に漏出する恐
れがあり、このため極めて高い信頼性を要求される積層
セラミックコンデンサには、めっき層を設けないことが
ある。また２層のめっき層を形成した従来の積層セラミ
ックコンデンサは工程数が多く、生産管理が複雑で高価
になる不具合があった。本発明の目的は、端子電極にめ
っき層を設けることなく、焼付け電極層のみで端子電極
を形成してはんだ付け性及びはんだ耐熱性に優れ、信頼
性が高く、しかも少ない工程数で製造し得る積層セラミ
ックコンデンサを提供することにある。
ｉめっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層を形成した従
来の積層セラミックコンデンサは、Ｎｉめっき層の降温
時の引張り応力が高いため、コンデンサを予熱せずに３
００℃以上のはんだ層に浸漬して引上げると、端子電極
の内側のセラミック誘電体にクラックが発生し易い。ま
た電解めっき処理した場合には、端子電極の焼結金属粒
子間や焼結金属層とめっき層の間に電解液が残存して、
コンデンサを実装した後に電解液が基板上に漏出する恐
れがあり、このため極めて高い信頼性を要求される積層
セラミックコンデンサには、めっき層を設けないことが
ある。また２層のめっき層を形成した従来の積層セラミ
ックコンデンサは工程数が多く、生産管理が複雑で高価
になる不具合があった。本発明の目的は、端子電極にめ
っき層を設けることなく、焼付け電極層のみで端子電極
を形成してはんだ付け性及びはんだ耐熱性に優れ、信頼
性が高く、しかも少ない工程数で製造し得る積層セラミ
ックコンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の積層セラミック
コンデンサは、図１に示すように内部電極１３を有する
ベアチップを複数個重合して形成されたセラミック誘電
体１１と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを
誘電体１１の両端部に焼付けることにより内部電極１３
と電気的に接続された端子電極１２とを備える。この積
層セラミックコンデンサ１０の端子電極１２は誘電体１
１に接する内層１２ａとこの内層の表面に積層された外
層１２ｂとの２層の焼付け電極層からなり、内層１２ａ
は７０〜９５重量％のＡｇと５〜３０重量％のＰｄを含
む内層用ペーストを焼付けて形成され、外層１２ｂは８
５〜９９重量％のＡｇと前記内層用ペーストより少ない
１〜１５重量％のＰｄを含む外層用ペーストを焼付けて
形成される。
コンデンサは、図１に示すように内部電極１３を有する
ベアチップを複数個重合して形成されたセラミック誘電
体１１と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを
誘電体１１の両端部に焼付けることにより内部電極１３
と電気的に接続された端子電極１２とを備える。この積
層セラミックコンデンサ１０の端子電極１２は誘電体１
１に接する内層１２ａとこの内層の表面に積層された外
層１２ｂとの２層の焼付け電極層からなり、内層１２ａ
は７０〜９５重量％のＡｇと５〜３０重量％のＰｄを含
む内層用ペーストを焼付けて形成され、外層１２ｂは８
５〜９９重量％のＡｇと前記内層用ペーストより少ない
１〜１５重量％のＰｄを含む外層用ペーストを焼付けて
形成される。
【０００６】端子電極の外層用ペーストには内層用ペー
ストより少ないガラスフリットを含ませることが好まし
い。
ストより少ないガラスフリットを含ませることが好まし
い。
【０００７】以下、本発明を詳述する。本発明の積層セ
ラミックコンデンサは、内部電極を有するベアチップを
複数個重合してセラミック誘電体を形成し、この誘電体
の両端部に内部電極と電気的に接続された端子電極を形
成して作製される。このセラミック誘電体には、鉛系、
チタン酸バリウム系の誘電体が用いられ、内部電極には
Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ，Ｆｅ
，Ｃｏ等の卑金属が用いられる。本発明の端子電極はセ
ラミック誘電体に接する内層とこの内層の表面に積層さ
れた外層との２層の焼付け電極層からなる。この電極層
の表面にめっき層は形成されない。
ラミックコンデンサは、内部電極を有するベアチップを
複数個重合してセラミック誘電体を形成し、この誘電体
の両端部に内部電極と電気的に接続された端子電極を形
成して作製される。このセラミック誘電体には、鉛系、
チタン酸バリウム系の誘電体が用いられ、内部電極には
Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ，Ｆｅ
，Ｃｏ等の卑金属が用いられる。本発明の端子電極はセ
ラミック誘電体に接する内層とこの内層の表面に積層さ
れた外層との２層の焼付け電極層からなる。この電極層
の表面にめっき層は形成されない。
【０００８】この端子電極の製造方法は、先ず内層用ペ
ーストにセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ１５
０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼成し
て内層を焼付ける。次いで外層用ペーストに内層を焼付
けたセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ内層と同
様に乾燥焼成して外層を焼付ける。内層は厚さが２０〜
５０μｍの範囲に、外層は厚さが３０〜６０μｍの範囲
にそれぞれ形成される。内層が２０μｍ未満であると接
着強度やはんだ耐熱性に劣り、５０μｍを越えると焼付
け時にクラックが入る。外層は３０μｍ未満であるとは
んだ付け性に劣り、６０μｍを越えると製品の外観形状
が悪くなる。
ーストにセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ１５
０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８００℃で焼成し
て内層を焼付ける。次いで外層用ペーストに内層を焼付
けたセラミック誘電体の端部を浸漬して引上げ内層と同
様に乾燥焼成して外層を焼付ける。内層は厚さが２０〜
５０μｍの範囲に、外層は厚さが３０〜６０μｍの範囲
にそれぞれ形成される。内層が２０μｍ未満であると接
着強度やはんだ耐熱性に劣り、５０μｍを越えると焼付
け時にクラックが入る。外層は３０μｍ未満であるとは
んだ付け性に劣り、６０μｍを越えると製品の外観形状
が悪くなる。
【０００９】内層用ペースト及び外層用ペーストともそ
れぞれＡｇとＰｄを含む金属粉末とガラスフリットとを
有機ビヒクルとともに混練して調製される。内層用ペー
ストは７０〜９５重量％のＡｇと５〜３０重量％のＰｄ
を含み、外層用ペーストは内層用ペーストより多い８５
〜９９重量％のＡｇと内層用ペーストより少ない１〜１
５重量％のＰｄを含む。内層用ペーストのＰｄ含有量が
５重量％未満になるとはんだ耐熱性に劣り、外層用ペー
ストのＰｄ含有量が１５重量％を越えるとはんだ付け性
に劣るようになる。また内層用ペーストに金属成分に対
して２〜１５重量％のガラスフリットを含ませ、外層用
ペーストには金属成分に対して内層用ペーストより少な
い１〜５重量％のガラスフリットを含ませることが好ま
しい。内層用ペーストのガラスフリットの含有量が２重
量％未満になると金属粉末のセラミック誘電体に対する
接着強度が低下し、外層用ペーストのガラスフリットの
含有量が５重量％を越えると焼結後の端子電極の表面に
ガラスフリットが現れ、基板へのはんだ付け性に劣るよ
うになる。
れぞれＡｇとＰｄを含む金属粉末とガラスフリットとを
有機ビヒクルとともに混練して調製される。内層用ペー
ストは７０〜９５重量％のＡｇと５〜３０重量％のＰｄ
を含み、外層用ペーストは内層用ペーストより多い８５
〜９９重量％のＡｇと内層用ペーストより少ない１〜１
５重量％のＰｄを含む。内層用ペーストのＰｄ含有量が
５重量％未満になるとはんだ耐熱性に劣り、外層用ペー
ストのＰｄ含有量が１５重量％を越えるとはんだ付け性
に劣るようになる。また内層用ペーストに金属成分に対
して２〜１５重量％のガラスフリットを含ませ、外層用
ペーストには金属成分に対して内層用ペーストより少な
い１〜５重量％のガラスフリットを含ませることが好ま
しい。内層用ペーストのガラスフリットの含有量が２重
量％未満になると金属粉末のセラミック誘電体に対する
接着強度が低下し、外層用ペーストのガラスフリットの
含有量が５重量％を越えると焼結後の端子電極の表面に
ガラスフリットが現れ、基板へのはんだ付け性に劣るよ
うになる。
【００１０】
【作用】内層用ペーストに比較的多くＰｄを含有させて
これを焼成することにより、内層の焼付け電極層のはん
だ耐熱性が高まる。また外層用ペーストに内層用ペース
トより少ないＰｄを含有させてこれを焼成することによ
り、はんだ付け性が向上し、セラミック誘電体のクラッ
ク発生が防止される。これにより、端子電極の表面に更
にめっき層を設けなくても高い信頼性を有する積層セラ
ミックコンデンサが得られる。外層用ペーストに多くの
ガラスフリットを含有させ、内層用ペーストにこれより
少ないガラスフリットを含有させると、内層のセラミッ
ク誘電体に対する接着強度が高まるとともに、外層にガ
ラスフリットが出現しなくなりはんだ付け性が更に良好
になる。
これを焼成することにより、内層の焼付け電極層のはん
だ耐熱性が高まる。また外層用ペーストに内層用ペース
トより少ないＰｄを含有させてこれを焼成することによ
り、はんだ付け性が向上し、セラミック誘電体のクラッ
ク発生が防止される。これにより、端子電極の表面に更
にめっき層を設けなくても高い信頼性を有する積層セラ
ミックコンデンサが得られる。外層用ペーストに多くの
ガラスフリットを含有させ、内層用ペーストにこれより
少ないガラスフリットを含有させると、内層のセラミッ
ク誘電体に対する接着強度が高まるとともに、外層にガ
ラスフリットが出現しなくなりはんだ付け性が更に良好
になる。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、は
んだ耐熱性とはんだ付け性という相反する２つの特性を
最外層にめっき層を形成することなく具備することがで
きる。これによりめっき層を設けることができない製品
仕様の積層セラミックコンデンサに対して高い信頼性を
付与することができる。特に、外層用ペーストにガラス
フリットを内層用ペーストより少ない量だけ含ませるこ
とにより、端子電極に高い接着強度と更に優れたはんだ
付け性を付与することができ、信頼性のより高い積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
んだ耐熱性とはんだ付け性という相反する２つの特性を
最外層にめっき層を形成することなく具備することがで
きる。これによりめっき層を設けることができない製品
仕様の積層セラミックコンデンサに対して高い信頼性を
付与することができる。特に、外層用ペーストにガラス
フリットを内層用ペーストより少ない量だけ含ませるこ
とにより、端子電極に高い接着強度と更に優れたはんだ
付け性を付与することができ、信頼性のより高い積層セ
ラミックコンデンサが得られる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例
とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、積層セラミックコンデ
ンサ１０はセラミック誘電体１１とこの誘電体１１の両
端部に形成された端子電極１２とを備える。セラミック
誘電体１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属のＡ
ｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３
．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８ｍｍのサイズを有
する。端子電極１２は内層１２ａと外層１２ｂの２層の
焼付け電極層からなり、これらを次の条件により形成し
て積層セラミックコンデンサを得た。
とともに説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、積層セラミックコンデ
ンサ１０はセラミック誘電体１１とこの誘電体１１の両
端部に形成された端子電極１２とを備える。セラミック
誘電体１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属のＡ
ｇ７０／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３
．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８ｍｍのサイズを有
する。端子電極１２は内層１２ａと外層１２ｂの２層の
焼付け電極層からなり、これらを次の条件により形成し
て積層セラミックコンデンサを得た。
【００１３】■ 内層の焼付け電極層内層用ペースト
１００重量％とするときＡｇ／Ｐｄ比が７５／２５のＡ
ｇとＰｄからなる７２重量％の金属粉末と、この金属成
分に対して３重量％のＢ２Ｏ３（３０重量％）−ＺｎＯ
（３０重量％）−ＰｂＯ（４０重量％）からなるガラス
フリットと、残部がエチルセルロースとブチルカルビト
ールとテルピネオールを含む有機ビヒクルとを混練して
内層用ペーストを調製した。このペーストを焼付け後の
厚さが４０μｍになるようにセラミック誘電体１１の両
端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した
。この誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、８００
℃まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の速
度で室温まで降温してＡｇ−Ｐｄからなる焼付け電極層
を得た。 ■ 外層の焼付け電極層 Ａｇ／Ｐｄ比が９２／８のＡｇとＰｄからなる金属粉末
を用いた以外は内層用ペーストと同様にして外層用ペー
ストを調製した。このペーストを焼付け後の厚さが５０
μｍになるように内層が形成されたセラミック誘電体１
１の両端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾
燥した。この誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、
７５０℃まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／
分の速度で室温まで降温してＡｇ−Ｐｄからなる焼付け
電極層を得た。
１００重量％とするときＡｇ／Ｐｄ比が７５／２５のＡ
ｇとＰｄからなる７２重量％の金属粉末と、この金属成
分に対して３重量％のＢ２Ｏ３（３０重量％）−ＺｎＯ
（３０重量％）−ＰｂＯ（４０重量％）からなるガラス
フリットと、残部がエチルセルロースとブチルカルビト
ールとテルピネオールを含む有機ビヒクルとを混練して
内層用ペーストを調製した。このペーストを焼付け後の
厚さが４０μｍになるようにセラミック誘電体１１の両
端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した
。この誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、８００
℃まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の速
度で室温まで降温してＡｇ−Ｐｄからなる焼付け電極層
を得た。 ■ 外層の焼付け電極層 Ａｇ／Ｐｄ比が９２／８のＡｇとＰｄからなる金属粉末
を用いた以外は内層用ペーストと同様にして外層用ペー
ストを調製した。このペーストを焼付け後の厚さが５０
μｍになるように内層が形成されたセラミック誘電体１
１の両端部に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾
燥した。この誘電体を２５℃／分の速度で、大気圧下、
７５０℃まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／
分の速度で室温まで降温してＡｇ−Ｐｄからなる焼付け
電極層を得た。
【００１４】＜比較例１＞実施例１と同一のセラミック
誘電体の両端部に実施例１の内層用ペーストのみを焼付
け後の厚さが９０μｍになるようにした以外は実施例１
の内層用ペーストと同様に焼付け、端子電極が単一の焼
付け電極層からなる積層セラミックコンデンサを得た。 ＜比較例２＞Ａｇ／Ｐｄ比が８５／１５のＡｇとＰｄか
らなる金属粉末を用いた以外は実施例１の外層用ペース
トと同様にしてペーストを調製した。このペーストのみ
を実施例１と同一のセラミック誘電体の両端部に、焼付
け後の厚さが９０μｍになるようにした以外は実施例１
の外層用ペーストと同様に焼付け、端子電極が単一の焼
付け電極層からなる積層セラミックコンデンサを得た。 ＜比較例３＞実施例１と同一のセラミック誘電体の両端
部に実施例１の外層用ペーストのみを焼付け後の厚さが
９０μｍになるようにした以外は実施例１の外層用ペー
ストと同様に焼付け、端子電極が単一の焼付け電極層か
らなる積層セラミックコンデンサを得た。
誘電体の両端部に実施例１の内層用ペーストのみを焼付
け後の厚さが９０μｍになるようにした以外は実施例１
の内層用ペーストと同様に焼付け、端子電極が単一の焼
付け電極層からなる積層セラミックコンデンサを得た。 ＜比較例２＞Ａｇ／Ｐｄ比が８５／１５のＡｇとＰｄか
らなる金属粉末を用いた以外は実施例１の外層用ペース
トと同様にしてペーストを調製した。このペーストのみ
を実施例１と同一のセラミック誘電体の両端部に、焼付
け後の厚さが９０μｍになるようにした以外は実施例１
の外層用ペーストと同様に焼付け、端子電極が単一の焼
付け電極層からなる積層セラミックコンデンサを得た。 ＜比較例３＞実施例１と同一のセラミック誘電体の両端
部に実施例１の外層用ペーストのみを焼付け後の厚さが
９０μｍになるようにした以外は実施例１の外層用ペー
ストと同様に焼付け、端子電極が単一の焼付け電極層か
らなる積層セラミックコンデンサを得た。
【００１５】＜測定方法＞上記実施例１及び比較例１〜
３で作製した積層セラミックコンデンサについて、諸特
性を次の方法により測定した。括弧内の数値ｎは試験し
た試料数である。 （ａ） 焼付け後のクラック（ｎ＝２０）焼付け後の試
料をその幅方向を上下方向にして型枠内に置き、溶融し
た合成樹脂を流し込んで室温で硬化させた後、サンドペ
ーパで研磨して光学顕微鏡により観察した。 （ｂ） 静電容量（ｎＦ）及び誘電正接（％）（ｎ＝３
０）１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 （ｃ） 絶縁抵抗（Ω）（ｎ＝１５）２５Ｖの直流電圧
を印加した後、３０秒経過後の抵抗を測定した。 （ｄ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、１６Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間後と１００００時間経過までの劣化の
有無を調べた。 （ｅ） 引張強度（ｎ＝１０）積層セラミックコンデン
サの端子電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３０℃
のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接着し
、この鋼線を引張ることにより引張強度を測定した。上
記（ａ）〜（ｅ）の結果を表１に示す。
３で作製した積層セラミックコンデンサについて、諸特
性を次の方法により測定した。括弧内の数値ｎは試験し
た試料数である。 （ａ） 焼付け後のクラック（ｎ＝２０）焼付け後の試
料をその幅方向を上下方向にして型枠内に置き、溶融し
た合成樹脂を流し込んで室温で硬化させた後、サンドペ
ーパで研磨して光学顕微鏡により観察した。 （ｂ） 静電容量（ｎＦ）及び誘電正接（％）（ｎ＝３
０）１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 （ｃ） 絶縁抵抗（Ω）（ｎ＝１５）２５Ｖの直流電圧
を印加した後、３０秒経過後の抵抗を測定した。 （ｄ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、１６Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間後と１００００時間経過までの劣化の
有無を調べた。 （ｅ） 引張強度（ｎ＝１０）積層セラミックコンデン
サの端子電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３０℃
のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接着し
、この鋼線を引張ることにより引張強度を測定した。上
記（ａ）〜（ｅ）の結果を表１に示す。
【００１６】（ｆ） はんだ付け性及びはんだ耐熱性（
ｎ＝２０） ２２０℃、２３０℃、２５０℃、２７０℃の温度でそれ
ぞれ溶融させたＡｇ入りの共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）中
にピンセットで試料を挟んで浸漬し、端子電極にはんだ
が付き始めるまでの時間と、端子電極が食われて素地が
露出し始めるまでの時間を光学顕微鏡により調べた。上
記（ｆ）の結果を図２〜図４に示す。比較例１の試料全
てにクラックが発生したため、比較例１については上記
（ｂ）〜（ｆ）の試験を省略した。
ｎ＝２０） ２２０℃、２３０℃、２５０℃、２７０℃の温度でそれ
ぞれ溶融させたＡｇ入りの共晶はんだ（Ｈ６０−Ａ）中
にピンセットで試料を挟んで浸漬し、端子電極にはんだ
が付き始めるまでの時間と、端子電極が食われて素地が
露出し始めるまでの時間を光学顕微鏡により調べた。上
記（ｆ）の結果を図２〜図４に示す。比較例１の試料全
てにクラックが発生したため、比較例１については上記
（ｂ）〜（ｆ）の試験を省略した。
【００１７】
【表１】
【００１８】＜測定結果と評価＞実施例１の積層セラミ
ックコンデンサは比較例２及び比較例３のものに比較し
て、図２〜図４の結果よりはんだ付け性及びはんだ耐熱
性に優れ、また表１より電気特性、信頼性及び引張強度
については優とも劣らない値を示すことが判明した。
ックコンデンサは比較例２及び比較例３のものに比較し
て、図２〜図４の結果よりはんだ付け性及びはんだ耐熱
性に優れ、また表１より電気特性、信頼性及び引張強度
については優とも劣らない値を示すことが判明した。
【００１９】＜実施例２＞実施例１と同じセラミック誘
電体の両端部に次の条件で内層と外層の２層の焼付け電
極層からなる端子電極を形成して積層セラミックコンデ
ンサを得た。■ 内層の焼付け電極層内層用ペースト
１００重量％とするときＡｇ／Ｐｄ比が７５／２５のＡ
ｇとＰｄからなる７２重量％の金属粉末に対してガラス
フリットの添加量を１０重量％にした以外は実施例１と
同様にして内層用ペーストを調製し、このペーストを実
施例１と同様に焼付けた。 ■ 外層の焼付け電極層 実施例１と同じ外層用ペーストを実施例１と同様に焼付
けた。 ＜比較例４＞比較例２のＡｇ／Ｐｄ比が８５／１５のＡ
ｇとＰｄからなる金属粉末を用い、この金属成分に対し
てガラスフリットの添加量を１０重量％にした以外は比
較例２と同様にしてペーストを調製した。このペースト
のみを実施例１と同一のセラミック誘電体の両端部に焼
付け後の厚さが９０μｍになるようにした以外は実施例
１の外層用ペーストと同様に焼付け、端子電極が単一の
焼付け電極層からなる積層セラミックコンデンサを得た
。
電体の両端部に次の条件で内層と外層の２層の焼付け電
極層からなる端子電極を形成して積層セラミックコンデ
ンサを得た。■ 内層の焼付け電極層内層用ペースト
１００重量％とするときＡｇ／Ｐｄ比が７５／２５のＡ
ｇとＰｄからなる７２重量％の金属粉末に対してガラス
フリットの添加量を１０重量％にした以外は実施例１と
同様にして内層用ペーストを調製し、このペーストを実
施例１と同様に焼付けた。 ■ 外層の焼付け電極層 実施例１と同じ外層用ペーストを実施例１と同様に焼付
けた。 ＜比較例４＞比較例２のＡｇ／Ｐｄ比が８５／１５のＡ
ｇとＰｄからなる金属粉末を用い、この金属成分に対し
てガラスフリットの添加量を１０重量％にした以外は比
較例２と同様にしてペーストを調製した。このペースト
のみを実施例１と同一のセラミック誘電体の両端部に焼
付け後の厚さが９０μｍになるようにした以外は実施例
１の外層用ペーストと同様に焼付け、端子電極が単一の
焼付け電極層からなる積層セラミックコンデンサを得た
。
【００２０】＜測定方法＞上記実施例２及び比較例４で
作製した積層セラミックコンデンサについて、諸特性を
上述した（ａ）〜（ｆ）の方法により調べた。その結果
を表２、図５及び図６に示す。
作製した積層セラミックコンデンサについて、諸特性を
上述した（ａ）〜（ｆ）の方法により調べた。その結果
を表２、図５及び図６に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】＜測定結果と評価＞実施例２の積層セラミ
ックコンデンサは比較例４のものに比較して、図５及び
図６の結果よりはんだ付け性及びはんだ耐熱性について
優れ、また表２より電気特性、信頼性及び引張強度につ
いても優れた値を示すことが判明した。
ックコンデンサは比較例４のものに比較して、図５及び
図６の結果よりはんだ付け性及びはんだ耐熱性について
優れ、また表２より電気特性、信頼性及び引張強度につ
いても優れた値を示すことが判明した。
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの断面図。
【図２】実施例１のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の特
性図。
性図。
【図３】比較例２のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の特
性図。
性図。
【図４】比較例３のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の特
性図。
性図。
【図５】実施例２のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の特
性図。
性図。
【図６】比較例４のはんだ付け性及びはんだ耐熱性の特
性図。
性図。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ セラミック誘電体
１２ 端子電極
１２ａ 内層
１２ｂ 外層
１３ 内部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 内部電極（１３）を有するベアチップ
を複数個重合して形成されたセラミック誘電体（１１）
と、金属粉末とガラスフリットを含むペーストを前記誘
電体（１１）の両端部に焼付けることにより前記内部電
極（１３）と電気的に接続された端子電極（１２）とを
備えた積層セラミックコンデンサ（１０）において、前
記端子電極（１２）が前記誘電体（１１）に接する内層
（１２ａ）と前記内層の表面に積層された外層（１２ｂ
）との２層の焼付け電極層からなり、前記内層（１２ａ
）は７０〜９５重量％のＡｇと５〜３０重量％のＰｄを
含む内層用ペーストを焼付けて形成され、前記外層（１
２ｂ）は８５〜９９重量％のＡｇと前記内層用ペースト
より少ない１〜１５重量％のＰｄを含む外層用ペースト
を焼付けて形成されたことを特徴とする積層セラミック
コンデンサ。 - 【請求項２】 端子電極（１２）の内層（１２ａ）は
金属成分に対して２〜１５重量％のガラスフリットを含
む内層用ペーストを焼付けて形成され、端子電極（１２
）の外層（１２ｂ）は金属成分に対して前記内層用ペー
ストより少ない１〜５重量％のガラスフリットを含む外
層用ペーストを焼付けて形成された請求項１記載の積層
セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5780691A JPH04273417A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5780691A JPH04273417A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273417A true JPH04273417A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13066167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5780691A Pending JPH04273417A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156498A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-21 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| WO2005104148A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2008270328A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層バリスタとその製造方法 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5780691A patent/JPH04273417A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156498A2 (en) * | 2000-04-25 | 2001-11-21 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| EP1156498A3 (en) * | 2000-04-25 | 2006-06-07 | TDK Corporation | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same |
| WO2005104148A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 電子部品及びその製造方法 |
| KR100812077B1 (ko) * | 2004-04-23 | 2008-03-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품 및 그 제조방법 |
| US7558047B2 (en) | 2004-04-23 | 2009-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for producing the same |
| US7804677B2 (en) | 2004-04-23 | 2010-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for producing the same |
| JP2008270328A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層バリスタとその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10284343A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP4691809B2 (ja) | 厚膜回路基板及びその製造方法 | |
| JP3760770B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2943380B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JP3679529B2 (ja) | 端子電極ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JPH09190950A (ja) | 電子部品の外部電極 | |
| JP2003217969A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPH097878A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
| JP2000182883A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH04273417A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2973558B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JPH097879A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP3257036B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JP2996016B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JP4637440B2 (ja) | セラミック素子の製造方法 | |
| JPH0428110A (ja) | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ | |
| JPH08330173A (ja) | 積層セラミックコンデンサならびにその製造方法 | |
| JPH07201636A (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
| JPH10163067A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JPH04273418A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2003109838A (ja) | セラミック電子部品 | |
| JP2996015B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
| JP2003243249A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3123310B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JPH09115772A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990928 |