JPH0428110A - 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ - Google Patents
積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサInfo
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- JPH0428110A JPH0428110A JP13450290A JP13450290A JPH0428110A JP H0428110 A JPH0428110 A JP H0428110A JP 13450290 A JP13450290 A JP 13450290A JP 13450290 A JP13450290 A JP 13450290A JP H0428110 A JPH0428110 A JP H0428110A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電性ペースト及び積層型コンデンサ、特に
、積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及
びこの導電性ペーストを用いた積層型コンデンサに関す
る。
、積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及
びこの導電性ペーストを用いた積層型コンデンサに関す
る。
電子機器の小型化に伴い、電子機器に使用される電子部
品も小型化している。たとえばセラミックコンデンサで
は、小型で軽量な積層セラミックコンデンサが開発され
ている。この積層セラミックコンデンサは、たとえば、
厚さ数μmの内部電極層と厚さ数十μmのセラミック誘
電体層とが交互に積層されて一体焼成されたコンデンサ
素子と、外部電極とを有している。ここで、外部電極は
導電性ペーストを用いて形成されている。
品も小型化している。たとえばセラミックコンデンサで
は、小型で軽量な積層セラミックコンデンサが開発され
ている。この積層セラミックコンデンサは、たとえば、
厚さ数μmの内部電極層と厚さ数十μmのセラミック誘
電体層とが交互に積層されて一体焼成されたコンデンサ
素子と、外部電極とを有している。ここで、外部電極は
導電性ペーストを用いて形成されている。
外部電極形成用の従来の導電性ペーストは、銀系の導電
性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを主成分とす
るものである。導電性ペーストによる外部電極の形成は
、コンデンサ素子の端面に上述の導電性ペーストを塗布
し、ペースト中の導電性粉末とガラスフリットとを焼成
してコンデンサ素子と一体化することにより行われてい
る。
性粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを主成分とす
るものである。導電性ペーストによる外部電極の形成は
、コンデンサ素子の端面に上述の導電性ペーストを塗布
し、ペースト中の導電性粉末とガラスフリットとを焼成
してコンデンサ素子と一体化することにより行われてい
る。
なお、上述の積層セラミックコンデンサでは、はんだ耐
熱性を向上させ、またプリント基板への実装を可能とす
るために、電気メツキ法により表面にNi膜及び5n−
Pb膜が形成されている。
熱性を向上させ、またプリント基板への実装を可能とす
るために、電気メツキ法により表面にNi膜及び5n−
Pb膜が形成されている。
前記従来の積層セラミックコンデンサでは、導電性ペー
ストの焼成により得られた外部電極に多数のボイドが生
じる。これは、従来は650℃程度の軟化点のガラスフ
リットが使用され、800〜850℃の焼成過程でガラ
スフリットが外部電極の表面及びセラミックコンデンサ
の素体側に移動して、内部で導電性粉末が凝集すること
による。
ストの焼成により得られた外部電極に多数のボイドが生
じる。これは、従来は650℃程度の軟化点のガラスフ
リットが使用され、800〜850℃の焼成過程でガラ
スフリットが外部電極の表面及びセラミックコンデンサ
の素体側に移動して、内部で導電性粉末が凝集すること
による。
このボイド発生のため、積層セラミックコンデンサのメ
ツキ処理に用いるメツキ液が、上述のボイド内に侵入し
、コンデンサ素子とメツキ被膜との間に閉じ込められる
。この結果、前記従来の積層セラミックコンデンサでは
、回路基板に装着するために溶融はんだ浴中に浸漬する
とボイド内に閉じ込められたメツキ液が溶融はんだ浴の
熱により突沸し、コンデンサ素子にクランクを発生させ
る。
ツキ処理に用いるメツキ液が、上述のボイド内に侵入し
、コンデンサ素子とメツキ被膜との間に閉じ込められる
。この結果、前記従来の積層セラミックコンデンサでは
、回路基板に装着するために溶融はんだ浴中に浸漬する
とボイド内に閉じ込められたメツキ液が溶融はんだ浴の
熱により突沸し、コンデンサ素子にクランクを発生させ
る。
第1の発明の目的は、焼成後にボイドが生じにくい積層
型コンデンサの端子電極形成用導電性ペーストを提供す
ることにある。
型コンデンサの端子電極形成用導電性ペーストを提供す
ることにある。
第2の発明の目的は、クラックが生じにくい積層型コン
デンサを提供することにある。
デンサを提供することにある。
第1の発明の積層型コンデンサの端子電極形成用導電性
ペーストは、銀系の導電性粉末とガラスフリットと有機
ビヒクルとを含むものである。この導電性ペーストは、
ガラスフリットが軟化点600℃未満の低融点ガラスフ
リットと軟化点6゜0℃以上の高軟化点ガラスフリット
とを含み、がつ両ガラスフリットの軟化点温度差が50
℃以上であることを特徴としている。
ペーストは、銀系の導電性粉末とガラスフリットと有機
ビヒクルとを含むものである。この導電性ペーストは、
ガラスフリットが軟化点600℃未満の低融点ガラスフ
リットと軟化点6゜0℃以上の高軟化点ガラスフリット
とを含み、がつ両ガラスフリットの軟化点温度差が50
℃以上であることを特徴としている。
本発明に用いられる導電性粉末は、導電性ペーストの焼
成後に電極を形成するための成分である。
成後に電極を形成するための成分である。
導電性粉末は、銀、銀を主成分とする合金の粉末、また
は銀の粉末に他の種類の導電性金属の粉末を混合したも
のが用いられる。このような導電性粉末としては、銀−
パラジウム系合金にPb、Ni、Cu等の金属粉末を若
干混合したものを例示することができる。導電性粉末の
平均粒径は、1〜2μm程度が望ましい。平均粒径が2
μmを超える場合には、導電性粉末の焼結速度が遅くな
りやすい。なお、導電性粉末は、導電性ペースト中に通
常65〜72重量%程度混合される。
は銀の粉末に他の種類の導電性金属の粉末を混合したも
のが用いられる。このような導電性粉末としては、銀−
パラジウム系合金にPb、Ni、Cu等の金属粉末を若
干混合したものを例示することができる。導電性粉末の
平均粒径は、1〜2μm程度が望ましい。平均粒径が2
μmを超える場合には、導電性粉末の焼結速度が遅くな
りやすい。なお、導電性粉末は、導電性ペースト中に通
常65〜72重量%程度混合される。
本発明に用いられるガラスフリットは、導電性ペースト
の焼成時に導電性粉末を積層型コンデンサの本体に接着
するための無機バインダー成分である。本発明では、ガ
ラスフリットとして、低軟化点ガラスフリットと高軟化
点ガラスフリットとの混合物が用いられる0本発明で低
軟化点ガラスフリットとは、軟化点が600℃未満のガ
ラスフリントをいう。低軟化点ガラスフリットとしては
、たとえばZn047モル%、820334モル%、S
i 02 14モル%、Naz 02モル%、及びL
i2O3モル%の混合物からなる硼珪酸系のガラス粉末
を例示することができる。尚、このガラスフリットの軟
化点は570℃である。このガラス粉末の平均粒径は、
2〜lOμm程度が好ましい。
の焼成時に導電性粉末を積層型コンデンサの本体に接着
するための無機バインダー成分である。本発明では、ガ
ラスフリットとして、低軟化点ガラスフリットと高軟化
点ガラスフリットとの混合物が用いられる0本発明で低
軟化点ガラスフリットとは、軟化点が600℃未満のガ
ラスフリントをいう。低軟化点ガラスフリットとしては
、たとえばZn047モル%、820334モル%、S
i 02 14モル%、Naz 02モル%、及びL
i2O3モル%の混合物からなる硼珪酸系のガラス粉末
を例示することができる。尚、このガラスフリットの軟
化点は570℃である。このガラス粉末の平均粒径は、
2〜lOμm程度が好ましい。
平均粒径が10μmよりも大きい場合は、焼成時に焼成
ブクレが発生し、コンデンサ本体との接着性が低下する
ことがある。逆に、2μmよりも小さい場合は、ペース
トのレオロジーが浸漬法への適性を欠くこととなる。ま
た、本発明で高軟化点ガラスフリットとは、軟化点が6
00℃以上のガラスフッリドをいう。高軟化点ガラスフ
リットとしては、たとえばZn015モル%、BzOコ
28モル%、5iOz42モル%、Ba06モル%、N
az06.5モル%、及びAIt Os 2.5モル%
の混合物からなる硼珪酸系のガラス粉末を例示すること
ができる。尚、このガラスフリットの軟化点は630℃
である。このガラス粉末の平均粒径は、2〜10μm程
度が好ましい。
ブクレが発生し、コンデンサ本体との接着性が低下する
ことがある。逆に、2μmよりも小さい場合は、ペース
トのレオロジーが浸漬法への適性を欠くこととなる。ま
た、本発明で高軟化点ガラスフリットとは、軟化点が6
00℃以上のガラスフッリドをいう。高軟化点ガラスフ
リットとしては、たとえばZn015モル%、BzOコ
28モル%、5iOz42モル%、Ba06モル%、N
az06.5モル%、及びAIt Os 2.5モル%
の混合物からなる硼珪酸系のガラス粉末を例示すること
ができる。尚、このガラスフリットの軟化点は630℃
である。このガラス粉末の平均粒径は、2〜10μm程
度が好ましい。
なお、本発明において低軟化点ガラスフリットと高軟化
点ガラスフリットとの区別を600℃に設定したのは、
銀系の導電性粉末の凝集が600℃前後で起こるためで
ある。
点ガラスフリットとの区別を600℃に設定したのは、
銀系の導電性粉末の凝集が600℃前後で起こるためで
ある。
本発明では、低軟化点のガラスフリットと高軟化点のガ
ラスフリットとは、50℃以上の軟化点温度差となる・
ように選択されて用いられる。両ガラスフリットの軟化
点温度差が50℃未満の場合は、電極に発生する多数の
ボイドを充分に抑えることができず、またコンデンサ本
体と外部電極との接合強度が充分に得られない。
ラスフリットとは、50℃以上の軟化点温度差となる・
ように選択されて用いられる。両ガラスフリットの軟化
点温度差が50℃未満の場合は、電極に発生する多数の
ボイドを充分に抑えることができず、またコンデンサ本
体と外部電極との接合強度が充分に得られない。
本発明では、低軟化点ガラスフリットは、導電性粉末1
00重量部に対して2.0〜4.0重量部添加される。
00重量部に対して2.0〜4.0重量部添加される。
添加量が2.0重量部未満の場合は、本発明の導電性ペ
ーストの焼成により得られた電極と積層型コンデンサ本
体との接合強度が弱くなる。逆に、添加量が7.0重量
部を超えると、電極膜表面がガラス組織で支配され、メ
ツキ皮膜が形成し難くなる。また、本発明では、高軟化
点ガラスフリットは、導電性粉末100重量部に対して
1. 0〜7.0重量部添加される。添加量が1.0重
量部未満の場合は、電極にボイドが生じやすくなる。逆
に、7.0重量部を超える場合は、低軟化点ガラスフリ
ントの場合と同じくメツキ皮膜が形成し難くなる。
ーストの焼成により得られた電極と積層型コンデンサ本
体との接合強度が弱くなる。逆に、添加量が7.0重量
部を超えると、電極膜表面がガラス組織で支配され、メ
ツキ皮膜が形成し難くなる。また、本発明では、高軟化
点ガラスフリットは、導電性粉末100重量部に対して
1. 0〜7.0重量部添加される。添加量が1.0重
量部未満の場合は、電極にボイドが生じやすくなる。逆
に、7.0重量部を超える場合は、低軟化点ガラスフリ
ントの場合と同じくメツキ皮膜が形成し難くなる。
本発明に用いられる有機ビヒクルは、有機樹脂と有機溶
剤とを含んでいる。有機樹脂は、導電性ペーストに塗布
可能な粘弾性を付与するための成分であり、たとえばエ
チルセルロースやロジン樹脂等が用いられる。有機樹脂
の導電性ペースト中の混合量は、導電性ペーストの塗布
条件等により適宜設定されるが、通常2.5〜8重置%
程度に設定される。一方、有機溶剤は、上述の有機樹脂
成分を溶解し、導電性ペーストに所望の粘性を付与する
ための成分である。有機溶剤としては、たとえばα−テ
ルピネオール、2,2.4−)ジメチル−1,3−ベン
タンジオールモノイソブチレート、ブチルカルピトール
アセテート(BCA)等が用いられる。有機溶剤の導電
性ペースト中の混合量は、導電性ペーストの塗布条件等
により適宜設定されるが、通常12〜22重量%程度に
設定される。
剤とを含んでいる。有機樹脂は、導電性ペーストに塗布
可能な粘弾性を付与するための成分であり、たとえばエ
チルセルロースやロジン樹脂等が用いられる。有機樹脂
の導電性ペースト中の混合量は、導電性ペーストの塗布
条件等により適宜設定されるが、通常2.5〜8重置%
程度に設定される。一方、有機溶剤は、上述の有機樹脂
成分を溶解し、導電性ペーストに所望の粘性を付与する
ための成分である。有機溶剤としては、たとえばα−テ
ルピネオール、2,2.4−)ジメチル−1,3−ベン
タンジオールモノイソブチレート、ブチルカルピトール
アセテート(BCA)等が用いられる。有機溶剤の導電
性ペースト中の混合量は、導電性ペーストの塗布条件等
により適宜設定されるが、通常12〜22重量%程度に
設定される。
本発明の導電性ペーストには、有機白金、有機ロジウム
、有機金、有機銀等の有機貴金属のコロイドを若干添加
してもよい。この場合、導電性ペーストの焼結を促進さ
せることができる。
、有機金、有機銀等の有機貴金属のコロイドを若干添加
してもよい。この場合、導電性ペーストの焼結を促進さ
せることができる。
本発明の積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペー
ストは、積層型コンデンサの外部電極を形成するために
用いられる。積層型コンデンサの外部電極は、本発明の
導電性ペーストを塗布し、乾燥し、そして焼成すること
により形成される。
ストは、積層型コンデンサの外部電極を形成するために
用いられる。積層型コンデンサの外部電極は、本発明の
導電性ペーストを塗布し、乾燥し、そして焼成すること
により形成される。
導電性ペーストの乾燥工程では、まず有機溶剤成分が揮
散してペーストが乾燥する。そして、焼成工程において
焼成温度を上げていくと、300℃付近で樹脂成分が分
解揮散し、その後導電性粉末畔 の焼痕反応と低軟化点ガラスフリットの軟化変形とが起
こる。低軟化点ガラスフリットの焼成反応では、低軟化
点ガラスフリットがペーストの表面側とコンデンサ本体
側とに移動に集中し、焼成温度の上昇にしたがってコン
デンサ本体との接合面にガラスリッチな層が形成される
。これにより、外部電極とコンデンサ本体とが強固に接
合される。
散してペーストが乾燥する。そして、焼成工程において
焼成温度を上げていくと、300℃付近で樹脂成分が分
解揮散し、その後導電性粉末畔 の焼痕反応と低軟化点ガラスフリットの軟化変形とが起
こる。低軟化点ガラスフリットの焼成反応では、低軟化
点ガラスフリットがペーストの表面側とコンデンサ本体
側とに移動に集中し、焼成温度の上昇にしたがってコン
デンサ本体との接合面にガラスリッチな層が形成される
。これにより、外部電極とコンデンサ本体とが強固に接
合される。
なお、導電性粉末の焼結反応により銀の粒子が凝集して
電極にボイドが生じるが、このボイドは、さらに焼成温
度を高くして高軟化点ガラスフリットを軟化させると、
軟化した高軟化点ガラスフッリドにより充填される。こ
の結果、本発明の導電性ペーストによる電極では、ボイ
ドが生じにくくなる。
電極にボイドが生じるが、このボイドは、さらに焼成温
度を高くして高軟化点ガラスフリットを軟化させると、
軟化した高軟化点ガラスフッリドにより充填される。こ
の結果、本発明の導電性ペーストによる電極では、ボイ
ドが生じにくくなる。
*******
第2の発明に係る積層型コンデンサは、内部電極層と誘
電体層とが交互に積層されかつ一体焼成された本体と、
本体に設けられかつ内部電極層に接続された外部電極と
を備えている。そして、本発明の積層型コンデンサは、
外部電極が銀系の導電性材料と弊化点600″C未満の
低軟化点ガラスフリットと、軟化点600″C以上の高
軟化点ガラスフッリドとからなり、且つ両ガラスフリッ
トの軟化点温度差が50℃以上であることを特徴として
いる。
電体層とが交互に積層されかつ一体焼成された本体と、
本体に設けられかつ内部電極層に接続された外部電極と
を備えている。そして、本発明の積層型コンデンサは、
外部電極が銀系の導電性材料と弊化点600″C未満の
低軟化点ガラスフリットと、軟化点600″C以上の高
軟化点ガラスフッリドとからなり、且つ両ガラスフリッ
トの軟化点温度差が50℃以上であることを特徴として
いる。
第1図及び第2図に本発明に係る積層セラミックコンデ
ンサの一例を示す。第1図は積層セラミックコンデンサ
の斜視図であり、第2図は第1図の■−■断面図である
。
ンサの一例を示す。第1図は積層セラミックコンデンサ
の斜視図であり、第2図は第1図の■−■断面図である
。
図において、積層セラミックコンデンサ1は、直方体状
の本体部2と、本体部2の両端に対向するように配置さ
れた1対の外部電極3a、3bとを備えている。
の本体部2と、本体部2の両端に対向するように配置さ
れた1対の外部電極3a、3bとを備えている。
本体部2は、たとえばチタン酸バリウムのような磁器材
料のグリーンシートが多数枚積層されたものを焼成して
一体化することにより構成されている。本体部2の内部
には、内部電極4a、4bが交互に多数配置されている
。内部電極4aは、本体部2の同右側端面に配置された
外部電極3aに接続されており、左側端面に配置された
外部電極3bとは絶縁されている。一方、内部電極4b
は外部型11i3bに接続されており、外部電極3aと
は絶縁されている。また、内部電極4a、4bは、それ
ぞれ平行に配置されている。
料のグリーンシートが多数枚積層されたものを焼成して
一体化することにより構成されている。本体部2の内部
には、内部電極4a、4bが交互に多数配置されている
。内部電極4aは、本体部2の同右側端面に配置された
外部電極3aに接続されており、左側端面に配置された
外部電極3bとは絶縁されている。一方、内部電極4b
は外部型11i3bに接続されており、外部電極3aと
は絶縁されている。また、内部電極4a、4bは、それ
ぞれ平行に配置されている。
本発明では、外部電極3a、3bは、第1の発明に係る
積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペーストを用
いて構成されている。したがって、外部電極3a、3b
は、銀系の導電性材料とガラスフリットとから構成され
ている。また、ガラスフリットは、軟化点600℃以下
の低軟化点ガラスフッリドと、軟化点600℃以上の高
軟化点ガラスフリットとを含んでいる。
積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペーストを用
いて構成されている。したがって、外部電極3a、3b
は、銀系の導電性材料とガラスフリットとから構成され
ている。また、ガラスフリットは、軟化点600℃以下
の低軟化点ガラスフッリドと、軟化点600℃以上の高
軟化点ガラスフリットとを含んでいる。
この積層セラミックコンデンサlでは、焼成された磁器
材料を介して対向する内部電極4a、4b間に電荷が蓄
積される。そして、外部N8i3a。
材料を介して対向する内部電極4a、4b間に電荷が蓄
積される。そして、外部N8i3a。
3bは、それぞれ本体部2内に構成されたコンデンサの
入出力用端子となる。
入出力用端子となる。
次に、上述の積層セラミックコンデンサ1の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、チタン酸バリウム等の誘を磁器材料と有機バイン
ダーと溶媒との混合物をミルで混練し、スラリーを作成
する。そして、このスラリーを用いて厚さ20〜25μ
m程度のグリーンシートを作成する。グリーンシートの
作成は、スラリーの状態や作成するグリーンシートの厚
みに応じて、たとえばブレードコーターやロールコータ
−等を用いて行われる。
ダーと溶媒との混合物をミルで混練し、スラリーを作成
する。そして、このスラリーを用いて厚さ20〜25μ
m程度のグリーンシートを作成する。グリーンシートの
作成は、スラリーの状態や作成するグリーンシートの厚
みに応じて、たとえばブレードコーターやロールコータ
−等を用いて行われる。
次に、得られたグリーンシート上に内部電極4a、4b
を形成するための導電性ペーストを塗布する。導電性ペ
ーストの塗布は、膜厚が数μm程度となるように、所定
の内部電極パターンにしたがって行われる。なお、導電
性ペーストは、Ag/Pd混合粉と有機樹脂と有機溶剤
とから構成されている。
を形成するための導電性ペーストを塗布する。導電性ペ
ーストの塗布は、膜厚が数μm程度となるように、所定
の内部電極パターンにしたがって行われる。なお、導電
性ペーストは、Ag/Pd混合粉と有機樹脂と有機溶剤
とから構成されている。
次に、内部電極用の印刷が施されたグリーンシートの積
層を行う。そして、グリーンシートの積層体を例えば1
200℃程度で焼成し、本体部2を作成する。なお、焼
成時の温度は、誘tfff器材料及び導電性ペースト双
方の収縮状態が一敗するような温度に設定するのが好ま
しい。焼成により得られた本体部2の両端部には、それ
ぞれ内部電極4aまたは4bの端部が露出している。
層を行う。そして、グリーンシートの積層体を例えば1
200℃程度で焼成し、本体部2を作成する。なお、焼
成時の温度は、誘tfff器材料及び導電性ペースト双
方の収縮状態が一敗するような温度に設定するのが好ま
しい。焼成により得られた本体部2の両端部には、それ
ぞれ内部電極4aまたは4bの端部が露出している。
次に、得られた本体部2の両端面、すなわち内部電極4
aまたは4bが露出する面に外部電極3a、3bを形成
する。外部電極3a、3bの形成では、まず当該両端面
に第1の発明に係る導電性ペーストを120〜170μ
m程度の厚みに塗布する。導電性ペーストの塗布は、た
とえば浸漬法。
aまたは4bが露出する面に外部電極3a、3bを形成
する。外部電極3a、3bの形成では、まず当該両端面
に第1の発明に係る導電性ペーストを120〜170μ
m程度の厚みに塗布する。導電性ペーストの塗布は、た
とえば浸漬法。
転写法等により行われる。導電性ペーストの塗布後、導
電性ペーストを乾燥させる。ここでは、導電性ペースト
中の溶剤が揮発する。
電性ペーストを乾燥させる。ここでは、導電性ペースト
中の溶剤が揮発する。
次に、乾燥した導電性ペーストの焼成を行う。
焼成温度は通常700〜750℃程度に設定される。焼
成工程では、まず300℃付近でペースト中の樹脂成分
が揮散し、さらに焼成を続けると導電性粉末の焼結反応
と低軟化点ガラスフリットの軟化変形とが起こる。低軟
化点ガラスフリットの焼成反応では、導電性ペーストの
表面側と本体部2側とに低軟化点ガラスフリットが集中
し、焼成温度の上昇にしたがって本体部2との接合面に
ガラスリッチな表面層が形成される。これにより、本体
部2と外部電極3a、3bとが強固に接合される。なお
、銀の焼結反応により銀の粒子が凝集して外部電極3a
、3bにボイドが形成されるが、このボイドは、焼成温
度が600℃を趨えて高軟他点のガラスフリットが軟化
しはじめると、軟化した高軟化点のガラスフリットによ
り充填される。
成工程では、まず300℃付近でペースト中の樹脂成分
が揮散し、さらに焼成を続けると導電性粉末の焼結反応
と低軟化点ガラスフリットの軟化変形とが起こる。低軟
化点ガラスフリットの焼成反応では、導電性ペーストの
表面側と本体部2側とに低軟化点ガラスフリットが集中
し、焼成温度の上昇にしたがって本体部2との接合面に
ガラスリッチな表面層が形成される。これにより、本体
部2と外部電極3a、3bとが強固に接合される。なお
、銀の焼結反応により銀の粒子が凝集して外部電極3a
、3bにボイドが形成されるが、このボイドは、焼成温
度が600℃を趨えて高軟他点のガラスフリットが軟化
しはじめると、軟化した高軟化点のガラスフリットによ
り充填される。
得られた積層セラミックコンデンサ1の外部電極3a、
3bには、Niメツキが施される。そして、さらにその
上に5n−Pbのはんだメツキが施される。これにより
、良好なはんだ濡れ性とはんだ耐熱性とを備えた積層セ
ラミックコンデンサが得られる。なお、セラミックコン
デンサlのメツキ処理はセラミックコンデンサlをメツ
キ液中に浸漬することにより行われるが、上述のように
焼成段階で生じた外部電極3a、3bのボイドが高軟化
点のガラスフリットにより充填されているため、外部電
極3a、3b内にメツキ液の浸透は起こらない。したが
って、本発明の積層セラミックコンデンサ1は、はんだ
付けの際に本体部2にクランクが生じにくい。
3bには、Niメツキが施される。そして、さらにその
上に5n−Pbのはんだメツキが施される。これにより
、良好なはんだ濡れ性とはんだ耐熱性とを備えた積層セ
ラミックコンデンサが得られる。なお、セラミックコン
デンサlのメツキ処理はセラミックコンデンサlをメツ
キ液中に浸漬することにより行われるが、上述のように
焼成段階で生じた外部電極3a、3bのボイドが高軟化
点のガラスフリットにより充填されているため、外部電
極3a、3b内にメツキ液の浸透は起こらない。したが
って、本発明の積層セラミックコンデンサ1は、はんだ
付けの際に本体部2にクランクが生じにくい。
C発明の効果〕
第1の発明に係る導電性ペーストでは、ガラスフリット
に低軟化点ガラスフリットと高軟化点ガラスフリットと
を用いている。このため、本発明によれば、焼成後にボ
イドが生じにくく、安定した特性をもち、また信顧性の
高い積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト
を実現できる第2の発明に係る積層型コンデンサは、上
述のような外部電極を備えている。このため、本発明に
よれば、本体にクランクが生じにくく、安定した特性を
もち、また信顧性の高い積層型コンデンサを実現できる
。
に低軟化点ガラスフリットと高軟化点ガラスフリットと
を用いている。このため、本発明によれば、焼成後にボ
イドが生じにくく、安定した特性をもち、また信顧性の
高い積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト
を実現できる第2の発明に係る積層型コンデンサは、上
述のような外部電極を備えている。このため、本発明に
よれば、本体にクランクが生じにくく、安定した特性を
もち、また信顧性の高い積層型コンデンサを実現できる
。
第2表の割合でAg粉末とガラスフリット粉末とをあら
かじめ混合した混合粉100重量部に有機ビヒクル26
〜35重量部を混合し、3本ロールにて混線分散させて
導電性ペーストを作成した。
かじめ混合した混合粉100重量部に有機ビヒクル26
〜35重量部を混合し、3本ロールにて混線分散させて
導電性ペーストを作成した。
なお、ガラスフリット粉末には、第1表に示すガラスフ
リットAとガラスフリットBとの混合粉末を用いた。ま
た、有機ビヒクルには、エチルセルロースとロジンとを
α−テルピネオールに溶解したものを用いた。
リットAとガラスフリットBとの混合粉末を用いた。ま
た、有機ビヒクルには、エチルセルロースとロジンとを
α−テルピネオールに溶解したものを用いた。
次に、厚さ0,85au++の2125型磁器コンデン
サ素体(京セラ■製)を準備し、浸漬法により導電性ペ
ーストを塗布した。そして、この導電性ペーストを昇温
乾燥し、さらに750℃で8分間焼成することにより、
外部電極が形成された積層セラミックコンデンサを製造
した。得られた積層セラミックコンデンサについて、試
験を行った。
サ素体(京セラ■製)を準備し、浸漬法により導電性ペ
ーストを塗布した。そして、この導電性ペーストを昇温
乾燥し、さらに750℃で8分間焼成することにより、
外部電極が形成された積層セラミックコンデンサを製造
した。得られた積層セラミックコンデンサについて、試
験を行った。
試験項目及び試験方法は次の通りである。
■外部電極上の析出ガラスの有無
実体及び光学顕微鏡を用いて観察した。
■引張り強度
両外部電極にスズ引き銅線(0,6φ)をはんだ付G嵜
引張り試験機により測定した。
引張り試験機により測定した。
■熱衝撃性
305 ”Cのはんだ浴中に300個の積層セラミック
コンデンサを浸漬し、本体にクラックが生じたコンデン
サの個数を調べた。
コンデンサを浸漬し、本体にクラックが生じたコンデン
サの個数を調べた。
試験結果牽第2表に示す。
第1表
第2表
第2表において、低軟化点のガラスフリン)Bの添加量
が少ない試料1.2については、外部電極の表面にガラ
スリッチな層ができにくく、メツキ液の含浸が起こるた
め、熱衝撃性が良くなかった。また、低軟化点のガラス
フリンl−Bの添加蓋が多い試料5,7では、外部電極
にガラスが多量に析出するため、メツキ処理が困難とな
った。高軟化点のガラスフリン)Aが添加されていない
試料6.7では、メツキ液の含浸が起こるため熱衝撃性
が悪く、また外部電極とコンデンサ素体との接合強度が
不十分であった。また、高軟化点ガラスフリットAの添
加量が多い試料12では、外部電極に析出するガラスの
量が多くなり、メツキ処理が困難になった。
が少ない試料1.2については、外部電極の表面にガラ
スリッチな層ができにくく、メツキ液の含浸が起こるた
め、熱衝撃性が良くなかった。また、低軟化点のガラス
フリンl−Bの添加蓋が多い試料5,7では、外部電極
にガラスが多量に析出するため、メツキ処理が困難とな
った。高軟化点のガラスフリン)Aが添加されていない
試料6.7では、メツキ液の含浸が起こるため熱衝撃性
が悪く、また外部電極とコンデンサ素体との接合強度が
不十分であった。また、高軟化点ガラスフリットAの添
加量が多い試料12では、外部電極に析出するガラスの
量が多くなり、メツキ処理が困難になった。
第1図は第2の発明の一例に係る積層セラミックコンデ
ンサの斜視図、第2図は第1図の■−■断面図である。 1・・・積層セラミックコンデンサ、2・・・本体部、
3a、3b・・・外部電極、4a、4b・・・内部電極
。
ンサの斜視図、第2図は第1図の■−■断面図である。 1・・・積層セラミックコンデンサ、2・・・本体部、
3a、3b・・・外部電極、4a、4b・・・内部電極
。
Claims (2)
- (1)銀系の導電性粉末とガラスフリットと有機ビヒク
ルとを含む積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペ
ーストであって、 前記ガラスフリットは、軟化点600℃未満の低軟化点
ガラスフリットと軟化点600℃以上の高軟化点ガラス
フリットとを含み、且つ両ガラスフリットの軟化点温度
差が50℃以上であることを特徴とする積層型コンデン
サの端子電極形成用導電性ペースト。 - (2)内部電極層と誘電体層とが交互に積層されかつ一
体焼成された本体と、前記本体に設けられかつ前記内部
電極層に接続された外部電極とを備えたコンデンサにお
いて、 前記外部電極が銀系の導電性材料と軟化点600℃未満
の低軟化点ガラスフリットと軟化点600℃以上の高軟
化点ガラスフリットとからなり、かつ前記両ガラスフリ
ットの軟化点温度差が50℃以上であることを特徴とす
る積層型コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13450290A JPH0428110A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13450290A JPH0428110A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0428110A true JPH0428110A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15129827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13450290A Pending JPH0428110A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 積層型コンデンサの端子電極形成用導電性ペースト及び積層型コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0428110A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0720187A1 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for MLC termination |
US5670089A (en) * | 1995-12-07 | 1997-09-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for MLC termination |
JP2003068560A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP2011210393A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Toray Ind Inc | ペースト、導電性配線の製造方法およびディスプレイパネルの製造方法 |
WO2012111478A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
JP2012175064A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Koa Corp | チップ抵抗器およびその製造方法 |
JP2015122177A (ja) * | 2013-12-21 | 2015-07-02 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物およびその製造方法 |
EP2472526B1 (en) * | 2010-12-31 | 2018-07-18 | LG Innotek Co., Ltd. | Paste composition for electrode of solar cell and solar cell including the same |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP13450290A patent/JPH0428110A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0720187A1 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for MLC termination |
US5670089A (en) * | 1995-12-07 | 1997-09-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for MLC termination |
JP2003068560A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
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WO2012111478A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
JP2012175064A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Koa Corp | チップ抵抗器およびその製造方法 |
JP2015122177A (ja) * | 2013-12-21 | 2015-07-02 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池用導電性ペースト組成物およびその製造方法 |
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