JP2973558B2 - チップ型電子部品用導電性ペースト - Google Patents
チップ型電子部品用導電性ペーストInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップコンデンサ、チッ
プ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子
電極を形成するための導電性ペーストに関する。更に詳
しくは導電性ペーストの添加剤に関するものである。
プ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子
電極を形成するための導電性ペーストに関する。更に詳
しくは導電性ペーストの添加剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のチップ型電子部品を構成するセ
ラミック誘電体からなるベアチップの表面には端子電極
が形成される。この端子電極は金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルとを混練してつくられた導電性
ペーストをベアチップの表面に塗布し乾燥した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成して形成される。このチ
ップ型電子部品は端子電極を基板にはんだ付けして使用
される。
ラミック誘電体からなるベアチップの表面には端子電極
が形成される。この端子電極は金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルとを混練してつくられた導電性
ペーストをベアチップの表面に塗布し乾燥した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成して形成される。このチ
ップ型電子部品は端子電極を基板にはんだ付けして使用
される。
【０００３】従来、導電性ペーストの金属粉末には、Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金
属、又はこれらを混合した粉末が使用される。Ａｇ粉を
含む導電性ペーストで形成された端子電極ははんだ付け
時にＡｇがはんだに溶解するいわゆるはんだ食われが起
こるため、Ａｇ粉にＰｄ粉を加えたＡｇ／Ｐｄ混合粉が
多用されている。しかしＰｄを多く含むとはんだ付け性
が劣り、焼付け時にベアチップにクラックが生じ易いた
め、Ａｇ−Ｐｄ端子電極のＰｄの含有率は１〜１５％と
比較的低く押えられている。このため従来のＡｇ−Ｐｄ
端子電極のはんだ耐熱性はそれほど高くなく、チップ型
電子部品をはんだ付けできる温度範囲は狭い。また端子
電極の膜厚は薄いため、はんだ食われを生じると信頼性
に劣るようになる。この点を解決するため、従来より焼
付け電極層の表面にＮｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っきの２層のめっき電極層が形成されている。Ｎｉめっ
きは、はんだ耐熱性の向上と、はんだによる電極食われ
の防止とを主たる目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
は、酸化防止とはんだ濡れ性の向上を目的としている。
ｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金
属、又はこれらを混合した粉末が使用される。Ａｇ粉を
含む導電性ペーストで形成された端子電極ははんだ付け
時にＡｇがはんだに溶解するいわゆるはんだ食われが起
こるため、Ａｇ粉にＰｄ粉を加えたＡｇ／Ｐｄ混合粉が
多用されている。しかしＰｄを多く含むとはんだ付け性
が劣り、焼付け時にベアチップにクラックが生じ易いた
め、Ａｇ−Ｐｄ端子電極のＰｄの含有率は１〜１５％と
比較的低く押えられている。このため従来のＡｇ−Ｐｄ
端子電極のはんだ耐熱性はそれほど高くなく、チップ型
電子部品をはんだ付けできる温度範囲は狭い。また端子
電極の膜厚は薄いため、はんだ食われを生じると信頼性
に劣るようになる。この点を解決するため、従来より焼
付け電極層の表面にＮｉめっき、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っきの２層のめっき電極層が形成されている。Ｎｉめっ
きは、はんだ耐熱性の向上と、はんだによる電極食われ
の防止とを主たる目的とし、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
は、酸化防止とはんだ濡れ性の向上を目的としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、焼付け電極層
の表面にＮｉめっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層を
形成した従来のチップ型電子部品、例えばチップコンデ
ンサは、ベアチップを予熱せずに３００℃以上のはんだ
層に浸漬して引上げると、Ｎｉめっき層の降温時の引張
り応力が高くしかも焼付け電極層が高硬度になっていて
この応力を吸収できないため、端子電極の内側のベアチ
ップにクラックが発生し易い。クラックが発生すると耐
湿性が低下してクラックから水分が浸入しコンデンサと
しての絶縁抵抗が劣化する。またこのチップコンデンサ
を基板の表面にはんだ付けにより実装し、例えば−２５
℃から室温を経由して＋８５℃まで昇温し、反対に降温
させる温度サイクル試験を行った場合には、高い熱応力
から上記クラックが成長して端子電極の部分が折損する
か、或いはコンデンサの絶縁抵抗が劣化するようにな
る。
の表面にＮｉめっき層とＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層を
形成した従来のチップ型電子部品、例えばチップコンデ
ンサは、ベアチップを予熱せずに３００℃以上のはんだ
層に浸漬して引上げると、Ｎｉめっき層の降温時の引張
り応力が高くしかも焼付け電極層が高硬度になっていて
この応力を吸収できないため、端子電極の内側のベアチ
ップにクラックが発生し易い。クラックが発生すると耐
湿性が低下してクラックから水分が浸入しコンデンサと
しての絶縁抵抗が劣化する。またこのチップコンデンサ
を基板の表面にはんだ付けにより実装し、例えば−２５
℃から室温を経由して＋８５℃まで昇温し、反対に降温
させる温度サイクル試験を行った場合には、高い熱応力
から上記クラックが成長して端子電極の部分が折損する
か、或いはコンデンサの絶縁抵抗が劣化するようにな
る。
【０００５】本発明の目的は、下地電極である焼付け電
極層の収縮しようとするストレスや硬度を和らげること
によりこの電極層表面に電解めっき処理を行ったときの
ベアチップに対するサーマルショックを緩和して、ベア
チップのクラックの発生率を減少させ、電気特性及び基
板への接着特性を劣化させないチップ型電子部品用導電
性ペーストを提供することにある。
極層の収縮しようとするストレスや硬度を和らげること
によりこの電極層表面に電解めっき処理を行ったときの
ベアチップに対するサーマルショックを緩和して、ベア
チップのクラックの発生率を減少させ、電気特性及び基
板への接着特性を劣化させないチップ型電子部品用導電
性ペーストを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の導
電性ペーストが金属粉末の焼結を円滑に促進することに
重点がおかれた結果、緻密で硬度の高い焼付け電極層が
形成され、サーマルショックを受けたときに熱応力が十
分に緩和されないことを見出し、本発明に到達した。本
発明は金属粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒクル
と添加剤を含み、セラミック誘電体からなるベアチップ
の表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成するチップ
型電子部品用導電性ペーストである。その特徴ある構成
は添加剤がＣａＯ又はＺｎＯ又はこれらの混合物の焼結
制御用フィラーを含み、このフィラーを金属粉末に対し
て０．３〜５重量％添加したことにある。
電性ペーストが金属粉末の焼結を円滑に促進することに
重点がおかれた結果、緻密で硬度の高い焼付け電極層が
形成され、サーマルショックを受けたときに熱応力が十
分に緩和されないことを見出し、本発明に到達した。本
発明は金属粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒクル
と添加剤を含み、セラミック誘電体からなるベアチップ
の表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成するチップ
型電子部品用導電性ペーストである。その特徴ある構成
は添加剤がＣａＯ又はＺｎＯ又はこれらの混合物の焼結
制御用フィラーを含み、このフィラーを金属粉末に対し
て０．３〜５重量％添加したことにある。
【０００７】以下、本発明を詳述する。本発明の金属粉
末には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎ
ｉ等の卑金属、又はこれらを混合した粉末が使用され
る。金属粉末は焼結して端子電極に導電性を与える。ガ
ラスフリットには、ホウケイ酸亜鉛、アルカリ金属及び
アルカリ土類金属を含有するホウケイ酸亜鉛、ホウケイ
酸鉛、ホウケイ酸ビスマス等のホウケイ酸系ガラス、ホ
ウ酸亜鉛系ガラス、ホウ酸カドミウム系ガラス等が用い
られる。ガラスフリットは金属粉末の焼結を促進し、ベ
アチップとの界面を接合させるために用いられる。また
不活性有機ビヒクルには、メチルセルロース、エチルセ
ルロース等をブチルカルビトール、テルピネオール等の
有機溶剤に溶解したものが用いられる。上記セルロース
類は上記有機溶剤に５〜３０重量％の割合で混合され
る。有機ビヒクルはペーストの粘度を調整し、ベアチッ
プ表面への塗布を容易にするために用いられる。
末には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎ
ｉ等の卑金属、又はこれらを混合した粉末が使用され
る。金属粉末は焼結して端子電極に導電性を与える。ガ
ラスフリットには、ホウケイ酸亜鉛、アルカリ金属及び
アルカリ土類金属を含有するホウケイ酸亜鉛、ホウケイ
酸鉛、ホウケイ酸ビスマス等のホウケイ酸系ガラス、ホ
ウ酸亜鉛系ガラス、ホウ酸カドミウム系ガラス等が用い
られる。ガラスフリットは金属粉末の焼結を促進し、ベ
アチップとの界面を接合させるために用いられる。また
不活性有機ビヒクルには、メチルセルロース、エチルセ
ルロース等をブチルカルビトール、テルピネオール等の
有機溶剤に溶解したものが用いられる。上記セルロース
類は上記有機溶剤に５〜３０重量％の割合で混合され
る。有機ビヒクルはペーストの粘度を調整し、ベアチッ
プ表面への塗布を容易にするために用いられる。
【０００８】導電性ペーストの添加剤は、ＣａＯ又はＺ
ｎＯ又はこれらの混合物の焼結制御用フィラーを含む。
この添加剤は金属粉末の焼結を遅延させるために用いら
れる。導電性ペーストは、ペースト１００重量％とする
とき、６５〜８０重量％の金属粉末と、この金属粉末に
対して１〜３０重量％のガラスフリットと、この金属粉
末に対して０．３〜５重量％の焼結制御用フィラーと、
残部が有機ビヒクルとにより構成される。金属粉末が６
５重量％未満になると電極の導電性に劣り、８０重量％
を越えるとベアチップとの接着性が劣化する。ガラスフ
リットが１重量％未満になると焼結金属が多孔質になり
電解めっき時の電解液が空孔に浸入し易くなる。この結
果、長期の信頼性に対して問題があり、端子電極とベア
チップとの接着強度が低下し、端子電極の耐湿性が劣化
する。コンデンサの場合には誘電正接（ｔａｎδ）が劣
化する。またガラスフリットが３０重量％を越えると焼
付け時に電極層の表面にガラスフリットが浮き出て、め
っき膜の形成が阻害され、はんだ耐熱性が不十分とな
る。焼結制御用フィラーが０．３重量％未満になると、
金属粉末の焼結を遅延させる効果がなく、無添加の場合
と変らない。これに対して５重量％を越えると焼結が抑
制され過ぎ、焼結金属が多孔質になり、ガラスフリット
が少ない場合と同様の問題がある。
ｎＯ又はこれらの混合物の焼結制御用フィラーを含む。
この添加剤は金属粉末の焼結を遅延させるために用いら
れる。導電性ペーストは、ペースト１００重量％とする
とき、６５〜８０重量％の金属粉末と、この金属粉末に
対して１〜３０重量％のガラスフリットと、この金属粉
末に対して０．３〜５重量％の焼結制御用フィラーと、
残部が有機ビヒクルとにより構成される。金属粉末が６
５重量％未満になると電極の導電性に劣り、８０重量％
を越えるとベアチップとの接着性が劣化する。ガラスフ
リットが１重量％未満になると焼結金属が多孔質になり
電解めっき時の電解液が空孔に浸入し易くなる。この結
果、長期の信頼性に対して問題があり、端子電極とベア
チップとの接着強度が低下し、端子電極の耐湿性が劣化
する。コンデンサの場合には誘電正接（ｔａｎδ）が劣
化する。またガラスフリットが３０重量％を越えると焼
付け時に電極層の表面にガラスフリットが浮き出て、め
っき膜の形成が阻害され、はんだ耐熱性が不十分とな
る。焼結制御用フィラーが０．３重量％未満になると、
金属粉末の焼結を遅延させる効果がなく、無添加の場合
と変らない。これに対して５重量％を越えると焼結が抑
制され過ぎ、焼結金属が多孔質になり、ガラスフリット
が少ない場合と同様の問題がある。
【０００９】本発明の導電性ペーストはチップコンデン
サ、チップ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部
品の端子電極に用いられる。特に、チップ型積層セラミ
ックコンデンサに好適に用いられる。この場合、コンデ
ンサを構成するセラミック誘電体には鉛系ペロブスカイ
トを主成分とする誘電体材料が好ましい。鉛系ペロブス
カイトを主成分にする誘電体材料としては、Ｐｂ(Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3)Ｏ3，Ｐｂ(Ｆｅ1/2Ｎｂ1/2)Ｏ3，ＰｂＴｉ
Ｏ3等が挙げられる。
サ、チップ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部
品の端子電極に用いられる。特に、チップ型積層セラミ
ックコンデンサに好適に用いられる。この場合、コンデ
ンサを構成するセラミック誘電体には鉛系ペロブスカイ
トを主成分とする誘電体材料が好ましい。鉛系ペロブス
カイトを主成分にする誘電体材料としては、Ｐｂ(Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3)Ｏ3，Ｐｂ(Ｆｅ1/2Ｎｂ1/2)Ｏ3，ＰｂＴｉ
Ｏ3等が挙げられる。
【００１０】
【作用】導電性ペースト中に上記割合でＣａＯ又はＺｎ
Ｏ又はこれらの混合物の焼結制御用フィラーを添加する
と、これらの金属酸化物はいずれも焼付け時には金属粉
末と殆ど反応せずむしろ金属粉末の焼結を遅延させる。
その結果、焼付け電極層の収縮しようとするストレスや
硬度が和られ、この電極層表面に電解めっき処理を行っ
たときのベアチップに対するサーマルショックが緩和さ
れる。またこの焼結制御用フィラーは耐めっき性があ
り、めっき時に電極中にめっき液が浸入することがな
い。
Ｏ又はこれらの混合物の焼結制御用フィラーを添加する
と、これらの金属酸化物はいずれも焼付け時には金属粉
末と殆ど反応せずむしろ金属粉末の焼結を遅延させる。
その結果、焼付け電極層の収縮しようとするストレスや
硬度が和られ、この電極層表面に電解めっき処理を行っ
たときのベアチップに対するサーマルショックが緩和さ
れる。またこの焼結制御用フィラーは耐めっき性があ
り、めっき時に電極中にめっき液が浸入することがな
い。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、導
電性ペーストにＣａＯ又はＺｎＯ又はこれらの混合物の
焼結制御用フィラーを少量添加することにより、下地電
極である焼付け電極層の収縮しようとするストレスや硬
度が低下し、サーマルショックが緩和され、ベアチップ
のクラックの発生率を減少させ、電気特性が低下せず、
基板への接着特性が劣化しない。この結果、信頼性の高
いチップ型電子部品が得られる。
電性ペーストにＣａＯ又はＺｎＯ又はこれらの混合物の
焼結制御用フィラーを少量添加することにより、下地電
極である焼付け電極層の収縮しようとするストレスや硬
度が低下し、サーマルショックが緩和され、ベアチップ
のクラックの発生率を減少させ、電気特性が低下せず、
基板への接着特性が劣化しない。この結果、信頼性の高
いチップ型電子部品が得られる。
【００１２】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例
とともに説明する。 ＜実施例＞ 図１に示すように、この例ではチップ型電子部品はチッ
プ型積層セラミックコンデンサ１０である。このコンデ
ンサ１０はベアチップ１１とこのチップ１１の両端部に
形成された下地電極１２とを備える。チップ１１は鉛ペ
ロブスカイト系であって、貴金属のＡｇ７０／Ｐｄ３０
からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．
６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する。下地電極
１２の表面にはＮｉめっき層１４及びＳｎ／Ｐｂめっき
層１５がこの順に形成される。
とともに説明する。 ＜実施例＞ 図１に示すように、この例ではチップ型電子部品はチッ
プ型積層セラミックコンデンサ１０である。このコンデ
ンサ１０はベアチップ１１とこのチップ１１の両端部に
形成された下地電極１２とを備える。チップ１１は鉛ペ
ロブスカイト系であって、貴金属のＡｇ７０／Ｐｄ３０
からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍｍ、幅１．
６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する。下地電極
１２の表面にはＮｉめっき層１４及びＳｎ／Ｐｂめっき
層１５がこの順に形成される。
【００１３】下地電極を次の条件により形成した。導電
性ペースト１００重量％とするとき７５重量％の金属粉
末と、この金属成分に対して１０重量％のガラスフリッ
トと、表１に示すように金属粉末に対して０．３〜５重
量％の範囲内になるように配合した３種類の焼結制御用
フィラーと、残部が不活性有機ビヒクルとを混練して導
電性ペーストを調製した。ここで金属粉末はＡｇ１００
重量％からなり、ガラスフリットはＣｄＯ（15重量％）
−ＰｂＯ（25重量％）−Ｂ2Ｏ3（20重量％）−ＳｉＯ2
（40重量％）からなる。また有機ビヒクルはエチルセル
ロースをブチルカルビトールとテルピネオールに混合し
たものを用いた。焼結制御用フィラーはＣａＯ又はＺｎ
Ｏを用いた。このペーストを焼付け後の厚さが９０μｍ
になるようにベアチップの両端部にディップ方式で塗布
し、大気圧下、１５０℃で１０分間乾燥した。このチッ
プを２５℃／分の速度で、大気圧下、６８０℃まで昇温
しそこで５分間保持した後、２０℃／分の速度で室温ま
で降温してＡｇからなる下地電極を得た。
性ペースト１００重量％とするとき７５重量％の金属粉
末と、この金属成分に対して１０重量％のガラスフリッ
トと、表１に示すように金属粉末に対して０．３〜５重
量％の範囲内になるように配合した３種類の焼結制御用
フィラーと、残部が不活性有機ビヒクルとを混練して導
電性ペーストを調製した。ここで金属粉末はＡｇ１００
重量％からなり、ガラスフリットはＣｄＯ（15重量％）
−ＰｂＯ（25重量％）−Ｂ2Ｏ3（20重量％）−ＳｉＯ2
（40重量％）からなる。また有機ビヒクルはエチルセル
ロースをブチルカルビトールとテルピネオールに混合し
たものを用いた。焼結制御用フィラーはＣａＯ又はＺｎ
Ｏを用いた。このペーストを焼付け後の厚さが９０μｍ
になるようにベアチップの両端部にディップ方式で塗布
し、大気圧下、１５０℃で１０分間乾燥した。このチッ
プを２５℃／分の速度で、大気圧下、６８０℃まで昇温
しそこで５分間保持した後、２０℃／分の速度で室温ま
で降温してＡｇからなる下地電極を得た。
【００１４】Ｎｉめっき層及びＳｎ／Ｐｂめっき層を次
の条件により形成した。ｐＨ４．０、温度５０℃のスル
ファミン酸ニッケル（Ｎｉ(ＮＨ2ＳＯ3)2・４Ｈ2Ｏ）１
２０ｇ／Ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法で下
地電極の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。ｐ
Ｈ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）が９：
１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉめっき
層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成した。
これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を形成
した積層セラミックコンデンサを得た。
の条件により形成した。ｐＨ４．０、温度５０℃のスル
ファミン酸ニッケル（Ｎｉ(ＮＨ2ＳＯ3)2・４Ｈ2Ｏ）１
２０ｇ／Ｌの組成の浴を用い、電解バレルめっき法で下
地電極の表面に２μｍ厚のＮｉめっき層を形成した。ｐ
Ｈ４．５、温度２５℃の錫（Ｓｎ）と鉛（Ｐｂ）が９：
１の組成の浴を用い、電解バレルめっき法でＮｉめっき
層の表面に６μｍ厚のＳｎ／Ｐｂめっき層を形成した。
これにより、下地電極の上に更に２層のめっき層を形成
した積層セラミックコンデンサを得た。
【００１５】 ＜比較例＞ 表１に示すように焼結制御用フィラーを全く添加しない
導電性ペースト、或いはＡｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｎＯのい
ずれか１種からなる焼結制御用フィラーを０．３〜５重
量％の範囲外になるように配合した導電性ペーストをそ
れぞれ実施例と同一のベアチップの両端部に塗布して焼
付けた以外は実施例と同様にして積層セラミックコンデ
ンサを得た。
導電性ペースト、或いはＡｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｎＯのい
ずれか１種からなる焼結制御用フィラーを０．３〜５重
量％の範囲外になるように配合した導電性ペーストをそ
れぞれ実施例と同一のベアチップの両端部に塗布して焼
付けた以外は実施例と同様にして積層セラミックコンデ
ンサを得た。
【００１６】 ＜測定方法＞ 上記実施例及び比較例で作製しためっき層付きの積層セ
ラミックコンデンサについて次の(a)〜(d)の特性を、ま
た２層のめっき層を施さない以外は上記実施例及び比較
例と同一の積層セラミックコンデンサについて次の(a)
〜(c)の特性を測定した。括弧内の数値ｎは試験した試
料数である。 (a) 誘電正接（％）（ｎ＝３０） １ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 (b) サーマルショック後の下地電極内側のクラック発生
（ｎ＝１００） ３５０℃の共晶はんだ（Ｓｎ６３／Ｐｂ３７）中に金属
ピンセットで掴んだ試料を予熱せずに１秒間浸漬し、引
上げた後、熱濃硝酸で煮沸、溶解して下地電極を除去
し、下地電極の内側のベアチップにクラックが入ってい
るかどうかを調べた。 (c) 引張強度（ｎ＝１０） 積層セラミックコンデンサの下地電極に０．８ｍｍのは
んだ引き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリ
ームはんだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ
１０）により接着し、この鋼線を引張ることにより引張
強度を測定した。 (d) 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０） ＋８５℃の温度で８５％の相対湿度下、５０Ｖの直流電
圧を印加して１０００時間に至るまでの劣化の有無を調
べた。
ラミックコンデンサについて次の(a)〜(d)の特性を、ま
た２層のめっき層を施さない以外は上記実施例及び比較
例と同一の積層セラミックコンデンサについて次の(a)
〜(c)の特性を測定した。括弧内の数値ｎは試験した試
料数である。 (a) 誘電正接（％）（ｎ＝３０） １ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。 (b) サーマルショック後の下地電極内側のクラック発生
（ｎ＝１００） ３５０℃の共晶はんだ（Ｓｎ６３／Ｐｂ３７）中に金属
ピンセットで掴んだ試料を予熱せずに１秒間浸漬し、引
上げた後、熱濃硝酸で煮沸、溶解して下地電極を除去
し、下地電極の内側のベアチップにクラックが入ってい
るかどうかを調べた。 (c) 引張強度（ｎ＝１０） 積層セラミックコンデンサの下地電極に０．８ｍｍのは
んだ引き鋼線を２３０℃のホットプレート上で共晶クリ
ームはんだ（千住金属社製ＳＰＴ−５５−２０６２−Ｍ
１０）により接着し、この鋼線を引張ることにより引張
強度を測定した。 (d) 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０） ＋８５℃の温度で８５％の相対湿度下、５０Ｖの直流電
圧を印加して１０００時間に至るまでの劣化の有無を調
べた。
【００１７】＜測定結果と評価＞ 上記(a)〜(d)の結果を表１に示す。表１より、４種類の
比較例の積層セラミックコンデンサは下地電極内側のク
ラック発生率が高く、また４種類の比較例のうち、焼結
制御用フィラーが５重量％を越えるもの（比較例３，比
較例４）は、めっき層が有無により誘電正接、接着強度
の値が大きく変動し、更に焼結制御用フィラーの添加量
が所定の範囲外であるものは３５０時間以下で劣化し
た。これに対して、３種類の実施例の積層セラミックコ
ンデンサはめっき層の有無に拘らず誘電正接、接着強度
の値の変動は極めて小さかった。また下地電極内側のク
ラックの発生率は極めて低く、更に焼結制御用フィラー
の添加量が所定の範囲内であるものは１０００時間経過
後も劣化が見られなかった。
比較例の積層セラミックコンデンサは下地電極内側のク
ラック発生率が高く、また４種類の比較例のうち、焼結
制御用フィラーが５重量％を越えるもの（比較例３，比
較例４）は、めっき層が有無により誘電正接、接着強度
の値が大きく変動し、更に焼結制御用フィラーの添加量
が所定の範囲外であるものは３５０時間以下で劣化し
た。これに対して、３種類の実施例の積層セラミックコ
ンデンサはめっき層の有無に拘らず誘電正接、接着強度
の値の変動は極めて小さかった。また下地電極内側のク
ラックの発生率は極めて低く、更に焼結制御用フィラー
の添加量が所定の範囲内であるものは１０００時間経過
後も劣化が見られなかった。
【００１８】
【表１】
【図１】本発明実施例の積層セラミックコンデンサの断
面図。
面図。
１０ 積層セラミックコンデンサ １１ ベアチップ １２ 下地電極 １３ 内部電極 １４，１５ めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 4/252 H01B 1/16 H01G 4/12
Claims (3)
- 【請求項１】 金属粉末とガラスフリットと不活性有機
ビヒクルと添加剤を含み、セラミック誘電体からなるベ
アチップの表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成す
るチップ型電子部品用導電性ペーストであって、 前記添加剤はＣａＯ又はＺｎＯ又はこれらの混合物の焼
結制御用フィラーを含み、前記フィラーを前記金属粉末
に対して０．３〜５重量％添加したことを特徴とするチ
ップ型電子部品用導電性ペースト。 - 【請求項２】 チップ型電子部品がセラミックコンデン
サである請求項１記載のチップ型電子部品用導電性ペー
スト。 - 【請求項３】 セラミック誘電体が鉛系ペロブスカイト
を主成分とする請求項２記載のチップ型電子部品用導電
性ペースト。
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|---|---|---|---|
| JP3081994A JP2973558B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081994A JP2973558B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293214A JPH04293214A (ja) | 1992-10-16 |
| JP2973558B2 true JP2973558B2 (ja) | 1999-11-08 |
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ID=13762027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081994A Expired - Fee Related JP2973558B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2973558B2 (ja) |
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-
1991
- 1991-03-20 JP JP3081994A patent/JP2973558B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH04293214A (ja) | 1992-10-16 |
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