JP3376717B2 - 電子部品の外部電極用導電性組成物およびそれを用いて形成されるセラミック電子部品 - Google Patents
電子部品の外部電極用導電性組成物およびそれを用いて形成されるセラミック電子部品Info
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- JP3376717B2 JP3376717B2 JP24551694A JP24551694A JP3376717B2 JP 3376717 B2 JP3376717 B2 JP 3376717B2 JP 24551694 A JP24551694 A JP 24551694A JP 24551694 A JP24551694 A JP 24551694A JP 3376717 B2 JP3376717 B2 JP 3376717B2
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミック素体の外
表面上に電極を付与するために用いるのに適した導電性
組成物に関するものである。また、この発明は、このよ
うな導電性組成物によって形成された外部電極を備える
セラミック電子部品に関するものである。
表面上に電極を付与するために用いるのに適した導電性
組成物に関するものである。また、この発明は、このよ
うな導電性組成物によって形成された外部電極を備える
セラミック電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえばチップ型のセラミック電子部品
の外部電極となる厚膜電極は、金属成分とガラス成分と
有機ビヒクルとを含むペースト状の導電性組成物をセラ
ミック素体上に塗布し、焼付けることにより形成され
る。さらに、セラミック電子部品を基板上に実装すると
きの半田付けの信頼性を向上させるため、この厚膜電極
上に、たとえば、ニッケルおよび錫の各めっき、または
半田めっき等の表面処理が施される。したがって、この
ようなめっきの下地となる電極には、均一なめっきが施
されること、および、めっき液の浸入によるセラミック
素体の性能の劣化が防止され得ることが求められる。
の外部電極となる厚膜電極は、金属成分とガラス成分と
有機ビヒクルとを含むペースト状の導電性組成物をセラ
ミック素体上に塗布し、焼付けることにより形成され
る。さらに、セラミック電子部品を基板上に実装すると
きの半田付けの信頼性を向上させるため、この厚膜電極
上に、たとえば、ニッケルおよび錫の各めっき、または
半田めっき等の表面処理が施される。したがって、この
ようなめっきの下地となる電極には、均一なめっきが施
されること、および、めっき液の浸入によるセラミック
素体の性能の劣化が防止され得ることが求められる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、めっ
き液の浸入を防止し、セラミック素体の性能劣化を防止
するためには、下地となる厚膜電極を形成するための導
電性組成物においてガラス成分の含有量を増加させるな
どして、厚膜電極の緻密化を図る方法が考えられる。し
かしながら、このようにガラス成分の含有量を増加させ
ると、多くのガラス成分が厚膜電極の表面に浮出し、そ
の結果、めっき付与性を低下させてしまうことになる。
き液の浸入を防止し、セラミック素体の性能劣化を防止
するためには、下地となる厚膜電極を形成するための導
電性組成物においてガラス成分の含有量を増加させるな
どして、厚膜電極の緻密化を図る方法が考えられる。し
かしながら、このようにガラス成分の含有量を増加させ
ると、多くのガラス成分が厚膜電極の表面に浮出し、そ
の結果、めっき付与性を低下させてしまうことになる。
【０００４】従来、めっきの下地となる厚膜電極を緻密
なものとしながら、その表面にガラス成分が浮出さない
ようにするため、焼付時の温度および時間を微妙に調整
する必要があった。
なものとしながら、その表面にガラス成分が浮出さない
ようにするため、焼付時の温度および時間を微妙に調整
する必要があった。
【０００５】それゆえに、この発明の目的は、めっき付
与性に優れかつ緻密な厚膜電極を形成し得る導電性組成
物を提供しようとすることである。
与性に優れかつ緻密な厚膜電極を形成し得る導電性組成
物を提供しようとすることである。
【０００６】この発明の他の目的は、上述した導電性組
成物を用いて形成された外部電極を備えるセラミック電
子部品を提供しようとすることである。
成物を用いて形成された外部電極を備えるセラミック電
子部品を提供しようとすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る導電性組
成物は、金属成分と、ガラス成分と、導電性を有するセ
ラミック粉末と、からなる固形分、および固形分をペー
スト化するための有機ビヒクルのような成分を含む電子
部品の外部電極用導電性組成物であって、セラミック粉
末の含有量は、固形分全体に対して２ｗｔ％以上１０ｗ
ｔ％以下であり、セラミック粉末の抵抗率は、金属成分
の抵抗率の３倍以下であることを特徴とする。
成物は、金属成分と、ガラス成分と、導電性を有するセ
ラミック粉末と、からなる固形分、および固形分をペー
スト化するための有機ビヒクルのような成分を含む電子
部品の外部電極用導電性組成物であって、セラミック粉
末の含有量は、固形分全体に対して２ｗｔ％以上１０ｗ
ｔ％以下であり、セラミック粉末の抵抗率は、金属成分
の抵抗率の３倍以下であることを特徴とする。
【０００８】この発明に係るセラミック電子部品は、金
属成分、ガラス成分および導電性を有するセラミック粉
末を含む外部電極を備え、上述した電子部品の外部電極
用導電性組成物を用いて形成されることを特徴としてい
る。
属成分、ガラス成分および導電性を有するセラミック粉
末を含む外部電極を備え、上述した電子部品の外部電極
用導電性組成物を用いて形成されることを特徴としてい
る。
【０００９】
【作用】この発明に係る導電性組成物に含まれるセラミ
ック粉末は、当該導電性組成物が焼付けられるとき、金
属成分の焼結を抑制するように作用する。その結果、ガ
ラス成分の分散状態を維持しながら、この導電性組成物
が焼付けられることができる。
ック粉末は、当該導電性組成物が焼付けられるとき、金
属成分の焼結を抑制するように作用する。その結果、ガ
ラス成分の分散状態を維持しながら、この導電性組成物
が焼付けられることができる。
【００１０】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、ガラス
成分の浮出しの少ない、したがってめっき付与性に優れ
た、また、緻密な、したがってめっき液によるセラミッ
ク素体の性能劣化を防止し得る、厚膜電極およびこの厚
膜電極を外部電極として有するセラミック電子部品を得
ることができる。また、セラミック粉末は、導電性を有
しているので、それ自身上にもめっきを付与させること
ができる。
成分の浮出しの少ない、したがってめっき付与性に優れ
た、また、緻密な、したがってめっき液によるセラミッ
ク素体の性能劣化を防止し得る、厚膜電極およびこの厚
膜電極を外部電極として有するセラミック電子部品を得
ることができる。また、セラミック粉末は、導電性を有
しているので、それ自身上にもめっきを付与させること
ができる。
【００１１】上述のような効果をより良好に達成するた
め、セラミック粉末の含有量は、固形分全体に対して２
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下とされる。また、金属成分と
セラミック粉末との導電率の差は小さい方が好ましい。
それゆえ、セラミック粉末の抵抗率は、金属成分の抵抗
率の３倍以下とされる。
め、セラミック粉末の含有量は、固形分全体に対して２
ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下とされる。また、金属成分と
セラミック粉末との導電率の差は小さい方が好ましい。
それゆえ、セラミック粉末の抵抗率は、金属成分の抵抗
率の３倍以下とされる。
【００１２】この発明において、導電性を有するセラミ
ックとして、たとえば窒化物が有利に用いられる。ま
た、このようなセラミックとしては、酸化しにくく、ま
た金属成分と合金化しないものが好ましい。
ックとして、たとえば窒化物が有利に用いられる。ま
た、このようなセラミックとしては、酸化しにくく、ま
た金属成分と合金化しないものが好ましい。
【００１３】また、この発明において、セラミック粉末
およびガラス成分は、粒径が０．５〜１０μｍの範囲に
あることが好ましい。これらの粒径が１０μｍを超える
と、金属成分の焼結がほとんど進まなくなるからであ
る。
およびガラス成分は、粒径が０．５〜１０μｍの範囲に
あることが好ましい。これらの粒径が１０μｍを超える
と、金属成分の焼結がほとんど進まなくなるからであ
る。
【００１４】
（実施例１）
１．導電性組成物の準備
導電性組成物に含まれる固形分の組成（ｗｔ％）を以下
の表１に示すとおりとした。
の表１に示すとおりとした。
【００１５】
【表１】
【００１６】上記表１において、Ａｇ、セラミックおよ
びガラスのそれぞれの平均粒径は、約５μｍとした。ま
た、ガラスとしては、ホウケイ酸鉛ガラスを使用した。
なお、Ａｇの抵抗率は１０μΩｃｍであり、他方、セラ
ミックの抵抗率については、ＴｉＮが２５μΩｃｍ、Ｚ
ｒＮが２１μΩｃｍ、ＴｉＢ2 が９．２ｍΩｃｍであ
る。
びガラスのそれぞれの平均粒径は、約５μｍとした。ま
た、ガラスとしては、ホウケイ酸鉛ガラスを使用した。
なお、Ａｇの抵抗率は１０μΩｃｍであり、他方、セラ
ミックの抵抗率については、ＴｉＮが２５μΩｃｍ、Ｚ
ｒＮが２１μΩｃｍ、ＴｉＢ2 が９．２ｍΩｃｍであ
る。
【００１７】表１において、試料Ｎｏ．４は、セラミッ
クの含有量が固形分全体に対して２ｗｔ％以上１０ｗｔ
％以下という好ましい範囲から外れている。試料Ｎｏ．
７は、セラミックを含有していない。試料Ｎｏ．８は、
用いられたセラミックの抵抗率が金属（Ａｇ）の抵抗率
の３倍以下であるという好ましい範囲から外れている。
クの含有量が固形分全体に対して２ｗｔ％以上１０ｗｔ
％以下という好ましい範囲から外れている。試料Ｎｏ．
７は、セラミックを含有していない。試料Ｎｏ．８は、
用いられたセラミックの抵抗率が金属（Ａｇ）の抵抗率
の３倍以下であるという好ましい範囲から外れている。
【００１８】表１にそれぞれ示した固形分１００重量部
に対し、３０重量部の有機ビヒクルを混練し、ペースト
化した。
に対し、３０重量部の有機ビヒクルを混練し、ペースト
化した。
【００１９】２．評価試料の作製
上述のようにして得られたそれぞれのペーストを、積層
セラミックコンデンサの外部電極とすべく、セラミック
素体上に付与し、８００℃で１０分間焼付けた。さら
に、このように形成された厚膜電極上に、バレルめっき
装置により、ニッケルおよび錫の順で電解めっきを施
し、外部電極を形成した。
セラミックコンデンサの外部電極とすべく、セラミック
素体上に付与し、８００℃で１０分間焼付けた。さら
に、このように形成された厚膜電極上に、バレルめっき
装置により、ニッケルおよび錫の順で電解めっきを施
し、外部電極を形成した。
【００２０】３．試料の評価
得られた各試料について、ニッケルめっき厚および積層
セラミックコンデンサの絶縁抵抗の劣化度合を評価し
た。この評価結果を以下の表２に示す。なお、絶縁抵抗
については、１００００ＭΩ以下を劣化品と見なし、１
０００個に対する劣化品の数を表２に示している。
セラミックコンデンサの絶縁抵抗の劣化度合を評価し
た。この評価結果を以下の表２に示す。なお、絶縁抵抗
については、１００００ＭΩ以下を劣化品と見なし、１
０００個に対する劣化品の数を表２に示している。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２において、試料Ｎｏ．７およびＮｏ．
８は、めっき付与性が悪いことがわかる。特に、試料Ｎ
ｏ．７を観察すると、ガラス成分が下地となる厚膜電極
の表面に多量に浮出していた。また、試料Ｎｏ．４を観
察すると、厚膜電極の焼結状態が悪く、非常にポーラス
であった。
８は、めっき付与性が悪いことがわかる。特に、試料Ｎ
ｏ．７を観察すると、ガラス成分が下地となる厚膜電極
の表面に多量に浮出していた。また、試料Ｎｏ．４を観
察すると、厚膜電極の焼結状態が悪く、非常にポーラス
であった。
【００２３】（実施例２）
１．導電性組成物の準備
導電性組成物に含まれる固形分の組成（ｗｔ％）を以下
の表３に示すとおりとした。
の表３に示すとおりとした。
【００２４】
【表３】
【００２５】表３において、Ｃｕの平均粒径は約３μｍ
であり、セラミック（ＴｉＮ）およびガラスのそれぞれ
の平均粒径は約２μｍとした。また、ガラスとしては、
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを使用した。
であり、セラミック（ＴｉＮ）およびガラスのそれぞれ
の平均粒径は約２μｍとした。また、ガラスとしては、
ホウケイ酸亜鉛系ガラスを使用した。
【００２６】表３において、試料Ｎｏ．１は、セラミッ
ク（ＴｉＮ）を含有していない。試料Ｎｏ．４は、セラ
ミックの含有量が固形分全体に対して２ｗｔ％以上１０
ｗｔ％以下という好ましい範囲から外れている。
ク（ＴｉＮ）を含有していない。試料Ｎｏ．４は、セラ
ミックの含有量が固形分全体に対して２ｗｔ％以上１０
ｗｔ％以下という好ましい範囲から外れている。
【００２７】表３にそれぞれ示した固形分１００重量部
に対して、３０重量部の有機ビヒクルを混練し、ペース
ト化した。
に対して、３０重量部の有機ビヒクルを混練し、ペース
ト化した。
【００２８】２．評価試料の作製
上述のようにして得られたそれぞれのペーストを、ニッ
ケルからなる内部電極を有する積層セラミックコンデン
サの外部電極とすべく、セラミック素体上に塗布し、窒
素雰囲気中、８００℃で１０分間焼付けた。次いで、こ
のようにして得られたそれぞれの厚膜電極上に、バレル
めっき装置により、ニッケルおよび錫の順で電解めっき
を施し、外部電極を形成した。
ケルからなる内部電極を有する積層セラミックコンデン
サの外部電極とすべく、セラミック素体上に塗布し、窒
素雰囲気中、８００℃で１０分間焼付けた。次いで、こ
のようにして得られたそれぞれの厚膜電極上に、バレル
めっき装置により、ニッケルおよび錫の順で電解めっき
を施し、外部電極を形成した。
【００２９】３．試料の評価
上述のようにして作製した各試料について、ニッケルめ
っき厚および積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の劣
化度合を実施例１と同様に評価した。以下の表４にその
結果が示されている。
っき厚および積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗の劣
化度合を実施例１と同様に評価した。以下の表４にその
結果が示されている。
【００３０】
【表４】
【００３１】表４において、試料Ｎｏ．１は、ニッケル
のめっき厚が薄く、また、このようなめっき膜は連続し
て形成されていなかった。また、試料Ｎｏ．４を観察す
ると、厚膜電極の焼結状態が悪く、ポーラスであった。
のめっき厚が薄く、また、このようなめっき膜は連続し
て形成されていなかった。また、試料Ｎｏ．４を観察す
ると、厚膜電極の焼結状態が悪く、ポーラスであった。
【００３２】上述した実施例１および２からもわかるよ
うに、この発明に係る導電性組成物においてベースとな
る金属種は、Ａｇ等の貴金属であっても、Ｃｕ等の卑金
属であってもよく、その種類が限定されるものではな
い。
うに、この発明に係る導電性組成物においてベースとな
る金属種は、Ａｇ等の貴金属であっても、Ｃｕ等の卑金
属であってもよく、その種類が限定されるものではな
い。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−23308（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−80010（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 4/42
Claims (3)
- 【請求項１】 金属成分と、ガラス成分と、導電性を有
するセラミック粉末と、からなる固形分、および該固形
分をペースト化するための成分を含む、導電性組成物で
あって、前記セラミック粉末の含有量は、前記固形分全
体に対して２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であり、前記セ
ラミック粉末の抵抗率は、前記金属成分の抵抗率の３倍
以下である電子部品の外部電極用導電性組成物。 - 【請求項２】 金属成分、ガラス成分および導電性を有
するセラミック粉末を含む外部電極を備え、請求項１に
記載の電子部品の外部電極用導電性組成物を用いて形成
されるセラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記外部電極上にめっき膜が形成され
た、請求項２に記載のセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24551694A JP3376717B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 電子部品の外部電極用導電性組成物およびそれを用いて形成されるセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24551694A JP3376717B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 電子部品の外部電極用導電性組成物およびそれを用いて形成されるセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111341A JPH08111341A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3376717B2 true JP3376717B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=17134850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24551694A Expired - Fee Related JP3376717B2 (ja) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | 電子部品の外部電極用導電性組成物およびそれを用いて形成されるセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3376717B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| KR20040008094A (ko) * | 2002-07-17 | 2004-01-28 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트, 이것을 이용한 배선기판 및 배선기판의제조방법 |
| JP4844278B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2011-12-28 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP24551694A patent/JP3376717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08111341A (ja) | 1996-04-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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