JPH09266129A - チップ型電子部品の外部電極 - Google Patents
チップ型電子部品の外部電極Info
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- JPH09266129A JPH09266129A JP8074229A JP7422996A JPH09266129A JP H09266129 A JPH09266129 A JP H09266129A JP 8074229 A JP8074229 A JP 8074229A JP 7422996 A JP7422996 A JP 7422996A JP H09266129 A JPH09266129 A JP H09266129A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メッキ層を形成する際の耐メッキ液性が良好
で、電気的特性、信頼性、機械的特性に優れたチップ型
電子部品を提供する。 【解決手段】 外部電極４を、金属レジネートを有機バ
インダ及び有機溶剤に分散させた導電性ペーストで形成
する。 【効果】 金属レジネートの分解生成物の金属微粒子
が、焼成によって緻密な金属層を形成することで、湿式
メッキの際の電解液の侵入が防止されるため、電解メッ
キによる特性劣化が防止される。外部電極を薄く形成で
きるため、外部電極の応力が少なく、実装後のチップの
クラックを防止できる。電気的特性、信頼性、機械的特
性に優れたチップ型電子部品を得ることができる。
で、電気的特性、信頼性、機械的特性に優れたチップ型
電子部品を提供する。 【解決手段】 外部電極４を、金属レジネートを有機バ
インダ及び有機溶剤に分散させた導電性ペーストで形成
する。 【効果】 金属レジネートの分解生成物の金属微粒子
が、焼成によって緻密な金属層を形成することで、湿式
メッキの際の電解液の侵入が防止されるため、電解メッ
キによる特性劣化が防止される。外部電極を薄く形成で
きるため、外部電極の応力が少なく、実装後のチップの
クラックを防止できる。電気的特性、信頼性、機械的特
性に優れたチップ型電子部品を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型電子部品
の外部電極に係り、特に、外部電極表面に湿式メッキに
よりメッキ層を形成する際の耐メッキ液性が良好で、電
気的特性、信頼性、機械的特性に優れたチップ型電子部
品の外部電極に関する。
の外部電極に係り、特に、外部電極表面に湿式メッキに
よりメッキ層を形成する際の耐メッキ液性が良好で、電
気的特性、信頼性、機械的特性に優れたチップ型電子部
品の外部電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップインダクター、チップ抵抗、チッ
プ型積層セラミックコンデンサ、チップサーミスタ等の
チップ型電子部品は、セラミックス焼結体からなるベア
チップと、その内部に設けられた内部電極と、この内部
電極に導通するように、ベアチップの両端面に設けられ
た外部電極とで主に構成され、この外部電極を基板には
んだ付けすることにより実装されている。
プ型積層セラミックコンデンサ、チップサーミスタ等の
チップ型電子部品は、セラミックス焼結体からなるベア
チップと、その内部に設けられた内部電極と、この内部
電極に導通するように、ベアチップの両端面に設けられ
た外部電極とで主に構成され、この外部電極を基板には
んだ付けすることにより実装されている。
【０００３】このようなチップ型電子部品において、外
部電極は、チップ型電子部品と基板上の電気回路とを接
続するためのものであるため、その良否が製品の電気的
特性、信頼性、機械的特性等に大きな影響を及ぼす。
部電極は、チップ型電子部品と基板上の電気回路とを接
続するためのものであるため、その良否が製品の電気的
特性、信頼性、機械的特性等に大きな影響を及ぼす。
【０００４】従来、チップ型電子部品の外部電極は、Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属粉末と無機結合材を混合した
ものを有機ビヒクルに混練し、得られた導電性ペースト
をベアチップの両端面に塗布した後、６００〜８００℃
程度の温度で焼成して形成されている。この外部電極の
表面には、はんだ付け時のくわれ（溶蝕）を防止するた
めのＮｉメッキ層と、更に、このＮｉメッキ層の酸化に
よるはんだ付け性の低下を防止するためのＳｎメッキ層
又はＳｎ／Ｐｄメッキ層とからなる２層のメッキ電極層
が形成されている。このメッキ電極層の形成は、通常、
湿式の電解バレルメッキ法で行われている。
ｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属粉末と無機結合材を混合した
ものを有機ビヒクルに混練し、得られた導電性ペースト
をベアチップの両端面に塗布した後、６００〜８００℃
程度の温度で焼成して形成されている。この外部電極の
表面には、はんだ付け時のくわれ（溶蝕）を防止するた
めのＮｉメッキ層と、更に、このＮｉメッキ層の酸化に
よるはんだ付け性の低下を防止するためのＳｎメッキ層
又はＳｎ／Ｐｄメッキ層とからなる２層のメッキ電極層
が形成されている。このメッキ電極層の形成は、通常、
湿式の電解バレルメッキ法で行われている。
【０００５】外部電極表面に電解バレルメッキ法でメッ
キ電極層を形成する際、外部電極の表面及び内部に空孔
があると、この空孔に電解液が侵入する場合がある。外
部電極の空孔内への電解液の侵入は、電子部品の信頼性
の低下や外部電極のベアチップに対する接合強度の低下
の原因となる。
キ電極層を形成する際、外部電極の表面及び内部に空孔
があると、この空孔に電解液が侵入する場合がある。外
部電極の空孔内への電解液の侵入は、電子部品の信頼性
の低下や外部電極のベアチップに対する接合強度の低下
の原因となる。
【０００６】従来においては、外部電極のベアチップに
対する接合強度を高めるために、外部電極形成用導電性
ペーストに主としてガラスからなる無機結合材を加えて
いる。そして、この無機結合材の組成や配合比を調整す
ることで、上記電解液の侵入防止を図っている
対する接合強度を高めるために、外部電極形成用導電性
ペーストに主としてガラスからなる無機結合材を加えて
いる。そして、この無機結合材の組成や配合比を調整す
ることで、上記電解液の侵入防止を図っている
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電性
ペーストの無機結合材の組成や配合比の調整のみでは、
次のような不具合が生じるため、電解液の侵入を確実に
防止することはできない。
ペーストの無機結合材の組成や配合比の調整のみでは、
次のような不具合が生じるため、電解液の侵入を確実に
防止することはできない。
【０００８】即ち、耐メッキ液性を高めるため、無機結
合材の配合比を大きくすると、焼付け時に金属粒子が焼
結して体積が収縮するに従ってガラスが外部電極表面に
押し出され、外部電極がガラスで覆われた状態になり、
メッキ膜未析出の原因となる。逆に、無機結合材の配合
比を小さくすると、外部電極に空孔が残存し、電解液の
侵入を防止し得ない。
合材の配合比を大きくすると、焼付け時に金属粒子が焼
結して体積が収縮するに従ってガラスが外部電極表面に
押し出され、外部電極がガラスで覆われた状態になり、
メッキ膜未析出の原因となる。逆に、無機結合材の配合
比を小さくすると、外部電極に空孔が残存し、電解液の
侵入を防止し得ない。
【０００９】また、従来の導電性ペーストでは、外部電
極を厚く形成するため、外部電極の応力により、実装後
のチップにクラックが入り易いという欠点もある。
極を厚く形成するため、外部電極の応力により、実装後
のチップにクラックが入り易いという欠点もある。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点を解決し、湿
式メッキによりメッキ層を形成する際の耐メッキ液性が
高い、緻密な外部電極であって、チップ型電子部品の電
気的特性、信頼性、機械的特性を高めることができるチ
ップ型電子部品の外部電極を提供することを目的とす
る。
式メッキによりメッキ層を形成する際の耐メッキ液性が
高い、緻密な外部電極であって、チップ型電子部品の電
気的特性、信頼性、機械的特性を高めることができるチ
ップ型電子部品の外部電極を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型電子部
品の外部電極は、セラミック焼結体からなるベアチップ
の表面に接する外部電極において、該外部電極は、金属
レジネートを有機バインダ及び有機溶剤に分散させてな
る導電性ペーストで形成されていることを特徴とする。
品の外部電極は、セラミック焼結体からなるベアチップ
の表面に接する外部電極において、該外部電極は、金属
レジネートを有機バインダ及び有機溶剤に分散させてな
る導電性ペーストで形成されていることを特徴とする。
【００１２】金属レジネートを有機バインダ及び有機溶
剤に分散させてなる導電性ペーストであれば、従来の導
電性ペーストによる大きな金属粒子同士の焼結とは異な
り、金属レジネートの分解生成物である、金属超微粒子
が焼結するため、分子レベルの金属超微粒子の焼結で、
緻密な電極層が形成される。この緻密な外部電極層によ
り、湿式メッキ時の電解液の侵入が防止される。このた
め、電解メッキによる特性劣化が防止される。しかも、
金属レジネートを有機バインダ及び有機溶剤に分散させ
てなる導電性ペーストであれば、外部電極を薄く形成で
きるため、ベアチップに対する外部電極の応力が小さ
く、実装後のクラックが発生し難いチップ型電子部品が
得られる。このため、電気的特性、信頼性、機械的特性
に優れたチップ型電子部品を得ることができる。
剤に分散させてなる導電性ペーストであれば、従来の導
電性ペーストによる大きな金属粒子同士の焼結とは異な
り、金属レジネートの分解生成物である、金属超微粒子
が焼結するため、分子レベルの金属超微粒子の焼結で、
緻密な電極層が形成される。この緻密な外部電極層によ
り、湿式メッキ時の電解液の侵入が防止される。このた
め、電解メッキによる特性劣化が防止される。しかも、
金属レジネートを有機バインダ及び有機溶剤に分散させ
てなる導電性ペーストであれば、外部電極を薄く形成で
きるため、ベアチップに対する外部電極の応力が小さ
く、実装後のクラックが発生し難いチップ型電子部品が
得られる。このため、電気的特性、信頼性、機械的特性
に優れたチップ型電子部品を得ることができる。
【００１３】本発明において、導電性ペースト中の金属
成分は、Ａｇ，Ｐｄ及びＰｔよりなる群から選ばれる１
種又は２種以上の第１の金属成分と、ベアチップを構成
するセラミック誘電体との結合剤としてのＳｉ，Ｃａ及
びＢｉよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第２
の金属成分とで構成されることが好ましい。また、導電
性ペースト中の第１の金属成分の含有率は５〜２５重量
％であり、第２の金属成分を含む金属レジネートが、第
１の金属成分を含む金属レジネートに対して１０〜３０
重量％であることが好ましい。
成分は、Ａｇ，Ｐｄ及びＰｔよりなる群から選ばれる１
種又は２種以上の第１の金属成分と、ベアチップを構成
するセラミック誘電体との結合剤としてのＳｉ，Ｃａ及
びＢｉよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第２
の金属成分とで構成されることが好ましい。また、導電
性ペースト中の第１の金属成分の含有率は５〜２５重量
％であり、第２の金属成分を含む金属レジネートが、第
１の金属成分を含む金属レジネートに対して１０〜３０
重量％であることが好ましい。
【００１４】なお、この外部電極上には、通常の場合、
Ｎｉメッキ層と、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂメッキ層との２層
のメッキ電極層が形成される。
Ｎｉメッキ層と、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂメッキ層との２層
のメッキ電極層が形成される。
【００１５】また、本発明において、ベアチップを構成
するセラミック焼結体が鉛系ペロブスカイトを主成分と
するセラミック誘電体よりなることが好ましい。
するセラミック焼結体が鉛系ペロブスカイトを主成分と
するセラミック誘電体よりなることが好ましい。
【００１６】このような本発明のチップ型電子部品の外
部電極は、特に、積層セラミックコンデンサに有効であ
る。
部電極は、特に、積層セラミックコンデンサに有効であ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１８】図１は、本発明のチップ型電子部品の外部
電極の一実施例を示す積層セラミックコンデンサの断面
図である。
電極の一実施例を示す積層セラミックコンデンサの断面
図である。
【００１９】図示の積層セラミックコンデンサ１０は、
表面実装型のチップコンデンサであり、内部電極１を有
する鉛系ペロブスカイトのセラミック誘電体２を複数回
積層して得られたグリーンチップを焼成して得られるベ
アチップ３の両端面に、内部電極３と電気的に接続され
た外部電極４を形成したものである。
表面実装型のチップコンデンサであり、内部電極１を有
する鉛系ペロブスカイトのセラミック誘電体２を複数回
積層して得られたグリーンチップを焼成して得られるベ
アチップ３の両端面に、内部電極３と電気的に接続され
た外部電極４を形成したものである。
【００２０】ここで、このセラミック誘電体２として
は、鉛系ペロブスカイトの他、チタン酸バリウム系等の
誘電体が用いられ、内部電極１としてはＰｄ，Ｐｔ，Ａ
ｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ等
の卑金属が用いられる。
は、鉛系ペロブスカイトの他、チタン酸バリウム系等の
誘電体が用いられ、内部電極１としてはＰｄ，Ｐｔ，Ａ
ｇ／Ｐｄ等の貴金属、或いはＮｉ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ等
の卑金属が用いられる。
【００２１】本発明に係る外部電極４は、金属レジネー
トを有機バインダ及び有機溶剤に分散させてなる導電性
ペーストで形成される。
トを有機バインダ及び有機溶剤に分散させてなる導電性
ペーストで形成される。
【００２２】この導電性ペーストは、Ａｇ，Ｐｄ及びＰ
ｔよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第１の金
属成分を含む金属レジネートと、ベアチップを構成する
セラミック誘電体との結合剤としての、Ｓｉ，Ｃａ及び
Ｂｉよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第２の
金属成分を含む金属レジネートを、有機バインダ及び有
機溶剤を含む有機ビヒクルで混練して調製される。な
お、金属レジネートとしては、例えば、オクチル酸銀、
オクチル酸パラジウム等の有機金属化合物を、用いるこ
とができる。
ｔよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第１の金
属成分を含む金属レジネートと、ベアチップを構成する
セラミック誘電体との結合剤としての、Ｓｉ，Ｃａ及び
Ｂｉよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第２の
金属成分を含む金属レジネートを、有機バインダ及び有
機溶剤を含む有機ビヒクルで混練して調製される。な
お、金属レジネートとしては、例えば、オクチル酸銀、
オクチル酸パラジウム等の有機金属化合物を、用いるこ
とができる。
【００２３】ここで、導電性ペースト中の第１の金属成
分の割合は５〜２５重量％の範囲が好ましい。導電性ペ
ースト中の金属成分の割合の下限を５重量％としたの
は、金属成分の割合が５重量％未満になると、外部電極
の厚みが極端に薄くなり、また膜の連続性も低下するた
め、電解液が侵入する恐れがあるためである。金属成分
の割合の上限を２５重量％としたのは、金属成分の割合
が２５重量％を超えると有機ビヒクルに対する金属レジ
ネートの割合が過剰になり、この場合には外部電極の塗
布厚みの不均一性や電極の剥離といった問題により、外
部電極の形成が困難となるためである。
分の割合は５〜２５重量％の範囲が好ましい。導電性ペ
ースト中の金属成分の割合の下限を５重量％としたの
は、金属成分の割合が５重量％未満になると、外部電極
の厚みが極端に薄くなり、また膜の連続性も低下するた
め、電解液が侵入する恐れがあるためである。金属成分
の割合の上限を２５重量％としたのは、金属成分の割合
が２５重量％を超えると有機ビヒクルに対する金属レジ
ネートの割合が過剰になり、この場合には外部電極の塗
布厚みの不均一性や電極の剥離といった問題により、外
部電極の形成が困難となるためである。
【００２４】なお、導電性ペースト中の第２の金属成分
の割合は、第１の金属成分を含む金属レジネートに対し
て、第２の金属成分を含む金属レジネートの割合が１０
〜３０重量％となるようにするのが好ましい。第２の金
属成分の割合が上記範囲よりも少ないと、ベアチップと
外部電極との結合性が十分に得られず、上記範囲よりも
多いと、ベアチップと外部電極との結合性が過剰にな
り、特性が劣化する。
の割合は、第１の金属成分を含む金属レジネートに対し
て、第２の金属成分を含む金属レジネートの割合が１０
〜３０重量％となるようにするのが好ましい。第２の金
属成分の割合が上記範囲よりも少ないと、ベアチップと
外部電極との結合性が十分に得られず、上記範囲よりも
多いと、ベアチップと外部電極との結合性が過剰にな
り、特性が劣化する。
【００２５】本発明に係る外部電極４は、ベアチップ３
の外部電極形成端面を上記導電性ペーストに浸漬した後
引き上げて１５０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８
００℃で焼成して焼き付けることにより形成することが
できる。
の外部電極形成端面を上記導電性ペーストに浸漬した後
引き上げて１５０〜２００℃で乾燥した後、６００〜８
００℃で焼成して焼き付けることにより形成することが
できる。
【００２６】なお、本発明において、外部電極４の厚さ
は１０〜２０μｍとするのが、外部電極付着強度及び耐
メッキ液性の確保の面で好適である。
は１０〜２０μｍとするのが、外部電極付着強度及び耐
メッキ液性の確保の面で好適である。
【００２７】この積層セラミックコンデンサ１０は、外
部電極４の表面に更にＮｉメッキ皮膜５及びＳｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂメッキ皮膜６を形成して使用される。
部電極４の表面に更にＮｉメッキ皮膜５及びＳｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂメッキ皮膜６を形成して使用される。
【００２８】なお、本発明のチップ型電子部品の外部電
極は、図示の積層セラミックコンデンサの他、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクター等の様々な
チップ型電子部品に適用することができる。また、積層
セラミックコンデンサは、チタン酸バリウム、チタン酸
ストロンチウムといったセラミック誘電体を用いたもの
であっても良い。
極は、図示の積層セラミックコンデンサの他、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクター等の様々な
チップ型電子部品に適用することができる。また、積層
セラミックコンデンサは、チタン酸バリウム、チタン酸
ストロンチウムといったセラミック誘電体を用いたもの
であっても良い。
【００２９】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
【００３０】なお、以下において使用した積層セラミッ
クコンデンサチップは、鉛ペロブスカイト（ＰＬＺＴ）
系セラミック誘電体を用いた、３３ηＦ品で、チップ寸
法：長さ４．５ｍｍ×幅３．２ｍｍ×高さ１．２５ｍｍ
のものである。
クコンデンサチップは、鉛ペロブスカイト（ＰＬＺＴ）
系セラミック誘電体を用いた、３３ηＦ品で、チップ寸
法：長さ４．５ｍｍ×幅３．２ｍｍ×高さ１．２５ｍｍ
のものである。
【００３１】実施例１ 上記積層セラミックコンデンサチップに図１のような外
部電極を形成した。
部電極を形成した。
【００３２】Ａｇの金属レジネートと、セラミック誘電
体との結合剤としてのＳｉ，Ｂｉ，Ｃａの各金属レジネ
ートとを、エチルセルロース、ブチルカルビトール及び
テルピネオールを含む有機ビヒクルに混練して導電性ペ
ーストを調製した。Ａｇの金属レジネート対有機ビヒク
ルの混合重量比は、Ａｇの金属レジネート：有機ビヒク
ル＝５０：５０（導電性ペースト中のＡｇの金属成分重
量は１５重量％）とした。また、Ｓｉの金属レジネート
をＡｇの金属レジネートに対して１０重量％（金属成分
として０．５重量％）、Ｂｉの金属レジネートをＡｇの
金属レジネートに対して６重量％（金属成分として０．
６重量％）、Ｃａの金属レジネートをＡｇの金属レジネ
ートに対して４重量％（金属成分として０．１４重量
％）各々添加した。
体との結合剤としてのＳｉ，Ｂｉ，Ｃａの各金属レジネ
ートとを、エチルセルロース、ブチルカルビトール及び
テルピネオールを含む有機ビヒクルに混練して導電性ペ
ーストを調製した。Ａｇの金属レジネート対有機ビヒク
ルの混合重量比は、Ａｇの金属レジネート：有機ビヒク
ル＝５０：５０（導電性ペースト中のＡｇの金属成分重
量は１５重量％）とした。また、Ｓｉの金属レジネート
をＡｇの金属レジネートに対して１０重量％（金属成分
として０．５重量％）、Ｂｉの金属レジネートをＡｇの
金属レジネートに対して６重量％（金属成分として０．
６重量％）、Ｃａの金属レジネートをＡｇの金属レジネ
ートに対して４重量％（金属成分として０．１４重量
％）各々添加した。
【００３３】この導電性ペーストをベアチップ３の両端
面に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した
後、大気圧下、２５℃／分の昇温速度で７５０℃まで昇
温して焼成し、外部電極４を形成した。
面に塗布し、大気圧下、２００℃で１０分間乾燥した
後、大気圧下、２５℃／分の昇温速度で７５０℃まで昇
温して焼成し、外部電極４を形成した。
【００３４】その後、形成された外部電極４上に、常法
に従ってＮｉメッキ皮膜５及びＳｎ／Ｐｂメッキ皮膜６
を順次形成した。得られた積層セラミックコンデンサに
ついて、諸特性を次の方法により測定し、結果を表１に
示した。
に従ってＮｉメッキ皮膜５及びＳｎ／Ｐｂメッキ皮膜６
を順次形成した。得られた積層セラミックコンデンサに
ついて、諸特性を次の方法により測定し、結果を表１に
示した。
【００３５】 静電容量（ηＦ）及び誘電正接（％）
（試験個数＝３０） ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製４２８４
型）を用い、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。
（試験個数＝３０） ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製４２８４
型）を用い、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定した。
【００３６】 絶縁抵抗（Ω）（試験個数＝１５） 高抵抗計（ヒューレットパッカード社製４３２９Ａ）を
用い、５００Ｖの直流電圧を印加した後、３０秒経過後
の抵抗を測定した。
用い、５００Ｖの直流電圧を印加した後、３０秒経過後
の抵抗を測定した。
【００３７】 信頼性（耐湿負荷試験）（試験個数＝
２０） ８５℃の温度で８５％の相対湿度下、６３０Ｖの直流電
圧を印加して２０００時間までの劣化の有無を調べた。
２０） ８５℃の温度で８５％の相対湿度下、６３０Ｖの直流電
圧を印加して２０００時間までの劣化の有無を調べた。
【００３８】 信頼性（高温負荷試験）（試験個数＝
３０） １２５℃の温度で、１％以下の相対湿度下、６３０Ｖの
直流電圧を印加して２０００時間までの劣化の有無を調
べた。
３０） １２５℃の温度で、１％以下の相対湿度下、６３０Ｖの
直流電圧を印加して２０００時間までの劣化の有無を調
べた。
【００３９】 信頼性（温度サイクル試験）（試験個
数＝３０） −５５℃（３０分）〜常温（３分）〜＋１２５℃（３０
分）〜常温（３分）の４段階の温度に順次放置して、こ
れを１サイクルとする。この操作を２５サイクル繰り返
し、劣化の有無を調べた。
数＝３０） −５５℃（３０分）〜常温（３分）〜＋１２５℃（３０
分）〜常温（３分）の４段階の温度に順次放置して、こ
れを１サイクルとする。この操作を２５サイクル繰り返
し、劣化の有無を調べた。
【００４０】 外部電極付着強度（試験個数＝１０） 試料の端子電極に０．８ｍｍのはんだ引き綱線を２３０
℃のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接着
し、この綱線を１０ｍｍ／分で引っ張ることにより付着
強度を測定した。
℃のホットプレート上で共晶クリームはんだにより接着
し、この綱線を１０ｍｍ／分で引っ張ることにより付着
強度を測定した。
【００４１】 たわみ限界値（試験個数＝５） 長さ９０ｍｍ，幅４０ｍｍ，厚み１．６ｍｍのガラスエ
ポキシ基板の中央に試料の端子電極をはんだ付けし、試
料のはんだ付け面を下面にして、この基板をスパン９０
ｍｍの支持台に載せ、スパン中心の上面に荷重をかけ、
試料が基板から剥離するまでの基板のたわみ量を測定し
た。
ポキシ基板の中央に試料の端子電極をはんだ付けし、試
料のはんだ付け面を下面にして、この基板をスパン９０
ｍｍの支持台に載せ、スパン中心の上面に荷重をかけ、
試料が基板から剥離するまでの基板のたわみ量を測定し
た。
【００４２】比較例１ 実施例１において、導電性ペーストの金属レジネートと
有機ビヒクルとの混合重量比をＡｇの金属レジネート１
５：有機ビヒクル８５（導電性ペースト中の金属成分重
量４．５重量％）とし、セラミック誘電体との結合材と
して、Ａｇの金属レジネートに対し、Ｓｉの金属レジネ
ートを１０重量％（金属成分として０．１５重量％）、
Ｂｉの金属レジネートを６重量％（金属成分として０．
１８重量％）、Ｃａの金属レジネートを４重量％（金属
成分として０．０４重量％）各々添加したこと以外は、
実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを製造
し、同様に諸特性を測定し、結果を表１に示した。
有機ビヒクルとの混合重量比をＡｇの金属レジネート１
５：有機ビヒクル８５（導電性ペースト中の金属成分重
量４．５重量％）とし、セラミック誘電体との結合材と
して、Ａｇの金属レジネートに対し、Ｓｉの金属レジネ
ートを１０重量％（金属成分として０．１５重量％）、
Ｂｉの金属レジネートを６重量％（金属成分として０．
１８重量％）、Ｃａの金属レジネートを４重量％（金属
成分として０．０４重量％）各々添加したこと以外は、
実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを製造
し、同様に諸特性を測定し、結果を表１に示した。
【００４３】比較例２ Ａｇ金属粉末７５重量部、この金属粉末に対して１０重
量％のホウイ酸鉛系のガラスフリットに、エチルセルロ
ース、ブチルカルビトール及びテルピネオールを含む有
機ビヒクルを混練して全体を１００重量部として導電性
ペーストを調製した。この導電性ペーストを用いたこと
以外は実施例１と同様にして外部電極を形成し、同様に
積層セラミックコンデンサを製造して諸特性を測定し、
結果を表１に示した。
量％のホウイ酸鉛系のガラスフリットに、エチルセルロ
ース、ブチルカルビトール及びテルピネオールを含む有
機ビヒクルを混練して全体を１００重量部として導電性
ペーストを調製した。この導電性ペーストを用いたこと
以外は実施例１と同様にして外部電極を形成し、同様に
積層セラミックコンデンサを製造して諸特性を測定し、
結果を表１に示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】表１に示す結果から、次のことが明らかで
ある。即ち、金属レジネートからなる導電性ペーストで
外部電極を形成した実施例１の積層セラミックコンデン
サは、電気的特性、耐湿負荷試験及び高温負荷試験にお
いて不良がない。また、温度サイクル試験においても不
良が皆無である。この実施例１では、従来品の比較例２
に対して、信頼性において優れた値を示すことが判明し
た。ただし、引張強度が比較例２に比べ低いが、実使用
上の問題はない。なお、比較例１では、電極厚みが薄く
なり、膜が均一に形成されないため、電気的特性、信頼
性の低下が見られる。
ある。即ち、金属レジネートからなる導電性ペーストで
外部電極を形成した実施例１の積層セラミックコンデン
サは、電気的特性、耐湿負荷試験及び高温負荷試験にお
いて不良がない。また、温度サイクル試験においても不
良が皆無である。この実施例１では、従来品の比較例２
に対して、信頼性において優れた値を示すことが判明し
た。ただし、引張強度が比較例２に比べ低いが、実使用
上の問題はない。なお、比較例１では、電極厚みが薄く
なり、膜が均一に形成されないため、電気的特性、信頼
性の低下が見られる。
【００４６】上記実施例の説明は、積層セラミックコン
デンサについて行ったが、本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等の積層セラミック電子部品以外の他のセラミ
ック電子部品にも適用し得るものである。即ち、内部電
極が存在しないセラミック電子部品においても外部電極
表面に電解メッキによりメッキ層を形成させる場合に
は、本発明のチップ型電子部品の外部電極を適用するこ
とにより、信頼性に高いチップ型電子部品を製造するこ
とができる。
デンサについて行ったが、本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等の積層セラミック電子部品以外の他のセラミ
ック電子部品にも適用し得るものである。即ち、内部電
極が存在しないセラミック電子部品においても外部電極
表面に電解メッキによりメッキ層を形成させる場合に
は、本発明のチップ型電子部品の外部電極を適用するこ
とにより、信頼性に高いチップ型電子部品を製造するこ
とができる。
【００４７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品の外部電極によれば、外部電極を金属レジネート
を含む導電性ペーストで形成することにより、緻密で耐
メッキ液性が高く、しかも薄膜の外部電極を形成するこ
とが可能となり、電気的特性、信頼性、機械的特性に優
れたチップ型電子部品の外部電極を提供することができ
る。
子部品の外部電極によれば、外部電極を金属レジネート
を含む導電性ペーストで形成することにより、緻密で耐
メッキ液性が高く、しかも薄膜の外部電極を形成するこ
とが可能となり、電気的特性、信頼性、機械的特性に優
れたチップ型電子部品の外部電極を提供することができ
る。
【図１】本発明のチップ型電子部品の外部電極の一実施
例を示す積層セラミックコンデンサの断面図である。
例を示す積層セラミックコンデンサの断面図である。
１ 内部電極 ２ セラミック誘電体 ３ ベアチップ ４ 外部電極 ５ Ｎｉメッキ皮膜 ６ Ｓｎ／Ｐｂメッキ皮膜 １０ 積層セラミックコンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 4/30 ３１１ Ｈ０１Ｆ 15/10 Ｃ // Ｈ０１Ｃ 1/148 Ｈ０１Ｇ 1/14 Ｖ
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミック焼結体からなるベアチップの
表面に接する外部電極において、該外部電極は、金属レ
ジネートを有機バインダ及び有機溶剤に分散させてなる
導電性ペーストで形成されていることを特徴とするチッ
プ型電子部品の外部電極。 - 【請求項２】 請求項１において、導電性ペースト中の
金属成分が、Ａｇ，Ｐｄ及びＰｔよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上の第１の金属成分と、Ｓｉ，Ｃａ及
びＢｉよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の第２
の金属成分とで構成されることを特徴とするチップ型電
子部品の外部電極。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該導電性ペー
スト中の第１の金属成分の含有率が５〜２５重量％であ
ることを特徴とするチップ型電子部品の外部電極。 - 【請求項４】 請求項３において、該導電性ペースト中
の、第２の金属成分を含む金属レジネートの含有率が、
第１の金属成分を含む金属レジネートに対して１０〜３
０重量％であることを特徴とするチップ型電子部品の外
部電極。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、該外部電極上に、Ｎｉメッキ層と、Ｓｎ又はＳｎ／
Ｐｂメッキ層との２層のメッキ電極層が形成されている
ことを特徴とするチップ型電子部品の外部電極。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、セラミック焼結体が鉛系ペロブスカイトを主成分と
するセラミック誘電体よりなることを特徴とするチップ
型電子部品の外部電極。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
て、チップ型電子部品が積層セラミックコンデンサであ
ることを特徴とするチップ型電子部品の外部電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074229A JPH09266129A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | チップ型電子部品の外部電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8074229A JPH09266129A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | チップ型電子部品の外部電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266129A true JPH09266129A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13541146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8074229A Withdrawn JPH09266129A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | チップ型電子部品の外部電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266129A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010206135A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| KR20150053979A (ko) | 2012-10-09 | 2015-05-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| US9812258B2 (en) | 2012-03-19 | 2017-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
| US10008326B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having an inorganic matter at an interface between an external electrode and the ceramic body |
| WO2023002889A1 (ja) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | 京セラ株式会社 | 電極形成用導電性組成物 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP8074229A patent/JPH09266129A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010206135A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| US9812258B2 (en) | 2012-03-19 | 2017-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
| KR20150053979A (ko) | 2012-10-09 | 2015-05-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| US9620290B2 (en) | 2012-10-09 | 2017-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component and method for manufacturing the same |
| US9831037B2 (en) | 2012-10-09 | 2017-11-28 | Murata Manufaturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic electronic component and method for manufacturing the same |
| US10008326B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-06-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having an inorganic matter at an interface between an external electrode and the ceramic body |
| US10522287B2 (en) | 2013-09-27 | 2019-12-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component having inorganic matter at an interface between an external electrode and the ceramic body |
| WO2023002889A1 (ja) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | 京セラ株式会社 | 電極形成用導電性組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |