JP3419321B2 - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3419321B2 JP3419321B2 JP26963398A JP26963398A JP3419321B2 JP 3419321 B2 JP3419321 B2 JP 3419321B2 JP 26963398 A JP26963398 A JP 26963398A JP 26963398 A JP26963398 A JP 26963398A JP 3419321 B2 JP3419321 B2 JP 3419321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- electronic component
- glass frit
- conductive film
- maximum temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/22—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions containing two or more distinct frits having different compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
部品およびその製造方法に関するもので、特に、外表面
上に導電性組成物を用いて導電膜を焼付けにより形成し
たセラミック電子部品およびその製造方法に関するもの
である。
部端子電極のような、セラミック電子部品の外表面上の
導電膜を形成するため、通常、固形成分として、金属粉
末およびガラスフリットを含み、これに適当な粘性や塗
布性等を与えるためのバインダおよび溶剤等を含むビヒ
クル成分を添加した、導電性組成物としての導電性ペー
ストが用いられ、この導電性ペーストを電子部品本体の
外表面上の所望の領域に付与し焼付けることにより、導
電膜が形成される。
ラミック電子部品の場合、導電膜を形成すべき電子部品
本体は、導電膜に電気的に接続されるように一部におい
て露出する内部導体を内部に形成している。したがっ
て、導電膜を形成するため、導電性ペーストは、内部導
体に接触するように付与され、これを焼付けることによ
り導電性ペーストに含まれる金属と内部導体との間での
電気的接続が達成される。
組成物に含まれるガラスフリットに注目したとき、少な
くとも焼付け時の最高温度で溶融状態になるような軟化
点の比較的低いガラスフリットを用いる第1の場合と、
焼付け時の最高温度で結晶化状態を維持し得るような軟
化点の比較的高いガラスフリットを用いる第2の場合と
がある。
的低い軟化点を有するガラスフリットを用いる第1の場
合には、焼付け工程において、ガラス成分が比較的早い
段階で軟化する。したがって、内部導体にニッケルのよ
うな卑金属が用いられても、このような卑金属が酸化さ
れない間に、導電性組成物に含まれる金属と内部導体と
が合金化し、導電性組成物によって形成された導電膜と
内部導体との間で良好な電気的接続状態が達成される。
付け時の最高温度を高くすると、形成された導電膜の表
面にガラス成分が染み出し、この導電膜上に表面処理と
してめっきを施した場合、めっき膜の均一な付着が阻害
されることがある。
導電性組成物に含まれる金属粉末の焼結が十分に進ま
ず、ポーラスな状態となったりして、上述のようなめっ
き処理において、めっき液がセラミックをもって構成さ
れる電子部品本体中へ浸入し、たとえば絶縁抵抗の劣化
をもたらすことがある。
最高温度で結晶化状態を維持し得るガラスフリットを用
いる第2の場合には、焼付け時においてガラス成分が溶
融しないので、たとえば、導電性組成物を付与する前の
電子部品本体に対して研磨を施したりして、内部導体を
十分に露出させておかなければ、導電性組成物に含まれ
る金属と内部導体との間で良好な接続が達成されないこ
とがある。
焼付け工程において、導電性組成物に含まれるガラス成
分が溶融しないまま内部導体が酸化されることがあるの
で、導電性組成物に含まれる金属と内部導体との間での
良好な接続がさらに困難になる。
な問題を解決し得る、セラミック電子部品およびその製
造方法を提供しようとすることである。
の電子部品本体の外表面上に焼付けにより形成された導
電膜を備え、電子部品本体は、導電膜に電気的に接続さ
れる卑金属からなる内部導体を内部に形成している、セ
ラミック電子部品に向けられる。
導電膜は、金属およびガラスを含む焼結体からなり、ガ
ラスは、少なくとも焼付け時の最高温度で溶融状態にな
る第1のガラスと、焼付け時の最高温度で結晶化状態を
維持し得る第2のガラスとを含み、第1のガラスは、焼
付け時の最高温度に対して100℃下回る温度以下の軟
化点を有し、ガラス合計量に対する第1のガラスの含有
量は、25〜90重量%の範囲内あり、ガラス合計量
は、導電膜において3〜10重量%の範囲内で含有して
いることを特徴としている。
品本体およびこの電子部品本体の外表面上に焼付けによ
り形成された導電膜を備え、電子部品本体は、導電膜に
電気的に接続される卑金属からなる内部導体を内部に形
成している、セラミック電子部品を製造する方法にも向
けられる。
方法は、電子部品本体を用意するとともに、導電膜を与
えるための導電性組成物を用意する工程とをまず備え
る。この導電性組成物は、固形成分として、金属粉末お
よびガラスフリットを含み、ガラスフリットとして、少
なくとも焼付け時の最高温度で溶融状態になる第1のガ
ラスフリットと、焼付け時の最高温度で結晶化状態を維
持し得る第2のガラスフリットとを含み、第1のガラス
フリットは、焼付け時の最高温度に対して100℃下回
る温度以下の軟化点を有し、ガラスフリット合計量に対
する第1のガラスフリットの含有量は、25〜90重量
%の範囲内にあり、ガラスフリット合計量は、固形成分
量に対して3〜10重量%の範囲内にある、そのような
導電性組成物である。そして、内部導体に接触させるよ
うに電子部品本体の外表面上に導電性組成物を付与する
工程と、次いで、導電性組成物を、第1のガラスフリッ
トの軟化点を100℃以上上回りかつ第2のガラスフリ
ットが結晶化状態を維持し得る最高温度で焼付ける工程
とを備えることを特徴としている。
る金属粉末を構成する金属あるいはセラミック電子部品
の導電膜を与える焼結体に含まれる金属は、好ましく
は、たとえば銅または銀のような金属である。
B−Si系ガラスからなるガラスフリットとSi−B系
ガラスからなるガラスフリットとをそれぞれ用意し、種
々の混合比でこれらを混合した。
軟化点を有するものであり、Si−B系ガラスは、45
0〜850℃の温度範囲内で結晶化状態となるものであ
る。
て混合されたガラスフリットをそれぞれ用いて、以下の
ようにして、導電性組成物としての導電性ペーストを作
製した。すなわち、表1に示すように混合された全ガラ
スフリット5重量%に対して、銅粉末を75重量%の比
率で加え、これら固形成分に対して、さらに有機ビヒク
ルを20重量%の比率で加えたものを、3本ロールにて
混錬することによって、各試料に係る導電性ペーストを
作製した。
平面寸法が2.0mm×1.2mmおよび静電容量の規
格値が1μFとされ、ニッケルからなる内部導体を備え
る、積層セラミックコンデンサのためのコンデンサ本体
の外表面上に塗布し焼付けることによって、外部端子電
極となる導電膜を形成した。ここで、焼付け工程は、窒
素雰囲気(酸素濃度50ppm)中において、800℃
の最高温度を5分間保持するようにして実施した。
面処理として、ニッケルめっきおよび錫めっきを順次施
し、厚さ1μmのニッケルめっき膜およびその上に厚さ
2μmの錫めっき膜を形成した。
係る積層セラミックコンデンサについて、静電容量の測
定、耐湿負荷試験およびめっき膜付着性の評価を行なっ
た。耐湿負荷試験については、85℃の温度および85
%の相対湿度の下で、1WVを1000時間印加した
後、絶縁抵抗を測定し、試料数100個中において絶縁
抵抗が劣化した試料数を求めた。また、めっき膜付着性
については、外部端子電極の全面積に対するめっき膜の
付着した面積を求め、これをめっき付着面積率として評
価した。これらの特性評価結果が以下の表2に示されて
いる。
て、ガラスフリット合計量に対するZn−B−Si系ガ
ラスフリットの含有量が25〜90重量%に範囲内にあ
る試料2〜5によれば、表2に示すように、静電容量に
ついては、ほぼ目的値が達成されているばかりでなく、
耐湿負荷試験については、絶縁抵抗の劣化がなく、ま
た、めっき付着面積率については、100%を達成して
いる。このことから、外部端子電極と内部導体との間に
おいて良好な電気的接続が達成され、また、外部端子電
極を通してのめっき液の浸透が実質的になく、さらに、
良好なめっき膜付着性を与えていることがわかる。
するZn−B−Si系ガラスフリットの含有量が90重
量%を超える試料1では、耐湿負荷試験において、絶縁
抵抗が劣化する傾向が認められる。
n−B−Si系ガラスフリットの含有量が25重量%未
満である試料6によれば、めっき膜付着性が劣化する傾
向が認められる。
る、金属粉末およびガラスフリットを含む固形成分中で
のガラスフリットの含有量の好ましい範囲を求めるた
め、次のような実験を行なった。
用いた軟化点600℃のZn−B−Si系ガラスからな
るガラスフリットを用意するとともに、550〜100
0℃の温度範囲で結晶化状態となるBa−Si系ガラス
からなるガラスフリットを用意した。
%ずつ混合したものをガラスフリットとして用い、以下
の表3に示すように、種々の混合比でガラスフリットと
銅粉末とを混合するとともに、これら混合物80重量%
に対して、有機ビヒクルを20重量の割合で混合し、実
験例1と同様の方法により、導電性組成物としての導電
性ペーストを作製した。
よびめっき処理を行ない、同様の積層セラミックコンデ
ンサを得た。
セラミックコンデンサについて、実験例1と同様の方法
により、特性を評価した。この特性評価結果が以下の表
4に示されている。
分量に対して3〜10重量%の範囲内にある、試料12
〜14によれば、表4に示すように、静電容量について
は、ほぼ目的値を達成し、また、耐湿負荷試験について
は、絶縁抵抗が劣化するものがなく、さらに、めっき付
着面積率についても、100%を達成している。このこ
とから、ガラスフリット合計量を、固形成分量に対して
3〜10重量%の範囲内に設定することにより、外部端
子電極と内部導体との間で良好な電気的接続が達成さ
れ、また、外部端子電極を通してのめっき液の浸透がな
く、さらに、良好なめっき膜付着性を示すことがわか
る。
固形成分量に対して3重量%未満である試料11によれ
ば、耐湿負荷試験において、絶縁抵抗が劣化する傾向が
認められる。
量に対して10重量%を超える、試料15によれば、め
っき膜付着性において劣化する傾向が認められる。
づいて説明したが、この発明の範囲内において、その
他、種々の実施の形態が可能である。
ーストが銅粉末を含み、これによって形成される導電膜
としての外部端子電極は、銅を含むものであり、他方、
内部導体はニッケルを含むものであったが、このような
導電性ペーストあるいは外部端子電極に含まれる金属と
内部導体に含まれる金属との組み合わせは、互いに合金
化するものであればよく、種々の組み合わせを適用する
ことができる。すなわち、導電性ペーストおよび外部端
子電極に含まれる金属、あるいは内部導体に含まれる金
属は、実験例のように、両者とも卑金属である必要はな
く、卑金属と貴金属との組み合わせであってよい。
いて特徴となる導電性組成物によって形成される導電膜
は、積層セラミックコンデンサの外部端子電極であった
が、この導電性組成物は、他の積層セラミック電子部品
の電子部品本体の外表面上に導電膜を焼付けにより形成
するために用いられてもよい。
膜中のガラスまたは導電性組成物中のガラスフリットと
して、少なくとも焼付け時の最高温度で溶融状態になる
第1のガラスまたはガラスフリットと、焼付け時の最高
温度で結晶化状態を維持し得る第2のガラスまたはガラ
スフリットとを含んでいるので、第1のガラスまたはガ
ラスフリットのみまたは第2のガラスまたはガラスフリ
ットのみを含んでいる場合の各欠点を互いに他のガラス
またはガラスフリットによって補いながら、第1のガラ
スまたはガラスフリットによる、導電膜の焼結および導
電膜中の金属と内部導体との拡散接合をそれぞれ促進す
る効果と、第2のガラスまたはガラスフリットによる、
焼付け時のガラスの過剰な流動および導電膜表面への染
み出しをそれぞれ抑制する効果との双方を奏することが
できる。
電膜を焼付けにより形成することができるとともに、こ
の導電膜と内部導体との間で信頼性の高い電気的接続状
態を達成することができ、また、必要に応じて導電膜上
にめっき膜を良好に形成することができる。
トが、焼付け時の最高温度に対して100℃下回る温度
以下の軟化点を有していること、ガラス合計量またはガ
ラスフリット合計量に対する第1のガラスまたはガラス
フリットの含有量が、25〜90重量%の範囲内にある
こと、ならびに、ガラス合計量またはガラスフリット合
計量が、導電性組成物中の金属粉末をも含めた固形成分
量に対して3〜10重量%の範囲内にあることは、それ
ぞれ、上述したような第1および第2のガラスまたはガ
ラスフリットによる効果を確実に発揮させることを可能
にするものである。
導電性組成物中の金属粉末が銅または銀からなる場合、
導電性組成物によって形成される導電膜に接続される積
層セラミック電子部品の内部導体が卑金属からなること
から、焼付け工程において、これら銅または銀あるいは
卑金属が酸化されやすいので、この発明による、導電膜
の焼結および導電膜中の金属と内部導体との拡散接合を
それぞれ促進する効果が特に有効となる。
Claims (3)
- 【請求項1】 電子部品本体および前記電子部品本体の
外表面上に焼付けにより形成された導電膜を備え、前記
電子部品本体は、前記導電膜に電気的に接続される卑金
属からなる内部導体を内部に形成している、セラミック
電子部品であって、 前記導電膜は、金属およびガラスを含む焼結体からな
り、 前記ガラスは、少なくとも焼付け時の最高温度で溶融状
態になる第1のガラスと、焼付け時の最高温度で結晶化
状態を維持し得る第2のガラスとを含み、 前記第1のガラスは、焼付け時の最高温度に対して10
0℃下回る温度以下の軟化点を有し、 前記ガラス合計量に対する前記第1のガラスの含有量
は、25〜90重量%の範囲内にあり、 前記ガラス合計量は、前記導電膜において3〜10重量
%の範囲内で含有している、 セラミック電子部品。 - 【請求項2】 前記金属は銅または銀である、請求項1
に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項3】 電子部品本体および前記電子部品本体の
外表面上に焼付けにより形成された導電膜を備え、前記
電子部品本体は、前記導電膜に電気的に接続されるよう
に一部において露出する卑金属からなる内部導体を内部
に形成している、セラミック電子部品の製造方法であっ
て、 前記電子部品本体を用意するとともに、 前記導電膜を与えるため、固形成分として、金属粉末お
よびガラスフリットを含み、前記ガラスフリットとし
て、少なくとも焼付け時の最高温度で溶融状態になる第
1のガラスフリットと、焼付け時の最高温度で結晶化状
態を維持し得る第2のガラスフリットとを含み、前記第
1のガラスフリットは、焼付け時の最高温度に対して1
00℃下回る温度以下の軟化点を有し、前記ガラスフリ
ット合計量に対する前記第1のガラスフリットの含有量
は、25〜90重量%の範囲内にあり、前記ガラスフリ
ット合計量は、前記固形成分量に対して3〜10重量%
の範 囲内にある、そのような導電性組成物を用意し、前記内部導体に接触させるように 前記電子部品本体の外
表面上に前記導電性組成物を付与し、次いで、 前記導電性組成物を、前記第1のガラスフリットの軟化
点を100℃以上上回りかつ前記第2のガラスフリット
が結晶化状態を維持し得る最高温度で焼き付ける、 各工程を備える、セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26963398A JP3419321B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
SG1999004422A SG118059A1 (en) | 1998-09-24 | 1999-09-07 | Electrically conductive composition ceramic electronic component and method for producing the component |
US09/396,616 US6348426B1 (en) | 1998-09-24 | 1999-09-15 | Electrically conductive composition, ceramic electronic component, and method for producing the component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26963398A JP3419321B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000100247A JP2000100247A (ja) | 2000-04-07 |
JP3419321B2 true JP3419321B2 (ja) | 2003-06-23 |
Family
ID=17475078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26963398A Expired - Lifetime JP3419321B2 (ja) | 1998-09-24 | 1998-09-24 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6348426B1 (ja) |
JP (1) | JP3419321B2 (ja) |
SG (1) | SG118059A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW507484B (en) * | 2000-03-15 | 2002-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing multi-layer ceramic circuit board and conductive paste used for the same |
US7138347B2 (en) | 2003-08-14 | 2006-11-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick-film conductor paste for automotive glass |
KR20060061380A (ko) * | 2003-11-14 | 2006-06-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 도전성 페이스트 및 다층 세라믹 기판 |
DE112005001527B4 (de) * | 2004-07-06 | 2019-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elektrisch leitfähige Paste und eine elektrisch leitfähige Paste aufweisendes keramisches Elektronikbauelment |
US8383011B2 (en) * | 2008-01-30 | 2013-02-26 | Basf Se | Conductive inks with metallo-organic modifiers |
US8308993B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-11-13 | Basf Se | Conductive inks |
US7736546B2 (en) * | 2008-01-30 | 2010-06-15 | Basf Se | Glass frits |
KR20120078109A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 |
KR101896740B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2018-09-07 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 은 태양 전지 접점 |
KR101786148B1 (ko) | 2013-05-23 | 2017-10-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5302557A (en) * | 1991-12-03 | 1994-04-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Automotive glass thick film conductor paste |
JPH05174614A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線電極ペースト及び電子部品の製造方法 |
JPH0660715A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 |
-
1998
- 1998-09-24 JP JP26963398A patent/JP3419321B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-07 SG SG1999004422A patent/SG118059A1/en unknown
- 1999-09-15 US US09/396,616 patent/US6348426B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG118059A1 (en) | 2006-01-27 |
US6348426B1 (en) | 2002-02-19 |
JP2000100247A (ja) | 2000-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3419321B2 (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
JP2002290011A (ja) | 厚膜回路基板及びその製造方法 | |
JP2001110232A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック電子部品 | |
JP3018866B2 (ja) | 積層電子部品の外部電極用卑金属組成物 | |
JP2973558B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
JPH0616461B2 (ja) | チップ型積層磁器コンデンサ | |
JP3257036B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
JPH09190950A (ja) | 電子部品の外部電極 | |
JPH02150010A (ja) | 積層磁器コンデンサ | |
JPH08330173A (ja) | 積層セラミックコンデンサならびにその製造方法 | |
JPH10163067A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JP2006332284A (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
JPH0897527A (ja) | 導電性ペースト | |
JP2996016B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
JPH08298018A (ja) | 導電性ペースト | |
JP3318299B2 (ja) | Pbフリー低温焼成型導電塗料 | |
JPH09115772A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JP3376717B2 (ja) | 電子部品の外部電極用導電性組成物およびそれを用いて形成されるセラミック電子部品 | |
JP3405131B2 (ja) | 電子部品 | |
JPH02150007A (ja) | 積層磁器コンデンサ | |
JPH09266129A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JP3123310B2 (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
JPH0652721A (ja) | 導電体 | |
JP3079930B2 (ja) | 磁器コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100418 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110418 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120418 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130418 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140418 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |