JPH0660715A - 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 - Google Patents
導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法Info
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- JPH0660715A JPH0660715A JP23316492A JP23316492A JPH0660715A JP H0660715 A JPH0660715 A JP H0660715A JP 23316492 A JP23316492 A JP 23316492A JP 23316492 A JP23316492 A JP 23316492A JP H0660715 A JPH0660715 A JP H0660715A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック電子部品素子との接着力が大き
く、かつ良好な半田付け性を有する厚膜電極を形成する
ことが可能な導電ペースト及びそれを用いたセラミック
電子部品の電極形成方法を提供する。 【構成】 導電粉末１００重量部と、軟化点が異なるガ
ラスフリットを組み合わせた複合ガラスフリット１〜３
０重量部とを含有させるとともに、複合ガラスフリット
の１０〜８０重量％を占めるガラスフリットＧ1の軟化
点Ｔ1を、残部のガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よりも
５０℃以上高くする。セラミック電子部品素子に、上記
の導電ペーストを塗布し、ガラスフリットＧ 2の軟化点
Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成を行うことにより下層
側電極層を形成した後、その上にガラスフリットを含有
しない導電ペーストを塗布し、Ｔ3より低い焼成温度Ｔ4
で焼成を行うことにより上層側電極層を形成する。
く、かつ良好な半田付け性を有する厚膜電極を形成する
ことが可能な導電ペースト及びそれを用いたセラミック
電子部品の電極形成方法を提供する。 【構成】 導電粉末１００重量部と、軟化点が異なるガ
ラスフリットを組み合わせた複合ガラスフリット１〜３
０重量部とを含有させるとともに、複合ガラスフリット
の１０〜８０重量％を占めるガラスフリットＧ1の軟化
点Ｔ1を、残部のガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よりも
５０℃以上高くする。セラミック電子部品素子に、上記
の導電ペーストを塗布し、ガラスフリットＧ 2の軟化点
Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成を行うことにより下層
側電極層を形成した後、その上にガラスフリットを含有
しない導電ペーストを塗布し、Ｔ3より低い焼成温度Ｔ4
で焼成を行うことにより上層側電極層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、導電ペースト及び該
導電ペーストを用いたセラミックコンデンサなどのセラ
ミック電子部品の電極形成方法に関する。
導電ペーストを用いたセラミックコンデンサなどのセラ
ミック電子部品の電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックコンデンサ素子などのセラミ
ック電子部品素子に、例えば端子電極などの電極を形成
する場合、従来は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金などからなる
導電粉末（例えば、１００重量部）と、セラミック（電
子部品素子）と電極間の接着力を得るための１種または
２種以上のガラスフリット（例えば、１〜３０重量部）
とを含有してなる導電ペーストを、セラミック電子部品
素子に塗布した後、ガラスフリットの軟化点以上の温度
で焼成を行うことにより下層側電極層を形成し、さら
に、下層側電極層上にガラスフリットを含有しない導電
ペーストを塗布し、下層側電極層の焼成温度より低い温
度で焼成することにより上層側電極層を形成する方法が
広く使用されている。
ック電子部品素子に、例えば端子電極などの電極を形成
する場合、従来は、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ合金などからなる
導電粉末（例えば、１００重量部）と、セラミック（電
子部品素子）と電極間の接着力を得るための１種または
２種以上のガラスフリット（例えば、１〜３０重量部）
とを含有してなる導電ペーストを、セラミック電子部品
素子に塗布した後、ガラスフリットの軟化点以上の温度
で焼成を行うことにより下層側電極層を形成し、さら
に、下層側電極層上にガラスフリットを含有しない導電
ペーストを塗布し、下層側電極層の焼成温度より低い温
度で焼成することにより上層側電極層を形成する方法が
広く使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法では、ガラスフリットを含む下層側電極層上にガラス
フリットを含有しない導電ペーストを用いて上層側電極
層を形成しているにもかかわらず、上層側電極層の焼成
中に、下層側電極層と上層側電極層との間で、ガラス，
Ａｇ，Ｐｄなどの拡散が生じ、下層側電極層中に含まれ
るガラスフリットが軟化して上層側電極層に移動し、そ
の表面に露出する。
法では、ガラスフリットを含む下層側電極層上にガラス
フリットを含有しない導電ペーストを用いて上層側電極
層を形成しているにもかかわらず、上層側電極層の焼成
中に、下層側電極層と上層側電極層との間で、ガラス，
Ａｇ，Ｐｄなどの拡散が生じ、下層側電極層中に含まれ
るガラスフリットが軟化して上層側電極層に移動し、そ
の表面に露出する。
【０００４】その結果、上層側電極層表面の半田濡れ性
が低下し、実装工程における半田付けの信頼性が低下す
るという問題点がある。
が低下し、実装工程における半田付けの信頼性が低下す
るという問題点がある。
【０００５】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、セラミック電子部品素子との接着力が大きく、か
つ良好な半田付け性を有する厚膜電極を形成することが
可能な導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部
品の電極形成方法を提供することを目的とする。
あり、セラミック電子部品素子との接着力が大きく、か
つ良好な半田付け性を有する厚膜電極を形成することが
可能な導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部
品の電極形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の導電ペーストは、金属などの導電性材料
からなる導電粉末１００重量部と、軟化点の異なるガラ
スフリットを組み合せた複合ガラスフリット１〜３０重
量部とを含有するとともに、前記複合ガラスフリット
が、その１０〜８０重量％を占めるガラスフリットＧ1
と、残部のガラスフリットＧ2からなり、かつ、ガラス
フリットＧ1の軟化点Ｔ1がガラスフリットＧ2の軟化点
Ｔ2よりも５０℃以上高いことを特徴とする。
に、本願発明の導電ペーストは、金属などの導電性材料
からなる導電粉末１００重量部と、軟化点の異なるガラ
スフリットを組み合せた複合ガラスフリット１〜３０重
量部とを含有するとともに、前記複合ガラスフリット
が、その１０〜８０重量％を占めるガラスフリットＧ1
と、残部のガラスフリットＧ2からなり、かつ、ガラス
フリットＧ1の軟化点Ｔ1がガラスフリットＧ2の軟化点
Ｔ2よりも５０℃以上高いことを特徴とする。
【０００７】また、本願発明のセラミック電子部品の電
極形成方法は、セラミック電子部品素子に、請求項１記
載の導電ペーストを塗布し、前記ガラスフリットＧ2の
軟化点Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成を行うことによ
り下層側電極層を形成した後、前記下層側電極層上にガ
ラスフリットを含有しない導電ペーストを塗布し、Ｔ 3
より低い焼成温度Ｔ4で焼成を行うことにより上層側電
極層を形成することを特徴とする。
極形成方法は、セラミック電子部品素子に、請求項１記
載の導電ペーストを塗布し、前記ガラスフリットＧ2の
軟化点Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成を行うことによ
り下層側電極層を形成した後、前記下層側電極層上にガ
ラスフリットを含有しない導電ペーストを塗布し、Ｔ 3
より低い焼成温度Ｔ4で焼成を行うことにより上層側電
極層を形成することを特徴とする。
【０００８】本願発明の導電ペーストを用いて電極を形
成する場合、該導電ペーストをセラミック電子部品素子
に塗布して上記残部のガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よ
りも高い焼成温度Ｔ3で焼成・焼付けを行うことにより
下層側電極層が形成されるが、この場合、軟化点
（Ｔ2）の低い上記残部のガラスフリットＧ2が軟化、流
動し、セラミック電子部品素子との接着力の向上に寄与
する。そして、ガラスフリットＧ2の軟化、流動が進行
すると、複合ガラスフリットの１０〜８０重量％を占め
る軟化点（Ｔ1）の高いガラスフリットＧ1と溶け合い、
全体として、前記Ｔ2よりも軟化点の高いガラスとな
り、それ以後の過剰な流動が抑制される。
成する場合、該導電ペーストをセラミック電子部品素子
に塗布して上記残部のガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よ
りも高い焼成温度Ｔ3で焼成・焼付けを行うことにより
下層側電極層が形成されるが、この場合、軟化点
（Ｔ2）の低い上記残部のガラスフリットＧ2が軟化、流
動し、セラミック電子部品素子との接着力の向上に寄与
する。そして、ガラスフリットＧ2の軟化、流動が進行
すると、複合ガラスフリットの１０〜８０重量％を占め
る軟化点（Ｔ1）の高いガラスフリットＧ1と溶け合い、
全体として、前記Ｔ2よりも軟化点の高いガラスとな
り、それ以後の過剰な流動が抑制される。
【０００９】また、上層側電極層の焼成は、下層側電極
層の焼成温度Ｔ3より低い焼成温度Ｔ4で行われるため、
ガラス成分が上層側電極層へ移動することが少なく、最
終的に電極表面（すなわち上層側電極層の表面）に移
動、露出するガラスの量は非常に少なくなり、半田付け
性が向上する。
層の焼成温度Ｔ3より低い焼成温度Ｔ4で行われるため、
ガラス成分が上層側電極層へ移動することが少なく、最
終的に電極表面（すなわち上層側電極層の表面）に移
動、露出するガラスの量は非常に少なくなり、半田付け
性が向上する。
【００１０】なお、本願発明の導電ペーストにおいて、
複合ガラスフリットを構成する軟化点が高い方のガラス
フリットＧ1と、残部の軟化点が低い方のガラスフリッ
トＧ2の割合は、Ｇ1が１０〜８０重量％（Ｇ2が残部の
９０〜２０重量％）の範囲にあることが好ましいが、こ
れは、Ｇ1の割合が１０重量％未満になる（すなわちＧ2
が９０重量％を越える）と、ガラスフリットの流動が過
剰になるばかりでなく、ガラス成分がセラミック（電子
部品素子）に浸透して特性を劣化させるなどの問題が生
じ、また、Ｇ1が８０重量％を越える（Ｇ2が２０重量％
未満になる）と、電極のセラミックへの接着力が低下す
るなどの問題が生じることによる。
複合ガラスフリットを構成する軟化点が高い方のガラス
フリットＧ1と、残部の軟化点が低い方のガラスフリッ
トＧ2の割合は、Ｇ1が１０〜８０重量％（Ｇ2が残部の
９０〜２０重量％）の範囲にあることが好ましいが、こ
れは、Ｇ1の割合が１０重量％未満になる（すなわちＧ2
が９０重量％を越える）と、ガラスフリットの流動が過
剰になるばかりでなく、ガラス成分がセラミック（電子
部品素子）に浸透して特性を劣化させるなどの問題が生
じ、また、Ｇ1が８０重量％を越える（Ｇ2が２０重量％
未満になる）と、電極のセラミックへの接着力が低下す
るなどの問題が生じることによる。
【００１１】また、導電粉末と複合ガラスフリットの配
合割合は、導電粉末１００重量部に対して複合ガラスフ
リットが１〜３０重量部の範囲にあることが好ましい
が、これは、ガラスフリットの割合が１重量部未満にな
ると電極のセラミック（電子部品素子）への接着力が低
下するなどの問題が生じ、また、３０重量部を越える
と、電極の特性が劣化したり、ガラス成分がセラミック
に浸透してその特性を劣化させるなどの問題が生じるこ
とによる。
合割合は、導電粉末１００重量部に対して複合ガラスフ
リットが１〜３０重量部の範囲にあることが好ましい
が、これは、ガラスフリットの割合が１重量部未満にな
ると電極のセラミック（電子部品素子）への接着力が低
下するなどの問題が生じ、また、３０重量部を越える
と、電極の特性が劣化したり、ガラス成分がセラミック
に浸透してその特性を劣化させるなどの問題が生じるこ
とによる。
【００１２】また、複合ガラスフリットの１０〜８０重
量％を占めるガラスフリットＧ1の軟化点Ｔ1は、残部の
ガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よりも５０℃以上高いこ
とが好ましいが、これは、軟化点Ｔ1とＴ2の差が５０℃
未満の場合には、焼成工程において、まず、軟化点の低
いガラスフリットＧ2が軟化してセラミック（電子部品
素子）と強固に接着し、その後、軟化点の高いガラスフ
リットＧ1と溶け合い、全体として、ガラスフリットＧ2
の軟化点Ｔ2よりも軟化点の高いガラスとなり、それ以
後の過剰な流動を抑制するという、本願発明の本質的な
機能が損われることによる。
量％を占めるガラスフリットＧ1の軟化点Ｔ1は、残部の
ガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よりも５０℃以上高いこ
とが好ましいが、これは、軟化点Ｔ1とＴ2の差が５０℃
未満の場合には、焼成工程において、まず、軟化点の低
いガラスフリットＧ2が軟化してセラミック（電子部品
素子）と強固に接着し、その後、軟化点の高いガラスフ
リットＧ1と溶け合い、全体として、ガラスフリットＧ2
の軟化点Ｔ2よりも軟化点の高いガラスとなり、それ以
後の過剰な流動を抑制するという、本願発明の本質的な
機能が損われることによる。
【００１３】
【実施例】以下、本願発明の実施例を比較例とともに示
してその特徴をさらに詳しく説明する。
してその特徴をさらに詳しく説明する。
【００１４】まず、以下に示すように各原料を配合し
て、導電ペースト（実施例１，実施例２，実施例３，及
び比較例１，比較例２）を調製する。
て、導電ペースト（実施例１，実施例２，実施例３，及
び比較例１，比較例２）を調製する。
【００１５】［実施例１］まず、下記のような成分原料
（導電成分及びガラスフリットＧ1，Ｇ2）を用意する。 導電成分（Ａｇ−Ｐｄ粉末） 組成 ： Ａｇ：Ｐｄ＝９５：５（重量比） ガラスフリットＧ1（軟化点が高い方のガラスフリッ
ト） 組成 ： ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝５：１４：８
１（重量比） 軟化点 ： ７４０℃ ガラスフリットＧ2（軟化点が低い方のガラスフリッ
ト） 組成 ： ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3：Ｎ
ａ2Ｏ：Ｋ2Ｏ＝２０：４：７０：３：２：１（重量比） 軟化点 ： ６３０℃
（導電成分及びガラスフリットＧ1，Ｇ2）を用意する。 導電成分（Ａｇ−Ｐｄ粉末） 組成 ： Ａｇ：Ｐｄ＝９５：５（重量比） ガラスフリットＧ1（軟化点が高い方のガラスフリッ
ト） 組成 ： ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝５：１４：８
１（重量比） 軟化点 ： ７４０℃ ガラスフリットＧ2（軟化点が低い方のガラスフリッ
ト） 組成 ： ＰｂＯ：Ｂ2Ｏ3：ＳｉＯ2：Ａｌ2Ｏ3：Ｎ
ａ2Ｏ：Ｋ2Ｏ＝２０：４：７０：３：２：１（重量比） 軟化点 ： ６３０℃
【００１６】そして、上記ガラスフリットＧ1とガラス
フリットＧ2とを、ガラスフリットＧ 1１０重量％，ガラ
スフリットＧ2９０重量％の割合になるように配合して
複合ガラスフリットを調製し、上記導電成分１００重量
部とこの複合ガラスフリット５重量部とを、例えば、エ
チルセルロースをブチルセルソルブで溶解した有機ビヒ
クルの適量とともに混練して導電ペーストを調製する。
フリットＧ2とを、ガラスフリットＧ 1１０重量％，ガラ
スフリットＧ2９０重量％の割合になるように配合して
複合ガラスフリットを調製し、上記導電成分１００重量
部とこの複合ガラスフリット５重量部とを、例えば、エ
チルセルロースをブチルセルソルブで溶解した有機ビヒ
クルの適量とともに混練して導電ペーストを調製する。
【００１７】［実施例２］上記ガラスフリットＧ1とガ
ラスフリットＧ2を配合して、ガラスフリットＧ1４０重
量％，ガラスフリットＧ2６０重量％からなる複合ガラ
スフリットを調製し、上記導電成分１００重量部とこの
複合ガラスフリット５重量部とを、適量の有機ビヒクル
とともに混練して導電ペーストを調製する。
ラスフリットＧ2を配合して、ガラスフリットＧ1４０重
量％，ガラスフリットＧ2６０重量％からなる複合ガラ
スフリットを調製し、上記導電成分１００重量部とこの
複合ガラスフリット５重量部とを、適量の有機ビヒクル
とともに混練して導電ペーストを調製する。
【００１８】［実施例３］上記ガラスフリットＧ1とガ
ラスフリットＧ2を配合して、ガラスフリットＧ1８０重
量％，ガラスフリットＧ2２０重量％からなる複合ガラ
スフリットを調製し、上記導電成分１００重量部とこの
複合ガラスフリット５重量部とを、適量の有機ビヒクル
とともに混練して導電ペーストを調製する。
ラスフリットＧ2を配合して、ガラスフリットＧ1８０重
量％，ガラスフリットＧ2２０重量％からなる複合ガラ
スフリットを調製し、上記導電成分１００重量部とこの
複合ガラスフリット５重量部とを、適量の有機ビヒクル
とともに混練して導電ペーストを調製する。
【００１９】［比較例１］上記導電成分１００重量部と
ガラスフリットＧ2１００重量部とを、適量の有機ビヒ
クルとともに混練して導電ペーストを調製する。
ガラスフリットＧ2１００重量部とを、適量の有機ビヒ
クルとともに混練して導電ペーストを調製する。
【００２０】［比較例２］上記導電成分１００重量部と
ガラスフリットＧ1１００重量部とを、適量の有機ビヒ
クルとともに混練して導電ペーストを調製する。
ガラスフリットＧ1１００重量部とを、適量の有機ビヒ
クルとともに混練して導電ペーストを調製する。
【００２１】［電極の形成］次に、上記実施例及び比較
例にかかる導電ペーストを用いて、セラミックコンデン
サの端子電極を形成する方法について説明する。
例にかかる導電ペーストを用いて、セラミックコンデン
サの端子電極を形成する方法について説明する。
【００２２】まず、上記のようにして調製した各導電ペ
ーストを、ＢａＴｉＯ3系のセラミックを誘電体として
用いたセラミックコンデンサ素子（寸法：３．２mm×
１．６mm×１．２５mm）の両端部に塗布し、８００℃で
焼成して下層側電極層を形成する。それから、下層側電
極層上に、導電ペースト（Ａｇ粉末を有機ビヒクルの適
量とともに混練してなるガラスフリットを含有しない導
電ペースト）を塗布し、６５０℃で焼成して上層側電極
層を形成することによりセラミックコンデンサの端子電
極を形成する。
ーストを、ＢａＴｉＯ3系のセラミックを誘電体として
用いたセラミックコンデンサ素子（寸法：３．２mm×
１．６mm×１．２５mm）の両端部に塗布し、８００℃で
焼成して下層側電極層を形成する。それから、下層側電
極層上に、導電ペースト（Ａｇ粉末を有機ビヒクルの適
量とともに混練してなるガラスフリットを含有しない導
電ペースト）を塗布し、６５０℃で焼成して上層側電極
層を形成することによりセラミックコンデンサの端子電
極を形成する。
【００２３】［半田濡れ性，端子取り付け強度の測定］
そして、このセラミックコンデンサをＰｂ／Ｓｎ＝６０
／４０の半田（Ｈ６０Ａ）を溶融させた半田浴（２３０
℃）に２秒間浸漬し、電極端面部の半田に覆われている
部分の面積の、電極端面部全体の面積に対する割合を測
定して、電極の半田濡れ性を調べた。
そして、このセラミックコンデンサをＰｂ／Ｓｎ＝６０
／４０の半田（Ｈ６０Ａ）を溶融させた半田浴（２３０
℃）に２秒間浸漬し、電極端面部の半田に覆われている
部分の面積の、電極端面部全体の面積に対する割合を測
定して、電極の半田濡れ性を調べた。
【００２４】さらに、上記条件でセラミックコンデンサ
に端子電極を形成した後、端子電極にリード線を半田付
けし、引張り試験による破断強度を測定した。なお、半
田付けは、ヤニ入りの半田（Ｓ３０６，直径１．４mm）
を用い、セラミックコンデンサの予熱温度１１０℃±１
０℃，コテ先温度３３０±１０℃（２〜３秒加熱）の条
件下で行い、リード線は、直径０．６mmのスズメッキ銅
線を用いた。
に端子電極を形成した後、端子電極にリード線を半田付
けし、引張り試験による破断強度を測定した。なお、半
田付けは、ヤニ入りの半田（Ｓ３０６，直径１．４mm）
を用い、セラミックコンデンサの予熱温度１１０℃±１
０℃，コテ先温度３３０±１０℃（２〜３秒加熱）の条
件下で行い、リード線は、直径０．６mmのスズメッキ銅
線を用いた。
【００２５】上記の半田濡れ性及び電極引張り試験にお
ける破断強度についての測定結果を表１に示す。なお、
表１の測定値は、試料２０個について測定した結果の平
均値である。
ける破断強度についての測定結果を表１に示す。なお、
表１の測定値は、試料２０個について測定した結果の平
均値である。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１に示すように、比較例１においては、
電極端面部の半田で覆われた部分の割合が６７％と低
く、かつ、半田が十分に付着しないため、電極引張り試
験における破断強度を測定することができなかった。ま
た、比較例２は、電極端面部の半田で覆われた部分の割
合は９８％と高いが、電極引張り試験における破断強度
が０．５ｋｇと小さく、十分な端子取付け強度を得るこ
とができなかった。
電極端面部の半田で覆われた部分の割合が６７％と低
く、かつ、半田が十分に付着しないため、電極引張り試
験における破断強度を測定することができなかった。ま
た、比較例２は、電極端面部の半田で覆われた部分の割
合は９８％と高いが、電極引張り試験における破断強度
が０．５ｋｇと小さく、十分な端子取付け強度を得るこ
とができなかった。
【００２８】これに対して、実施例１，２，３において
は、電極端面部の半田で覆われた部分の割合が８０％を
越えており、十分に実用性のある半田濡れ性が得られる
ことがわかった。また、電極引張り試験における破断強
度も３ｋｇを越えており、十分な端子取り付け強度が得
られることがわかった。
は、電極端面部の半田で覆われた部分の割合が８０％を
越えており、十分に実用性のある半田濡れ性が得られる
ことがわかった。また、電極引張り試験における破断強
度も３ｋｇを越えており、十分な端子取り付け強度が得
られることがわかった。
【００２９】なお、上記実施例では、導電ペーストを構
成する導電粉末としてＡｇ−Ｐｄ粉末（上層側電極層用
の導電ペーストの導電粉末はＡｇ粉末）を用いた場合に
ついて説明したが、導電粉末としては、これに限らず、
Ｃｕ粉末，Ｎｉ粉末などの他の導電粉末を用いることが
可能である。
成する導電粉末としてＡｇ−Ｐｄ粉末（上層側電極層用
の導電ペーストの導電粉末はＡｇ粉末）を用いた場合に
ついて説明したが、導電粉末としては、これに限らず、
Ｃｕ粉末，Ｎｉ粉末などの他の導電粉末を用いることが
可能である。
【００３０】また、ガラスフリットの種類についても、
上記実施例のガラスフリットＧ1，Ｇ2に限らず、種々の
成分あるいは組成のガラスフリットを組合せて使用する
ことが可能である。
上記実施例のガラスフリットＧ1，Ｇ2に限らず、種々の
成分あるいは組成のガラスフリットを組合せて使用する
ことが可能である。
【００３１】さらに、上記実施例においては、セラミッ
クコンデンサの端子電極の形成方法について説明した
が、本願発明の電極形成方法は、セラミックコンデンサ
に限らず、他の種々のセラミック電子部品の電極を形成
する場合に適用することが可能であり、その場合にも上
記実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
クコンデンサの端子電極の形成方法について説明した
が、本願発明の電極形成方法は、セラミックコンデンサ
に限らず、他の種々のセラミック電子部品の電極を形成
する場合に適用することが可能であり、その場合にも上
記実施例の場合と同様の効果を得ることができる。
【００３２】なお、その他の点に関しても、本願発明の
導電ペースト及び電極形成方法は、上記実施例に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形、応用を加えることが可能である。
導電ペースト及び電極形成方法は、上記実施例に限定さ
れるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の
変形、応用を加えることが可能である。
【００３３】
【発明の効果】上述のように、本願発明の導電ペースト
は、導電粉末と、軟化点の高いガラスフリットＧ1と軟
化点の低いガラスフリットＧ2を組み合わせた複合ガラ
スフリットとを所定の割合で含有しており、かつ、本願
発明のセラミック電子部品の電極形成方法は、セラミッ
ク電子部品素子に、該導電ペーストを塗布し、ガラスフ
リットＧ2の軟化点Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成し
て下層側電極層を形成した後、ガラスフリットを含有し
ない導電ペーストを該下層側電極層上に塗布してＴ 3よ
り低い焼成温度Ｔ4で焼成するようにしているので、電
極のセラミック電子部品素子への接着性を低下させるこ
となく、電極の半田付け性、すなわち、半田濡れ性や端
子取り付け強度などの特性を、従来の導電ペースト及び
それを用いた電極形成方法により形成された電極と比較
して、大幅に向上させることが可能になる。
は、導電粉末と、軟化点の高いガラスフリットＧ1と軟
化点の低いガラスフリットＧ2を組み合わせた複合ガラ
スフリットとを所定の割合で含有しており、かつ、本願
発明のセラミック電子部品の電極形成方法は、セラミッ
ク電子部品素子に、該導電ペーストを塗布し、ガラスフ
リットＧ2の軟化点Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成し
て下層側電極層を形成した後、ガラスフリットを含有し
ない導電ペーストを該下層側電極層上に塗布してＴ 3よ
り低い焼成温度Ｔ4で焼成するようにしているので、電
極のセラミック電子部品素子への接着性を低下させるこ
となく、電極の半田付け性、すなわち、半田濡れ性や端
子取り付け強度などの特性を、従来の導電ペースト及び
それを用いた電極形成方法により形成された電極と比較
して、大幅に向上させることが可能になる。
Claims (2)
- 【請求項１】 金属などの導電性材料からなる導電粉末
１００重量部と、軟化点の異なるガラスフリットを組み
合せた複合ガラスフリット１〜３０重量部とを含有する
とともに、前記複合ガラスフリットが、その１０〜８０
重量％を占めるガラスフリットＧ1と、残部のガラスフ
リットＧ2からなり、かつ、ガラスフリットＧ1の軟化点
Ｔ1がガラスフリットＧ2の軟化点Ｔ2よりも５０℃以上
高いことを特徴とする導電ペースト。 - 【請求項２】 セラミック電子部品素子に、請求項１記
載の導電ペーストを塗布し、前記ガラスフリットＧ2の
軟化点Ｔ2よりも高い焼成温度Ｔ3で焼成を行うことによ
り下層側電極層を形成した後、前記下層側電極層上にガ
ラスフリットを含有しない導電ペーストを塗布し、Ｔ3
より低い焼成温度Ｔ4で焼成を行うことにより上層側電
極層を形成することを特徴とするセラミック電子部品の
電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23316492A JPH0660715A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23316492A JPH0660715A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660715A true JPH0660715A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16950729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23316492A Withdrawn JPH0660715A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660715A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG118059A1 (en) * | 1998-09-24 | 2006-01-27 | Murata Manufacturing Co | Electrically conductive composition ceramic electronic component and method for producing the component |
| JP2008294180A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | リード線付き電子部品、及び該リード線付き電子部品の製造方法 |
| WO2012111478A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP23316492A patent/JPH0660715A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG118059A1 (en) * | 1998-09-24 | 2006-01-27 | Murata Manufacturing Co | Electrically conductive composition ceramic electronic component and method for producing the component |
| JP2008294180A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Murata Mfg Co Ltd | リード線付き電子部品、及び該リード線付き電子部品の製造方法 |
| WO2012111478A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 株式会社 村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |