JP3178532B2 - 半導体磁器電子部品 - Google Patents
半導体磁器電子部品Info
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- JP3178532B2 JP3178532B2 JP12579689A JP12579689A JP3178532B2 JP 3178532 B2 JP3178532 B2 JP 3178532B2 JP 12579689 A JP12579689 A JP 12579689A JP 12579689 A JP12579689 A JP 12579689A JP 3178532 B2 JP3178532 B2 JP 3178532B2
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- Japan
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- electrode
- powder
- conductive layer
- paste
- parts
- Prior art date
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、バリスタ，半導体コンデンサ，サーミスト
等の半導体電子部品、詳しくは、電子部品における電極
の改良に関するものである。
等の半導体電子部品、詳しくは、電子部品における電極
の改良に関するものである。
従来、オーム性電極を有する半導体磁器電子部品にお
いては、オーム性電極としてAg−In−Ga電極が使用され
ていたが、In・Gaは高価なものであるため電極費が高価
になる欠点があった。この点を改良する目的で、オーム
性電極としてAg−Zn電極やZn電極が実用化されている。
ところが、一般にAg−Zn,Zn電極は、大気中焼成により
電極形成されることが多く、そのためにZn電極表面が酸
化し、はんだ付け性が悪くなる。そのため従来、Zn電極
形成後その状にはんだ付け性の良い金属の電気メッキも
しくは無電解メッキを施すか、またはZnやAg−Znペース
トを塗布乾燥後、さらにAgペーストを塗布乾燥した後大
気中で焼き付けて形成してはんだ付け性を確保してい
た。
いては、オーム性電極としてAg−In−Ga電極が使用され
ていたが、In・Gaは高価なものであるため電極費が高価
になる欠点があった。この点を改良する目的で、オーム
性電極としてAg−Zn電極やZn電極が実用化されている。
ところが、一般にAg−Zn,Zn電極は、大気中焼成により
電極形成されることが多く、そのためにZn電極表面が酸
化し、はんだ付け性が悪くなる。そのため従来、Zn電極
形成後その状にはんだ付け性の良い金属の電気メッキも
しくは無電解メッキを施すか、またはZnやAg−Znペース
トを塗布乾燥後、さらにAgペーストを塗布乾燥した後大
気中で焼き付けて形成してはんだ付け性を確保してい
た。
このように従来、下地にAg−Zn電極あるいはZn電極を
持つ半導体磁器電子部品では、はんだ付け性を確保する
ために、はんだ付け層を電気メッキや焼き付けにより形
成していた。
持つ半導体磁器電子部品では、はんだ付け性を確保する
ために、はんだ付け層を電気メッキや焼き付けにより形
成していた。
しかしながら、電気メッキや無電解メッキではメッキ
液が下地電極中に残留したり、メッキ工程で磁器表面や
下地電極が浸食されたりする問題点があった。
液が下地電極中に残留したり、メッキ工程で磁器表面や
下地電極が浸食されたりする問題点があった。
また、大気中でAg電極を焼き付け形成する場合は、Zn
表面が酸化膜を形成し、Zn層あるいはAg−Zn層とAg層と
の結合が不十分であり、電極強度の小さなものが生じる
などの問題点があった。
表面が酸化膜を形成し、Zn層あるいはAg−Zn層とAg層と
の結合が不十分であり、電極強度の小さなものが生じる
などの問題点があった。
本発明はAg−Zn電極,Zn電極等の上に焼きつける導電
性組成物を改良することによってこれらの問題点を解決
したものである。
性組成物を改良することによってこれらの問題点を解決
したものである。
本発明は、半導体磁器表面に、Ag及びZn,又はZn粉末
を主成分としガラスフリットを含有するペーストを塗布
乾燥して第一導電層とし、この第一導電層の上部に、Ag
粉末を主成分とし、Si,BまたはＷ粉末を副成分として含
有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に分散させたペ
ーストを塗布して第二導電層とし、これを大気中で焼き
付けて、前記第一導電層のZnの酸化被膜を還元して、Zn
電極とAg電極とが結合されたことを特徴とする半導体磁
器電子部品である。
を主成分としガラスフリットを含有するペーストを塗布
乾燥して第一導電層とし、この第一導電層の上部に、Ag
粉末を主成分とし、Si,BまたはＷ粉末を副成分として含
有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に分散させたペ
ーストを塗布して第二導電層とし、これを大気中で焼き
付けて、前記第一導電層のZnの酸化被膜を還元して、Zn
電極とAg電極とが結合されたことを特徴とする半導体磁
器電子部品である。
本発明の半導体磁器電子部品において電極を形成する
には、半導体磁器表面にAg及びZnの粉末、又はZn粉末を
主成分としガラスフリットを含有するペーストを塗布乾
燥し、Ag粉末を主成分としSi,BまたはＷの粉末を副成分
として含有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に分散
させてペーストを調整し、これを前記ガラスフリットペ
ースト上部に塗布する。その後、大気中で焼き付ける。
これによりAg−ZnやZn上部にSi,BまたはＷを含有する焼
き付け電極を形成した半導体磁器電子部品が得られる。
には、半導体磁器表面にAg及びZnの粉末、又はZn粉末を
主成分としガラスフリットを含有するペーストを塗布乾
燥し、Ag粉末を主成分としSi,BまたはＷの粉末を副成分
として含有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に分散
させてペーストを調整し、これを前記ガラスフリットペ
ースト上部に塗布する。その後、大気中で焼き付ける。
これによりAg−ZnやZn上部にSi,BまたはＷを含有する焼
き付け電極を形成した半導体磁器電子部品が得られる。
前記第二導電層については、前記Si,BまたはＷの粉末
添加量をAg粉末100重量部に対し0.05から〜3.0重量部、
好ましくは0.05〜0.5重量部の範囲とする。その理由
は、前記粉末の含有量が0.05重量部で電極強度が大きく
なる傾向にあり、3.0重量部を超えるとはんだ付け性が
低下し、0.05〜3.0重量部の範囲内であれば電気特性、
はんだ付け性及び電極強度のいずれも良好な電子部品を
得ることが可能となるからである。そして0.05〜0.5重
量部の範囲においては、はんだ付け性，電極強度が特に
優れたものとなる（第１表参照）。
添加量をAg粉末100重量部に対し0.05から〜3.0重量部、
好ましくは0.05〜0.5重量部の範囲とする。その理由
は、前記粉末の含有量が0.05重量部で電極強度が大きく
なる傾向にあり、3.0重量部を超えるとはんだ付け性が
低下し、0.05〜3.0重量部の範囲内であれば電気特性、
はんだ付け性及び電極強度のいずれも良好な電子部品を
得ることが可能となるからである。そして0.05〜0.5重
量部の範囲においては、はんだ付け性，電極強度が特に
優れたものとなる（第１表参照）。
Ag及びZn、またはZnを主成分とする第一導電層の表面
に、Agを主成分とし、Si,BまたはＷを副成分とした第二
導電層を焼き付けることにより、セラミック電子部品と
して電気特性、はんだ付け性および電極強度が良好なも
のが得られた。これは、第一導電層をセラミック素子表
面に焼き付けるとZnが或る程度酸化し、その上にはんだ
付け性のよいAgを焼付けるが、Ag粉末にSi,BまたはＷ粉
末を添加したペーストを第二導電層として焼付けると、
Si,BまたはＷは、酸化したZnの酸化皮膜を還元し、Zn電
極とAg電極とが結合されて電極強度を確保するととも
に、Zn電極の抵抗も低く保つものと考えられる。
に、Agを主成分とし、Si,BまたはＷを副成分とした第二
導電層を焼き付けることにより、セラミック電子部品と
して電気特性、はんだ付け性および電極強度が良好なも
のが得られた。これは、第一導電層をセラミック素子表
面に焼き付けるとZnが或る程度酸化し、その上にはんだ
付け性のよいAgを焼付けるが、Ag粉末にSi,BまたはＷ粉
末を添加したペーストを第二導電層として焼付けると、
Si,BまたはＷは、酸化したZnの酸化皮膜を還元し、Zn電
極とAg電極とが結合されて電極強度を確保するととも
に、Zn電極の抵抗も低く保つものと考えられる。
次に、実施例を上げて本発明をさらに具体的に説明す
る。
る。
SrTiO3系のバリスタ用半導体磁器にAg30wt％,Zn60wt
％及びガラス10wt％からなる電極ペーストを塗布乾燥
し、これに従来のAgペーストを塗布したものと、本発明
に係わるＢ含有のAgペーストを塗布したものとを用意
し、これらについて600℃,10min,大気中で焼き付けてバ
リスタを得た。
％及びガラス10wt％からなる電極ペーストを塗布乾燥
し、これに従来のAgペーストを塗布したものと、本発明
に係わるＢ含有のAgペーストを塗布したものとを用意
し、これらについて600℃,10min,大気中で焼き付けてバ
リスタを得た。
但し、本発明に係わりバリスタについてはＢ量と電極
特性との関係をみるために、その含有量を変えて評価し
た。その結果を第１表に示す。
特性との関係をみるために、その含有量を変えて評価し
た。その結果を第１表に示す。
なお、第１表において、E10はバリスタ素子に10mAの
電流が流れたときに該素子の両端に現れる電圧である。
αは電圧非直線係数であり次式から算出される。
電流が流れたときに該素子の両端に現れる電圧である。
αは電圧非直線係数であり次式から算出される。
ここでE1は、前記素子に1mAの電流を流したときの電
圧である。
圧である。
また電極強度は、直径0.5mmのリード線を240℃の共晶
はんだで電極面に並行につけ、リード線を引き剥がすよ
うに引っ張ったときの最大荷重である。
はんだで電極面に並行につけ、リード線を引き剥がすよ
うに引っ張ったときの最大荷重である。
電気特性についてはいずれも同じであるが、電極強度
において試料No.1の従来のAgペーストあるいは、Ｂ粉末
が0.05重量部の試料No.2は電極強度がやや小さくなって
いる。また、試料No.7のＢ粉末を5.0重量部添加したも
のは、はんだ付け性が悪くなっており、試料No.3〜６の
ものは電極強度も大きく、はんだ付け性も特に良好であ
る。
において試料No.1の従来のAgペーストあるいは、Ｂ粉末
が0.05重量部の試料No.2は電極強度がやや小さくなって
いる。また、試料No.7のＢ粉末を5.0重量部添加したも
のは、はんだ付け性が悪くなっており、試料No.3〜６の
ものは電極強度も大きく、はんだ付け性も特に良好であ
る。
また、Ｂ粉末の代わりに400メッシュのフィルターを
通過したW,Si粉末をAg粉100重量部に対し1.5重量部添加
して電気特性，電極強度及び半田付け性を評価した。そ
の結果、電極強度は、それぞれ2.1kg,2.3kgと大きくは
んだ付け性，電気特性ともに良好であった。
通過したW,Si粉末をAg粉100重量部に対し1.5重量部添加
して電気特性，電極強度及び半田付け性を評価した。そ
の結果、電極強度は、それぞれ2.1kg,2.3kgと大きくは
んだ付け性，電気特性ともに良好であった。
以上述べたように本発明ではAg−Zn、又はZnを主成分
とする第一導電層の上にAgを主成分とし、Si,BまたはＷ
を副成分として添加した第二導電層を塗布して大気中で
焼き付けたから、従来のAg電極に比較して大きい電極強
度と良好なはんだ付け性を持つ半導体磁器電子部品を容
易に得ることができ、また電気メッキや無電解メッキに
伴う前記問題点が生じることはないなどの効果がある。
とする第一導電層の上にAgを主成分とし、Si,BまたはＷ
を副成分として添加した第二導電層を塗布して大気中で
焼き付けたから、従来のAg電極に比較して大きい電極強
度と良好なはんだ付け性を持つ半導体磁器電子部品を容
易に得ることができ、また電気メッキや無電解メッキに
伴う前記問題点が生じることはないなどの効果がある。
Claims (2)
- 【請求項１】半導体磁器表面に、Ag及びZn,又はZn粉末
を主成分としガラスフリットを含有するペーストを塗布
乾燥して第一導電層とし、この第一導電層の上部に、Ag
粉末を主成分とし、Si,BまたはＷ粉末を副成分として含
有させた導電性組成物を有機ビヒクル中に分散させたペ
ーストを塗布して第二導電層とし、これを大気中で焼き
付けて、前記第一導電層のZnの酸化被膜を還元して、Zn
電極とAg電極とが結合されたことを特徴とする半導体磁
器電子部品。 - 【請求項２】前記第二導電層は、Ag粉末100重量部に対
し前記Si,B,またはＷの粉末を0.05〜3.0重量部の割合で
含有する請求項１記載の半導体磁器電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12579689A JP3178532B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体磁器電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12579689A JP3178532B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体磁器電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304909A JPH02304909A (ja) | 1990-12-18 |
| JP3178532B2 true JP3178532B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=14919099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12579689A Expired - Lifetime JP3178532B2 (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 半導体磁器電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3178532B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5765611B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2015-08-19 | 日立金属株式会社 | Ｐｔｃ素子および発熱モジュール |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143203A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | Taiyo Yuden Kk | Conductive paste for forming conductive layer by baking on porcelain |
| JPS63236785A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12579689A patent/JP3178532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02304909A (ja) | 1990-12-18 |
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