JPS60702A - オ−ム性電極 - Google Patents
オ−ム性電極Info
- Publication number
- JPS60702A JPS60702A JP10899683A JP10899683A JPS60702A JP S60702 A JPS60702 A JP S60702A JP 10899683 A JP10899683 A JP 10899683A JP 10899683 A JP10899683 A JP 10899683A JP S60702 A JPS60702 A JP S60702A
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- JP
- Japan
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- electrode
- porcelain
- semiconductor
- resistance
- ormic
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- Pending
Links
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- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 14
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- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体磁器に形成するオーム性電極の改良に
関するものである。
関するものである。
背景技術
半導体磁器は、正の抵抗温度係数を有する正特性半導体
磁器(PTCサーミスタ)、負の抵抗温度係数を有する
半導体磁器(NTCサーミスタ)または印加電圧で抵抗
値の変化する電圧非直線性半導体磁器(バリスタ)等の
電子部品を構成するものとして極めて有用性の高いもの
である。唯、これを電子部品に用いるには磁器表面に電
極を形成する必要があり、しかも磁器素体の特性を完全
に引き出すためにはオーム性電極を形成することが不可
欠である。
磁器(PTCサーミスタ)、負の抵抗温度係数を有する
半導体磁器(NTCサーミスタ)または印加電圧で抵抗
値の変化する電圧非直線性半導体磁器(バリスタ)等の
電子部品を構成するものとして極めて有用性の高いもの
である。唯、これを電子部品に用いるには磁器表面に電
極を形成する必要があり、しかも磁器素体の特性を完全
に引き出すためにはオーム性電極を形成することが不可
欠である。
従来、そのオーム性電極は、磁器表面に(イ)In−G
a合金を塗り付ける、 (ロ)Ni無電解メッキ処理を施した後に300〜50
0°Cで熱処理する、 (ハ)Agペースト中にIn−Ga合金を分散したペー
ストを塗布した後に400〜550℃で焼付処理を行う
、 ことにより形成されている。
a合金を塗り付ける、 (ロ)Ni無電解メッキ処理を施した後に300〜50
0°Cで熱処理する、 (ハ)Agペースト中にIn−Ga合金を分散したペー
ストを塗布した後に400〜550℃で焼付処理を行う
、 ことにより形成されている。
然し、(イ)、(ハ)では高価なGaを使用するためコ
スト高となり、しかもIn−Ga合金が低融点であって
磁器に対する接着強度が極めて弱いものになってしまう
。
スト高となり、しかもIn−Ga合金が低融点であって
磁器に対する接着強度が極めて弱いものになってしまう
。
また、(ロ)では電極の厚みが薄くてNiの固有抵抗が
高いため、特にPTCサーミスタ等で電極の焼損等の問
題が生じ易い欠点がある。
高いため、特にPTCサーミスタ等で電極の焼損等の問
題が生じ易い欠点がある。
発明の開示
本発明は、半導体磁器に対する接着強度を高くしかも半
導体磁器と電極との接合抵抗を低くして電気的特性が良
好で安価なオーム性電極を提供すること、を目的とする
。
導体磁器と電極との接合抵抗を低くして電気的特性が良
好で安価なオーム性電極を提供すること、を目的とする
。
この目的を達成するため、本発明者等は種々研究、検討
を重ねた結果、AM、Zn、Agのうちいずれか二つを
主成分としてオーム性電極を形成すればよいことを見出
した。
を重ねた結果、AM、Zn、Agのうちいずれか二つを
主成分としてオーム性電極を形成すればよいことを見出
した。
AM、Zn、AgはいずれもGaに対して安価であり、
また個々に半導体磁器に対して強固な接着強度を示すも
のである。然し、各単成分では半導体磁器と電極との接
合抵抗が極めて高いものであって、それらを少なくとも
二成分で混合分散すると接合抵抗が低くて半導体磁器に
対して電位障壁を持たないオーミック性電極として形成
できるのである。なお、このオーム性゛電極はA又。
また個々に半導体磁器に対して強固な接着強度を示すも
のである。然し、各単成分では半導体磁器と電極との接
合抵抗が極めて高いものであって、それらを少なくとも
二成分で混合分散すると接合抵抗が低くて半導体磁器に
対して電位障壁を持たないオーミック性電極として形成
できるのである。なお、このオーム性゛電極はA又。
Zn、Agを粉末にし、必要に応じてガラスフリント粉
末を加えて有機ビヒクルに分散することによりペースト
状にし、それをスクリーン印刷等で半導体磁器の表面に
塗布した後、400〜800℃程度で焼付処理を行うこ
とで形成できる。特に、印刷にあたってはスクリーン印
刷を適用するとよく、その場合には複雑なパターン印刷
も容易に行うことができる。
末を加えて有機ビヒクルに分散することによりペースト
状にし、それをスクリーン印刷等で半導体磁器の表面に
塗布した後、400〜800℃程度で焼付処理を行うこ
とで形成できる。特に、印刷にあたってはスクリーン印
刷を適用するとよく、その場合には複雑なパターン印刷
も容易に行うことができる。
実施例
次表で示す如く、ランダムな成分比でAM。
Zn、Ag粉末を混合分散し、BaTiO3を主成分と
する正温度係数半導体磁器に塗布焼成してオーム性電極
を形成した。
する正温度係数半導体磁器に塗布焼成してオーム性電極
を形成した。
この表から明らかなように、AM、Zn、Ag中酸成分
は極めて素子抵抗が高いが、それらのうち少なくとも二
成分を含有するものでは半導体磁器と電極との接合抵抗
が極めて低くなるためIn−Ga’i極と同等の値とな
ることを確認できた。
は極めて素子抵抗が高いが、それらのうち少なくとも二
成分を含有するものでは半導体磁器と電極との接合抵抗
が極めて低くなるためIn−Ga’i極と同等の値とな
ることを確認できた。
その含有比率は、AjJにあっては0〜80重量%。
Znにあってはθ〜80重量%、Agにあっては0〜9
0gE景%が好適であることも判明した。
0gE景%が好適であることも判明した。
発明の効果
このように、本発明に係るオーム性電極に依れば、接着
強度が良好でしかも半導体磁器に対して電位障壁を持た
ず、半導体磁器と電極との接合抵抗を低くできるため半
導体磁器の特性をそのまま取出すようにでき、特にPT
Cサーミスタを形成しても電極の固有抵抗が低く電極の
損傷等が生ずることもなく、安価で電気的特性の良好な
電子部品を構成することができる。
強度が良好でしかも半導体磁器に対して電位障壁を持た
ず、半導体磁器と電極との接合抵抗を低くできるため半
導体磁器の特性をそのまま取出すようにでき、特にPT
Cサーミスタを形成しても電極の固有抵抗が低く電極の
損傷等が生ずることもなく、安価で電気的特性の良好な
電子部品を構成することができる。
1号ティーディーケイ株式会社
内
1号ティーディーケイ株式会社
Claims (2)
- (1) A文、Zn、Agのうち、少なくとも二つを主
成分として含有することを特徴とするオーム性電極。 - (2)上記各成分の含有率が、A文二〇〜80重量%、
Zn:0〜90重量%、Ag:O〜90重量%にされて
いるところの特許請求の範囲第1項記載のオーム性電極
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10899683A JPS60702A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | オ−ム性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10899683A JPS60702A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | オ−ム性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60702A true JPS60702A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14498934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10899683A Pending JPS60702A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | オ−ム性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087923A (en) * | 1997-03-20 | 2000-07-11 | Ceratech Corporation | Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof |
| CN101740187A (zh) * | 2008-11-10 | 2010-06-16 | 太阳诱电株式会社 | 变阻器及其制造方法 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10899683A patent/JPS60702A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087923A (en) * | 1997-03-20 | 2000-07-11 | Ceratech Corporation | Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof |
| CN101740187A (zh) * | 2008-11-10 | 2010-06-16 | 太阳诱电株式会社 | 变阻器及其制造方法 |
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