JPS60702A - オ−ム性電極 - Google Patents

オ−ム性電極

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Publication number
JPS60702A
JPS60702A JP10899683A JP10899683A JPS60702A JP S60702 A JPS60702 A JP S60702A JP 10899683 A JP10899683 A JP 10899683A JP 10899683 A JP10899683 A JP 10899683A JP S60702 A JPS60702 A JP S60702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
porcelain
semiconductor
resistance
ormic
Prior art date
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Pending
Application number
JP10899683A
Other languages
English (en)
Inventor
金男 森
徹弥 佐藤
泰伸 及川
昭 佐々木
露木 博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Publication of JPS60702A publication Critical patent/JPS60702A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermistors And Varistors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、半導体磁器に形成するオーム性電極の改良に
関するものである。
背景技術 半導体磁器は、正の抵抗温度係数を有する正特性半導体
磁器(PTCサーミスタ)、負の抵抗温度係数を有する
半導体磁器(NTCサーミスタ)または印加電圧で抵抗
値の変化する電圧非直線性半導体磁器(バリスタ)等の
電子部品を構成するものとして極めて有用性の高いもの
である。唯、これを電子部品に用いるには磁器表面に電
極を形成する必要があり、しかも磁器素体の特性を完全
に引き出すためにはオーム性電極を形成することが不可
欠である。
従来、そのオーム性電極は、磁器表面に(イ)In−G
a合金を塗り付ける、 (ロ)Ni無電解メッキ処理を施した後に300〜50
0°Cで熱処理する、 (ハ)Agペースト中にIn−Ga合金を分散したペー
ストを塗布した後に400〜550℃で焼付処理を行う
、 ことにより形成されている。
然し、(イ)、(ハ)では高価なGaを使用するためコ
スト高となり、しかもIn−Ga合金が低融点であって
磁器に対する接着強度が極めて弱いものになってしまう
また、(ロ)では電極の厚みが薄くてNiの固有抵抗が
高いため、特にPTCサーミスタ等で電極の焼損等の問
題が生じ易い欠点がある。
発明の開示 本発明は、半導体磁器に対する接着強度を高くしかも半
導体磁器と電極との接合抵抗を低くして電気的特性が良
好で安価なオーム性電極を提供すること、を目的とする
この目的を達成するため、本発明者等は種々研究、検討
を重ねた結果、AM、Zn、Agのうちいずれか二つを
主成分としてオーム性電極を形成すればよいことを見出
した。
AM、Zn、AgはいずれもGaに対して安価であり、
また個々に半導体磁器に対して強固な接着強度を示すも
のである。然し、各単成分では半導体磁器と電極との接
合抵抗が極めて高いものであって、それらを少なくとも
二成分で混合分散すると接合抵抗が低くて半導体磁器に
対して電位障壁を持たないオーミック性電極として形成
できるのである。なお、このオーム性゛電極はA又。
Zn、Agを粉末にし、必要に応じてガラスフリント粉
末を加えて有機ビヒクルに分散することによりペースト
状にし、それをスクリーン印刷等で半導体磁器の表面に
塗布した後、400〜800℃程度で焼付処理を行うこ
とで形成できる。特に、印刷にあたってはスクリーン印
刷を適用するとよく、その場合には複雑なパターン印刷
も容易に行うことができる。
実施例 次表で示す如く、ランダムな成分比でAM。
Zn、Ag粉末を混合分散し、BaTiO3を主成分と
する正温度係数半導体磁器に塗布焼成してオーム性電極
を形成した。
この表から明らかなように、AM、Zn、Ag中酸成分
は極めて素子抵抗が高いが、それらのうち少なくとも二
成分を含有するものでは半導体磁器と電極との接合抵抗
が極めて低くなるためIn−Ga’i極と同等の値とな
ることを確認できた。
その含有比率は、AjJにあっては0〜80重量%。
Znにあってはθ〜80重量%、Agにあっては0〜9
0gE景%が好適であることも判明した。
発明の効果 このように、本発明に係るオーム性電極に依れば、接着
強度が良好でしかも半導体磁器に対して電位障壁を持た
ず、半導体磁器と電極との接合抵抗を低くできるため半
導体磁器の特性をそのまま取出すようにでき、特にPT
Cサーミスタを形成しても電極の固有抵抗が低く電極の
損傷等が生ずることもなく、安価で電気的特性の良好な
電子部品を構成することができる。
1号ティーディーケイ株式会社 内 1号ティーディーケイ株式会社

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) A文、Zn、Agのうち、少なくとも二つを主
    成分として含有することを特徴とするオーム性電極。
  2. (2)上記各成分の含有率が、A文二〇〜80重量%、
    Zn:0〜90重量%、Ag:O〜90重量%にされて
    いるところの特許請求の範囲第1項記載のオーム性電極
JP10899683A 1983-06-16 1983-06-16 オ−ム性電極 Pending JPS60702A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6087923A (en) * 1997-03-20 2000-07-11 Ceratech Corporation Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof
CN101740187A (zh) * 2008-11-10 2010-06-16 太阳诱电株式会社 变阻器及其制造方法

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US6087923A (en) * 1997-03-20 2000-07-11 Ceratech Corporation Low capacitance chip varistor and fabrication method thereof
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