JPS6059705A - サ−ミスタ材料 - Google Patents
サ−ミスタ材料Info
- Publication number
- JPS6059705A JPS6059705A JP16744183A JP16744183A JPS6059705A JP S6059705 A JPS6059705 A JP S6059705A JP 16744183 A JP16744183 A JP 16744183A JP 16744183 A JP16744183 A JP 16744183A JP S6059705 A JPS6059705 A JP S6059705A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- powder
- mixed
- materials
- thermistor material
- Prior art date
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- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は負の抵抗温度特性を有するサーミスタ（二関し
特に低抵抗で安価なサーミスタ材料に関するものである
。
特に低抵抗で安価なサーミスタ材料に関するものである
。
従来、サーミスタ材料としてＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉ 、Ａｌ
、Ｆｅ。
、Ｆｅ。
Ｃｕなどの酸（ヒ物から選ばれた酸化物系サーミスタ材
料が知られている。
料が知られている。
サーミスタ（二は前記サーミスタ材料を焼結して作製し
たバルクサーミスタ、及びサーミスタ粉末をガラス粉末
、有機溶剤と混合してなるサーミスタペーストを耐熱性
絶縁基板上に印刷、焼成して作製した膜状サーミスタが
ある。これらのサーミスタはそれぞれ用途に応じて使用
されている。
たバルクサーミスタ、及びサーミスタ粉末をガラス粉末
、有機溶剤と混合してなるサーミスタペーストを耐熱性
絶縁基板上に印刷、焼成して作製した膜状サーミスタが
ある。これらのサーミスタはそれぞれ用途に応じて使用
されている。
ところで近年電子回路は年々小型化されサーミスタ部品
もより小形化される傾向にあり、又サーミスタ抵抗値の
小さいものも要求されてきている。
もより小形化される傾向にあり、又サーミスタ抵抗値の
小さいものも要求されてきている。
しかしながら従来のサーミスタ材料は固有抵抗値が太き
く（１０３Ω・α以上）、従って膜状サーミスタにした
場合抵抗値が極めて高くなり抵抗値の小さいサーミスタ
を得るためには膜厚を厚くシたり、あるいは電極間距階
な短かくするためにザンドイン′ｆ構造にするなど複雑
な構造となる欠点があった。
く（１０３Ω・α以上）、従って膜状サーミスタにした
場合抵抗値が極めて高くなり抵抗値の小さいサーミスタ
を得るためには膜厚を厚くシたり、あるいは電極間距階
な短かくするためにザンドイン′ｆ構造にするなど複雑
な構造となる欠点があった。
そこで抵抗値を低くするためにＡｕ、Ａｇなとの貴金属
粉末、あるいは導電性のイ夏れたＲｕＯ２粉末などを添
加する方法が試みられ、ある程度の効果は得られている
ものの十分ではなかった。又高価な貴金属を含有するた
めヅーーミスタ素子として高価になるという欠点を有し
ていた。
粉末、あるいは導電性のイ夏れたＲｕＯ２粉末などを添
加する方法が試みられ、ある程度の効果は得られている
ものの十分ではなかった。又高価な貴金属を含有するた
めヅーーミスタ素子として高価になるという欠点を有し
ていた。
本発明は前記の欠点（二鑑みてなされたもので、その目
的は抵抗値が低くかつ優れたサーミスタ特性を示す安価
なサーミスタ材料を提供することにある。
的は抵抗値が低くかつ優れたサーミスタ特性を示す安価
なサーミスタ材料を提供することにある。
本発明は化学式でＬａ １ 、Ｍｎ １＋ｘ０３ （−
０，１≦Ｘ≦０．１）で表わされる酸化物セラミックス
からなることを特徴とするサーミスタである。
０，１≦Ｘ≦０．１）で表わされる酸化物セラミックス
からなることを特徴とするサーミスタである。
本発明者らは導電性（＝優れたセラミックスを種々検討
した結果、Ｌａ１−ｘＭｎｘ＋ｘｏｓ （−０，１≦Ｘ
≦０．１）で表わされる材料が固有抵抗が低くかつサー
ミスタ特性に優れていることを見出した。ここでＸの範
囲を一０１≦Ｘ≦０．１とした理由はこの範囲外では均
一な組成で安定したサーミスタ特性が得られないからで
ある。該サーミスタ材料は固有抵抗値が１０”Ω−ｃＩ
ｒＬ〜１０°Ω−確と従来のサーミスタ材料（＝比較し
適めて低くかつサーミスタ定数Ｂ（Ｋ）が５００以上と
優れている特徴を有している。又、該サーミスタＦＨ４
粉末はガラスプリント、有機溶剤とを混合して得られる
サーミスタペーストを絶縁基板上に印刷、焼成して作製
される膜状サーミスタは同様（二従来の膜状サーミスタ
（＝比較し極めて低い抵抗値を得ることができる。又貴
金属を含有しないため従来材（二比較し安価であるとい
う特徴も有している。
した結果、Ｌａ１−ｘＭｎｘ＋ｘｏｓ （−０，１≦Ｘ
≦０．１）で表わされる材料が固有抵抗が低くかつサー
ミスタ特性に優れていることを見出した。ここでＸの範
囲を一０１≦Ｘ≦０．１とした理由はこの範囲外では均
一な組成で安定したサーミスタ特性が得られないからで
ある。該サーミスタ材料は固有抵抗値が１０”Ω−ｃＩ
ｒＬ〜１０°Ω−確と従来のサーミスタ材料（＝比較し
適めて低くかつサーミスタ定数Ｂ（Ｋ）が５００以上と
優れている特徴を有している。又、該サーミスタＦＨ４
粉末はガラスプリント、有機溶剤とを混合して得られる
サーミスタペーストを絶縁基板上に印刷、焼成して作製
される膜状サーミスタは同様（二従来の膜状サーミスタ
（＝比較し極めて低い抵抗値を得ることができる。又貴
金属を含有しないため従来材（二比較し安価であるとい
う特徴も有している。
本発明によるサーミスタ材料及び−ナーミスタ組成物は
固有抵抗値が極めて低いため抵抗値の低いサーミスタ素
子を容易（二帯ることができ、又膜状サーミスタの場合
膜厚を従来材より薄くすることができる。更Ｃ二従来の
ように電極をサンドインチ構造にすることなく抵抗値を
低くすることができるため構造を簡単にすることができ
る。又、電極間距離を長くとることもできるため耐電圧
特性に優れたサーミスタ素子を得ることができる。
固有抵抗値が極めて低いため抵抗値の低いサーミスタ素
子を容易（二帯ることができ、又膜状サーミスタの場合
膜厚を従来材より薄くすることができる。更Ｃ二従来の
ように電極をサンドインチ構造にすることなく抵抗値を
低くすることができるため構造を簡単にすることができ
る。又、電極間距離を長くとることもできるため耐電圧
特性に優れたサーミスタ素子を得ることができる。
以下本発明の効果を実施例を挙げ詳細（二説明する。表
の実施例１〜３の組成となるように原料Ｌａ２（Ｌｌ
、ＭｎＯ２粉末を秤量調合し、ボールミルを用いて湿式
混合した。この混合粉末を乾燥後アルミナルツボな用い
大気中９７０℃で３時間仮焼し、粉末は再びボールミル
による混合、乾燥を経て人気中９７０℃で３時間の仮焼
な行い、粉砕、混合、乾燥を行った。ここで２回の仮焼
工程は混合粉を均一に反応させるために行ったものであ
るが、必ずしも必要ではなく、１回の仮焼でも十分な効
果が得られる。仮焼の終了した粉末は一般に用いられる
バインダと混合した後、両押しプレスを用いて２０φ×
５１（−成形した。成形体は白金板上に置き、大気中１
４００℃３時間焼成した。
の実施例１〜３の組成となるように原料Ｌａ２（Ｌｌ
、ＭｎＯ２粉末を秤量調合し、ボールミルを用いて湿式
混合した。この混合粉末を乾燥後アルミナルツボな用い
大気中９７０℃で３時間仮焼し、粉末は再びボールミル
による混合、乾燥を経て人気中９７０℃で３時間の仮焼
な行い、粉砕、混合、乾燥を行った。ここで２回の仮焼
工程は混合粉を均一に反応させるために行ったものであ
るが、必ずしも必要ではなく、１回の仮焼でも十分な効
果が得られる。仮焼の終了した粉末は一般に用いられる
バインダと混合した後、両押しプレスを用いて２０φ×
５１（−成形した。成形体は白金板上に置き、大気中１
４００℃３時間焼成した。
次にペレット状試料から約１．５×３Ｘ１ （ｖｎｉ）
の矩形を切り出ｔ７抵統率測定用サンプルとした。抵抗
率の測定は通常の直流四端子法を用い室温から１０００
℃まで測定した。この電極としてＰｔペーストを焼き付
けたものを用いた。
の矩形を切り出ｔ７抵統率測定用サンプルとした。抵抗
率の測定は通常の直流四端子法を用い室温から１０００
℃まで測定した。この電極としてＰｔペーストを焼き付
けたものを用いた。
以下余白
表に固有抵抗率ρ及びサーミスタ定数Ｂをまとめて示す
。ここでサーミスタ定数Ｂは次式からめた。
。ここでサーミスタ定数Ｂは次式からめた。
ただしρ。は基準となる温度Ｔ。ＣＫ）での抵抗率であ
る。実施例１〜３はいずれも固有抵抗が１０°Ω・儒の
オーダーで小さく、又サーミスタ定数Ｂは５０００以上
と優れた特性を示すことが判る。
る。実施例１〜３はいずれも固有抵抗が１０°Ω・儒の
オーダーで小さく、又サーミスタ定数Ｂは５０００以上
と優れた特性を示すことが判る。
次に実施例１〜３で得られたサーミスタ材料粉末を、実
施例４〜６に示す割合にガラス粉末と秤量した後、エチ
ルセルロースを１０重歌％含むα−テルピネオール溶液
約３０％を添加し混合してサーミスタペーストを作製し
た。これらのサーミスタペーストをアルミナ基板上にス
クリーン印刷し１５０℃で１０分乾燥させた後大気中で
９００℃×１０分の焼成を行ない膜状サーミスタを得た
。得られた膜状サーミスタの固有抵抗率及びサーミスタ
定数を表Ｃ二まとめて示す。
施例４〜６に示す割合にガラス粉末と秤量した後、エチ
ルセルロースを１０重歌％含むα−テルピネオール溶液
約３０％を添加し混合してサーミスタペーストを作製し
た。これらのサーミスタペーストをアルミナ基板上にス
クリーン印刷し１５０℃で１０分乾燥させた後大気中で
９００℃×１０分の焼成を行ない膜状サーミスタを得た
。得られた膜状サーミスタの固有抵抗率及びサーミスタ
定数を表Ｃ二まとめて示す。
実施例４〜６はいずれもアルミナ基板と良好に接合し、
抵抗率は１０１Ω・α、ササ−スタ定数は３６００以上
と極めて優れた特性を冶していることが判る。
抵抗率は１０１Ω・α、ササ−スタ定数は３６００以上
と極めて優れた特性を冶していることが判る。
尚ガラス粉末の割合は３０重■％の籟７合について示し
たが、基板との接合性、サーミスタ４’ｔ ｉ４．Ｉ−
を考慮すると２０〜４ＯＮ量％の範囲が好ましい。
たが、基板との接合性、サーミスタ４’ｔ ｉ４．Ｉ−
を考慮すると２０〜４ＯＮ量％の範囲が好ましい。
比較例
次Ｉ′″−組成を変えた以外は実施例１〜３と全く同じ
灸件で比較例１，２の組成の材料を作製した。
灸件で比較例１，２の組成の材料を作製した。
これらの材料は抵抗率が品＜、低抵抗サーミスタ拐とし
ては供し得ない特性であった。
ては供し得ない特性であった。
以上述べた如く、本発明によるサーミスタは固有′Ｊ１
＆抗率が統率かつ優れたサーミスタ特性を有しており、
しかも貴金ｊぷなど高価な祠ネ・Ｉをか有していないた
め安価なサーミスタとして使用することができる。
＆抗率が統率かつ優れたサーミスタ特性を有しており、
しかも貴金ｊぷなど高価な祠ネ・Ｉをか有していないた
め安価なサーミスタとして使用することができる。
Claims (1)
- 組成がＬａ □−ｘ Ｍｎ１＋ｘＯＢ （０，１≦Ｘ≦
０．１）で表わされる事を特徴としたサーミスタ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16744183A JPS6059705A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | サ−ミスタ材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16744183A JPS6059705A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | サ−ミスタ材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059705A true JPS6059705A (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=15849763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16744183A Pending JPS6059705A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | サ−ミスタ材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019504491A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-02-14 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | Ｎｔｃセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP16744183A patent/JPS6059705A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019504491A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-02-14 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | Ｎｔｃセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 |
| JP2020174189A (ja) * | 2015-12-16 | 2020-10-22 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | Ｎｔｃセラミック、突入電流制限用の電子デバイスおよび電子デバイスを製造するための方法 |
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