JPS581523B2 - サ−ミスタ組成物 - Google Patents
サ−ミスタ組成物Info
- Publication number
- JPS581523B2 JPS581523B2 JP53024535A JP2453578A JPS581523B2 JP S581523 B2 JPS581523 B2 JP S581523B2 JP 53024535 A JP53024535 A JP 53024535A JP 2453578 A JP2453578 A JP 2453578A JP S581523 B2 JPS581523 B2 JP S581523B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- powder
- paste
- thick film
- constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、安定でかつ低抵抗の、特に厚膜用サーミスタ
組成物に関するものである。
組成物に関するものである。
従来の厚膜サーミスタは、サーミスタ特性を示す粉末と
ガラス粉末からなるサーミスタ組成物としてビヒクルを
加えてペーストとし、これをアルミナ等の耐熱、絶縁基
板上に印刷、焼成して形成される。
ガラス粉末からなるサーミスタ組成物としてビヒクルを
加えてペーストとし、これをアルミナ等の耐熱、絶縁基
板上に印刷、焼成して形成される。
そして上記のサーミスタ特性を有する粉末材料は、ディ
スク形あるいはビード形サーミスタ等の個別部品に使用
されているＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ、Ｃｕ，．ＡＩ，Ｆｅ等の
酸化物のうちから選ばれた少なくとも二種類から成るサ
ーミスタ特性を有する複合酸化物である。
スク形あるいはビード形サーミスタ等の個別部品に使用
されているＭｎ，Ｃｏ，Ｎｉ、Ｃｕ，．ＡＩ，Ｆｅ等の
酸化物のうちから選ばれた少なくとも二種類から成るサ
ーミスタ特性を有する複合酸化物である。
また、ガラス粉末は、５００〜７００℃に軟化点をもつ
ホウケイ酸鉛ガラスが多用されている。
ホウケイ酸鉛ガラスが多用されている。
また、上記のペーストで厚膜サーミスタを作成する場合
は、サーミスタ特性を有する粉末同志を結合・接触する
ためと、印刷・焼成によって形成する膜と基板との接着
力を上げるために、ガラス粉末含量は３０ｗｔ％以上が
必要である。
は、サーミスタ特性を有する粉末同志を結合・接触する
ためと、印刷・焼成によって形成する膜と基板との接着
力を上げるために、ガラス粉末含量は３０ｗｔ％以上が
必要である。
しかし、上記のサーミスタ特性を有する粉末、ガラス粉
末、ビヒクルから成るペーストで作成した厚膜サーミス
タは、ガラス自体の比抵抗が非常に大きく、サーミスタ
材料も比抵抗が大きいため、通常の厚膜抵抗形構造では
抵抗値が数百ＫΩ以上となり、常用の回路素子として使
用することが難しい。
末、ビヒクルから成るペーストで作成した厚膜サーミス
タは、ガラス自体の比抵抗が非常に大きく、サーミスタ
材料も比抵抗が大きいため、通常の厚膜抵抗形構造では
抵抗値が数百ＫΩ以上となり、常用の回路素子として使
用することが難しい。
このため、構造的に低抵抗となる厚膜コンデンサ構造の
サンドインチ形がとられる。
サンドインチ形がとられる。
しかし、このサンドインチ形厚膜サーミスタでもＩＫΩ
程度の低抵抗とするには、サーミスタ材料の比抵抗が１
００Ω一ａ以下の材料を用いなければならない。
程度の低抵抗とするには、サーミスタ材料の比抵抗が１
００Ω一ａ以下の材料を用いなければならない。
このように比抵抗の小さいサーミスタ材料は、Ｃｕを含
有する複合酸化物が知られているが、抵抗値の安定性が
悪く、その変化率は＋５％以上となる。
有する複合酸化物が知られているが、抵抗値の安定性が
悪く、その変化率は＋５％以上となる。
このため、精確な温度検知用の素子を形成するには、比
抵抗が大きいが、安定性の優れたサーミスタ材料を用い
る必要がある。
抵抗が大きいが、安定性の優れたサーミスタ材料を用い
る必要がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、低
抵抗、高サーミスタ定数を有しかつ抵抗値の経時変化が
少なく安定な厚膜サーミスタを形成するサーミスタ組成
物を提供するにある。
抵抗、高サーミスタ定数を有しかつ抵抗値の経時変化が
少なく安定な厚膜サーミスタを形成するサーミスタ組成
物を提供するにある。
上記目的は、Ｍｎ，’ Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，ＡＩ，Ｓｉ
の酸化物のうちから選ばれた少なくとも二種類のサーミ
スタ特性粉末と、ガラス粉末と、Ｒｈｏ２導電材料粉末
とからなるサーミスタ組成物であって、かつＲｈＯ導電
材料粉末量が前記粉末総量に対して２ｗｔ％〜８ｗｔ％
占められているサーミスタ組成物で達成されている。
の酸化物のうちから選ばれた少なくとも二種類のサーミ
スタ特性粉末と、ガラス粉末と、Ｒｈｏ２導電材料粉末
とからなるサーミスタ組成物であって、かつＲｈＯ導電
材料粉末量が前記粉末総量に対して２ｗｔ％〜８ｗｔ％
占められているサーミスタ組成物で達成されている。
そして、このサーミスタ組成物でサーミスタを製造する
と、後述する実施例で示すような抵抗値、サーミスタ定
数を示す焼結体、サーミスタが得られると共に、導電材
料粉末を加えてもサーミスタ定数の低下が少なく、抵抗
値の経時変化も少なくなる。
と、後述する実施例で示すような抵抗値、サーミスタ定
数を示す焼結体、サーミスタが得られると共に、導電材
料粉末を加えてもサーミスタ定数の低下が少なく、抵抗
値の経時変化も少なくなる。
ＲｈＯ２導電性粉末含有量が増すに従って、厚膜サーミ
スタの抵抗値も次第に低下する。
スタの抵抗値も次第に低下する。
一方、サーミスタの主要特性であるサーミスタ定数は６
ｗｔ％を越えると減少し、８ｗｔ％を越えると急激に低
下してほとんどサーミスタ定数がなくなる。
ｗｔ％を越えると減少し、８ｗｔ％を越えると急激に低
下してほとんどサーミスタ定数がなくなる。
このため、ＲｈＯ２導電性粉末含量は、８ｗｔ％までと
した。
した。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例 Ｉ
Ｍｎ０２、Ｃｏ３０４、ＮｉＯを３．５ ： １．０
： ０．５のモル比で固相反応させ、これをボールミル
で粉砕したサーミスタ特性粉末と、表１に示す組成のガ
ラスフリットと、ＲｈＯ導電性粉末を表２の／ｌ６２〜
６に示す割合で総重量が１０ｇとなるよう秤取する。
： ０．５のモル比で固相反応させ、これをボールミル
で粉砕したサーミスタ特性粉末と、表１に示す組成のガ
ラスフリットと、ＲｈＯ導電性粉末を表２の／ｌ６２〜
６に示す割合で総重量が１０ｇとなるよう秤取する。
これらの粉末をそれぞれ攪拌らいかい機で１時間混合し
、次にエチルセルロースを１０％含むα−テルビネオー
ル溶液を有機パインダとして４ｃｃ加え、さらに１時間
混練してサーミスタペーストとした。
、次にエチルセルロースを１０％含むα−テルビネオー
ル溶液を有機パインダとして４ｃｃ加え、さらに１時間
混練してサーミスタペーストとした。
厚膜サーミスタはサンドインチ形構造とし、次）・のよ
うにして形成した。
うにして形成した。
即ち、図に示すようにアルミナ基板１上に銀・パラジウ
ム導電ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で１０分
間焼成して下部電極２とする。
ム導電ペーストをスクリーン印刷し、８５０℃で１０分
間焼成して下部電極２とする。
この上にサーミスタペーストを印刷し、１３０℃で１０
分間乾燥後、銀・パラジウム導電ペーストをサーミスタ
ペーストの乾燥物を介して下部電極と対向するよう印刷
し、上部電極とする。
分間乾燥後、銀・パラジウム導電ペーストをサーミスタ
ペーストの乾燥物を介して下部電極と対向するよう印刷
し、上部電極とする。
これを８００℃でｌＯ分間焼成してサーミスタ層３と上
部電極４とを作成しサンドイツチ形の厚膜サーミスタを
形成する。
部電極４とを作成しサンドイツチ形の厚膜サーミスタを
形成する。
電極の対向する面積は１．０ｍ４で、サーミスタ層の焼
成後厚膜は４０μｍである。
成後厚膜は４０μｍである。
また、上記のＭｎ０２、Ｃｏ３０４，ＮｉＯよりなるサ
ーミスタ特性を有する複合酸化物の焼結体の比抵抗は７
２０Ω一ｃｍ、（２５℃）、サーミスタ定数は３２９０
Ｋであった。
ーミスタ特性を有する複合酸化物の焼結体の比抵抗は７
２０Ω一ｃｍ、（２５℃）、サーミスタ定数は３２９０
Ｋであった。
形成した厚膜サーミスタの特性を表２に示した。
安定性は、１５０℃の２０００時間放置による抵抗値の
変化率で示した。
変化率で示した。
表２のＡ２〜／ｌ６．５に示すように、ＲｈＯ２を８ｗ
ｔ％以下を含むサーミスタ組成物では、ＲｈＯ２を含ま
ぬ／１６．１に比べて低抵抗となるが、サーミスタ定数
はほとんど変わらず、低抵抗高サーミスタ定数のサーミ
スタ素子を形成することができた。
ｔ％以下を含むサーミスタ組成物では、ＲｈＯ２を含ま
ぬ／１６．１に比べて低抵抗となるが、サーミスタ定数
はほとんど変わらず、低抵抗高サーミスタ定数のサーミ
スタ素子を形成することができた。
また、安定性はＲｈＯを含むことによって悪くはならな
かった。
かった。
また表２の屑６はサーミスタ定数がいちざるしく小さく
なりサーミスタ素子としての有効性がなかった。
なりサーミスタ素子としての有効性がなかった。
実施例 ２
Ｍｎ０２、Ｃｏ３０４、Ｆｅ２０３の粉末を３：１．５
：０．２のモル比で固相反応し、粉砕したサーミスタ特
性粉末と、表１に示すガラスフリットと、ＲｈＯ２導電
性粉末を表３屑２〜慮６に示す割合で秤取し、実施例１
と同様にしてサーミスタペーストを調製し、図に示すサ
ンドインチ形厚膜サーミスタを形成した。
：０．２のモル比で固相反応し、粉砕したサーミスタ特
性粉末と、表１に示すガラスフリットと、ＲｈＯ２導電
性粉末を表３屑２〜慮６に示す割合で秤取し、実施例１
と同様にしてサーミスタペーストを調製し、図に示すサ
ンドインチ形厚膜サーミスタを形成した。
上記のＭｎＯ２、Ｃｏ３０４、Ｆｅ２０３よりなるサミ
スタ特性を有する複合酸化物の焼結体の比抵抗は１．５
ＫΩ−ＣｒｒＬ（２５℃）で、サーミスタ定数は３８５
０Ｋであった。
スタ特性を有する複合酸化物の焼結体の比抵抗は１．５
ＫΩ−ＣｒｒＬ（２５℃）で、サーミスタ定数は３８５
０Ｋであった。
形成したサーミスタの特性は表３のようであり、実施例
１と同様の理由で表３のＮｏ．２〜Ｎｏ．５が良かった
。
１と同様の理由で表３のＮｏ．２〜Ｎｏ．５が良かった
。
実施例 ３
Ｍｎ０２、Ｃｏ３０，，ＡＩ，０３、Ｆｅ２０ａを２．
５：１．５ ： ０．２ ： ０．２のモル比で固相反
応させ粉砕したサーミスタ材料と、表１に示すガラスフ
リットと、ＲｈＯ導電性粉末を表４Ａ２〜Ｎｏ．６に示
す割合で秤量し、実施例１と同様にしてサーミスタペー
ストを調製し、実施例１と同様にして図に示すサンドイ
ツチ形サーミスタを形成したその特性を示した。
５：１．５ ： ０．２ ： ０．２のモル比で固相反
応させ粉砕したサーミスタ材料と、表１に示すガラスフ
リットと、ＲｈＯ導電性粉末を表４Ａ２〜Ｎｏ．６に示
す割合で秤量し、実施例１と同様にしてサーミスタペー
ストを調製し、実施例１と同様にして図に示すサンドイ
ツチ形サーミスタを形成したその特性を示した。
サーミスタ特性を有する複合酸化物の焼結体の比抵抗は
３．ＯＫΩ一ｃｍ （ ２ ５℃）で、サーミスタ定数
は４ １ ０ ０Ｋであった。
３．ＯＫΩ一ｃｍ （ ２ ５℃）で、サーミスタ定数
は４ １ ０ ０Ｋであった。
また形成したサーミスタの特性は表４のようであり、実
施例１と同様の理由で表４のＮｏ．２〜Ｎｏ．５が良か
った。
施例１と同様の理由で表４のＮｏ．２〜Ｎｏ．５が良か
った。
以上述べたごとく本発明のサーミスタ組成物は、比抵抗
が大きいサーミスタ特性を有する複合酸化物とＲｈＯ２
導電粉末と、ガラス粉末とからなり、これにビヒクルを
加えペーストとし、このペーストを用いて厚膜サーミス
タを形成すると低抵抗、高サーミスタ定数でかつ抵抗値
の安定性が優れたサーミスタが得られる。
が大きいサーミスタ特性を有する複合酸化物とＲｈＯ２
導電粉末と、ガラス粉末とからなり、これにビヒクルを
加えペーストとし、このペーストを用いて厚膜サーミス
タを形成すると低抵抗、高サーミスタ定数でかつ抵抗値
の安定性が優れたサーミスタが得られる。
図はサンドイツチ形厚膜サーミスタ厚膜サーミスタの断
面図である。 １・・・・・−アルミナ基板、２・・・・・・下部電極
、３−・・・・・サーミスタ層、４・・・・・・上部電
極。
面図である。 １・・・・・−アルミナ基板、２・・・・・・下部電極
、３−・・・・・サーミスタ層、４・・・・・・上部電
極。
Claims (1)
- Ｉ Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅ，ＡＩ，Ｓｉの酸化物の
うちから選ばれた少なくとも二種類のサーミスタ特性粉
末と、ガラス粉末と、Ｒｈｏ導電材料粉末とからなるサ
ーミスタ組成物であって、かつＲｈＯ導電材料粉末量が
前記粉末総量に対して２ｗｔ％〜８ｗｔ％占められてい
ることを特徴とするサーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53024535A JPS581523B2 (ja) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | サ−ミスタ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53024535A JPS581523B2 (ja) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | サ−ミスタ組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54118599A JPS54118599A (en) | 1979-09-14 |
| JPS581523B2 true JPS581523B2 (ja) | 1983-01-11 |
Family
ID=12140838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53024535A Expired JPS581523B2 (ja) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | サ−ミスタ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581523B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0729706A (ja) * | 1993-07-08 | 1995-01-31 | Nippondenso Co Ltd | 高温用温度センサ及びその製造方法 |
| CN105741903B (zh) * | 2016-05-06 | 2017-04-05 | 西安电子科技大学 | 一种银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5015317A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-18 | ||
| JPS5019354A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-28 |
-
1978
- 1978-03-06 JP JP53024535A patent/JPS581523B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019354A (ja) * | 1973-06-12 | 1975-02-28 | ||
| JPS5015317A (ja) * | 1973-06-13 | 1975-02-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54118599A (en) | 1979-09-14 |
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