JPS587045B2 - サ−ミスタソセイブツ - Google Patents
サ−ミスタソセイブツInfo
- Publication number
- JPS587045B2 JPS587045B2 JP9586475A JP9586475A JPS587045B2 JP S587045 B2 JPS587045 B2 JP S587045B2 JP 9586475 A JP9586475 A JP 9586475A JP 9586475 A JP9586475 A JP 9586475A JP S587045 B2 JPS587045 B2 JP S587045B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- thick film
- silver
- resistance value
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Glass Compositions (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗値の温度変化で温度を検知するサーミスタ
素子用組成物に係り、特にサーミスタ素子製作時サーミ
スタ素子の抵抗値のばらつきが小さくなるようにした厚
膜サーミスク組成物に関するものである。
素子用組成物に係り、特にサーミスタ素子製作時サーミ
スタ素子の抵抗値のばらつきが小さくなるようにした厚
膜サーミスク組成物に関するものである。
厚膜サーミスタは、抵抗値が温度変化を示すニッケル、
マンガン、コバルト等の遷移金属の複合酸化物粉末（以
下サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末と云う）に、
ガラスフリットおよびブチルセルロースやエチルセルロ
ース等の粘性ある有機バインダを適当な割合で混合して
サーミスクペーストとし、他の厚膜素子と同様に銀・パ
ラジウム系導電ペーストの焼成物を電極として、セラミ
ックス等の基板上に印刷、焼成して形成していた。
マンガン、コバルト等の遷移金属の複合酸化物粉末（以
下サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末と云う）に、
ガラスフリットおよびブチルセルロースやエチルセルロ
ース等の粘性ある有機バインダを適当な割合で混合して
サーミスクペーストとし、他の厚膜素子と同様に銀・パ
ラジウム系導電ペーストの焼成物を電極として、セラミ
ックス等の基板上に印刷、焼成して形成していた。
この場合、現在の厚膜印刷技術では、サーミスタ層の膜
厚は±２μｍのばらつきがあるので、電極間隔のばらつ
きとなる。
厚は±２μｍのばらつきがあるので、電極間隔のばらつ
きとなる。
しかし、サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末とガラ
スからなるこの厚膜サーミスタでは抵抗値のばらつきが
、電極間隔のばらつきから計算される以上に大きく、±
３０％あり、設計抵抗値に対する歩留りが悪いため、製
造上大きな問題となっていた。
スからなるこの厚膜サーミスタでは抵抗値のばらつきが
、電極間隔のばらつきから計算される以上に大きく、±
３０％あり、設計抵抗値に対する歩留りが悪いため、製
造上大きな問題となっていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を改善し、抵
抗値のばらつきを±１０％以内と小さくした厚膜サーミ
スタ組成物を提供するにある。
抗値のばらつきを±１０％以内と小さくした厚膜サーミ
スタ組成物を提供するにある。
上記目的を達成するために本発明者はサーミスタを種々
研究した結果、アルミナ基板上にサーミスタ層、上、下
部電極を印刷し焼成して得た従来の厚膜サーミスタでは
、銀 パラジウム電極材料の銀が、サーミスタ層へ拡散
して濃度分布を生じ、サーミスタ層の抵抗率が変化し、
厚膜サーミスタ素子の抵抗値は、電極間隔の４乗に比例
して変化するようになる。
研究した結果、アルミナ基板上にサーミスタ層、上、下
部電極を印刷し焼成して得た従来の厚膜サーミスタでは
、銀 パラジウム電極材料の銀が、サーミスタ層へ拡散
して濃度分布を生じ、サーミスタ層の抵抗率が変化し、
厚膜サーミスタ素子の抵抗値は、電極間隔の４乗に比例
して変化するようになる。
従って、±２μｍの電極間隔のばらつきは、非常に大き
な抵抗値のばらつきとなることがわかった。
な抵抗値のばらつきとなることがわかった。
このため、銀粉を加えたサーミスタ組成物であらかじめ
銀を含有したサーミスタ層を作成することで、電極とサ
ーミスク層の銀の濃度差を小さくして電極から銀の拡散
を防ぎ、厚膜サーミスタの抵抗値のばらつきを小さく抑
えることが出来た。
銀を含有したサーミスタ層を作成することで、電極とサ
ーミスク層の銀の濃度差を小さくして電極から銀の拡散
を防ぎ、厚膜サーミスタの抵抗値のばらつきを小さく抑
えることが出来た。
ここでサーミスタ組成物中の銀の含有量が１０ｗｔ％未
満では、銀添加の効果がなく、６０ｗｔ％より多いとサ
ーミスクとしての特性が得られない。
満では、銀添加の効果がなく、６０ｗｔ％より多いとサ
ーミスクとしての特性が得られない。
次にサーミスタ特性を有する金属酸化物粉末とガラスフ
リットの混合割合は、サーミスタ特性を有する金属酸化
物粉末３０〜７０ｗｔ％、ガラスフリット７０〜３０ｗ
ｔ％の範囲が良い。
リットの混合割合は、サーミスタ特性を有する金属酸化
物粉末３０〜７０ｗｔ％、ガラスフリット７０〜３０ｗ
ｔ％の範囲が良い。
ガラスフリットが３０ｗｔ％より少ないと粉末焼成物の
粒子間およびセラミック基板等との接着性が悪い。
粒子間およびセラミック基板等との接着性が悪い。
また７０ｗｔ％より多いと、サーミスタの抵抗値、バリ
スク定数、サーミスタ定数のうち少なくとも一つの特性
が実用に適さない値になる。
スク定数、サーミスタ定数のうち少なくとも一つの特性
が実用に適さない値になる。
更に金属酸化物粉末、ガラスフリットおよび銀粉末から
なる組成物において、銀粉末の含有量は前記組成物総重
量に対して１０〜６０Ｗｔ％が良い。
なる組成物において、銀粉末の含有量は前記組成物総重
量に対して１０〜６０Ｗｔ％が良い。
銀粉末の含有量が１０ｗｔ％より少ないと厚膜サーミス
タは抵抗値のばらつきが±１０％以上となり好ましくな
＜６０ｗｔ％より多いとサーミスタの抵抗値、サーミス
ク定数のうち、少なくとも一つが実用に適さない値にな
る。
タは抵抗値のばらつきが±１０％以上となり好ましくな
＜６０ｗｔ％より多いとサーミスタの抵抗値、サーミス
ク定数のうち、少なくとも一つが実用に適さない値にな
る。
以下実施例により具体的に説明する。
実施例Ｉ
Ｍｎ０２，ＣｏＯ＋ＮｔＯをそれぞれ２，１，３のモル
比で固相反応させたサーミスタ特性をもつ複合酸化物、
第１表に示す組成のガラスフリット、銀粉末を第２表に
示す割合に採取し、これを攪拌らいかい機で１時間混合
する。
比で固相反応させたサーミスタ特性をもつ複合酸化物、
第１表に示す組成のガラスフリット、銀粉末を第２表に
示す割合に採取し、これを攪拌らいかい機で１時間混合
する。
次に前記混合物１０ｇを採取し、これにエチルセルロー
スを１０％含むα−テルピネオール溶液を有機バインダ
として４ｃｃ加え、さらに１時間混練してサーミスタペ
ーストを得た。
スを１０％含むα−テルピネオール溶液を有機バインダ
として４ｃｃ加え、さらに１時間混練してサーミスタペ
ーストを得た。
アルミナ基板に、銀・パラジウム導電ペーストをスクリ
ーン印刷し、８５０℃で１０分間焼成し下部電極とする
。
ーン印刷し、８５０℃で１０分間焼成し下部電極とする
。
この上に前記サーミスタペーストを印刷、１３０℃で乾
燥したのち、上部電極用銀 パラジウム導電ペーストを
サーミスタペーストの乾燥物を介して下部電極と重なる
よう印刷し、１３０℃で乾燥後７５０℃で１０分間焼成
してサンドイツチ構造の厚膜サーミスタを形成した。
燥したのち、上部電極用銀 パラジウム導電ペーストを
サーミスタペーストの乾燥物を介して下部電極と重なる
よう印刷し、１３０℃で乾燥後７５０℃で１０分間焼成
してサンドイツチ構造の厚膜サーミスタを形成した。
下部電極および上部電極の重なり、即ち有効電極面積は
９ｍｍ２で、サーミスタペーストの焼成後の膜厚は４０
±２μｍであった。
９ｍｍ２で、サーミスタペーストの焼成後の膜厚は４０
±２μｍであった。
このようにして得た５０個の厚膜サーミスタ抵抗値のば
らつき（平均値に対する算犬値と最小値）を第２表に示
す。
らつき（平均値に対する算犬値と最小値）を第２表に示
す。
この結果より銀粉末含有量が１０ｗｔ％より少ないと厚
膜サーミスタは抵抗値のばらつきは±１０％以上となり
、６０ｗｔ％より多いと厚膜サーミスタの抵抗値、サー
ミスタ定数のうち少なくとも一つが実用に適さない値に
なる。
膜サーミスタは抵抗値のばらつきは±１０％以上となり
、６０ｗｔ％より多いと厚膜サーミスタの抵抗値、サー
ミスタ定数のうち少なくとも一つが実用に適さない値に
なる。
実施例２
Ｍｎ０２，ＮｌＯ，Ｆｅ２０３のモル比が２．２．２で
あるサーミスタ特性粉末を用い、実施例１と同様に形成
した厚膜サーミスタの抵抗値のばらつきを第３表に示す
。
あるサーミスタ特性粉末を用い、実施例１と同様に形成
した厚膜サーミスタの抵抗値のばらつきを第３表に示す
。
銀粉末含有量が１０ｗｔ％より少ないと厚膜サーミスタ
は抵抗値のばらつきは±１０％以上となり６０ｗｔ％よ
り多いと厚膜サーミスタの抵抗値、サーミスタ定数のう
ち少なくとも一つが実用に適さない値になる。
は抵抗値のばらつきは±１０％以上となり６０ｗｔ％よ
り多いと厚膜サーミスタの抵抗値、サーミスタ定数のう
ち少なくとも一つが実用に適さない値になる。
本発明によれば銀粉末を１０〜６０ｗｔ％含有すること
で抵抗値のばらつきを±１０％以下に抑えることができ
、製造上の歩留りが大巾に向上した。
で抵抗値のばらつきを±１０％以下に抑えることができ
、製造上の歩留りが大巾に向上した。
なお、本発明では厚膜サーミスタ素子の電極に銀・パラ
ジウム系導電ペーストを用いたが、金又は白金電極を用
いる場合に、金又は白金を含むサーミスク組成物でサー
ミスク層を形成すれば本発明と同様の効果がある。
ジウム系導電ペーストを用いたが、金又は白金電極を用
いる場合に、金又は白金を含むサーミスク組成物でサー
ミスク層を形成すれば本発明と同様の効果がある。
Claims (1)
- １ サーミスク特性を有する金属酸化物粉末３０〜７０
ｗｔ％とガラスフリット７０〜３０ｗｔ％より成る粉体
４０〜９０ｗｔ％と、銀粉末６０〜１０ｗｔ％とから成
るサーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9586475A JPS587045B2 (ja) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | サ−ミスタソセイブツ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9586475A JPS587045B2 (ja) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | サ−ミスタソセイブツ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5220293A JPS5220293A (en) | 1977-02-16 |
| JPS587045B2 true JPS587045B2 (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14149215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9586475A Expired JPS587045B2 (ja) | 1975-08-08 | 1975-08-08 | サ−ミスタソセイブツ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587045B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189413A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Paloma Ind Ltd | パルス燃焼器 |
-
1975
- 1975-08-08 JP JP9586475A patent/JPS587045B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189413A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Paloma Ind Ltd | パルス燃焼器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5220293A (en) | 1977-02-16 |
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