JPS5820122B2 - サ−ミスタソセイブツ - Google Patents
サ−ミスタソセイブツInfo
- Publication number
- JPS5820122B2 JPS5820122B2 JP9952875A JP9952875A JPS5820122B2 JP S5820122 B2 JPS5820122 B2 JP S5820122B2 JP 9952875 A JP9952875 A JP 9952875A JP 9952875 A JP9952875 A JP 9952875A JP S5820122 B2 JPS5820122 B2 JP S5820122B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- resistance value
- powder
- change
- glass frit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗値の温度変化で温度を検知するサーミスタ
素子形成用サーミスタ組成物に係り特に耐熱性の優れた
厚膜サーミスタ用組成物に関するものである。
素子形成用サーミスタ組成物に係り特に耐熱性の優れた
厚膜サーミスタ用組成物に関するものである。
厚膜サーミスタは、抵抗値が温度変化を示すニッケル、
マンガン、コバルト等の遷移金属の複合酸化物粉末（以
下サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末と云う）に、
ガラスフリットおよびブチルセルロースやエチルセルロ
ース等ノ粘性アル有機バインダを適当な割合で混合して
サーミスタペーストとし、一般の厚膜素子と同様に銀・
パラジウム系導電ペーストの焼成物を電極として、セラ
ミックス等の基板上に印刷、焼成して形成していた。
マンガン、コバルト等の遷移金属の複合酸化物粉末（以
下サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末と云う）に、
ガラスフリットおよびブチルセルロースやエチルセルロ
ース等ノ粘性アル有機バインダを適当な割合で混合して
サーミスタペーストとし、一般の厚膜素子と同様に銀・
パラジウム系導電ペーストの焼成物を電極として、セラ
ミックス等の基板上に印刷、焼成して形成していた。
しかし、サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末とガラ
スフリットからなるこの厚膜サーミスタは１５０℃とい
う高温に放置した場合抵抗値の経時変化が大きく、例え
ば１０００時間放置すると抵抗値変化５％以上あり、実
用上大きな問題となっていた。
スフリットからなるこの厚膜サーミスタは１５０℃とい
う高温に放置した場合抵抗値の経時変化が大きく、例え
ば１０００時間放置すると抵抗値変化５％以上あり、実
用上大きな問題となっていた。
本発明の目的とするところは、前記した従来技術の欠点
を改善し、高温に放置しても抵抗値の経時変化が小さい
厚膜サーミスタ組成物を提供するにある。
を改善し、高温に放置しても抵抗値の経時変化が小さい
厚膜サーミスタ組成物を提供するにある。
上記目的を達成するために本発明者はサーミスタ組成物
を種々研究した結果、サーミスタ特性を有する金属酸化
物粉末、ガラスフリットにＳｎＯ□を加えれば良いこと
を明らかにした。
を種々研究した結果、サーミスタ特性を有する金属酸化
物粉末、ガラスフリットにＳｎＯ□を加えれば良いこと
を明らかにした。
すなわち本発明は、サーミスタ特性を有する金属酸化物
粉末、ガラスフリットおよびＳ ｎ ０２からなるサー
ミスタ組成物において、ＳｎＯ２が前記サーミスタ組成
物総重量の５〜７０ｗｔ％を占めていることを特徴とし
、これにより作成した厚膜サーミスタは１５０℃に放置
した場合、１０００時間経過後も抵抗値変化は２％以内
に改善される。
粉末、ガラスフリットおよびＳ ｎ ０２からなるサー
ミスタ組成物において、ＳｎＯ２が前記サーミスタ組成
物総重量の５〜７０ｗｔ％を占めていることを特徴とし
、これにより作成した厚膜サーミスタは１５０℃に放置
した場合、１０００時間経過後も抵抗値変化は２％以内
に改善される。
次に本発明で使用する材料について説明する。
サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末はニッケル、コ
バルト、マンガンなどの遷移金属の複合酸化物が良く、
ガラスフリットとこ７ではビスマス系ガラスが良く、望
ましくは第１表の組成のものが良い。
バルト、マンガンなどの遷移金属の複合酸化物が良く、
ガラスフリットとこ７ではビスマス系ガラスが良く、望
ましくは第１表の組成のものが良い。
酸化スズ粉末としてはＳｎＯ□が良い。サーミスタ特性
を有する金属酸化物粉末とガラスフリットの混合割合は
、サーミスタ特性を有す・る金属酸化物粉末３０〜８０
ｗｔ％、ガラスフリット７０〜２０ｗｔ％の範囲が良い
。
を有する金属酸化物粉末とガラスフリットの混合割合は
、サーミスタ特性を有す・る金属酸化物粉末３０〜８０
ｗｔ％、ガラスフリット７０〜２０ｗｔ％の範囲が良い
。
ガラスフリットが２０ｗｔ％より少ないと粉体焼成物の
粒子間およびセラミック基板との接着性が悪い。
粒子間およびセラミック基板との接着性が悪い。
また、７ ０ ｗ ｔ ％よす多いと、サーミスタの抵
抗値、ハ；リスタ定数、サーミスタ定数のうち少なくと
も一つの特性が実用に適さない値になる。
抗値、ハ；リスタ定数、サーミスタ定数のうち少なくと
も一つの特性が実用に適さない値になる。
金属酸化物粉末、ガラスフリットおよびＳｎ０ ２粉末
からなる組成物において、ＳｎＯ２粉末の含有量が前記
組成物総重量に対して５〜７０ｗｔ％に限った理由はＳ
ｎＯ２粉末の含有量が５ ｗ ｔ ％より少ないとサー
ミスタを１５０°Ｃに放置した場合の抵抗値変化が２係
以上になり、７０ｗｔ％より多いとサーミスタの抵抗値
、バリスタ定数、サーミスタ定数のうち、少なくとも一
つが実用に適さない値になる。
からなる組成物において、ＳｎＯ２粉末の含有量が前記
組成物総重量に対して５〜７０ｗｔ％に限った理由はＳ
ｎＯ２粉末の含有量が５ ｗ ｔ ％より少ないとサー
ミスタを１５０°Ｃに放置した場合の抵抗値変化が２係
以上になり、７０ｗｔ％より多いとサーミスタの抵抗値
、バリスタ定数、サーミスタ定数のうち、少なくとも一
つが実用に適さない値になる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例 Ｉ
Ｍ ｎ ０２ ｅ Ｃｏ Ｏｐ Ｎ ｔ Ｏをそれぞれ
２：１：３のモル比で固相反応させたサーミスタ特性を
もつ複合酸化物、第−表に示す組成のガラスフリット、
５ｎ０２ を第２表に示す割合に採取し、これを攪拌ら
いかい機で１時間混合する。
２：１：３のモル比で固相反応させたサーミスタ特性を
もつ複合酸化物、第−表に示す組成のガラスフリット、
５ｎ０２ を第２表に示す割合に採取し、これを攪拌ら
いかい機で１時間混合する。
次にこの混合物１（Ｂｉ’を採取しこれにエチルセルロ
ースを１０％含むα−テルピネオー／ｎ液を有機バイン
ダとして４ｃｃ加え、さらに１時間混練してサーミスタ
ペーストを得た。
ースを１０％含むα−テルピネオー／ｎ液を有機バイン
ダとして４ｃｃ加え、さらに１時間混練してサーミスタ
ペーストを得た。
アルミナ基板に銀・パラジウム導電ペーストをスクリー
ン印刷し、８５０°Ｃで１０分間焼成し下部電極とする
。
ン印刷し、８５０°Ｃで１０分間焼成し下部電極とする
。
この上に前記サーミスタペーストを印刷、１３０°Ｃで
乾燥したのち、上部電極用に銀・パラジウム導電ペース
トをサーミスタペーストの乾燥物を介して下部電極と重
なるよう印刷し、１３０℃で乾燥後７５０℃で１０分間
焼成して、サンドイッチ構造の厚膜サーミスタを形成し
た。
乾燥したのち、上部電極用に銀・パラジウム導電ペース
トをサーミスタペーストの乾燥物を介して下部電極と重
なるよう印刷し、１３０℃で乾燥後７５０℃で１０分間
焼成して、サンドイッチ構造の厚膜サーミスタを形成し
た。
下部電極およげ上部電極の重なり、即ち有効電極・面積
は９−で、サーミスタ層の焼成後の膜厚は４０μｍであ
った。
は９−で、サーミスタ層の焼成後の膜厚は４０μｍであ
った。
このようにして得た厚膜サーミスタを１５０°Ｃで１０
００時間放置後の抵抗値変化率を第２表に示す。
００時間放置後の抵抗値変化率を第２表に示す。
この結果から５ｎ０２粉末含有量が５ｗｔ％より少ない
と厚膜サーミスタを１５０℃に放置した場合の抵抗値変
化が２．０％以上になり、７０ｗｔ係より多いと厚膜サ
ーミスタの抵抗値、バリスタ定数、サーミスタ定数のう
ち少なくとも一つが実用に適さない値になることが分る
。
と厚膜サーミスタを１５０℃に放置した場合の抵抗値変
化が２．０％以上になり、７０ｗｔ係より多いと厚膜サ
ーミスタの抵抗値、バリスタ定数、サーミスタ定数のう
ち少なくとも一つが実用に適さない値になることが分る
。
実施例 ２
Ｍｎ０２．Ｎｉ０２Ｆｅ２０３の各粉末のモル比。
が２，２，２であるサーミスタ特性を有する複合酸化物
粉末を用い、実施例１と同様に形成した厚膜サーミスタ
を１５０℃で１０００時間放置後の抵抗値変化率を第３
表に示す。
粉末を用い、実施例１と同様に形成した厚膜サーミスタ
を１５０℃で１０００時間放置後の抵抗値変化率を第３
表に示す。
’５ｎ０２粉末含有引都ｗｊ％より少ないと厚膜サーミ
スタを１５０℃で１０００時間放置した場合の抵抗値変
化が２係以上になり、７０ｗｔ％より多いと厚膜サーミ
スタの抵抗値、バリスタ定数のうち少なくとも一つが実
用に適さない値になる。
スタを１５０℃で１０００時間放置した場合の抵抗値変
化が２係以上になり、７０ｗｔ％より多いと厚膜サーミ
スタの抵抗値、バリスタ定数のうち少なくとも一つが実
用に適さない値になる。
以上述べたごとく本発明によれば、サーミスタ組成物中
にＳｎＯ２を５〜７ｏｗｔ％含有させることで、１５０
℃で長時間放置における抵抗値の経時変化を２％以下と
し耐熱性が著しく向上した厚膜サーミスタを提供できる
。
にＳｎＯ２を５〜７ｏｗｔ％含有させることで、１５０
℃で長時間放置における抵抗値の経時変化を２％以下と
し耐熱性が著しく向上した厚膜サーミスタを提供できる
。
Claims (1)
- １（ａ）サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末３０〜
８０ｗｔ％、ガラスフクツ１フ０〜２０係よりなる粉体
３０〜９５ｗｔ％と、（ｂ）Ｓｎ０２粉末７０〜５ ｗ
ｔ ％とから成るサーミスタ組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9952875A JPS5820122B2 (ja) | 1975-08-18 | 1975-08-18 | サ−ミスタソセイブツ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9952875A JPS5820122B2 (ja) | 1975-08-18 | 1975-08-18 | サ−ミスタソセイブツ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5223697A JPS5223697A (en) | 1977-02-22 |
| JPS5820122B2 true JPS5820122B2 (ja) | 1983-04-21 |
Family
ID=14249718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9952875A Expired JPS5820122B2 (ja) | 1975-08-18 | 1975-08-18 | サ−ミスタソセイブツ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820122B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156274B1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-03-17 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Device and method for combustion of fuel |
-
1975
- 1975-08-18 JP JP9952875A patent/JPS5820122B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5223697A (en) | 1977-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4160227A (en) | Thermistor composition and thick film thermistor | |
| JPS6038802B2 (ja) | 電気抵抗器およびその製造 | |
| JPS581522B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPS5820122B2 (ja) | サ−ミスタソセイブツ | |
| JPH05251211A (ja) | バリスタ用インキ組成物 | |
| JP4042003B2 (ja) | サンドウィッチ型厚膜サーミスタ | |
| JPS626284B2 (ja) | ||
| US4006278A (en) | Low temperature coefficient of resistivity cermet resistors | |
| JPS587045B2 (ja) | サ−ミスタソセイブツ | |
| JP2937073B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JPS581523B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPS62250603A (ja) | 厚膜抵抗体の製造方法 | |
| JPS6037601B2 (ja) | サ−メツト抵抗体組成 | |
| JPH0695483B2 (ja) | 抵抗組成物 | |
| JPS581521B2 (ja) | サ−ミスタ組成物 | |
| JPS6310883B2 (ja) | ||
| RU12744U1 (ru) | Нагревательный элемент | |
| JP2937072B2 (ja) | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 | |
| JPH022535B2 (ja) | ||
| JPH077723B2 (ja) | 抵抗ペースト | |
| JPH02288106A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
| JPS6059705A (ja) | サ−ミスタ材料 | |
| JPH03183640A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
| JPH0436561B2 (ja) | ||
| JP2002198203A (ja) | 抵抗体ペースト、該ペーストを用いて形成した厚膜抵抗体及び該厚膜抵抗体を有する回路基板 |