JPS5820121B2 - サ−ミスタソセイブツ - Google Patents

サ−ミスタソセイブツ

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Publication number
JPS5820121B2
JPS5820121B2 JP9952775A JP9952775A JPS5820121B2 JP S5820121 B2 JPS5820121 B2 JP S5820121B2 JP 9952775 A JP9952775 A JP 9952775A JP 9952775 A JP9952775 A JP 9952775A JP S5820121 B2 JPS5820121 B2 JP S5820121B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
thick film
powder
noise current
metal oxide
Prior art date
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Expired
Application number
JP9952775A
Other languages
English (en)
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JPS5223696A (en
Inventor
戸崎博己
池上昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5223696A publication Critical patent/JPS5223696A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、抵抗値の温度変化で温度を検知するサーミス
タ組成物に係り、特に雑音電流の小さい厚膜サーミスタ
組成物に関するものである。
厚膜サーミスタは抵抗値が温度変化を示すニッケル、マ
ンガン、コバルト等の遷移金属の複合酸化物粉末(以下
サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末と云う)に、ガ
ラスフリットおよびエチルセルロース等の粘性ある有機
バインダを適当な割合テ混合してサーミスタペーストと
し、厚膜素子と同様に銀、パラジウム系導電ペーストを
電極として、セラミック等の基板上に印刷、焼成して形
成する。
しかし、との厚膜サーミスタに定電圧を印加した場合、
サーミスタに流れる電流が変動する。
ここでこの電流の変動を雑音電流と称し、無負荷時の抵
抗値R(Ω)と印加電圧E(V)から計算される電流1
o(A)と、通電時の電流変動Δi (A)Δi から雑音電流を X100で定義する。
雑音電流は温度変化に対応するサーミスタ抵抗値の変化
と等価であり、雑音電流が大きいと見損は上サーミスタ
素子視度変動を検出することになる。
このような雑音電流が従来の厚膜サーミスタでは±10
%以上である。
これは抵抗値の温度係数がα%/’Cのナーミス列CM
江は検出温度の変動が±10/α℃とな包一般にαは1
〜5であるから、±2〜±10℃の温度変動となり実用
上大きな問題となる。
なお、サーミスタ素子としては1Ω〜IMΩの抵抗値を
もち、サーミスタ定数は500に以上が望まれる。
その他バリスタ特性がないこと、即ち。バリスタ定数は
1.05以下であることが必要である。
本発明は、前記した従来技術の欠点を改善し、雑音電流
を小さくしてサーミスタが見掛は上検出する温度変動を
小さくした厚膜サーミスタ組成物を提供するにある。
上記目的を達成するために本発明はサーミスタ組成物を
種々検討した結果サーミスタ特性を有する金属酸化物粉
末とガラスフリットに、第3成分として亜鉛粉末を加え
れば良いことを見い出した。
すなわち本発明は、サーミスタ特性を有する金属酸化物
粉末、ガラスフリットおよび亜鉛粉末からなるサーミス
タ組成物において、亜鉛粉末が前記サーミスタ組成物総
量の10〜30wt%を占めていることを特徴とし、こ
れにより作成した厚膜サーミスタは雑音電流が1%以下
に改善される。
なおサーミスタ組成物の抵抗は亜鉛粉末添加量を調節す
ることにより任意に変えられる。
次に本発明で使用する材刺扛ついて説明する。
サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末は、ニツケル、
コバルト、マンガンなどの遷移金属の複合酸化物の粉末
が良く、ガラスフリットとしてはビスマス系ガラスが良
く、望ましくは第1表の組成のものが良い。
金属粉末としては亜鉛粉末が良いサーミスタ特性を有す
る金属酸化物粉末とガラスフリットの混合割合は、上記
金属酸化粉末30〜80wt%ガラスフリット70〜2
0wt%の範囲が良い。
ガラスフリントが20 w t%より少ないと焼成後の
粒子間および基板との接着力が弱く、70 w t%よ
り多いとサーミスタの抵抗値、バリスタ定数、サーミス
タ定数のうち少なくとも一つの特性が実用に適さない値
になる。
サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末、ガラスフリッ
トおよび亜鉛粉末からなる組成物において、亜鉛粉末の
含有量を前記組成物総重量に対して10〜30wt%に
限った理由は、亜鉛粉末の含有量が10wt%より少な
いと雑音電流が1%以上になり、3owt%より多いと
バリスタ定数が1.05を越えるため実用上好ましくな
いからである以下本発明を実施例により具体的に説明す
る。
実施例 l Mn02t Co0t NiOをそれぞれ3:2:1の
モル比で固相反応させたサーミスタ特性をもつ複合酸化
物の粉末、第1表に示す組成のガラスフリット、亜鉛粉
末を第2表に示す割合で総重量が10gとなるよう秤取
し、攪拌らいかい機で1時間混合する。
次にエチルセルロースを10%含むα−テルピネオール
溶液を有機バインダとして4CC加え、さらに1時間混
練してサーミスタペーストを得る。
アルミナ基板に銀パラジウム導電ペーストをスクリーン
印刷し、350°Cで10分間焼成し下部電極とする。
この上に前記サーミスタペーストを印刷、乾燥したのち
上部電極用銀・パラジウム導電ペーストをサーミスタペ
ーストの乾燥物を介して下部電極と重なるよう印刷し、
乾燥後750℃で10分間焼成してサンドイッチ構造の
厚膜サーミスタを形成した。
下部電極および上部電極の重なり、即ち有効電極面積は
9m1j、でサーミスタ層の焼成後の膜厚は40μmで
ある。
このようにして得た厚膜サーミスタにIVD、CLの定
電圧を印加した場合の雑音電流を第2表に示す。
実施例 2 Coo、MnO2のモル比が2:4であるサーミスタ特
性をもつ金属酸化物粉末を用い実施例1と同様に形成し
だ厚膜サーミスタにIVD、C,の定電圧を印加した場
合の雑音電流を第3表に示す。
以上述べたごとくサーミスタ組成物が亜鉛粉末を10〜
30wt%含有することで、雑音電流を1%以下に抑え
ることができ、サーミスタが検出する温度の変動を小さ
クシ、た厚膜サーミスタを提供することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1(a)サーミスタ特性を有する金属酸化物粉末30〜
    80wt%、ガラスフリット70〜20Wt係より成る
    粉体70〜90wt%と、(b)亜鉛粉末30〜10w
    t%とから成るサーミスタ組成物。
JP9952775A 1975-08-18 1975-08-18 サ−ミスタソセイブツ Expired JPS5820121B2 (ja)

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JPS5223696A JPS5223696A (en) 1977-02-22
JPS5820121B2 true JPS5820121B2 (ja) 1983-04-21

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