JP3775003B2 - 半導体セラミック用導電性ペースト及び半導体セラミック部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックの電極として用いられる導電性ペースト、及びそれを用いた正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
チタン酸バリウム系の半導体セラミックを用いた、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミック部品は、セラミックのキュリー点以上の温度で抵抗値が急激に上昇するため、回路の過電流保護用やテレビのブラウン管の消磁用など、多くの用途に使用されている。この半導体セラミック部品を得るためには、チタン酸バリウム系の半導体セラミックに低抵抗であって整流性のないオーム性接触が得られる電極を形成する必要がある。このような電極に使用される導電性組成物としては、In−Ga合金、Niの無電解めっき、オーム性の卑金属ペースト、スパッタリングによる電極膜などがある。又、特開平6−318503号公報には、オーム性接触を向上させ、電極の膜強度を向上させた銀系の厚膜材料として、銀粉末と、亜鉛又は鉛アンチモン粉末と、低融点ガラスフリットからなる導電性組成物が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の正の抵抗温度特性を示す半導体セラミック部品は、上述の通り、キュリー点以上の温度で急激に抵抗が上昇する特性を示すものであるが、キュリー点以下の室温付近においては、本質的に温度上昇と共に抵抗値が低下するNTC(negative temperature coefficient)特性を示す。
【0004】
このため、この半導体セラミック部品を通して回路に流れる電流は、温度上昇と共に一旦増大するため、基地局用通信機等の定電流回路を構成できないなどの問題点を有していた。つまり、周囲温度が−30〜+40℃といった広い温度範囲で使用される場合、温度上昇にともなって抵抗値が大きく低下するといった問題を有していた。
【0005】
そこで、本発明の目的は、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックの電極として用いたとき、抵抗値が急激に上昇する前の室温付近で、温度の上昇にともなって抵抗値が低下することのない半導体セラミック部品を得ることができる半導体セラミック用導電性ペースト、及びそれを用いた半導体セラミック部品を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体セラミック用導電性ペーストは、銀粉末と、亜鉛アンチモン粉末と、ホウ珪酸ビスマス、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛及びホウ珪酸バリウムの群より選ばれた少なくとも1種を主成分とするガラスフリットと、有機ビヒクルとを含むことを特徴とする。
【0007】
そして、前記銀粉末と、前記亜鉛アンチモン粉末の合計量のうち、前記銀粉末の比率は50〜95重量%であり、前記亜鉛アンチモン粉末の比率は5〜50重量%であり、かつ、前記ガラスフリットの比率は前記銀粉末100重量部に対して2〜20重量部であることを特徴とする。
【0008】
又、本発明の半導体セラミック部品は、正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックに、銀と、亜鉛アンチモンと、ホウ珪酸ビスマス、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛及びホウ珪酸バリウムの群より選ばれた少なくとも1種を主成分とするガラスとを含む電極が形成されていることを特徴とする。
【0009】
そして、前記銀と、前記亜鉛アンチモンの合計量うち、前記銀の比率は50〜95重量%であり、前記亜鉛アンチモンの比率は5〜50重量%であり、かつ、前記ガラスの比率は、前記銀100重量部に対して2〜20重量部であることを特徴とする。
【0010】
さらに、前記正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックは、チタン酸バリウム系であることを特徴とする。
【0011】
ここで、上記した組成範囲が好ましい理由は、以下の通りである。
即ち、銀の含有量が50重量%未満では、電極膜の比抵抗値が上昇し、半導体セラミック部品の抵抗値が上昇する。一方、銀の含有量が95重量%を超えると、オーミック接触が保てず半導体セラミック部品の抵抗値が異常に高くなる。したがって、銀の含有量としては50〜95重量%が好ましい。
【0012】
又、亜鉛アンチモンの含有量が5重量%未満では、半導体セラミックと電極との間にショトキーバリアを初めとする整流性が発現することになり半導体セラミック部品の抵抗値が高くなる。
一方、亜鉛アンチモンの含有量が50重量%を超えると、亜鉛アンチモンの酸化が進行するとともに銀成分の量が少なくなるために比抵抗値が増大し電極として機能しなくなる。
したがって、亜鉛アンチモンの含有量としては、5〜50重量%が好ましい。
【0013】
さらに、ガラス量の含有量が2重量部未満では、電極の焼き付けが充分に行えず、接触抵抗の増大によって半導体セラミック部品の抵抗値が高くなり、電極密着強度の低下をもたらす。
一方、ガラス量の含有量が20重量部を超えると、比抵抗値が増大し電極として機能しなくなる。
したがって、亜鉛アンチモンの含有量は2〜20重量部が好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。
【0015】
(実施例1)
まず、導電性ペーストの原料として、銀粉末、亜鉛アンチモン粉末、ホウ珪酸ビスマスからなるガラス粉末、エチルセルロースを樹脂成分とする有機ビヒクルを準備した。なお、溶剤としてはテルピネオールを用いた。その後、これら原料を、銀粉末:亜鉛アンチモン粉末:ガラス粉末:有機ビヒクル=60:10:10:20重量比となるように秤量し、混練して導電性ペーストを作製した。
【0016】
次に、あらかじめ準備しておいたチタン酸バリウムを主成分とする円板状の半導体セラミックの両面に、この導電性ペーストを塗布し、600℃で焼き付けて半導体セラミック部品とした。
【0017】
以上得られた半導体セラミック部品について、抵抗−温度特性を測定した。結果を表1に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
又、上記実施例と同様にして、但し、ホウ珪酸ビスマスからなるガラスフリットの代わりに、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛、ホウ珪酸バリウム又はホウ珪酸鉛からなるガラスフリットを用いて、導電性ペーストを作製した。そして、上記実施例と同様にして半導体セラミック部品を作製し、抵抗−温度特性を測定した。結果を表1に示す。なお、表1中、ホウ珪酸鉛を用いたものは本発明の範囲外のものである。
【0020】
表1から明らかなように、ガラスフリットとしてホウ珪酸ビスマス、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛又はホウ珪酸バリウムを用いた場合は、抵抗値が急激に上昇する60〜70℃までの低温側の温度範囲において、温度の上昇にともなって抵抗値が低下することはない。これに対して、ガラスフリットとしてホウ珪酸鉛を用いた場合には、室温において温度の上昇にともなって一旦抵抗値の低下が見られる。
【0021】
(参考例)実施例1と同様にして、但し亜鉛アンチモン粉末の代わりに亜鉛粉末を用いて、導電性ペーストを作製し、半導体セラミック部品を作製し、その抵抗−温度特性を測定した。
結果を表2に示す。
なお、表2は、ホウ珪酸鉛も含めて本発明の範囲外のものである。
【0022】
【表2】
【0023】
表2から明らかなように、亜鉛粉末を用いた場合も、実施例1の亜鉛アンチモン粉末を用いた場合と同様に、抵抗値が急激に上昇する60〜70℃までの低温側の温度範囲において、抵抗値が低下することはない。これに対して、ガラスフリットとしてホウ珪酸鉛を用いた場合には、室温において温度の上昇にともなって一旦抵抗値の低下が見られる。
【0024】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、銀粉末と、亜鉛又は亜鉛アンチモン粉末と、ホウ珪酸ビスマス、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛及びホウ珪酸バリウムの群より選ばれた少なくとも1種を主成分とするガラスフリットを含有するペーストを正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックの電極として用いることにより、抵抗値が急激に上昇する前の室温付近で、抵抗値が低下することがない半導体セラミック部品、即ちPTCサーミスタを得ることができる。
Claims (5)
- 銀粉末と、亜鉛アンチモン粉末と、ホウ珪酸ビスマス、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛及びホウ珪酸バリウムの群より選ばれた少なくとも1種を主成分とするガラスフリットと、有機ビヒクルとを含むことを特徴とする、半導体セラミック用導電性ペースト。
- 前記銀粉末と、前記亜鉛アンチモン粉末の合計量のうち、前記銀粉末の比率は50〜95重量%であり、前記亜鉛アンチモン粉末の比率は5〜50重量%であり、かつ、前記ガラスフリットの比率は前記銀粉末100重量部に対して2〜20重量部であることを特徴とする、請求項1記載の半導体セラミック用導電性ペースト。
- 正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックに、銀と、亜鉛アンチモンと、ホウ珪酸ビスマス、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸亜鉛及びホウ珪酸バリウムの群より選ばれた少なくとも1種を主成分とするガラスとを含む電極が形成されていることを特徴とする、半導体セラミック部品。
- 前記銀と、前記亜鉛アンチモンの合計量うち、前記銀の比率は50〜95重量%であり、前記亜鉛アンチモンの比率は5〜50重量%であり、かつ、前記ガラスの比率は、前記銀100重量部に対して2〜20重量部であることを特徴とする、請求項3記載の半導体セラミック部品。
- 前記正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックは、チタン酸バリウム系であることを特徴とする、請求項3又は請求項4記載の半導体セラミック部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21342797A JP3775003B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体セラミック用導電性ペースト及び半導体セラミック部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21342797A JP3775003B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 半導体セラミック用導電性ペースト及び半導体セラミック部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1153938A JPH1153938A (ja) | 1999-02-26 |
JP3775003B2 true JP3775003B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=16639057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3775003B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101471365B1 (ko) * | 2013-11-06 | 2014-12-10 | 한국과학기술원 | 아연-안티몬계 페이스트 합성법과 페이스트를 이용한 p형 열전물질의 형성 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002141520A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Kyocera Corp | 太陽電池素子およびその製造方法 |
US7462304B2 (en) * | 2005-04-14 | 2008-12-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101471365B1 (ko) * | 2013-11-06 | 2014-12-10 | 한국과학기술원 | 아연-안티몬계 페이스트 합성법과 페이스트를 이용한 p형 열전물질의 형성 방법 |
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---|---|
JPH1153938A (ja) | 1999-02-26 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060131 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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