JPS60701A - オ−ム性電極 - Google Patents
オ−ム性電極Info
- Publication number
- JPS60701A JPS60701A JP10899583A JP10899583A JPS60701A JP S60701 A JPS60701 A JP S60701A JP 10899583 A JP10899583 A JP 10899583A JP 10899583 A JP10899583 A JP 10899583A JP S60701 A JPS60701 A JP S60701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ohmic electrode
- porcelain
- semiconductor
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体磁器に形成するオーム性電極の改良に
関するものである。
関するものである。
背景技術
半導体磁器は、正の抵抗一温度係数を有する正特性半導
体磁器（ＰＴＣサーミスタ）、負の抵抗温度係数を有す
る半導体磁器（ＩＴＣサーミスタ）または印加電圧で抵
抗値の変化する電圧非直線性半導体磁器（バリスタ）等
の電子部品を構成するものとして極めて有用性の高いも
のである。唯、それを電子部品に用いるには磁器表面に
電極を形成する必要カ芝あり、しかも磁器□素体の特性
を完全に引き出すためにはオーム性電極を形成すること
が不可欠である。
体磁器（ＰＴＣサーミスタ）、負の抵抗温度係数を有す
る半導体磁器（ＩＴＣサーミスタ）または印加電圧で抵
抗値の変化する電圧非直線性半導体磁器（バリスタ）等
の電子部品を構成するものとして極めて有用性の高いも
のである。唯、それを電子部品に用いるには磁器表面に
電極を形成する必要カ芝あり、しかも磁器□素体の特性
を完全に引き出すためにはオーム性電極を形成すること
が不可欠である。
従来、そのオーム性電極は！磁器表面に（イ）Ｉｎ−Ｇ
ａ合金を塗り付ける、 （ロ）Ｎｉ無電解メッキ処理を施した後に３００〜５０
０°Ｃで熱処理する、 （ハ）Ａｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を分散したペー
ストを塗布した後に４００〜５００℃で焼付処理を行う
、 ことにより形成されている。
ａ合金を塗り付ける、 （ロ）Ｎｉ無電解メッキ処理を施した後に３００〜５０
０°Ｃで熱処理する、 （ハ）Ａｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を分散したペー
ストを塗布した後に４００〜５００℃で焼付処理を行う
、 ことにより形成されている。
然し、（イ）、（ハ）ではＩｎ−Ｇａ合金が低融点であ
るため、また（口）ではＮｉメッキ後の熱処理で電極表
面が酸化されてしまうため、いずれも半田付は性が悪い
欠点がある。
るため、また（口）ではＮｉメッキ後の熱処理で電極表
面が酸化されてしまうため、いずれも半田付は性が悪い
欠点がある。
発明の開示
本発明は、半田付は性を良好にするべく改良したオーム
性電極を提供すること、を目的とする。
性電極を提供すること、を目的とする。
即ち、本発明に係るオーム性電極においては、表面を半
田付は性の良好なメッキ層で被覆することにより形成さ
れている。
田付は性の良好なメッキ層で被覆することにより形成さ
れている。
発明を実施するための最良の形態
以下、これを図示実施例に基づいて説明すれば、次の通
りである。
りである。
この方−ム性電ｆｉｔは、半導体磁器２の表面にＡＪＪ
、Ｚｎ、Ａｇを主成分として形成されている。これら各
成分はいずれもＧａに対して安価であり、個々に半導体
磁器に対して強固な接着性を示すものである。その各成
分は粉末にし、必要に応じてガラスフリット粉末を加え
て有機ビヒクルに分散することによりペースト状にし、
それをスクリーン印刷等で磁器表面に塗布した後、４０
０〜８００°Ｃ程度で焼付処理することでオーム性電極
ｌとして形成できる。また、ＡＭ、Ｚｎ、Ａｇは少なく
とも二つを主成分としてオーム性電極ｌを形成すると半
導体磁器と電極の接合抵抗を極めて低く形成できるとこ
ろから好ましく、その成分比率はＡＪＪＯ〜８０重量％
、ＺｎＯ〜９０重量％、Ａｇ。
、Ｚｎ、Ａｇを主成分として形成されている。これら各
成分はいずれもＧａに対して安価であり、個々に半導体
磁器に対して強固な接着性を示すものである。その各成
分は粉末にし、必要に応じてガラスフリット粉末を加え
て有機ビヒクルに分散することによりペースト状にし、
それをスクリーン印刷等で磁器表面に塗布した後、４０
０〜８００°Ｃ程度で焼付処理することでオーム性電極
ｌとして形成できる。また、ＡＭ、Ｚｎ、Ａｇは少なく
とも二つを主成分としてオーム性電極ｌを形成すると半
導体磁器と電極の接合抵抗を極めて低く形成できるとこ
ろから好ましく、その成分比率はＡＪＪＯ〜８０重量％
、ＺｎＯ〜９０重量％、Ａｇ。
〜８０重量％にするとよい。このオーム性電極ｌは、表
面が半田付は性の良好なメッキ層３で被覆処理されてい
る。そのメッキ材料としてはＣｕ。
面が半田付は性の良好なメッキ層３で被覆処理されてい
る。そのメッキ材料としてはＣｕ。
Ｓｎまたは半田メッキを挙げることができ、この皮膜３
でオーム性電極ｌを半田付は性の良好なものに成形でき
る。そのメッキ層３の成形に先立って、オーム性電極１
の表面にはＣｕメッキ層４を形成するとよく、後のメッ
キ層による電極端部をシャープにしてより高品質な電極
として形成できる。また、メッキ層３の成形前にＮｉメ
ッキ層５を形成すると半田付は時の加熱で電極強度の劣
化を防ぐようにもできる。
でオーム性電極ｌを半田付は性の良好なものに成形でき
る。そのメッキ層３の成形に先立って、オーム性電極１
の表面にはＣｕメッキ層４を形成するとよく、後のメッ
キ層による電極端部をシャープにしてより高品質な電極
として形成できる。また、メッキ層３の成形前にＮｉメ
ッキ層５を形成すると半田付は時の加熱で電極強度の劣
化を防ぐようにもできる。
このように構成するオーム性電極では、第２図で示すグ
ラフで明らかなように従来例に比較して極めて良好な半
田付は強度を示すものであり、またＡＭ、Ｚｎ、Ａｇを
主成分として形成するときには次表で示す如く半導体磁
器に対する接着強度を高くできると共に半導体磁器と主
棒との接合抵抗を低くでき、特にＰＴＣサーミスタを形
成しても電極の固有抵抗が低いため電極の損傷等が星す
ることもなくて安価で電気的特性の良好な電子部品を形
成できるようになる。
ラフで明らかなように従来例に比較して極めて良好な半
田付は強度を示すものであり、またＡＭ、Ｚｎ、Ａｇを
主成分として形成するときには次表で示す如く半導体磁
器に対する接着強度を高くできると共に半導体磁器と主
棒との接合抵抗を低くでき、特にＰＴＣサーミスタを形
成しても電極の固有抵抗が低いため電極の損傷等が星す
ることもなくて安価で電気的特性の良好な電子部品を形
成できるようになる。
発明の効果
以上の如く１、本発明に係るオーム性電極に依れば、半
田付は性を極めて良好にすることにより、半導体磁器の
電子部品としての有用性を更に向上するととができるよ
うになる。
田付は性を極めて良好にすることにより、半導体磁器の
電子部品としての有用性を更に向上するととができるよ
うになる。
第１図は本発明に係るオーム性電極を形成した電子部品
の側断面図、第２図は同オーム性電極の半田付は性を従
来例と比較したグラフである。 ｌ：オーム性電極、２：半導体磁器、３：メッキ層。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社第１図 第２図 東京都中央区日本橋−丁目１３番 １号ティーディーケイ株式会社 内 ０発 明 者 露木博 東京都中央区日本橋−丁目１３番 １号ティーディーケイ株式会社 内
の側断面図、第２図は同オーム性電極の半田付は性を従
来例と比較したグラフである。 ｌ：オーム性電極、２：半導体磁器、３：メッキ層。 特許出願人 ティーディーケイ株式会社第１図 第２図 東京都中央区日本橋−丁目１３番 １号ティーディーケイ株式会社 内 ０発 明 者 露木博 東京都中央区日本橋−丁目１３番 １号ティーディーケイ株式会社 内
Claims (3)
- （１）半導体磁器に焼付成形した表面を半田付は性の良
好なメッキ層で被覆してなることを特徴とするオーム性
電極。 - （２）ＡＭ、Ｚｎ、Ａｇのうち少なくとも二つを主成分
にして半導体磁器に焼付成形したところの特許請求の範
囲第１項記載のオーム性電極。 - （３） Ｃｕ 、 Ｓ ｎまたは半田メッキでメッキ層
を形成したところの特許請求の範囲第１または２項記載
のオーム性電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10899583A JPS60701A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | オ−ム性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10899583A JPS60701A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | オ−ム性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60701A true JPS60701A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14498909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10899583A Pending JPS60701A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | オ−ム性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287902A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
| JPH03250604A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
| JPH03250603A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10899583A patent/JPS60701A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01287902A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-20 | Murata Mfg Co Ltd | 正特性サーミスタ |
| JPH03250604A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
| JPH03250603A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS604557B2 (ja) | 多数の貫通孔を有するチタン酸バリウム系正特性磁器発熱体 | |
| JP4244466B2 (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック電子部品 | |
| JP3391325B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPS60701A (ja) | オ−ム性電極 | |
| JPS58178903A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JP3178532B2 (ja) | 半導体磁器電子部品 | |
| JPH07105719A (ja) | 導電性ペーストと抵抗体素子 | |
| JPH0370361B2 (ja) | ||
| JP3775003B2 (ja) | 半導体セラミック用導電性ペースト及び半導体セラミック部品 | |
| JPS6322444B2 (ja) | ||
| JPH04211101A (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 | |
| JPS6199319A (ja) | セラミツク電子部品 | |
| JP2503974B2 (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JP3548586B2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JPH0415563B2 (ja) | ||
| JP3939634B2 (ja) | オーミック電極形成用導体ペースト | |
| JP3016560B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JP2649081B2 (ja) | 厚膜銅ペースト | |
| JPH037131B2 (ja) | ||
| JPH0660715A (ja) | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品の電極形成方法 | |
| JPS5947705A (ja) | 正特性サ−ミスタの電極形成方法 | |
| JPH0430722B2 (ja) | ||
| JPS59220901A (ja) | セラミツク電子部品の電極形成方法 | |
| JPH05234705A (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
| JP2559524Y2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 |