JPS59220901A - セラミツク電子部品の電極形成方法 - Google Patents
セラミツク電子部品の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS59220901A JPS59220901A JP9743183A JP9743183A JPS59220901A JP S59220901 A JPS59220901 A JP S59220901A JP 9743183 A JP9743183 A JP 9743183A JP 9743183 A JP9743183 A JP 9743183A JP S59220901 A JPS59220901 A JP S59220901A
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- JP
- Japan
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- electrode film
- nickel
- ceramic electronic
- temperature coefficient
- aluminum
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はアルミニウム電極膜の上にニッケル電極膜を形
成するセラミック電子部品の電極形成方法に関する。
成するセラミック電子部品の電極形成方法に関する。
（従来技術）
従来よリーセラミック電子部品−たとえば電動機の起動
に使用される正特性サーミスタや、カラーテレビジョン
の受像管の消磁に使用される消磁用の、正特性サーミス
タでは−たとえば第１図に示すように、円板状の正特性
サーミスタ素体１の相対向する両主面にオーム銀を焼き
付けてオーム銀電極膜２．２を形成するか、第２図に示
すように一正特性サーミスタ素体１の両主面に無電解メ
ッキによってニッケル電極膜３，３を形成し、その上に
銀（Ａｇ）電極膜４，４を形成するようにしていた。
に使用される正特性サーミスタや、カラーテレビジョン
の受像管の消磁に使用される消磁用の、正特性サーミス
タでは−たとえば第１図に示すように、円板状の正特性
サーミスタ素体１の相対向する両主面にオーム銀を焼き
付けてオーム銀電極膜２．２を形成するか、第２図に示
すように一正特性サーミスタ素体１の両主面に無電解メ
ッキによってニッケル電極膜３，３を形成し、その上に
銀（Ａｇ）電極膜４，４を形成するようにしていた。
ところで、上記のような正特性サーミスタでは、電極材
料として銀やニッケルを使用しているため、正特性サー
ミスタのコストが高くなる難点があり、近年では、正特
性サーミスタの低コスト化および省資源の観点から、第
３図に示すように、正特性サーミスタ素体１の主面にア
ルミニウムの電極膜５．５を焼き付けることも行われて
いる。しかしながら、アルミニウムは酸化し易く、正特
性サーミスタの電極としてアルミニウムの電極膜５．５
を単独で使用すると、アルミニウムの電極膜５゜５の抵
抗値が上昇したり、さらには、アルミニウドの電極膜５
，５に部分的に電流が集沖し、電極焼けが発生する。そ
こで、アルミニウムの電極Ｈ５．５の上に、さらに銀電
極膜を形成することも行われているが、銀電極膜を厚く
すると正特性サーミスタのコストが上昇し、逆に一銀電
極膜が薄い場合はアルミニウムの電極膜５，５の酸化防
止機能も低下する。また、銀電極膜にリード線を半田付
けすると、銀電極膜に半田クワレが生じるため、銀電極
膜の厚みはさほど薄くできない。
料として銀やニッケルを使用しているため、正特性サー
ミスタのコストが高くなる難点があり、近年では、正特
性サーミスタの低コスト化および省資源の観点から、第
３図に示すように、正特性サーミスタ素体１の主面にア
ルミニウムの電極膜５．５を焼き付けることも行われて
いる。しかしながら、アルミニウムは酸化し易く、正特
性サーミスタの電極としてアルミニウムの電極膜５．５
を単独で使用すると、アルミニウムの電極膜５゜５の抵
抗値が上昇したり、さらには、アルミニウドの電極膜５
，５に部分的に電流が集沖し、電極焼けが発生する。そ
こで、アルミニウムの電極Ｈ５．５の上に、さらに銀電
極膜を形成することも行われているが、銀電極膜を厚く
すると正特性サーミスタのコストが上昇し、逆に一銀電
極膜が薄い場合はアルミニウムの電極膜５，５の酸化防
止機能も低下する。また、銀電極膜にリード線を半田付
けすると、銀電極膜に半田クワレが生じるため、銀電極
膜の厚みはさほど薄くできない。
（発明の目的）
本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、セラミック電子部品本体にアルミニウ
ム電極膜を形成した後、その上にニッケル電極膜を形成
することにより、ニッケル電極膜でアルミニウム電極膜
を覆い、銀を使用せずに低コストでセラミック電子部品
本体に信頼性の高い電極を形成することである。
て、その目的は、セラミック電子部品本体にアルミニウ
ム電極膜を形成した後、その上にニッケル電極膜を形成
することにより、ニッケル電極膜でアルミニウム電極膜
を覆い、銀を使用せずに低コストでセラミック電子部品
本体に信頼性の高い電極を形成することである。
（発明の構成）
このため、本発明は、セラミック電子部品本体の表面に
アルミニウム電極膜を形成し、該アルミニウム電極膜の
表面の酸化膜を除去し、その表面に活性化材料を塗布し
て焼き付けた後、その上に無電解メッキによってニッケ
ル電極膜を形成するようにしたことを特徴としている。
アルミニウム電極膜を形成し、該アルミニウム電極膜の
表面の酸化膜を除去し、その表面に活性化材料を塗布し
て焼き付けた後、その上に無電解メッキによってニッケ
ル電極膜を形成するようにしたことを特徴としている。
（実施例）
以下、本発明を正特性サーミスタの電極形成に適用した
実施例について、本発明の詳細な説明する。
実施例について、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、基本的には、第４図（ａ）に示すよ
うに、円板状のセラミック電子部品本体としての正特性
サーミスタ素体１１の両主面に夫々アルミニウムペース
トを塗布し一該アルミニウムペーストの焼付ケを行って
アルミニウム電極Ｂ’Ａ １２ 。
うに、円板状のセラミック電子部品本体としての正特性
サーミスタ素体１１の両主面に夫々アルミニウムペース
トを塗布し一該アルミニウムペーストの焼付ケを行って
アルミニウム電極Ｂ’Ａ １２ 。
１２を形成する。
このアルミニウム電極膜１２．１２の表面の酸化物をパ
フ研磨等で除去した後、上記アルミニウム電極膜１２．
１２の上に活性化材料、たとえば、パラジウム（Ｐｄ）
ペーストを塗布してこのパラジウムペーストを焼き付け
、第４図（ｂ）に示すように、アルミニウム電極膜１２
．１２の上に活性化層１３゜１３を形成する。この活性
化材料としては、パラジウムの他、白金、ロｆウムーｚ
、／Ｉ／テニウム、銀−金などが用い得る。
フ研磨等で除去した後、上記アルミニウム電極膜１２．
１２の上に活性化材料、たとえば、パラジウム（Ｐｄ）
ペーストを塗布してこのパラジウムペーストを焼き付け
、第４図（ｂ）に示すように、アルミニウム電極膜１２
．１２の上に活性化層１３゜１３を形成する。この活性
化材料としては、パラジウムの他、白金、ロｆウムーｚ
、／Ｉ／テニウム、銀−金などが用い得る。
次いて、全体を無電解ニッケル浴に浸漬し、上記活性層
１３．１３の上にニッケルを析出させて、第４図（Ｃ）
に示すように、ニッケル電極膜１４．１４を形成し、全
体の水洗い、乾燥を行い、正特性サーミスタ素体１１の
両主面に夫々アルミニウム電極膜１２．１２およびニッ
ケル電極膜１４．１４からなる電極１５．１５を形成す
る。
１３．１３の上にニッケルを析出させて、第４図（Ｃ）
に示すように、ニッケル電極膜１４．１４を形成し、全
体の水洗い、乾燥を行い、正特性サーミスタ素体１１の
両主面に夫々アルミニウム電極膜１２．１２およびニッ
ケル電極膜１４．１４からなる電極１５．１５を形成す
る。
上記電極１．５．１５の形成方法において、ノ々ラジウ
ムペーストの焼付は温度、無電解ニッケル浴の時間等の
電極形成条件を求めるため、次のよう７ｊ実験を行った
。
ムペーストの焼付は温度、無電解ニッケル浴の時間等の
電極形成条件を求めるため、次のよう７ｊ実験を行った
。
先ず、正特性サーミスタ素体１１として１９個の試料を
用意し−これら１９個の試料について、パラジウムペー
ストの焼付は温度を２００°Ｃから７００°Ｃの範囲で
、また、無電解ニッケル浴の時間を５分から３０分の範
囲で異ならせて、二・ン）１）し電極膜１４．１４の膜
厚測定、６０％５ｎ−Ｐｂ半田２３０°Ｃ浸漬による半
田付性、およびリード線引張り強さの測定を行った。そ
の結果、第１表に示すような結果を得た。
用意し−これら１９個の試料について、パラジウムペー
ストの焼付は温度を２００°Ｃから７００°Ｃの範囲で
、また、無電解ニッケル浴の時間を５分から３０分の範
囲で異ならせて、二・ン）１）し電極膜１４．１４の膜
厚測定、６０％５ｎ−Ｐｂ半田２３０°Ｃ浸漬による半
田付性、およびリード線引張り強さの測定を行った。そ
の結果、第１表に示すような結果を得た。
上記の実験によれば、パラジウムペーストの焼付温度は
４００℃ないし５００℃が適当であり、この焼付温度が
低いとニッケルの付着は良好であるが、リード線引張り
強度が弱く、逆に、焼付温度が高いと−アルミニウム電
極膜１２．１２のアルミニウムが溶融し、その中にパラ
ジウムが吸収されてパラジウムの効果がなくなり、ニッ
ケルが析出しなかった。
４００℃ないし５００℃が適当であり、この焼付温度が
低いとニッケルの付着は良好であるが、リード線引張り
強度が弱く、逆に、焼付温度が高いと−アルミニウム電
極膜１２．１２のアルミニウムが溶融し、その中にパラ
ジウムが吸収されてパラジウムの効果がなくなり、ニッ
ケルが析出しなかった。
また、無電解ニッケル浴の時間は５分程度が適当であり
、この無電解メッキ浴の時間を長くすると、ニッケル電
極膜１４．１４の膜厚は厚くなるが、リード線引張り強
度は逆に劣化する傾向があった。
、この無電解メッキ浴の時間を長くすると、ニッケル電
極膜１４．１４の膜厚は厚くなるが、リード線引張り強
度は逆に劣化する傾向があった。
さらに、アルミニウム電極膜１２．１２は、パフ研磨等
により、その表面の酸化物を除去しておくことが好まし
い。アルミニウム電極膜１２．１２を焼付けした状態で
は表面に黒灰色の酸化物が生成している。この酸化物を
除いた場合と付着したままの場合とを比較すると、両者
とも、ニッケルメッキは可能であるが、酸化物を除いた
方が均一なニッケル電極膜１４．１４か形成され、リー
ド線引張り強さも大きくなった。
により、その表面の酸化物を除去しておくことが好まし
い。アルミニウム電極膜１２．１２を焼付けした状態で
は表面に黒灰色の酸化物が生成している。この酸化物を
除いた場合と付着したままの場合とを比較すると、両者
とも、ニッケルメッキは可能であるが、酸化物を除いた
方が均一なニッケル電極膜１４．１４か形成され、リー
ド線引張り強さも大きくなった。
以上のことから、電極１５．１５の形成時、アルミニウ
ム電極膜１２．１２上の酸化物を除去し、パラジウムペ
ーストを４００℃ないし５ｏｏ℃とし、無電解ニッケル
メッキ浴の時間を約５分程度とすることが好薫しい。
ム電極膜１２．１２上の酸化物を除去し、パラジウムペ
ーストを４００℃ないし５ｏｏ℃とし、無電解ニッケル
メッキ浴の時間を約５分程度とすることが好薫しい。
次に、上記条件を満足する第１表中の試料９（以下、試
料Ｓ−１と記す。）、正特性サーミスタ索体の上にアル
ミニウム電極膜を形成し、その上に銀電極膜を形成した
試料（Ｊ：Ｊ、下、試料Ｓ−２と記す。）、正特性サー
ミスタ素体の上にオーミック銀を焼き付けた試料（以下
、試料Ｓ−３と記す。
料Ｓ−１と記す。）、正特性サーミスタ索体の上にアル
ミニウム電極膜を形成し、その上に銀電極膜を形成した
試料（Ｊ：Ｊ、下、試料Ｓ−２と記す。）、正特性サー
ミスタ素体の上にオーミック銀を焼き付けた試料（以下
、試料Ｓ−３と記す。
）、および正特性サーミスタ素体の上にアルミニウム電
極膜のみを形成した試料（以下、試料Ｓ −４と記す。
極膜のみを形成した試料（以下、試料Ｓ −４と記す。
）について、相対湿度９５％−４０＝ｃの雰囲気中で、
理由放置試験を行ったところ、第５図に示すような結果
を得た。
理由放置試験を行ったところ、第５図に示すような結果
を得た。
また、同様の試料Ｓ−１、Ｓ−２、ｓ−３およびｓ−４
により、２２４ボルトの電圧による連続電圧印加試験を
行ったところ第６図に示すような結果を得た。
により、２２４ボルトの電圧による連続電圧印加試験を
行ったところ第６図に示すような結果を得た。
上記第５図および第６図から分るように、試料Ｓ−１は
正特性サーミスタ素体にオーム銀を焼き付けた試料Ｓ−
３とはゾ同等の抵抗値の変化率特性を有し、充分な信頼
性を有していることか分る。
正特性サーミスタ素体にオーム銀を焼き付けた試料Ｓ−
３とはゾ同等の抵抗値の変化率特性を有し、充分な信頼
性を有していることか分る。
なお、上記実施例において一ニッケル電極膜１４゜１４
に代えて、銅′屯極膜を使用しても第１表とはゾ同一の
結果を得ることができる。
に代えて、銅′屯極膜を使用しても第１表とはゾ同一の
結果を得ることができる。
また、本発明は一正特性サーミスタの他に、電極を必要
とするセラミックコンデンサ等のセラミック゛磁子部品
に広く適用できる。
とするセラミックコンデンサ等のセラミック゛磁子部品
に広く適用できる。
（発明の効果）
以上−詳述したことからも明らかなように、本発明は、
正特性サーミスタ素体等のセラミ゛ンク電子部品本体に
形成したアルミニウム電極膜の上に無電解メッキ法によ
りニッケル電極膜を形成するようにしたから、銀等の価
格の高い電極材料を使用することなく電子部品の電極を
形成することができ、オーム銀等の材料を使用する電子
部品と比較して信頼性を低下させることなく、電子部品
のコストを大１１ｊに引き下げることができる。
正特性サーミスタ素体等のセラミ゛ンク電子部品本体に
形成したアルミニウム電極膜の上に無電解メッキ法によ
りニッケル電極膜を形成するようにしたから、銀等の価
格の高い電極材料を使用することなく電子部品の電極を
形成することができ、オーム銀等の材料を使用する電子
部品と比較して信頼性を低下させることなく、電子部品
のコストを大１１ｊに引き下げることができる。
また、本発明によれば、従来、広く使用されている無電
解メッキを使用しているため、゛電極形成用の特別な設
備も不要であり、さらに、活性化層の形成パターンに応
じてニッケル電極膜か形成されるため、無電解メッキに
より種々の形状の電極を形成することができる。
解メッキを使用しているため、゛電極形成用の特別な設
備も不要であり、さらに、活性化層の形成パターンに応
じてニッケル電極膜か形成されるため、無電解メッキに
より種々の形状の電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図および第３図は夫々従来の正特性サーミ
スタの電極形成方法の説明図、第４図（ａ）、第４図（
ｂ）および第４図（Ｃ）は夫々本発明に係る電子部品の
電極形成方法の説明図、第５図は本発明により電極を形
成した正特性サーミスタおよび他の試料の理由放置試験
特性図、第６図は第５図の正特性サーミスタおよび他の
試料の連続電圧印加試験特性図である。 １１ 正特性サーミスタ素体、１２−アルミニウム電極
膜、１３ 活性層、１４ ニッケル電極膜、１５ ・電
極。
スタの電極形成方法の説明図、第４図（ａ）、第４図（
ｂ）および第４図（Ｃ）は夫々本発明に係る電子部品の
電極形成方法の説明図、第５図は本発明により電極を形
成した正特性サーミスタおよび他の試料の理由放置試験
特性図、第６図は第５図の正特性サーミスタおよび他の
試料の連続電圧印加試験特性図である。 １１ 正特性サーミスタ素体、１２−アルミニウム電極
膜、１３ 活性層、１４ ニッケル電極膜、１５ ・電
極。
Claims (1)
- （１）セラミック電子部品本体の表面にアルミニウム電
極膜を形成し、該アルミニウム電極膜の表面の酸化膜を
除去し、その表面に活性化材料を塗布して焼き付けた後
、その上に無電解メッキによってニッケル電極膜を形成
するようにしたことを特徴とするセラミック電子部品の
電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9743183A JPS59220901A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9743183A JPS59220901A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59220901A true JPS59220901A (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=14192201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9743183A Pending JPS59220901A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | セラミツク電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59220901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03276615A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| WO1994000855A1 (en) * | 1992-06-23 | 1994-01-06 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Positive characteristic thermistor and method of its manufacture |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9743183A patent/JPS59220901A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03276615A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品及びその製造方法 |
| WO1994000855A1 (en) * | 1992-06-23 | 1994-01-06 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Positive characteristic thermistor and method of its manufacture |
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