JPS5969906A - 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5969906A JPS5969906A JP57180751A JP18075182A JPS5969906A JP S5969906 A JPS5969906 A JP S5969906A JP 57180751 A JP57180751 A JP 57180751A JP 18075182 A JP18075182 A JP 18075182A JP S5969906 A JPS5969906 A JP S5969906A
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- Japan
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- multilayer ceramic
- electrode
- terminal electrodes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層セラミックコンデンサの端子電極形成方法
に関するもので、特に端子電極をメッキにて形成した温
度補償用積層セラミックコンデンサに発生するＱ不良の
改善に供するものでさるっ従来例の構成とその問題点 従来、積層セラミックコンデンサの端子電極には、第１
図に示すようにＡｇ −Ｐ（ｉ電極１を用いたもの、ま
た第２図に示すように半田耐熱性を考慮して緒電極２形
成後、電解または無電解メッキにてＮｉ層３、さらにそ
の上に電解メッキによるＳｎ −ｐｂ層４を形成したも
のが一般的であった。第１図。
に関するもので、特に端子電極をメッキにて形成した温
度補償用積層セラミックコンデンサに発生するＱ不良の
改善に供するものでさるっ従来例の構成とその問題点 従来、積層セラミックコンデンサの端子電極には、第１
図に示すようにＡｇ −Ｐ（ｉ電極１を用いたもの、ま
た第２図に示すように半田耐熱性を考慮して緒電極２形
成後、電解または無電解メッキにてＮｉ層３、さらにそ
の上に電解メッキによるＳｎ −ｐｂ層４を形成したも
のが一般的であった。第１図。
第２図で５は積層セラミックコンデンサ素子、６は内部
電極層である。
電極層である。
ところが、Ａｇ−Ｐｄ電極ではＰｄが２０〜３ｏチ含有
されるためコスト高であり、さらにはユーザでの苛酷な
半田付は条件を考慮した場合、半田耐熱性の面で問題が
あった。一方、従来のＡｇ電極層上への電解メッキによ
る方法では半田耐熱性には優れ、低コスト化は図れるも
ののＱ不良が発生していた。
されるためコスト高であり、さらにはユーザでの苛酷な
半田付は条件を考慮した場合、半田耐熱性の面で問題が
あった。一方、従来のＡｇ電極層上への電解メッキによ
る方法では半田耐熱性には優れ、低コスト化は図れるも
ののＱ不良が発生していた。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み、メッキ処理を前提として、Ｑ
不良を改善する積層セラミックコンデンナの端子電極形
成方法を提供しようとするものであるＯ 発明の構成 この目的を達成するだめに本発明の積層セラミツクコン
デ／ザの端子電極形成方法は、積層セラミックコンデン
サ素子の端部にＡｇ電極を塗布する前に、ガラスペース
トを塗布し、焼付けして端子電極部にガラス質の層を設
けたものである。この上に従来と同じ方法にてＡ（（電
械塗布、焼付け、電解または−１，Ｉ！１．電解メッキ
によるＮ１層形成、電解メッキによる５ｎ−Ｐｂ層の形
成を行い、端子電極を形成するも５つであり、メッキ処
理によるＱ不良を改善できるものである。
不良を改善する積層セラミックコンデンナの端子電極形
成方法を提供しようとするものであるＯ 発明の構成 この目的を達成するだめに本発明の積層セラミツクコン
デ／ザの端子電極形成方法は、積層セラミックコンデン
サ素子の端部にＡｇ電極を塗布する前に、ガラスペース
トを塗布し、焼付けして端子電極部にガラス質の層を設
けたものである。この上に従来と同じ方法にてＡ（（電
械塗布、焼付け、電解または−１，Ｉ！１．電解メッキ
によるＮ１層形成、電解メッキによる５ｎ−Ｐｂ層の形
成を行い、端子電極を形成するも５つであり、メッキ処
理によるＱ不良を改善できるものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例を第３図、第４図を用いて説明す
る。図において、７はＰｄまたはその他の金属材料にて
内部電極８を構成した酸化チタン系誘電体材料からなる
積層セラミノクコンデンザ素子であり、９はこの素子了
の端部に塗布され、６００〜ｓｏｏ’Ｃで１０〜２０分
間の焼付けによって形成されたガラス層である。１０は
ガラス層９上に塗布後、７ｏｏ〜９ｏＯ℃で１０〜２０
分間焼付けだＡｇ’！極層である。ここで用いられるガ
ラスは紹焼付は温度以下で軟化する組成のものを使用す
ることは言うまでもない。このＡｇ焼付は時に結電極層
１ｏの下層のガラス層９は軟化し、素子７の内部電極８
とガラス層９及びＡｇ電極層１０が反応し、内部電極８
とＡｇの合金が生成され、内部を電極８と端子電極とは
導通状態となる。１１は電解まだは無電解メッキにて生
成されたＮｉ層、５は電解メッキによって生成されだ５
ｎ−Ｐｂ層である。
る。図において、７はＰｄまたはその他の金属材料にて
内部電極８を構成した酸化チタン系誘電体材料からなる
積層セラミノクコンデンザ素子であり、９はこの素子了
の端部に塗布され、６００〜ｓｏｏ’Ｃで１０〜２０分
間の焼付けによって形成されたガラス層である。１０は
ガラス層９上に塗布後、７ｏｏ〜９ｏＯ℃で１０〜２０
分間焼付けだＡｇ’！極層である。ここで用いられるガ
ラスは紹焼付は温度以下で軟化する組成のものを使用す
ることは言うまでもない。このＡｇ焼付は時に結電極層
１ｏの下層のガラス層９は軟化し、素子７の内部電極８
とガラス層９及びＡｇ電極層１０が反応し、内部電極８
とＡｇの合金が生成され、内部を電極８と端子電極とは
導通状態となる。１１は電解まだは無電解メッキにて生
成されたＮｉ層、５は電解メッキによって生成されだ５
ｎ−Ｐｂ層である。
この本発明方法で得られたものと、従来のメッキ方法で
得られたものとのＱの測定結果は、従来のもので３〜５
／１０００、本発明のもので”ｙＡ ｏｏ 。
得られたものとのＱの測定結果は、従来のもので３〜５
／１０００、本発明のもので”ｙＡ ｏｏ 。
ＯＱ不良発生数であった。また、半田付は性、半１ヨ附
熱性も従来のメッキ品と同様良好であった。
熱性も従来のメッキ品と同様良好であった。
以上のように、積層セラミックコンデンサの端子電極部
にガラスペーストを塗布、焼利けしだのち、そのガラス
層上にＡｇ電極を塗布、焼付けし、そのＡｇ電極層上に
Ｎ１及び５ｎ−Ｐｂメッキ処理したものはＱ不良発生も
なく、半田付は性、半田耐熱性も極めて良好なものが得
られる。
にガラスペーストを塗布、焼利けしだのち、そのガラス
層上にＡｇ電極を塗布、焼付けし、そのＡｇ電極層上に
Ｎ１及び５ｎ−Ｐｂメッキ処理したものはＱ不良発生も
なく、半田付は性、半田耐熱性も極めて良好なものが得
られる。
発明の効果
従って、本発明による方法を用いればメッキ処理に起因
するＱ不良を防止でき、半田付は性、半［１耐熱性の優
れたメッキ処理品の製造が可能となり、産業上極めて有
効な方法である。
するＱ不良を防止でき、半田付は性、半［１耐熱性の優
れたメッキ処理品の製造が可能となり、産業上極めて有
効な方法である。
” 第１図は従来の端子電極にＡｇ −Ｐ（１を用いた
積層セラミックコンテンサの断面図、第２図は従来の端
子電極にメッキ処理を行った積層セラミックコンデンサ
の断面図、第３図は本発明方法による端子電極部にガラ
ス層を形成した積層セラミックコンデンサの断面図、第
４図は本発明方法による端子電極を形成した積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。 ７・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、９・・・
・・ガラス層、１０・・・・・・鞄電極、１１・・・・
・・Ｎ１層、１２・・・・・・加−ｐｂ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第３図 ７
積層セラミックコンテンサの断面図、第２図は従来の端
子電極にメッキ処理を行った積層セラミックコンデンサ
の断面図、第３図は本発明方法による端子電極部にガラ
ス層を形成した積層セラミックコンデンサの断面図、第
４図は本発明方法による端子電極を形成した積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。 ７・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、９・・・
・・ガラス層、１０・・・・・・鞄電極、１１・・・・
・・Ｎ１層、１２・・・・・・加−ｐｂ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第３図 ７
Claims (1)
- 積層セラミックコンデンサ素子の端子部にガラスペース
トを塗布、焼付けしたのち、そのガラス層上に緒電極ペ
ーストを塗布、焼付けし、そのＡｇ電極層上に電解また
は無電解メッキにてＮ１層を形成し、さらにその上に電
解メッキにて５ｎ−Ｐｂ層を形成することを特徴とする
積層セラミックコンデンサの端子電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180751A JPS5969906A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57180751A JPS5969906A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969906A true JPS5969906A (ja) | 1984-04-20 |
| JPH037131B2 JPH037131B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=16088675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57180751A Granted JPS5969906A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969906A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385715A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
| JP2008251617A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JP2013098540A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP57180751A patent/JPS5969906A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385715A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
| JP2008251617A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 電子部品の製造方法 |
| JP2013098540A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH037131B2 (ja) | 1991-01-31 |
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