JPS5969907A - 温度補償用積層セラミツクコンデンサ - Google Patents
温度補償用積層セラミツクコンデンサInfo
- Publication number
- JPS5969907A JPS5969907A JP57181745A JP18174582A JPS5969907A JP S5969907 A JPS5969907 A JP S5969907A JP 57181745 A JP57181745 A JP 57181745A JP 18174582 A JP18174582 A JP 18174582A JP S5969907 A JPS5969907 A JP S5969907A
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- Japan
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- silver
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- palladium
- plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は温度補償用積層セラミックコンデンサに関する
ものである。
ものである。
積層セラミックコンデンサは、小型で大きな容量がとれ
るため、電子チューナ ビデオテープレコーダ・ビデオ
カメラ等の各種電気機器に利用され、最近需要が急増し
ている。温度補償用積層セラミックコンデンサは、静電
容量の温度変化率が少ないものの分類である。
るため、電子チューナ ビデオテープレコーダ・ビデオ
カメラ等の各種電気機器に利用され、最近需要が急増し
ている。温度補償用積層セラミックコンデンサは、静電
容量の温度変化率が少ないものの分類である。
従来例の構成とその問題点
積層セラミックコンデンサは第１図に示すように、誘電
体セラミック１と内一部電極２と外部電極３とからなシ
、外部電極３としては、高温焼付けの銀ペースト−ｔｐ
布焼付けして形成される銀電極または銀ベーストの中に
少量のパラジウムを含む銀−パラジウム電極が用いられ
ている。この積層セラミックコンデンサをプリント基板
等に実装する場合に、前記外部電極３をハンダ付けする
が、前記外部電極はハンダ耐熱性が悪く、銀くわれをお
こし易い。そこで、ハンダ＃熱性および濡れ性を改善す
る目的で、銀電極または銀−パラジウム電極の上にＮｉ
メッキ、Ｎエメソキの上にハンダ（ヌズー鉛合金）メッ
キをする方法がとられている。しかし、これらのメッキ
処理をすることによって、誘電損失（ｔａＩＩδ）がわ
ずかに大きくなるものが発生する。高誘電率系の積層上
ラミックコンデンサにおいては、一般に−δが１％以上
と比較的大きいので、このメッキ処理の影響も問題とな
らない。しかし、温度補償′用の積層セラミノクコので
的が大きいが、規格で例えば静電容量が３０ＰＦ以」ユ
のとき、Ｑ≧１０００ （ｔａｎδ≦０．１％）となっ
ている。そこで、温度補償′用積層セラミソクコンテン
サにおいて、Ｑの値が規格値未満となるＱ不良が発２ト
し問題となっている。
体セラミック１と内一部電極２と外部電極３とからなシ
、外部電極３としては、高温焼付けの銀ペースト−ｔｐ
布焼付けして形成される銀電極または銀ベーストの中に
少量のパラジウムを含む銀−パラジウム電極が用いられ
ている。この積層セラミックコンデンサをプリント基板
等に実装する場合に、前記外部電極３をハンダ付けする
が、前記外部電極はハンダ耐熱性が悪く、銀くわれをお
こし易い。そこで、ハンダ＃熱性および濡れ性を改善す
る目的で、銀電極または銀−パラジウム電極の上にＮｉ
メッキ、Ｎエメソキの上にハンダ（ヌズー鉛合金）メッ
キをする方法がとられている。しかし、これらのメッキ
処理をすることによって、誘電損失（ｔａＩＩδ）がわ
ずかに大きくなるものが発生する。高誘電率系の積層上
ラミックコンデンサにおいては、一般に−δが１％以上
と比較的大きいので、このメッキ処理の影響も問題とな
らない。しかし、温度補償′用の積層セラミノクコので
的が大きいが、規格で例えば静電容量が３０ＰＦ以」ユ
のとき、Ｑ≧１０００ （ｔａｎδ≦０．１％）となっ
ている。そこで、温度補償′用積層セラミソクコンテン
サにおいて、Ｑの値が規格値未満となるＱ不良が発２ト
し問題となっている。
発明の目的
本発明はとの」＝うな問題点に鑑み、ハンダ耐熱性およ
び濡れ性を改善する外部電極のメッキ処理において発生
するＱ不良を、低減、改善した湿度補償用積層セラミノ
クコンデンザを提供することを目的とする。
び濡れ性を改善する外部電極のメッキ処理において発生
するＱ不良を、低減、改善した湿度補償用積層セラミノ
クコンデンザを提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の温度補償用積層セラミックコンデンサはこの目
的を達成するために、外部電極の銀寸だは銀−パラジウ
ム電極を２層構造とし、下層部に」二層部よりガラスフ
リソ１−を多く含む銀剪だは銀−パラジウム電極を使用
することによって下地のセラミックとの密着性を良くし
、前記メッキ処理においでメッキ液が下地のセラミック
および内部電（７に浸透するのを防ぎ、温度補償用積層
セラミックコンデンサにおいて発生するＱ不良を低減。
的を達成するために、外部電極の銀寸だは銀−パラジウ
ム電極を２層構造とし、下層部に」二層部よりガラスフ
リソ１−を多く含む銀剪だは銀−パラジウム電極を使用
することによって下地のセラミックとの密着性を良くし
、前記メッキ処理においでメッキ液が下地のセラミック
および内部電（７に浸透するのを防ぎ、温度補償用積層
セラミックコンデンサにおいて発生するＱ不良を低減。
改善することを提案する。このようにする神山は次の通
りである。高温焼付けの銀ペーストは、銀微粉末とガラ
スフリソｌ−と樹脂と溶剤とからなり、この銀ペース１
−を被塗布体に塗布し、溶剤を蒸発させてから焼付炉で
所定湿度まで加熱する。これにより樹脂等の有機物を燃
焼させて、ガラスフリットの溶融と銀粒子の成長により
被塗布体に密着した銀電極が形成される。銀ペーストの
中に少量のパラジウムを含む場合は、銀−パラジウム電
極となる。本発明者らは、前記メッキ処理によって発生
する温度補償用積層セラミックコンデンサのＱ不良対策
について詳細に実験検討をした結果、多艮電極捷だはｇ
艮−パラジウム電（！貿のガラスフリットの量を増やす
ことにより、外部型１ヶと下地のセラミックとの密着性
を良くし、メッキ液が下地のセラミックおよび内部電極
に浸透するのを防ぎ、Ｑ不良を低減、改善できることが
わかった。しかし、ガラスフリソ１−の量が多くなると
外部電極表面に５ｉ０２等のガラス成分が浮き、Ｎ１メ
ッキのつき方が悪くなり、ハンダ濡れ性が悪くなり、問
題となる。そこで、外部電極の銀甘だは銀−パラジウム
電（炉を２層構造とし、下層部にガラスフリソ１−を多
く含む銀オたは銀−パラジウム電極、上層部にガラスフ
リソｌ−を少なく含む銀まだは銀−パラジウム電極を使
用することにより、９不良を低減、改善するとともにハ
ンダ濡れ性を良くしたものである。
りである。高温焼付けの銀ペーストは、銀微粉末とガラ
スフリソｌ−と樹脂と溶剤とからなり、この銀ペース１
−を被塗布体に塗布し、溶剤を蒸発させてから焼付炉で
所定湿度まで加熱する。これにより樹脂等の有機物を燃
焼させて、ガラスフリットの溶融と銀粒子の成長により
被塗布体に密着した銀電極が形成される。銀ペーストの
中に少量のパラジウムを含む場合は、銀−パラジウム電
極となる。本発明者らは、前記メッキ処理によって発生
する温度補償用積層セラミックコンデンサのＱ不良対策
について詳細に実験検討をした結果、多艮電極捷だはｇ
艮−パラジウム電（！貿のガラスフリットの量を増やす
ことにより、外部型１ヶと下地のセラミックとの密着性
を良くし、メッキ液が下地のセラミックおよび内部電極
に浸透するのを防ぎ、Ｑ不良を低減、改善できることが
わかった。しかし、ガラスフリソ１−の量が多くなると
外部電極表面に５ｉ０２等のガラス成分が浮き、Ｎ１メ
ッキのつき方が悪くなり、ハンダ濡れ性が悪くなり、問
題となる。そこで、外部電極の銀甘だは銀−パラジウム
電（炉を２層構造とし、下層部にガラスフリソ１−を多
く含む銀オたは銀−パラジウム電極、上層部にガラスフ
リソｌ−を少なく含む銀まだは銀−パラジウム電極を使
用することにより、９不良を低減、改善するとともにハ
ンダ濡れ性を良くしたものである。
実施例の説明
次に、本発明の具体的な実施例を第２図とともに説明す
る。井ず、内部電＠５にパラジウムを用い、ＴｉＯ２系
の温度補償用の誘電体組成からなる誘電体シートを積層
して切断し、１３８０℃で焼成した後、而とシし、ガラ
スフリットを７重量係合む銀ベーストを従来のように外
部Ｎ ｉＷ＜が１層の場合のおよそ半分の量を塗布し乾
燥後、トンネル炉で８００°Ｃで焼イ」け、外部電極６
の下層部６ａを形成した。４は誘電体セラミックである
。次にガラスフリットを４重量俸含む銀ベーク１−をｍ
Ｊ記下層部６ａとほぼ同量、前記下層部６２Ｌの上に塗
布し乾燥後、トンネル 部電極６の上層部６ｂを形成した。このようにして形成
した外部電極６の上に、Ｎｌメッキ、さらにハンダメッ
キをし、債層セラミノクコンデンザを作成した。第２図
で７はＮｉメッキ層、 ８はハンダメッキ層である。
る。井ず、内部電＠５にパラジウムを用い、ＴｉＯ２系
の温度補償用の誘電体組成からなる誘電体シートを積層
して切断し、１３８０℃で焼成した後、而とシし、ガラ
スフリットを７重量係合む銀ベーストを従来のように外
部Ｎ ｉＷ＜が１層の場合のおよそ半分の量を塗布し乾
燥後、トンネル炉で８００°Ｃで焼イ」け、外部電極６
の下層部６ａを形成した。４は誘電体セラミックである
。次にガラスフリットを４重量俸含む銀ベーク１−をｍ
Ｊ記下層部６ａとほぼ同量、前記下層部６２Ｌの上に塗
布し乾燥後、トンネル 部電極６の上層部６ｂを形成した。このようにして形成
した外部電極６の上に、Ｎｌメッキ、さらにハンダメッ
キをし、債層セラミノクコンデンザを作成した。第２図
で７はＮｉメッキ層、 ８はハンダメッキ層である。
まだ、面とりまで同じロノ１−の焼結体に従来のように
１層の外部電極を形成し、同様なメッキ処理をし積層士
ラミックコンデンサを作成してＱを ゛測定し比較した
。ここで、１層の外部電極はガラスフリットを４重量係
合む銀ペース１−を使用したもの、およびガラスフリッ
トを７重量％含む銀ペーストを使用したものである。こ
れらの３通シの場合のＱ不良率を下記の表に示す。
１層の外部電極を形成し、同様なメッキ処理をし積層士
ラミックコンデンサを作成してＱを ゛測定し比較した
。ここで、１層の外部電極はガラスフリットを４重量係
合む銀ペース１−を使用したもの、およびガラスフリッ
トを７重量％含む銀ペーストを使用したものである。こ
れらの３通シの場合のＱ不良率を下記の表に示す。
（以 下 余 白）
従来例Ｂの場合に比べ、本発明人および従来例Ｃの場合
はＱ不良率が大きく改善されている。しかし、従来例Ｃ
の場合は外部電極表面に８１０２等（７） ）ガラス成
分が浮き、Ｎ１メッキのつき方が悪く、ハンタ付けする
ときハンダの濡れ性が悪く問題となる。
はＱ不良率が大きく改善されている。しかし、従来例Ｃ
の場合は外部電極表面に８１０２等（７） ）ガラス成
分が浮き、Ｎ１メッキのつき方が悪く、ハンタ付けする
ときハンダの濡れ性が悪く問題となる。
Ｑ不良を大きく改善するためには、下層部の銀電極に含
まれるガラスフリットの量は６．５〜１０重量係重量−
。これはガラスフリットの量が１０不良に対する効果が
薄いためである。また、上層部の銀電極は、表面へのガ
ラス成分の浮きが問題下地との密着性から２重量係以上
が良い。これはハラシウムを少ｉ 含む銀−パラジウム
電極についても同様である。
まれるガラスフリットの量は６．５〜１０重量係重量−
。これはガラスフリットの量が１０不良に対する効果が
薄いためである。また、上層部の銀電極は、表面へのガ
ラス成分の浮きが問題下地との密着性から２重量係以上
が良い。これはハラシウムを少ｉ 含む銀−パラジウム
電極についても同様である。
発明の効果
本発明の構造による積層セラミックコンデンサは、以上
の説明から明らかなようにＱ不良率が大きく改善され、
しかも銀電極またけ銀−パラジウム電極表面へのガラス
成分の浮きも少ないので、Ｎ１メッキのつき方を悪くす
ることがなく、ハンダ耐熱性および濡れ性も問題なく、
温度補償用積層セラミックコンデンサとして極めて効果
が大きいものである。
の説明から明らかなようにＱ不良率が大きく改善され、
しかも銀電極またけ銀−パラジウム電極表面へのガラス
成分の浮きも少ないので、Ｎ１メッキのつき方を悪くす
ることがなく、ハンダ耐熱性および濡れ性も問題なく、
温度補償用積層セラミックコンデンサとして極めて効果
が大きいものである。
第１図は一般的な積層セラミックコンデンサの断面図、
第２図は本発明の一実施例を示す積層セラミックコンデ
ンサの要部断面図である。 ６・・・・・・外部電極、６ａ・・・・・・下層部、６
ｂ・・・・・上層部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ＝２３
第２図は本発明の一実施例を示す積層セラミックコンデ
ンサの要部断面図である。 ６・・・・・・外部電極、６ａ・・・・・・下層部、６
ｂ・・・・・上層部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ＝２３
Claims (1)
- 外部電極の銀または銀−パラジウム電極が２層構造をと
シ、下層部に６．５〜１０重量係のガラスフリットを含
む銀または銀−パラジウム電極を使用し、上層部に２〜
６重量係のガラスフリットを含む銀または銀−パラジウ
ム電極を使用することを特徴とする温度補償用積層セラ
ミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181745A JPS5969907A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181745A JPS5969907A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969907A true JPS5969907A (ja) | 1984-04-20 |
| JPH037130B2 JPH037130B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=16106138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181745A Granted JPS5969907A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969907A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234519A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 関西日本電気株式会社 | 電子部品 |
| JPS62264613A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
| JPH01241809A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 積層セラミックチップ部品 |
| US4910638A (en) * | 1988-03-07 | 1990-03-20 | U.S. Philips Corp. | Ceramic multilayer capacitor |
| JP2002203737A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2004128470A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| JP2014116501A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
| JP2014170875A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品 |
| US8988851B1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor including four terminal electrodes |
| JP2019179812A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57181745A patent/JPS5969907A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234519A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | 関西日本電気株式会社 | 電子部品 |
| JPS62264613A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
| US4910638A (en) * | 1988-03-07 | 1990-03-20 | U.S. Philips Corp. | Ceramic multilayer capacitor |
| JPH01241809A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 積層セラミックチップ部品 |
| JPH0440849B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1992-07-06 | Nippon Electric Co | |
| JP2002203737A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2004128470A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| JP2014116501A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
| JP2014170875A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Tdk Corp | セラミック積層電子部品 |
| US8988851B1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor including four terminal electrodes |
| US9287048B2 (en) * | 2013-10-22 | 2016-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Capacitor including first, second, third, and fourth terminal electrodes |
| JP2019179812A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH037130B2 (ja) | 1991-01-31 |
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