JPS62264613A - 積層セラミツクコンデンサ - Google Patents
積層セラミツクコンデンサInfo
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- JPS62264613A JPS62264613A JP61108802A JP10880286A JPS62264613A JP S62264613 A JPS62264613 A JP S62264613A JP 61108802 A JP61108802 A JP 61108802A JP 10880286 A JP10880286 A JP 10880286A JP S62264613 A JPS62264613 A JP S62264613A
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- ceramic capacitor
- external electrode
- multilayer ceramic
- glass frit
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特に積層
セラミックコンデンサの外部電極構造の改良に関する。
セラミックコンデンサの外部電極構造の改良に関する。
従来の積層セラミックコンデンサは第４図（ａ）の斜視
図、第４図（ａ）のＤ−Ｄの断面図である第４図（ｂ）
に示すように構成されている。
図、第４図（ａ）のＤ−Ｄの断面図である第４図（ｂ）
に示すように構成されている。
積層セラミックコンデンサ素子（以後、素子と略称）１
に内部電極が左右に対向して露出する電極端面にガラス
フリットを含んだ導電ペーストを塗布して温度５５０℃
〜９００℃で約１時間焼付けを行い、外部電極４を被着
形成する構造であった。
に内部電極が左右に対向して露出する電極端面にガラス
フリットを含んだ導電ペーストを塗布して温度５５０℃
〜９００℃で約１時間焼付けを行い、外部電極４を被着
形成する構造であった。
上述した従来の積層セラミックコンデンサは素子１の電
極端面にガラスフリットを含んだ導電ペーストを塗布乾
燥して被着させた構造であるため、４ｔペースト中のガ
ラスフリフトの余剰分が焼結中に導電ペーストの表面に
露出しやすくなり、焼結後にガラスフリットが外部電極
４の表面を覆う。
極端面にガラスフリットを含んだ導電ペーストを塗布乾
燥して被着させた構造であるため、４ｔペースト中のガ
ラスフリフトの余剰分が焼結中に導電ペーストの表面に
露出しやすくなり、焼結後にガラスフリットが外部電極
４の表面を覆う。
そのため、積層セラミックコンデンサを基板上へ実装す
る半田付けなどを行った場合に、半田付は不良となるこ
とがある。しかし、半田付は不良を防止するために導電
ペースト中のガラスフリットを減少しすぎると、素子１
と外部電極４とを接続する接着力が弱くなり、基板上に
積層セラミックコンデンサを実装した時の機械的接着強
度が低下する。
る半田付けなどを行った場合に、半田付は不良となるこ
とがある。しかし、半田付は不良を防止するために導電
ペースト中のガラスフリットを減少しすぎると、素子１
と外部電極４とを接続する接着力が弱くなり、基板上に
積層セラミックコンデンサを実装した時の機械的接着強
度が低下する。
本発明の目的は、かかる従来欠点を解消した積層セラミ
ックコンデンサを提供することにある。
ックコンデンサを提供することにある。
本発明によればセラミック誘電体からなる成形体の対向
する一対の端面に複数の内部電極層が露出され、かつ上
記端面にガラスフリットを含有する導電塗料を被着焼結
した第１の外部電極層と、上記第１の外部電極層上にガ
ラス７リツトを含まない導電塗料を被着焼結した第２の
外部電極層とを有することを特徴とする積層セラミック
コンデンサが得られる。
する一対の端面に複数の内部電極層が露出され、かつ上
記端面にガラスフリットを含有する導電塗料を被着焼結
した第１の外部電極層と、上記第１の外部電極層上にガ
ラス７リツトを含まない導電塗料を被着焼結した第２の
外部電極層とを有することを特徴とする積層セラミック
コンデンサが得られる。
以下、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例による積層セラミ
ックコンデンサの斜視図である。第１図（ｂ）は、第１
図（ａ）のＡ−Ａ部の断面図である。素子１の左右の相
対向する一対の電極端面にガラスフリットを含んだ銀−
白金ペーストを塗布し、温度５５０℃〜９００℃で焼付
けて第１の外部電極層１２を形成する。次に、ガラスフ
リットを除いた銀−白金ペーストを塗布し再び５５０℃
〜９００℃で焼付けて第２の外部電極層１３を形成し積
層セラミックコンデンサを得た。
ックコンデンサの斜視図である。第１図（ｂ）は、第１
図（ａ）のＡ−Ａ部の断面図である。素子１の左右の相
対向する一対の電極端面にガラスフリットを含んだ銀−
白金ペーストを塗布し、温度５５０℃〜９００℃で焼付
けて第１の外部電極層１２を形成する。次に、ガラスフ
リットを除いた銀−白金ペーストを塗布し再び５５０℃
〜９００℃で焼付けて第２の外部電極層１３を形成し積
層セラミックコンデンサを得た。
次に、本発明実施例１と従来例によって得た積層セラミ
ックコンデンサの半田付は性を温度２３０℃の溶融半田
へ４秒間浸漬する半田付は試験により比較した結果を第
１表の（６）に示す。従来例の外部電極が１層のものの
外部電極に半田の付着する面積の範囲が９０％であった
が本実施例１によるものは１００％であった。
ックコンデンサの半田付は性を温度２３０℃の溶融半田
へ４秒間浸漬する半田付は試験により比較した結果を第
１表の（６）に示す。従来例の外部電極が１層のものの
外部電極に半田の付着する面積の範囲が９０％であった
が本実施例１によるものは１００％であった。
第１表
なお、測定に使用した半田は２重量％の銀入シ半田を用
い、ブラックはＪＩＳ７ラツクスを使用した。
い、ブラックはＪＩＳ７ラツクスを使用した。
（実施例２）
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例による積層セラミ
ックコンデンサの斜視図である。第２図Φ）は、第２図
（ａ）のＢ−Ｂ部の断面図である。実施例１と同様に素
子１の左右の相対向する一対の電極端面にガラスフリッ
トを含んだ銀ペーストを塗布し、温度５５０℃〜９００
℃で焼付けて第１の外部電極層２２を形成する。次に、
ガラス７リツトを除いた銀ペーストを塗布し再び温度５
５０℃〜９００℃で焼付けて第２の外部電極層２３を形
成し積層セラミックコンデンサを得た。
ックコンデンサの斜視図である。第２図Φ）は、第２図
（ａ）のＢ−Ｂ部の断面図である。実施例１と同様に素
子１の左右の相対向する一対の電極端面にガラスフリッ
トを含んだ銀ペーストを塗布し、温度５５０℃〜９００
℃で焼付けて第１の外部電極層２２を形成する。次に、
ガラス７リツトを除いた銀ペーストを塗布し再び温度５
５０℃〜９００℃で焼付けて第２の外部電極層２３を形
成し積層セラミックコンデンサを得た。
次に、本発明実施例２と従来例によって得た積層セラミ
ックコンデンサの半田付は性を比較した結果を第１表の
）に示す。
ックコンデンサの半田付は性を比較した結果を第１表の
）に示す。
（実施例３）
第３図（ａ）は本発明の第３の実施例による積層セラ中
１．々コソデソ廿の二正Ｍヤムスー催２Ｓへ）叶第３図
（ａ）のＣ−Ｃ部の断面図である。実施例１゜２と同様
に素子１の左右の相対向する一対の電極端面にガラス７
リツトを含んだ銀−白金ペーストを塗布し、温度５５０
℃〜９００℃で焼付けて第１の外部電極層３２を形成す
る。次に、ガラスフリットを除いた銀ペーストを塗布し
再び温度５５０℃〜９００℃で焼付けて第２の外部電極
層３３を形成し積層セラミックコンデンサを得た。
１．々コソデソ廿の二正Ｍヤムスー催２Ｓへ）叶第３図
（ａ）のＣ−Ｃ部の断面図である。実施例１゜２と同様
に素子１の左右の相対向する一対の電極端面にガラス７
リツトを含んだ銀−白金ペーストを塗布し、温度５５０
℃〜９００℃で焼付けて第１の外部電極層３２を形成す
る。次に、ガラスフリットを除いた銀ペーストを塗布し
再び温度５５０℃〜９００℃で焼付けて第２の外部電極
層３３を形成し積層セラミックコンデンサを得た。
次に、本発明実施例３と従来例によって得た積層セラミ
ックコンデンサの半田付は性を比較した結果を第１表０
に示す。
ックコンデンサの半田付は性を比較した結果を第１表０
に示す。
従来例による外部電極が１層のものの外部電極に半田が
付着する面積の範囲は９０％であったが、本実施例１１
本実施例２及び本実施例３によるものは１００％であっ
た。
付着する面積の範囲は９０％であったが、本実施例１１
本実施例２及び本実施例３によるものは１００％であっ
た。
なお、本実施例では述べていないが、銀−パラジウム、
パラジウム、ニッケル、銅などについても同様な効果が
ちることはもちろんである。
パラジウム、ニッケル、銅などについても同様な効果が
ちることはもちろんである。
以上説明したように本発明は、
（１）ガラス７リフトを除いた導電ペーストを第２層と
して塗布することによシ、ガラスフリットが外部電極の
表面に露出しにくくなシ、半田付は性が約１０％改善さ
れる。
して塗布することによシ、ガラスフリットが外部電極の
表面に露出しにくくなシ、半田付は性が約１０％改善さ
れる。
（＋＋）導電ペーストを２度塗布することにより、外部
電極が厚くなるので、耐半田くわれ性及び端子固着力が
優れている。
電極が厚くなるので、耐半田くわれ性及び端子固着力が
優れている。
等の効果がある。
第１図（ａ）は本発明実施例１の積層セラミックコンデ
ンサの斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ −Ａ
部の断面図、第２図（ａ）は本発明実施例２の積層セラ
ミックコンデンサの斜視図、第２図中）は第２図（ａ）
のＢ−Ｂ部の断面図、第３図（ａ）は本発明実施例３の
積層セラミックコンデンサの斜視図、第３図中）は第３
図（ａ）のＣ−０部の断面図、第４図（ａ）は従来の積
層セラミックコンデンサの斜視図、第４図（ｂ）は第４
図（ａ）のＤ−Ｄ部の断面図である。 ｌ・・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、１２，
２２゜３４４・−・−・・ガラスフリットを含有する外
部電極、１３２３、３３・・・・・・ガラスフリットを
含有しない外部電極、である。 代理人 弁理士 内 原 ＝ツ゛−昼〉、′震１
．゛ 牟 ／ ＠ （Ｌ） 牛 １ 図 （ｂ） Ｉ・−−ａＪセラミ・・ノクコＳ−チ゛シサ象チ／２．
２２．３２．４・・、ガ゛ラスフ外・／隊宿峠ｒするダ
陽Ｐ禰【上シｔ３．２３．３３ −−− ガ′ラスフソ
ヅト芝含南しは１、りに千玲第４習（ヘノ 牟４ 図（ｂ）
ンサの斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ −Ａ
部の断面図、第２図（ａ）は本発明実施例２の積層セラ
ミックコンデンサの斜視図、第２図中）は第２図（ａ）
のＢ−Ｂ部の断面図、第３図（ａ）は本発明実施例３の
積層セラミックコンデンサの斜視図、第３図中）は第３
図（ａ）のＣ−０部の断面図、第４図（ａ）は従来の積
層セラミックコンデンサの斜視図、第４図（ｂ）は第４
図（ａ）のＤ−Ｄ部の断面図である。 ｌ・・・・・・積層セラミックコンデンサ素子、１２，
２２゜３４４・−・−・・ガラスフリットを含有する外
部電極、１３２３、３３・・・・・・ガラスフリットを
含有しない外部電極、である。 代理人 弁理士 内 原 ＝ツ゛−昼〉、′震１
．゛ 牟 ／ ＠ （Ｌ） 牛 １ 図 （ｂ） Ｉ・−−ａＪセラミ・・ノクコＳ−チ゛シサ象チ／２．
２２．３２．４・・、ガ゛ラスフ外・／隊宿峠ｒするダ
陽Ｐ禰【上シｔ３．２３．３３ −−− ガ′ラスフソ
ヅト芝含南しは１、りに千玲第４習（ヘノ 牟４ 図（ｂ）
Claims (1)
- セラミック誘電体からなる成形体の対向する一対の端
面に複数の内部電極層が露出され、かつ前記端面にガラ
スフリットを含有する導電塗料を被着焼結した第１の外
部電極層と、前記第１の外部電極層上にガラスフリット
を含まない導電塗料を被着焼結した第２の外部電極層と
を有することを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61108802A JPS62264613A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 積層セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61108802A JPS62264613A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 積層セラミツクコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264613A true JPS62264613A (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=14493850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61108802A Pending JPS62264613A (ja) | 1986-05-12 | 1986-05-12 | 積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62264613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311362A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2019179812A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
| JP2022028945A (ja) * | 2018-03-30 | 2022-02-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法および積層バリスタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969907A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | 松下電器産業株式会社 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
-
1986
- 1986-05-12 JP JP61108802A patent/JPS62264613A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5969907A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | 松下電器産業株式会社 | 温度補償用積層セラミツクコンデンサ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008311362A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| JP2019179812A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
| JP2022028945A (ja) * | 2018-03-30 | 2022-02-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法および積層バリスタ |
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