JPH0316220Y2 - - Google Patents
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- JPH0316220Y2 JPH0316220Y2 JP1985195371U JP19537185U JPH0316220Y2 JP H0316220 Y2 JPH0316220 Y2 JP H0316220Y2 JP 1985195371 U JP1985195371 U JP 1985195371U JP 19537185 U JP19537185 U JP 19537185U JP H0316220 Y2 JPH0316220 Y2 JP H0316220Y2
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- wiring board
- terminal
- external metal
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- Expired
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
「産業上の利用分野」
本考案接続構造は、多層配線基板、ICパツケ
ージ等各種配線基板の端子部と外部金属端子との
接続に好適に利用され得る。 「従来の技術」 近年、各種配線基板の配線の高密度化及び信号
伝播の高速化が要望されており、これに対応する
ため耐食性に優れ、低抵抗の金を導体材料として
適用する一方、絶縁基板材料としても金と同時焼
成し得る低温焼成セラミツクスやガラスセラミツ
クスが開発されている（特開昭59−92943号公報、
特開昭59−83957号公報、特開昭59−64545号公
報、特公昭59−46900号公報、特公昭57−42577号
公報）。而して多くの配線基板はその端子部にコ
バール、42アロイ等の合金よりなる外部金属端子
をろう付け又は半田付け接合して外部電気回路と
導電接続可能な構造になるのが一般である。 「考案が解決しようとする問題点」 しかしながら配線基板の端子部まで金のみで形
成すると、外部金属端子をろう付け接合した後、
初期は接着強度を十分維持しているが、150℃付
近で数十時間放置すると金がろう材等にくわれて
しまつて配線基板との接着強度が著しく低下し実
用に耐えなくなる。 「問題点を解決するための手段」 本考案は、上記の問題点を解決し、長時間使用
後も高い接着強度を維持できる配線基板と外部金
属端子との接続構造を提供することを目的とし、
その手段は配線基板の端子部を銀パラジウム合金
で形成するか、又は被覆するところにある。 「作用効果」 銀パラジウム合金は、接合後加熱放置してもろ
う材等にくわれにくく、配線基板と外部金属端子
との強固な接着を維持する。この作用効果は配線
基板の端子部自体を銀パラジウム合金で形成して
も生じるが、端子部を金で形成しその上を銀パラ
ジウム合金で被覆すれば一層顕著に生じる。 「実施例」 本考案の一実施例に係る接続構造の要部断面図
を図面に示す。図中、１はガラスセラミツクス製
配線基板、２は配線基板１の表面に金で形成され
た端子部、３は端子部２を被覆する銀パラジウム
合金の被覆膜、４はコバール製の外部金属端子、
５は端子部２と外部金属端子４とを接合する半田
を示す。 上記接続構造の製作工程を以下に示す。 重量基準でSiO257.5％、Al2O325.5％、MgO12
％、ZnO2.5％、B2O32％及びP2O50.5％よりなる
フリツトに少量の有機質成形助剤を添加し、有機
溶剤中で混合し、ドクターブレード法によつてシ
ート成形後、シート表面に金ペーストを1.6×1.6
mmの面積で15μの厚さに塗布し温度250℃で脱脂
し、大気中温度900〜1000℃で焼成し、金ペース
ト塗布部を銀パラジウム（Ag／Pd＝７／１）ペ
ーストよりなる厚み15μ、面積２×２mmの膜で被
覆し、大気中温度600℃でこの銀パラジウムペー
ストを焼き付けることにより、シート、金ペース
ト及び銀パラジウムペーストはそれぞれ配線基板
１、端子部２及び被覆膜３となり、被覆膜３上に
コバール製外部金属端子４を半田（In／Pd＝
50／50）付け５することによつて上記接続構造と
なる。また、比較のために被覆層３を設けていな
いことを除くほか上記接続構造と同一条件で従来
接続構造を製作した。これらの接続構造について
種々の金ペーストを用いて端子部２を形成した場
合の150℃における配線基板１と外部金属端子４
との接着強度の経時変化を表に示す。
ージ等各種配線基板の端子部と外部金属端子との
接続に好適に利用され得る。 「従来の技術」 近年、各種配線基板の配線の高密度化及び信号
伝播の高速化が要望されており、これに対応する
ため耐食性に優れ、低抵抗の金を導体材料として
適用する一方、絶縁基板材料としても金と同時焼
成し得る低温焼成セラミツクスやガラスセラミツ
クスが開発されている（特開昭59−92943号公報、
特開昭59−83957号公報、特開昭59−64545号公
報、特公昭59−46900号公報、特公昭57−42577号
公報）。而して多くの配線基板はその端子部にコ
バール、42アロイ等の合金よりなる外部金属端子
をろう付け又は半田付け接合して外部電気回路と
導電接続可能な構造になるのが一般である。 「考案が解決しようとする問題点」 しかしながら配線基板の端子部まで金のみで形
成すると、外部金属端子をろう付け接合した後、
初期は接着強度を十分維持しているが、150℃付
近で数十時間放置すると金がろう材等にくわれて
しまつて配線基板との接着強度が著しく低下し実
用に耐えなくなる。 「問題点を解決するための手段」 本考案は、上記の問題点を解決し、長時間使用
後も高い接着強度を維持できる配線基板と外部金
属端子との接続構造を提供することを目的とし、
その手段は配線基板の端子部を銀パラジウム合金
で形成するか、又は被覆するところにある。 「作用効果」 銀パラジウム合金は、接合後加熱放置してもろ
う材等にくわれにくく、配線基板と外部金属端子
との強固な接着を維持する。この作用効果は配線
基板の端子部自体を銀パラジウム合金で形成して
も生じるが、端子部を金で形成しその上を銀パラ
ジウム合金で被覆すれば一層顕著に生じる。 「実施例」 本考案の一実施例に係る接続構造の要部断面図
を図面に示す。図中、１はガラスセラミツクス製
配線基板、２は配線基板１の表面に金で形成され
た端子部、３は端子部２を被覆する銀パラジウム
合金の被覆膜、４はコバール製の外部金属端子、
５は端子部２と外部金属端子４とを接合する半田
を示す。 上記接続構造の製作工程を以下に示す。 重量基準でSiO257.5％、Al2O325.5％、MgO12
％、ZnO2.5％、B2O32％及びP2O50.5％よりなる
フリツトに少量の有機質成形助剤を添加し、有機
溶剤中で混合し、ドクターブレード法によつてシ
ート成形後、シート表面に金ペーストを1.6×1.6
mmの面積で15μの厚さに塗布し温度250℃で脱脂
し、大気中温度900〜1000℃で焼成し、金ペース
ト塗布部を銀パラジウム（Ag／Pd＝７／１）ペ
ーストよりなる厚み15μ、面積２×２mmの膜で被
覆し、大気中温度600℃でこの銀パラジウムペー
ストを焼き付けることにより、シート、金ペース
ト及び銀パラジウムペーストはそれぞれ配線基板
１、端子部２及び被覆膜３となり、被覆膜３上に
コバール製外部金属端子４を半田（In／Pd＝
50／50）付け５することによつて上記接続構造と
なる。また、比較のために被覆層３を設けていな
いことを除くほか上記接続構造と同一条件で従来
接続構造を製作した。これらの接続構造について
種々の金ペーストを用いて端子部２を形成した場
合の150℃における配線基板１と外部金属端子４
との接着強度の経時変化を表に示す。
【表】
以上のように本考案例の方が接着強度の耐久性
が良かつた。
が良かつた。
図面は本考案の一実施例に係る接続構造の要部
断面図である。 １……配線基板、２……端子部、３……被覆
膜、４……外部金属端子、５……半田。
断面図である。 １……配線基板、２……端子部、３……被覆
膜、４……外部金属端子、５……半田。
Claims (1)
- 金を導体材料とし、該導体材料と絶縁材料とを
同時焼成一体化してなる配線基板の端子部に外部
金属端子をろう付け又は半田付け接合してなるも
のにおいて、配線基板の端子部が前記導体材料を
銀パラジウム合金で被覆したものであることを特
徴とする配線基板と外部金属端子との接合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985195371U JPH0316220Y2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985195371U JPH0316220Y2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62173171U JPS62173171U (ja) | 1987-11-04 |
| JPH0316220Y2 true JPH0316220Y2 (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=31153198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985195371U Expired JPH0316220Y2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0316220Y2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533182A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Yamatoya Shokai:Kk | Camera for photomechanical process |
| JPS5586130A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Hitachi Ltd | Connection of semiconductor element |
| JPS57139995A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing hybrid integrated circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4927646U (ja) * | 1972-06-14 | 1974-03-09 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP1985195371U patent/JPH0316220Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533182A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-08 | Yamatoya Shokai:Kk | Camera for photomechanical process |
| JPS5586130A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Hitachi Ltd | Connection of semiconductor element |
| JPS57139995A (en) * | 1981-02-24 | 1982-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | Method of producing hybrid integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62173171U (ja) | 1987-11-04 |
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