KR940016309A

KR940016309A - 도전성 칩형 세라믹소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR940016309A
Application number: KR1019930010430A
Authority: KR
Inventors: 마사키요 쯔노다; 히로아키 나카지마; 마사미 코시무라
Original assignee: 후지무라 마사야; 미쯔비시마테리알 카부시키가이샤
Priority date: 1992-12-18
Filing date: 1993-06-09
Publication date: 1994-07-23
Also published as: JPH06295803A; KR100204255B1

Abstract

세라믹 그린시이트로부터 편칭한 칩체를 소성하여 도전성 세라믹 소체로 한 후에 필요에 따라서는 내포전극(111)을 양 끝부분에 설치하고, 세라믹소체(10,40)의 전면에 두께 0.1 내지 10㎛의 절연성 무기물층(14,44)을 피복한다. 그 세라믹소체(10,40)의 양 끝에 금속분말과 무기결합재(32)를 포함하는 도전성 페이스트(30)를 도포하고, 무기물층(14,44)의 융접 또는 연화점보다 낮은 온도로 소성한다. 도포한 페이스트의 무기결합재(32)에 무기물층(14,44)의 반응하여 소성처리 전극층(16,46)이 형성된다. 그후에 소성처리 전극층(16,46)의 표면에 도금층(18,19,48,49)을 형성하여 소성처리 전극층(16,46)과 도금층(18,19,48,49)으로 이루어지는 단자전극(12,42)이 형성된다. 그때 전극층의 접촉부분 이외의 세라믹소체(10,40)의 표면이 무기물층(14,44)으로 피복된다.

이러한 것들에 의하여 땜납의 내열성과 땜납의 부착성에 우수하고, 전극의 도금처리에 의한 저항값의 변화가 없어서 신뢰성이 높은 도전성 칩형 세라믹소자를 용이하며 또 값이 싸게 제조한다.

Description

도전성 칩형 세라믹소자 및 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 3 도는 본 발명의 제1의 도전성 칩형상 세라믹소체로부터 칩(chip)형 세라믹(seramics)소자를 제작할 때까지의 공정에 있어서의 소체의 사시도, 제 4 도는 그 세라믹소체 표면에 절연성 무기물층을 피복하기 위한 스퍼터링(sputtering) 장치의 개략사시도. 제 8 도는 본 발명의 제2의 칩형 세라믹소자의 요부파단사시도, 제 9 도는 그 중앙단면도.

Claims

도전성 칩형상 세라믹소체(10)와 이 세라믹소체(10)의 양 끝부분 표면에 설치된 2개의 단자전극(12)과 상기한 2개의 단자전극이 각각 전기적으로 접촉되는 부분을 제외하고 상기한 세라믹소체(10)의 표면을 피복하는 절연성 무기물층(14)을 구비하고, 상기한 단자전극(12)은 상기한 세라믹소체(10)의 표면에 형성된 소성처리 전극층(16)과 그 소성처리 전극층(16)의 표면에 형성된 도금층(18,19)을 보유하며, 상기한 무기물층(14)은 소성처리 전극층을 형성할 때의 소성온도보다 높은 융접을 보유하는 도전성 칩형 세라믹소자에 있어서, 상기한 소상처리 전극층(16)은 금속분말과 무기결합제를 포함하는 도전성 페이스트를 소성처리하여 형성되며, 상기한 페이스트로 덮여있는 부분의 상기한 무기물층이 상기한 소성처리 전극층(16)의 형성시에 상기한 무기결합재에 반응하여 일체화되는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 1 항에 있어서, 상기한 무기물층(14)의 두께가 0.1내지 6㎛인 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 1 항에 있어서, 절연성 무기물층(14)이 SiO₂또는 50중량% 이상의 SiO₂와 나머지가 Al₂O₃, MgO, ZrO₂및 TiO₂의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 광물에 의해 형성되고, 전극층의 무기결합재(32)가 SiO₂, B₂O₃, Na|₂O, PbO, ZnO, TiO₂, K₂O 및 BaO의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 유리미립자인 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 2 항에 있어서, 절연성 무기물층(14)이 SiO₂, B₂O₃, Na₂O, PbO, ZnO, 및 BaO의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하여 유리에 의하여 형성되고, 전극층의 무기결합재(32)가 SiO₂, B₂O₃, Na₂O, PbO, ZnO, TiO₂, K₂O 및 BaO의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 유리인 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 4 항에 있어서, 절연성 무기물층(14)이 결정화 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
도전성 칩형 세라믹소체(10)과 그 세라믹소체(10)의 양 끝부분에 설치된 내포전극층(111)과 그 내포전극층(111)이 형성된 세라믹소체(10)이 전면을 피복하는 절연성 무기물층(14)과 그 무기물층을 피복한 세라믹소체(10)의 양 끝부분 표면에 설치된 외포전극층(116)과 그 외포전극층(116)의 표면에 형성된 도금층(18,19)을 구비한 도전성 칩형 세라믹소자에 있어서, 상기한 외포전극층(116)은 금속분말과 무기결합재를 포함하는 도전성 페이스트를 소성처리하여 형성되고, 상기한 외포전극층(116)을 형성할 때의 소성온도보다 높은 융점 또는 연화점을 보유하며 또 상기한 페이스트로 덮여있는 부분의 상기한 무기물층(14)의 일부 또는 전부가 상기한 외포전극층(116) 형성시에 상기한 무기결합재에 반응하여 일체화되는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 6 항에 있어서, 상기한 무기물층(14)은 두께가 0.1내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 6 항에 있어서, 절연성 무기물층(14)이 SiO₂또는 50중량% 이상의 SiO₂와 나머지가 Al₂O₃, MgO, ZrO₂및 TiO₂의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 광물에 의해 형성되고, 전극층의 무기결합재(32)가 SiO₂, B₂O₃, Na|₂O, PbO, ZnO, TiO₂, K₂O, BaO의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 유리미립자인 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 6 항에 있어서, 절연성 무기물층(14)이 SiO₂, B₂O₃, Na₂O, PbO, ZnO 또는 BaO의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 유리에 의해 형성되고, 전극층의 무기결합재(32)가 SiO₂, B₂O₂, Na₂O, PbO, ZnO, TiO|₂, K₂O BaO의 1종류 또는 2종류 이상의 산화물을 주성분으로 하는 유리미립자인 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 6 항에 있어서, 상기한 도전성 칩형상 세라믹소체(10)의 양 끝면에만 설치된 내포전극층(111)과, 상기한 내포전극층(111)을 포함하는 도전성 칩형상 세라믹소체(10)의 전면을 피복하는 두께 2내지 10㎛의 절연성 무기물층(14)과, 상기한 내포전극(111)을 둘러 싸 넣어 형성된 외포전극층(116)을 구비한 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
제 6 항에 있어서, 상기한 도전성 칩형상 세라믹소체(10)의 양 끝부분을 둘러 싸 넣어 설치된 내포전극층(111)과, 상기한 내포전극층(111)을 포함하는 도전성 칩형상 세라믹소체(10)의 전면을 피복하는 두께가 0.1내지10㎛의 절연성 무기물층(14)과 상기한 내포전극층(111)보다 적은 싸넣기 면적으로 상기한 세라믹소체(10)의 양 끝부분을 둘러 싸 넣어 형성된 외포전극층(16)을 구비한 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자.
금속산화물분말과 결합재를 혼합하여 슬러리를 조제하는 공정과, 상기한 슬러리를 성막 건조하여 그린시이트를 형성하는 공정과, 상기한 그린시이트로부터 칩체(2)를 펀칭하는 공정과, 상기한 칩체(2)를 소성하여 도전성 칩형상 세라믹소체(10)로 하는 공정과, 상기한 세라믹소체(10)의 전면에 두께 0.1내지 6㎛의 절연성 무기물층(14)을 피복하는 공정과, 상기한 무기물층(14)을 피복한 세라믹소체(10)의 양 끝부분 표면에 금속분말과 무기결합재(32)를 포함하는 도전성 페이스트(30)를 도포하는 공정과, 상기한 페이스트(30)를 도포한 세라믹소체(10)를 상기한 무기물층(14)의 용접 또는 연화점보다 낮은 온도로 소성하여서 상기한 도포한 피이스트의 무기결합재(32)에 그 페이스트로 덮여있는 부분의 상기한 무기물층(14)을 반응시켜 일체화시킴으로써 소성처리 전극층(16)을 형성하는 공정과, 상기한 소성처리 전극층(16)의 표면에 도금층(18,19)을 형성하여 상기한 소성처리 전극층과 도금층으로 이루어지는 단자전극(12)을 형성하는 공정 등의 각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자의 제조방법.
제12항에 있어서, 세라믹소체(10)에의 절연성 무기물층(14)의 피복이 물리증착법에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자의 제조방법.
금속산화물분말과 결합재를 혼합하여 슬러리를 조제하는 공정과, 상기한 슬러리를 성막 건조시켜 그린시이트를 성형하는 공정과, 상기한 그린시이트로부터 칩체(2)를 펀칭하는 공정과, 상기한 칩체(2)를 소성처리하여 도전성 칩형상 세라믹소체(10)로 하는 공정과, 상기한 세라믹소체(10)의 양 끝면 또는 양 끝부분에 내포전극층(111)을 형성하는 공정과, 상기한 내포전극층(111)이 형성된 상기한 세라믹소체(10)의 전면에 두께 0.1내지 10㎛의 절연성 무기물층(14)을 피복하는 공정과, 상기한 무기물층(14)을 피복한 세라믹소체(10)의 양 끝부분 표면에 금속분말과 무기결합재(32)를 포함하는 도전성 페이스트(30)를 도포하는 공정과, 상기한 페이스트(30)를 도포한 세라믹소체(10)를 상기한 무기물층(14)의 융점 또는 연화점보다 낮은 온도로 소성하고 상기한 도포한 페이스트의 무기결합재(32)에 온 페이스트로 덮여있는 부분의 상기한 무기물층의 일부를 반응시켜 일체화시킴으로써 외포전극층(116)을 형성하는 공정과, 상기한 외포전극층(116)의 표면에 도금층(18,19)을 형성하는 공정 등의 각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자의 제조방법.
제14항에 있어서, 세라믹소체(10)에의 절연성 무기물층(14)의 피복이 물리증착법에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 도전성 칩형 세라믹소자의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.