JPH08236306A - チップ型サーミスタとその製造方法 - Google Patents
チップ型サーミスタとその製造方法Info
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- JPH08236306A JPH08236306A JP7033789A JP3378995A JPH08236306A JP H08236306 A JPH08236306 A JP H08236306A JP 7033789 A JP7033789 A JP 7033789A JP 3378995 A JP3378995 A JP 3378995A JP H08236306 A JPH08236306 A JP H08236306A
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- thermistor
- chip
- high resistance
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 端子電極のみに電解めっきを行うことができ
るチップ型サーミスタを提供することを目的とするもの
である。 【構成】 内部電極１０ａ，１０ｂを内装するサーミス
タチップ１１に下地電極１３ａ，１３ｂ用の電極ペース
トを塗布した後、酸化物粉末中で焼成することによって
サーミスタチップ１１の表面に高抵抗表面層１２及び下
地電極１３ａ，１３ｂを形成する。次に、下地電極１３
ａ，１３ｂ上に端子電極１４ａ，１４ｂを形成してその
上に金属めっき層１５ａ，１５ｂを形成する。
るチップ型サーミスタを提供することを目的とするもの
である。 【構成】 内部電極１０ａ，１０ｂを内装するサーミス
タチップ１１に下地電極１３ａ，１３ｂ用の電極ペース
トを塗布した後、酸化物粉末中で焼成することによって
サーミスタチップ１１の表面に高抵抗表面層１２及び下
地電極１３ａ，１３ｂを形成する。次に、下地電極１３
ａ，１３ｂ上に端子電極１４ａ，１４ｂを形成してその
上に金属めっき層１５ａ，１５ｂを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば温度センサ、温
度補償に使用される表面実装用のチップ型サーミスタと
その製造方法に関するものである。
度補償に使用される表面実装用のチップ型サーミスタと
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、表面実装用のチップ型サーミスタ
は、次のようにして製造されていた。
は、次のようにして製造されていた。
【０００３】まず、マンガン、ニッケル、コバルト等の
酸化物原料を配合して混合して仮焼し、次に、この仮焼
粉を粉砕し、樹脂、溶剤などからなるバインダー組成物
を混合してスラリーを調整した後、このスラリーを成形
機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシートを得
ていた。次に、このサーミスタ抵抗体グリーンシート上
に、パラジウム、樹脂、溶剤からなる電極ペーストを塗
布して内部電極塗膜付きグリーンシートを得ていた。そ
の後、この内部電極塗膜付きグリーンシート２枚を内部
電極塗膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対
向するように重ね、さらにサーミスタ抵抗体グリーンシ
ートを重ねて内部電極塗膜を埋め込んでグリーンシート
積層体を得ていた。次に、このグリーンシート積層体を
一定の寸法に切断し、焼成してサーミスタ抵抗体のチッ
プを得、このチップの両端部を電極ペーストに浸漬する
ことによりこの電極ペーストを付着させ、乾燥、焼付け
を行って端子電極を形成しチップ型サーミスタを得てい
た。
酸化物原料を配合して混合して仮焼し、次に、この仮焼
粉を粉砕し、樹脂、溶剤などからなるバインダー組成物
を混合してスラリーを調整した後、このスラリーを成形
機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシートを得
ていた。次に、このサーミスタ抵抗体グリーンシート上
に、パラジウム、樹脂、溶剤からなる電極ペーストを塗
布して内部電極塗膜付きグリーンシートを得ていた。そ
の後、この内部電極塗膜付きグリーンシート２枚を内部
電極塗膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対
向するように重ね、さらにサーミスタ抵抗体グリーンシ
ートを重ねて内部電極塗膜を埋め込んでグリーンシート
積層体を得ていた。次に、このグリーンシート積層体を
一定の寸法に切断し、焼成してサーミスタ抵抗体のチッ
プを得、このチップの両端部を電極ペーストに浸漬する
ことによりこの電極ペーストを付着させ、乾燥、焼付け
を行って端子電極を形成しチップ型サーミスタを得てい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようにして得たチ
ップ型サーミスタをプリント基板にはんだ付けによって
実装使用とすると端子電極をＡｇで形成した場合、はん
だ食われ現象が起き、はんだ食われ現象を防ぐためにＡ
ｇ−Ｐｄで端子電極を形成するとはんだ濡れ性が悪くな
るという問題点があった。そこで端子電極のはんだ濡れ
性を改善しかつはんだ食われ現象を抑制するために、端
子電極にニッケルめっき、はんだめっきを施す必要があ
った。
ップ型サーミスタをプリント基板にはんだ付けによって
実装使用とすると端子電極をＡｇで形成した場合、はん
だ食われ現象が起き、はんだ食われ現象を防ぐためにＡ
ｇ−Ｐｄで端子電極を形成するとはんだ濡れ性が悪くな
るという問題点があった。そこで端子電極のはんだ濡れ
性を改善しかつはんだ食われ現象を抑制するために、端
子電極にニッケルめっき、はんだめっきを施す必要があ
った。
【０００５】しかし、電解めっきを行うとサーミスタ素
体にもめっき膜が形成され、電極寸法が変わり抵抗値が
変化したり、また比抵抗の小さい材料では端子電極間が
ショートしてしまうという問題点を有していた。
体にもめっき膜が形成され、電極寸法が変わり抵抗値が
変化したり、また比抵抗の小さい材料では端子電極間が
ショートしてしまうという問題点を有していた。
【０００６】そこで本発明は、端子電極のみに電解めっ
きを行うことができるチップ型サーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
きを行うことができるチップ型サーミスタを提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、少なくとも２層の内部電極を内蔵するサー
ミスタ素体と、このサーミスタ素体の前記内部電極の露
出した両端面に設けた端子電極と、前記サーミスタ素体
表面の前記端子電極で覆われていない部分に設けた高抵
抗層とを備えたものである。
に本発明は、少なくとも２層の内部電極を内蔵するサー
ミスタ素体と、このサーミスタ素体の前記内部電極の露
出した両端面に設けた端子電極と、前記サーミスタ素体
表面の前記端子電極で覆われていない部分に設けた高抵
抗層とを備えたものである。
【０００８】
【作用】この構成によると、サーミスタ素体の表面が高
抵抗層で覆われているため端子電極に電解めっきを行っ
ても、端子電極表面以外にめっき膜が形成されない。
抵抗層で覆われているため端子電極に電解めっきを行っ
ても、端子電極表面以外にめっき膜が形成されない。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例を図１〜３に基
づいて説明する。まずマンガン、ニッケル、コバルトな
どの遷移金属酸化物原料を配合、混合、仮焼し、この仮
焼物を粉砕する。次にこの仮焼粉砕粉に樹脂、溶剤から
なるバインダーを混合してスラリーを調製し、これを成
形機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシートを
作製する。その後このサーミスタ抵抗体グリーンシート
にＰｄ、樹脂、溶剤からなる電極材料ペーストをスクリ
ーン印刷によって塗布し、内部電極塗布膜付きグリーン
シートを得る。次に、このグリーンシート２枚を内部電
極塗布膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対
向するように重ね、さらにこの上にサーミスタ抵抗体グ
リーンシートを重ねて、グリーンシート積層体を得る。
次にグリーンシート積層体を一定寸法に切断した角型の
サーミスタグリーンチップをアルミナ玉石、アルミナ粉
末、水とともに攪拌することにより湿式バレル研磨を行
って、図２に示すような角隅部及び稜線部が丸みを帯び
た内部電極１０ａ，１０ｂを有するサーミスタチップ１
１を得る。次にこのサーミスタチップ１１の内部電極１
０ａ，１０ｂの露出した端面にＰｄ、樹脂、溶剤からな
る電極材料ペーストを塗布して乾燥させた後にバインダ
ーが分解する温度で熱処理を行う。その後熱処理したサ
ーミスタチップ１１をＺｎ，Ａｌ，Ｓｉのうち１種類以
上を含む酸化物あるいは焼成することにより酸化物とな
る混合粉末中に埋め込んだ状態で焼成することによっ
て、図３に示すようなサーミスタチップ１１の表面に高
抵抗表面層１２、サーミスタチップ１１の端面に下地電
極１３ａ，１３ｂを形成する。ここで混合粉末の粒径は
小さい程サーミスタチップ１１との接触性がよく、反応
性が向上し、均一な高抵抗表面層１２を形成しやすくな
る。次に、高抵抗表面層１２及び下地電極１３ａ，１３
ｂを形成したサーミスタチップ１１に付着した余分な混
合粉末等を超音波洗浄によって除去し、前記高抵抗表面
層１２及び下地電極１３ａ，１３ｂを形成したサーミス
タチップ１１の両側端部に下地電極１３ａ，１３ｂを覆
うようにＡｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バインダーからなる
電極ペーストを浸漬により付着させてから乾燥させ、８
５０℃で２０分焼付を行い端子電極１４ａ，１４ｂを形
成する。その後通常の方法によって端子電極１４ａ，１
４ｂ上にニッケルめっき、はんだめっきを行い金属めっ
き層１５ａ，１５ｂを形成し、図１に示すようなチップ
型サーミスタ１６を得る。ここでサーミスタチップ１１
が高抵抗表面層１２で覆われているので、端子電極１４
ａ，１４ｂの表面以外にはめっき膜が形成されない。
づいて説明する。まずマンガン、ニッケル、コバルトな
どの遷移金属酸化物原料を配合、混合、仮焼し、この仮
焼物を粉砕する。次にこの仮焼粉砕粉に樹脂、溶剤から
なるバインダーを混合してスラリーを調製し、これを成
形機により成形してサーミスタ抵抗体グリーンシートを
作製する。その後このサーミスタ抵抗体グリーンシート
にＰｄ、樹脂、溶剤からなる電極材料ペーストをスクリ
ーン印刷によって塗布し、内部電極塗布膜付きグリーン
シートを得る。次に、このグリーンシート２枚を内部電
極塗布膜がサーミスタ抵抗体グリーンシートを介して対
向するように重ね、さらにこの上にサーミスタ抵抗体グ
リーンシートを重ねて、グリーンシート積層体を得る。
次にグリーンシート積層体を一定寸法に切断した角型の
サーミスタグリーンチップをアルミナ玉石、アルミナ粉
末、水とともに攪拌することにより湿式バレル研磨を行
って、図２に示すような角隅部及び稜線部が丸みを帯び
た内部電極１０ａ，１０ｂを有するサーミスタチップ１
１を得る。次にこのサーミスタチップ１１の内部電極１
０ａ，１０ｂの露出した端面にＰｄ、樹脂、溶剤からな
る電極材料ペーストを塗布して乾燥させた後にバインダ
ーが分解する温度で熱処理を行う。その後熱処理したサ
ーミスタチップ１１をＺｎ，Ａｌ，Ｓｉのうち１種類以
上を含む酸化物あるいは焼成することにより酸化物とな
る混合粉末中に埋め込んだ状態で焼成することによっ
て、図３に示すようなサーミスタチップ１１の表面に高
抵抗表面層１２、サーミスタチップ１１の端面に下地電
極１３ａ，１３ｂを形成する。ここで混合粉末の粒径は
小さい程サーミスタチップ１１との接触性がよく、反応
性が向上し、均一な高抵抗表面層１２を形成しやすくな
る。次に、高抵抗表面層１２及び下地電極１３ａ，１３
ｂを形成したサーミスタチップ１１に付着した余分な混
合粉末等を超音波洗浄によって除去し、前記高抵抗表面
層１２及び下地電極１３ａ，１３ｂを形成したサーミス
タチップ１１の両側端部に下地電極１３ａ，１３ｂを覆
うようにＡｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バインダーからなる
電極ペーストを浸漬により付着させてから乾燥させ、８
５０℃で２０分焼付を行い端子電極１４ａ，１４ｂを形
成する。その後通常の方法によって端子電極１４ａ，１
４ｂ上にニッケルめっき、はんだめっきを行い金属めっ
き層１５ａ，１５ｂを形成し、図１に示すようなチップ
型サーミスタ１６を得る。ここでサーミスタチップ１１
が高抵抗表面層１２で覆われているので、端子電極１４
ａ，１４ｂの表面以外にはめっき膜が形成されない。
【００１０】このようにして得られたチップ型サーミス
タ１００個の外観検査ではサーミスタ素体へのめっき膜
の形成は認められなかった。
タ１００個の外観検査ではサーミスタ素体へのめっき膜
の形成は認められなかった。
【００１１】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図４〜７を用いて説明する。実施例１で述べたの
と同様にグリーンシート積層体を一定寸法に切断して焼
成し、アルミナ玉石、アルミナ粉末、水とともに攪拌す
ることにより湿式バレル研磨を行って角隅部及び稜線部
が丸みを帯びた内部電極１０ａ，１０ｂを有する図４に
示すようなサーミスタチップ１１を得る。次にサーミス
タチップ１１の両端面にＡｇ、樹脂、溶剤等からなる電
極ペーストを塗布して乾燥させた後に８５０℃で２０分
焼付を行い、下地電極１３ａ，１３ｂを形成する。な
お、下地電極１３ａ，１３ｂはＡｇ−Ｐｄでもよい。次
に下地電極１３ａ，１３ｂを形成したサーミスタチップ
１１にガラスフリット、バインダー樹脂、溶剤からなる
ガラスペーストを浸漬法により付着させてから乾燥し、
さらに８５０℃で１５分間熱処理してガラス膜１７を形
成する。次に図５に示すようなガラス膜１７を形成した
サーミスタチップ１１を湿式バレル研磨によって下地電
極１３ａ，１３ｂ上のガラス膜１７を除去する。電極材
料とガラスとの熱膨張係数の差がサーミスタ素体とガラ
スとの熱膨張係数の差よりも大きいために下地電極１３
ａ，１３ｂ上のガラスが選択的に除去される。次に図６
に示すようにガラス膜を除去した下地電極１３ａ，１３
ｂ上にＡｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バインダーからなる電
極材料ペーストを浸漬することにより付着させてから乾
燥させ、８５０℃で２０分焼付けを行い端子電極１４
ａ，１４ｂを形成する。なお、端子電極１４ａ，１４ｂ
はＡｇでもよい。その後通常の方法によって端子電極１
４ａ，１４ｂ上にニッケルめっき、はんだめっきを行い
金属めっき層１５ａ，１５ｂを形成して、図７に示すよ
うなチップ型サーミスタ１６を得る。なお、金属めっき
層１５ａ，１５ｂはＮｉ−Ｓｎめっきでも勿論かまわな
い。
ついて図４〜７を用いて説明する。実施例１で述べたの
と同様にグリーンシート積層体を一定寸法に切断して焼
成し、アルミナ玉石、アルミナ粉末、水とともに攪拌す
ることにより湿式バレル研磨を行って角隅部及び稜線部
が丸みを帯びた内部電極１０ａ，１０ｂを有する図４に
示すようなサーミスタチップ１１を得る。次にサーミス
タチップ１１の両端面にＡｇ、樹脂、溶剤等からなる電
極ペーストを塗布して乾燥させた後に８５０℃で２０分
焼付を行い、下地電極１３ａ，１３ｂを形成する。な
お、下地電極１３ａ，１３ｂはＡｇ−Ｐｄでもよい。次
に下地電極１３ａ，１３ｂを形成したサーミスタチップ
１１にガラスフリット、バインダー樹脂、溶剤からなる
ガラスペーストを浸漬法により付着させてから乾燥し、
さらに８５０℃で１５分間熱処理してガラス膜１７を形
成する。次に図５に示すようなガラス膜１７を形成した
サーミスタチップ１１を湿式バレル研磨によって下地電
極１３ａ，１３ｂ上のガラス膜１７を除去する。電極材
料とガラスとの熱膨張係数の差がサーミスタ素体とガラ
スとの熱膨張係数の差よりも大きいために下地電極１３
ａ，１３ｂ上のガラスが選択的に除去される。次に図６
に示すようにガラス膜を除去した下地電極１３ａ，１３
ｂ上にＡｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バインダーからなる電
極材料ペーストを浸漬することにより付着させてから乾
燥させ、８５０℃で２０分焼付けを行い端子電極１４
ａ，１４ｂを形成する。なお、端子電極１４ａ，１４ｂ
はＡｇでもよい。その後通常の方法によって端子電極１
４ａ，１４ｂ上にニッケルめっき、はんだめっきを行い
金属めっき層１５ａ，１５ｂを形成して、図７に示すよ
うなチップ型サーミスタ１６を得る。なお、金属めっき
層１５ａ，１５ｂはＮｉ−Ｓｎめっきでも勿論かまわな
い。
【００１２】このようにして得られたチップ型サーミス
タ１６の１００個の外観検査ではサーミスタ素体へのめ
っき膜の形成は認められず、所定の抵抗値が得られた。
タ１６の１００個の外観検査ではサーミスタ素体へのめ
っき膜の形成は認められず、所定の抵抗値が得られた。
【００１３】（比較例）実施例２において、下地電極１
３ａ，１３ｂを設けなかった以外は同様にしてチップ型
サーミスタを１００個作製したところ、１００個すべて
の抵抗値がオープンになった。
３ａ，１３ｂを設けなかった以外は同様にしてチップ型
サーミスタを１００個作製したところ、１００個すべて
の抵抗値がオープンになった。
【００１４】なお、本実施例においては内部電極１０
ａ，１０ｂを２層有するチップ型サーミスタとしたが２
層以上内部電極を有するものでも同様の効果が得られ
る。
ａ，１０ｂを２層有するチップ型サーミスタとしたが２
層以上内部電極を有するものでも同様の効果が得られ
る。
【００１５】また、下地電極１３ａ，１３ｂ上のガラス
膜１７の除去は下地電極１３ａ，１３ｂと端子電極１４
ａ，１４ｂとの導通がとれるように除去する。
膜１７の除去は下地電極１３ａ，１３ｂと端子電極１４
ａ，１４ｂとの導通がとれるように除去する。
【００１６】（実施例３）以下本発明の第３の実施例を
図８〜１１に基づいて説明する。マンガン、ニッケル、
コバルトを５：３：２の割合となるような遷移金属酸化
物原料を配合、混合、仮焼し、この仮焼物を粉砕する。
次に仮焼粉砕粉に樹脂、溶剤からなるバインダーを混合
したスラリーを調製し、これを成形機により成形してサ
ーミスタ抵抗体グリーンシートを作製する。その後この
サーミスタ抵抗体グリーンシートにＰｄ、樹脂、溶剤か
らなる電極材料ペーストをスクリーン印刷によって塗布
して内部電極塗布膜付きグリーンシートを得る。次にこ
のグリーンシート２枚を内部電極塗布膜がサーミスタ抵
抗体グリーンシートを介して対向するように重ね、さら
にこの上にサーミスタ抵抗体グリーンシートを重ねてグ
リーンシート積層体を得る。次にこのグリーンシート積
層体を一定寸法に切断してバインダーが分解する温度以
上でサーミスタ素体が焼結する温度以下で熱処理を行
い、この熱処理を行った角型のサーミスタチップをアル
ミナ玉石、研磨剤、純水と一緒に攪拌する湿式バレル研
磨によって、図８に示すような角隅部及び稜線部が丸み
を帯びた内部電極１０ａ，１０ｂを有するサーミスタチ
ップ１１を得る。
図８〜１１に基づいて説明する。マンガン、ニッケル、
コバルトを５：３：２の割合となるような遷移金属酸化
物原料を配合、混合、仮焼し、この仮焼物を粉砕する。
次に仮焼粉砕粉に樹脂、溶剤からなるバインダーを混合
したスラリーを調製し、これを成形機により成形してサ
ーミスタ抵抗体グリーンシートを作製する。その後この
サーミスタ抵抗体グリーンシートにＰｄ、樹脂、溶剤か
らなる電極材料ペーストをスクリーン印刷によって塗布
して内部電極塗布膜付きグリーンシートを得る。次にこ
のグリーンシート２枚を内部電極塗布膜がサーミスタ抵
抗体グリーンシートを介して対向するように重ね、さら
にこの上にサーミスタ抵抗体グリーンシートを重ねてグ
リーンシート積層体を得る。次にこのグリーンシート積
層体を一定寸法に切断してバインダーが分解する温度以
上でサーミスタ素体が焼結する温度以下で熱処理を行
い、この熱処理を行った角型のサーミスタチップをアル
ミナ玉石、研磨剤、純水と一緒に攪拌する湿式バレル研
磨によって、図８に示すような角隅部及び稜線部が丸み
を帯びた内部電極１０ａ，１０ｂを有するサーミスタチ
ップ１１を得る。
【００１７】次に、サーミスタチップ１１をＣａ，Ａ
ｌ，Ｚｎの内１種類以上の酸化物あるいは炭酸塩のよう
に焼成により酸化物となる化合物の混合粉末中に埋め込
んだ状態で大気中で１１００〜１３００℃のサーミスタ
素体の焼結温度で熱処理することによって、図９に示す
ようにサーミスタチップ１１の外周面に１０〜２０μｍ
ぐらいの厚みの高抵抗表面層２０を形成する。
ｌ，Ｚｎの内１種類以上の酸化物あるいは炭酸塩のよう
に焼成により酸化物となる化合物の混合粉末中に埋め込
んだ状態で大気中で１１００〜１３００℃のサーミスタ
素体の焼結温度で熱処理することによって、図９に示す
ようにサーミスタチップ１１の外周面に１０〜２０μｍ
ぐらいの厚みの高抵抗表面層２０を形成する。
【００１８】次に、高抵抗表面層２０を形成したサーミ
スタチップ１１に付着した余分な混合粉末等を超音波洗
浄あるいは湿式バレル研磨によって除去し、高抵抗表面
層２０を形成したサーミスタチップ１１の両側端部にＡ
ｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バインダーからなる電極ペース
トを浸漬により付着させてから乾燥させ、８５０℃で２
０分焼付を行い、図１０に示すように端子電極１４ａ，
１４ｂを形成する。その後通常の方法によってニッケル
めっき、はんだめっきを行い金属めっき層１５ａ，１５
ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミスタ１
６を得る。この時サーミスタチップ１１が高抵抗表面層
２０で覆われているので、端子電極１４ａ，１４ｂ以外
にはめっき膜が形成されない。
スタチップ１１に付着した余分な混合粉末等を超音波洗
浄あるいは湿式バレル研磨によって除去し、高抵抗表面
層２０を形成したサーミスタチップ１１の両側端部にＡ
ｇ−Ｐｄの粉末、溶剤、バインダーからなる電極ペース
トを浸漬により付着させてから乾燥させ、８５０℃で２
０分焼付を行い、図１０に示すように端子電極１４ａ，
１４ｂを形成する。その後通常の方法によってニッケル
めっき、はんだめっきを行い金属めっき層１５ａ，１５
ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミスタ１
６を得る。この時サーミスタチップ１１が高抵抗表面層
２０で覆われているので、端子電極１４ａ，１４ｂ以外
にはめっき膜が形成されない。
【００１９】なお、本実施例においても混合粉末の粒径
は小さい程、サーミスタチップ１１との接触がよくな
り、反応性が向上し、均一な高抵抗表面層２０が形成で
きる。
は小さい程、サーミスタチップ１１との接触がよくな
り、反応性が向上し、均一な高抵抗表面層２０が形成で
きる。
【００２０】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１を、ＳｉＯ2を主成分と
し、副成分としてＢ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｂａ，Ａｌ，Ｂｉ，
Ｃａの酸化物あるいは炭酸塩等の焼成により酸化物とな
る化合物を１種類以上含む混合粉末中に埋め込んだ状態
で、サーミスタ素体の焼結温度で、熱処理することによ
って、図９に示すようにサーミスタチップ１１の外周面
に高抵抗表面層２０を形成する。
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１を、ＳｉＯ2を主成分と
し、副成分としてＢ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｂａ，Ａｌ，Ｂｉ，
Ｃａの酸化物あるいは炭酸塩等の焼成により酸化物とな
る化合物を１種類以上含む混合粉末中に埋め込んだ状態
で、サーミスタ素体の焼結温度で、熱処理することによ
って、図９に示すようにサーミスタチップ１１の外周面
に高抵抗表面層２０を形成する。
【００２１】以降は実施例３と同様に図１０に示すよう
に高抵抗表面層２０を形成したサーミスタチップ１１の
両端に端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様に金属めっき層１５ａ，
１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミス
タ１６を得る。
に高抵抗表面層２０を形成したサーミスタチップ１１の
両端に端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様に金属めっき層１５ａ，
１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミス
タ１６を得る。
【００２２】（実施例５）以下本発明の第５の実施例に
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１をＣａ，Ａｌ，Ｚｎの内１
種類以上を含む硝酸塩水溶液に含浸させた後乾燥させ
る。なお、この時硝酸塩のかわりに硫酸塩や酢酸塩のよ
うな水溶性の金属塩を使用してもよい。次に含浸させた
サーミスタチップ１１をサーミスタ素体の焼結温度で熱
処理することによって、図９に示すようにサーミスタチ
ップ１１の外周面に高抵抗表面層２０を形成する。
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１をＣａ，Ａｌ，Ｚｎの内１
種類以上を含む硝酸塩水溶液に含浸させた後乾燥させ
る。なお、この時硝酸塩のかわりに硫酸塩や酢酸塩のよ
うな水溶性の金属塩を使用してもよい。次に含浸させた
サーミスタチップ１１をサーミスタ素体の焼結温度で熱
処理することによって、図９に示すようにサーミスタチ
ップ１１の外周面に高抵抗表面層２０を形成する。
【００２３】以降は実施例３と同様に高抵抗表面層２０
を形成したサーミスタチップ１１の両端に図１０に示す
ように端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様に金属めっき層１５ａ，
１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミス
タ１６を得る。
を形成したサーミスタチップ１１の両端に図１０に示す
ように端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様に金属めっき層１５ａ，
１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミス
タ１６を得る。
【００２４】（実施例６）以下本発明の第６の実施例に
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１をＣａ，Ａｌ，Ｚｎの内１
種類以上を含むアルコキシドのアルコール溶液に含浸さ
せた後乾燥させる。
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１をＣａ，Ａｌ，Ｚｎの内１
種類以上を含むアルコキシドのアルコール溶液に含浸さ
せた後乾燥させる。
【００２５】次に、含浸させたサーミスタチップ１１を
サーミスタ素体の焼結温度で熱処理することによって、
図９に示すようにサーミスタチップ１１の外周面に高抵
抗表面層２０を形成する。
サーミスタ素体の焼結温度で熱処理することによって、
図９に示すようにサーミスタチップ１１の外周面に高抵
抗表面層２０を形成する。
【００２６】以降は実施例３と同様に高抵抗表面層２０
を形成したサーミスタチップ１１の両端に図１０に示す
ように端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様に金属めっき層１５ａ，
１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミス
タ１６を得る。
を形成したサーミスタチップ１１の両端に図１０に示す
ように端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様に金属めっき層１５ａ，
１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サーミス
タ１６を得る。
【００２７】（実施例７）以下本発明の第７の実施例に
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１をＳｉアルコキシドのアル
コール溶液に含浸させた後乾燥させる。次に含浸させた
サーミスタチップ１１をサーミスタ素体の焼結温度で熱
処理することによって、図９に示すようにサーミスタチ
ップ１１の外周面に高抵抗表面層２０を形成する。
ついて図８〜１１を用いて説明する。実施例３で述べた
のと同様に図８に示すような内部電極１０ａ，１０ｂを
有するサーミスタチップ１１をＳｉアルコキシドのアル
コール溶液に含浸させた後乾燥させる。次に含浸させた
サーミスタチップ１１をサーミスタ素体の焼結温度で熱
処理することによって、図９に示すようにサーミスタチ
ップ１１の外周面に高抵抗表面層２０を形成する。
【００２８】以降は実施例３と同様に高抵抗表面層２０
を形成したサーミスタチップ１１の両端に図１０に示す
ように端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様にして金属めっき層１５
ａ，１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サー
ミスタ１６を得る。
を形成したサーミスタチップ１１の両端に図１０に示す
ように端子電極１４ａ，１４ｂを形成し、端子電極１４
ａ，１４ｂ上に実施例３と同様にして金属めっき層１５
ａ，１５ｂを形成し、図１１に示すようなチップ型サー
ミスタ１６を得る。
【００２９】なお、内部電極１０ａ，１０ｂはＡｇ，Ａ
ｇ−Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕのような貴金属やＣｕ，Ｎｉのよ
うな卑金属でも良く、端子電極１４ａ，１４ｂはＡｇで
も良く、金属めっき層１５ａ，１５ｂもＮｉ−Ｓｎめっ
きでも勿論かまわない。
ｇ−Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕのような貴金属やＣｕ，Ｎｉのよ
うな卑金属でも良く、端子電極１４ａ，１４ｂはＡｇで
も良く、金属めっき層１５ａ，１５ｂもＮｉ−Ｓｎめっ
きでも勿論かまわない。
【００３０】実施例３〜７においては遷移金属酸化物を
主成分とするスピネル型結晶相のチップ型サーミスタ素
体と２価あるいは３価の単一の原子価を有する金属化合
物を熱処理によって、サーミスタ素体の外周面に２価あ
るいは３価の単一の原子価を有する金属元素が固溶した
スピネル型結晶相の層を形成させる。スピネル型結晶相
のＡサイトに２価の単一の原子価を有する金属元素、あ
るいはＢサイトに３価の単一の原子価を有する金属元素
を固溶させると、希釈原理によってキャリア濃度が減少
し比抵抗が増加する。また、前記チップ型サーミスタ素
体と金属化合物を熱処理によってサーミスタ素体と反応
させて、前記サーミスタ素体の外周面に絶縁性の酸化物
層を形成する。このようにチップ型サーミスタ素体の外
周面に高抵抗の表面層が形成されることにより、電解め
っきによるサーミスタ素体へのめっき膜の付着を防止す
ることができる。
主成分とするスピネル型結晶相のチップ型サーミスタ素
体と２価あるいは３価の単一の原子価を有する金属化合
物を熱処理によって、サーミスタ素体の外周面に２価あ
るいは３価の単一の原子価を有する金属元素が固溶した
スピネル型結晶相の層を形成させる。スピネル型結晶相
のＡサイトに２価の単一の原子価を有する金属元素、あ
るいはＢサイトに３価の単一の原子価を有する金属元素
を固溶させると、希釈原理によってキャリア濃度が減少
し比抵抗が増加する。また、前記チップ型サーミスタ素
体と金属化合物を熱処理によってサーミスタ素体と反応
させて、前記サーミスタ素体の外周面に絶縁性の酸化物
層を形成する。このようにチップ型サーミスタ素体の外
周面に高抵抗の表面層が形成されることにより、電解め
っきによるサーミスタ素体へのめっき膜の付着を防止す
ることができる。
【００３１】また、実施例１〜７において、金属めっき
層１５ａ，１５ｂは電解めっきにより形成したが、サー
ミスタ素体表面に高抵抗表面層１２，２０が形成されて
いるので、端子電極１４ａ，１４ｂ上のみに選択的に形
成される。さらに、内部電極１０ａ，１０ｂは２層の場
合のみ示したが、３層以上形成した場合でも同様の効果
が得られる。
層１５ａ，１５ｂは電解めっきにより形成したが、サー
ミスタ素体表面に高抵抗表面層１２，２０が形成されて
いるので、端子電極１４ａ，１４ｂ上のみに選択的に形
成される。さらに、内部電極１０ａ，１０ｂは２層の場
合のみ示したが、３層以上形成した場合でも同様の効果
が得られる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、サーミスタ素体表面に
高抵抗層を設けることにより、電解めっきによるサーミ
スタ素体へのめっき膜の形成を防止できる。また、端子
電極と導電接続された内部電極を設けることにより、内
部電極の面積及び内部電極間の距離によって抵抗値を所
定の値にすることができ、抵抗値のばらつきを小さくで
きる。また、内部電極と外部電極の間に下地電極を設け
ることにより、内部電極と外部電極とのコンタクトを確
実に取ることができる。また、ニッケルめっき、はんだ
めっきを施した端子電極ははんだ食われが起きないの
で、フローはんだ付けが可能なチップ型サーミスタを提
供することができ、その生産性を向上できると共に、は
んだ付け性が良いこと及び上記電解めっきを行う場合の
障害がないことと併せて高精度、高信頼性のチップ型サ
ーミスタを提供することができる。
高抵抗層を設けることにより、電解めっきによるサーミ
スタ素体へのめっき膜の形成を防止できる。また、端子
電極と導電接続された内部電極を設けることにより、内
部電極の面積及び内部電極間の距離によって抵抗値を所
定の値にすることができ、抵抗値のばらつきを小さくで
きる。また、内部電極と外部電極の間に下地電極を設け
ることにより、内部電極と外部電極とのコンタクトを確
実に取ることができる。また、ニッケルめっき、はんだ
めっきを施した端子電極ははんだ食われが起きないの
で、フローはんだ付けが可能なチップ型サーミスタを提
供することができ、その生産性を向上できると共に、は
んだ付け性が良いこと及び上記電解めっきを行う場合の
障害がないことと併せて高精度、高信頼性のチップ型サ
ーミスタを提供することができる。
【図１】本発明の一実施例におけるチップ型サーミスタ
の断面図
の断面図
【図２】本発明の一実施例におけるサーミスタチップの
断面図
断面図
【図３】本発明の一実施例における高抵抗表面層を形成
したサーミスタチップの断面図
したサーミスタチップの断面図
【図４】本発明の一実施例におけるサーミスタチップの
断面図
断面図
【図５】本発明の一実施例における高抵抗表面層を形成
したサーミスタチップの断面図
したサーミスタチップの断面図
【図６】本発明の一実施例における高抵抗表面層を形成
したサーミスタチップの断面図
したサーミスタチップの断面図
【図７】本発明の一実施例におけるチップ型サーミスタ
の断面図
の断面図
【図８】本発明の一実施例におけるサーミスタチップの
断面図
断面図
【図９】本発明の一実施例における高抵抗表面層を形成
したサーミスタチップの断面図
したサーミスタチップの断面図
【図１０】本発明の一実施例におけるチップ型サーミス
タの断面図
タの断面図
【図１１】本発明の一実施例におけるチップ型サーミス
タの断面図
タの断面図
１０ａ 内部電極 １０ｂ 内部電極 １１ サーミスタチップ １２ 高抵抗表面層 １３ａ，１３ｂ 下地電極 １４ａ 端子電極 １４ｂ 端子電極 ２０ 高抵抗表面層
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも２層の内部電極を内蔵するサ
ーミスタ素体と、このサーミスタ素体の前記内部電極の
露出した両端面に設けた端子電極と、前記サーミスタ素
体表面の前記端子電極で覆われていない部分に設けた高
抵抗層とを備えたチップ型サーミスタ。 - 【請求項２】 高抵抗層はサーミスタ素体の少なくとも
一成分を含む無機化合物である請求項１記載のチップ型
サーミスタ。 - 【請求項３】 高抵抗層はガラスよりなる請求項１記載
のチップ型サーミスタ。 - 【請求項４】 高抵抗層は２価あるいは３価の単一の原
子価を有する金属元素が固溶したスピネル型結晶層であ
る請求項１記載のチップ型サーミスタ。 - 【請求項５】 サーミスタ素体の内部電極の露出した端
面と端子電極との間に前記内部電極と端子電極とに導通
接続するように設けた下地電極を有する請求項１記載の
チップ型サーミスタ。 - 【請求項６】 内部に少なくとも２層の内部電極を有す
るサーミスタ素体を少なくとも１種類の金属元素を含む
酸化物あるいは熱処理することにより酸化物となる化合
物の粉末中に埋設し、熱処理してこのサーミスタ素体表
面に高抵抗層を形成するチップ型サーミスタの製造方
法。 - 【請求項７】 内部に少なくとも２層の内部電極を有す
るサーミスタ素体を少なくとも１種類の金属元素を含む
金属塩水溶液に浸漬し、乾燥させた後、このサーミスタ
素体を熱処理し表面に高抵抗層を形成するチップ型サー
ミスタの製造方法。 - 【請求項８】 内部に少なくとも２層の内部電極を有す
るサーミスタ素体を少なくとも１種類の金属元素を含む
金属アルコキシドのアルコール溶液に浸漬し、乾燥させ
た後、このサーミスタ素体を熱処理し表面に高抵抗層を
形成するチップ型サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7033789A JPH08236306A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | チップ型サーミスタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7033789A JPH08236306A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | チップ型サーミスタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236306A true JPH08236306A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=12396248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7033789A Pending JPH08236306A (ja) | 1995-02-22 | 1995-02-22 | チップ型サーミスタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236306A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020040193A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法 |
| JP2020036002A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法 |
| CN112567484A (zh) * | 2018-08-23 | 2021-03-26 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻及热敏电阻的制造方法 |
| CN113454736A (zh) * | 2019-02-22 | 2021-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻的制造方法 |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7033789A patent/JPH08236306A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020040193A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法 |
| WO2020040197A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 保護膜付きサーミスタおよびその製造方法 |
| JP2020036002A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法 |
| CN112567484A (zh) * | 2018-08-23 | 2021-03-26 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻及热敏电阻的制造方法 |
| CN112567484B (zh) * | 2018-08-23 | 2022-08-12 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻及热敏电阻的制造方法 |
| US11594350B2 (en) | 2018-08-23 | 2023-02-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor and method for manufacturing thermistor |
| US11600410B2 (en) | 2018-08-23 | 2023-03-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor with protective film and manufacturing method thereof |
| CN113454736A (zh) * | 2019-02-22 | 2021-09-28 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻的制造方法 |
| CN113454736B (zh) * | 2019-02-22 | 2023-02-17 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻的制造方法 |
| US11763967B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-09-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of manufacturing thermistor |
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 |
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