JPH06302406A - チップ型サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 電極間のはんだブリッジがなく、はんだ耐熱
性とはんだ付着性に優れ、電極のめっき処理による抵抗
値の変化がなく、抵抗値を広範囲に調整可能なチップ型
サーミスタを容易にかつ安価に製造する。 【構成】 サーミスタ素体用セラミック焼結シートの片
面に多数列の下地電極１６を形成し、別の片面に抵抗値
調整用電極１５を形成し、下地電極を露出しかつこれら
の下地電極間を埋めるように焼結シートの片面と別の片
面全体に絶縁性ペーストを塗布した後、シートを熱処理
して絶縁層１３，１４を形成する。露出した下地電極の
表面にＮｉめっき層１７ａとＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき
層１７ｂをこの順に形成して下地電極とめっき層からな
る多数列の電極をシート上に形成し、シートを２列の電
極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断し、
短冊状サーミスタ素体をその切断面と垂直な方向でチッ
プ状に切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プリント回路基板等に
表面実装されるチップ型サーミスタ及びその製造方法に
関する。更に詳しくは電子機器の温度補償用サーミスタ
や表面温度測定用センサに適し、温度上昇に従って抵抗
値が減少するチップ型サーミスタ及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のチップ型サーミスタは、
サーミスタ素体の両端部に銀−パラジウムを主成分とす
る電極が焼付けられている。電極成分に銀の他にパラジ
ウムを含有する理由は、基板にチップ型サーミスタをは
んだ付けする際に、銀がはんだ中に溶出して消失するこ
とを防止し、電極のはんだ耐熱性を得るためである。

【０００３】しかし、パラジウムの含有量を増加すると
電極のはんだ付着性が低下して基板へのチップ型サーミ
スタの固着力が弱くなるため、パラジウムの含有量には
一定の限界があった。このため電極のはんだ付けが高温
で長時間行われる場合には、従来のチップ型サーミスタ
はなおはんだ耐熱性が不十分であった。はんだ耐熱性と
はんだ付着性を向上させるために、チップ型コンデンサ
と同様に、焼付け電極である下地電極の表面にめっき層
を設けることが考えられるが、サーミスタ素体はコンデ
ンサ素体と異なり導電性を有するため、このサーミスタ
素体を露出したままめっき処理した場合、素体表面にめ
っきが付着してサーミスタの抵抗値が所期の値と異な
り、しかもサーミスタ素体がめっき液で浸食されてサー
ミスタの信頼性が低下する等の不具合を生じる。

【０００４】この点を改善するため、本出願人は焼付け
電極層が接触する部分以外のサーミスタ素体の表面をガ
ラス層で被覆し、焼付け電極層の表面にめっき層を形成
したチップ型サーミスタを特許出願した（特開平３−２
５０６０３）。

【０００５】このチップ型サーミスタは、次の方法によ
り製造される。先ずサーミスタ素体用のセラミック焼結
シートの両面にガラスペーストを印刷して焼成すること
により絶縁性のガラス層を形成する。次いで両面がガラ
ス層で被覆された焼結シートを短冊状に切断した後、両
側の切断面に前述と同様にガラスペーストを印刷焼成し
てガラス層を形成する。次に前記切断面と垂直な方向に
この短冊状物を細かく切断してチップを作る。このチッ
プの切断面を包むようにチップの両端部に導電性ペース
トを塗布し、焼成して焼付け電極層を形成する。更にこ
の焼付け電極層を下地電極としてこの表面にめっき層を
形成して焼付け電極層とめっき層からなる端子電極を有
するチップ型サーミスタを得る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記チップ型
サーミスタを含め、一般にチップ状サーミスタ素体の両
側面に端子電極を設ける構造のチップ型サーミスタは、
プリント回路基板に表面実装した後の熱的ストレスによ
る引張応力が加わったときにクラックを生じ易い。そし
てクラックが発生するとサーミスタとしての特性が変化
する。また上記製造方法では、ガラス層の被覆を２回に
分けて行う必要がある上、チップになった後に、その両
端部に導電性ペーストを塗布したり、めっき層を形成し
たりする必要がある。このため、チップにした後の取扱
いに多大の注意を払わなければならない。これらのこと
から製造工程が複雑化し、必然的に製造コストが高価に
なる問題点があった。

【０００７】本発明の目的は、電極間にはんだブリッジ
が発生せず、はんだ耐熱性及びはんだ付着性に優れ、電
極のめっき処理による抵抗値の変化がなく、信頼性の高
いチップ型サーミスタを提供することにある。本発明の
別の目的は、抵抗値の調整が容易なチップ型サーミスタ
を提供することにある。本発明の別の目的は、熱的スト
レスに起因した引張応力に対する強度が高いチップ型サ
ーミスタを提供することにある。本発明の更に別の目的
は、上記優れたチップ型サーミスタを比較的容易にかつ
安価に製造できるチップ型サーミスタの製造方法を提供
することにある。

【０００８】

【問題点を解決するための手段】図１〜図３に示すよう
に、本発明のチップ型サーミスタ１０は、６面体からな
るチップ状サーミスタ素体１１と、このサーミスタ素体
１１の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけ
て設けられた一対の端子電極１２，１２と、このサーミ
スタ素体１１の下面の一対の端子電極１２，１２間に設
けられた絶縁性の下面絶縁層１３と、このサーミスタ素
体１１の上面全体に設けられた抵抗値調整用電極１５
と、この抵抗値調整用電極１５がサーミスタ素体１１の
上面全体に設けられた上面絶縁層１４とを備えたもので
ある。なお、端子電極１２は貴金属を含む下地電極１６
と、この下地電極１６の表面に形成されたＮｉめっき層
１７ａと、このＮｉめっき層１７ａの表面に形成された
Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂとを備えることが好
ましい。

【０００９】また、本発明のチップ型サーミスタの製造
方法は、図４に示されるサーミスタ素体用セラミック焼
結シート２１の片面に多数列の下地電極１６を形成し
（図５）、この焼結シート２１の別の片面全体に抵抗値
調整用電極１５を形成し（図６）、下地電極１６を露出
しかつこれらの電極間を埋めるように焼結シート２１の
片面に絶縁性ペーストを塗布し、調整用電極１５を形成
した焼結シート２１の別の片面全体に絶縁性ペーストを
塗布した後、この焼結シート２１を熱処理して絶縁性の
絶縁層１３，１４を形成し（図７）、露出した下地電極
１６の表面にＮｉめっき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐ
ｂめっき層１７ｂをこの順に形成して下地電極１６とめ
っき層１７からなる多数列の電極を焼結シート上に形成
し（図１及び図８）、この焼結シート２１を２列の電極
ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断し（図
９）、短冊状サーミスタ素体２２をその切断面と垂直な
方向でチップ状に切断してチップ型サーミスタ１０を得
る（図１０）方法である。

【００１０】以下、本発明を詳述する。 (a) セラミック焼結シートに対する多数列の下地電極の
形成 図４に示すように、サーミスタ素体用セラミック焼結シ
ート２１を用意する。この焼結シート２１は次の方法に
より作られる。先ずＭｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａ
ｌ等の金属の酸化物粉末を１種又は２種以上混合する。
２種以上混合するときは、所定の金属原子比になるよう
に各金属酸化物を秤量する。この混合物を仮焼し粉砕
し、有機結合材を加え混合して直方体に成形した後、焼
成してセラミック焼結ブロック（図示せず）を作製す
る。次いでこのブロックをバンドソーを用いてウエハ状
に切断し、図４に示す焼結シート２１を得る。なお、金
属酸化物の混合物を仮焼し粉砕した後、有機結合材と溶
剤を加え混練してスラリーを調製し、このスラリーをド
クターブレード法等により成膜乾燥してグリーンシート
を成形し、これを焼成し焼結シート２１を得てもよい。

【００１１】次に、図５に示すように、焼結シート２１
の片面に貴金属粉末と無機結合材を含む導電性ペースト
を縞状に塗布する。この塗布は所定の縞状パターンを焼
結シート２１に重ね合せて導電性ペーストを印刷する印
刷法によることが好ましい。貴金属粉末を例示すれば、
Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、又はこれらを混合
した粉末が挙げられる。塗布したペーストを乾燥した
後、焼成することにより多数列の下地電極１６を形成す
る。ここで、焼結シート２１の一方の端縁に多数列の下
地電極１６すべてに接続するめっき用電極層１６ａを形
成しておくことが好ましい。なお、導電性ペーストを印
刷法により塗布し、これを焼成して焼付け電極層の下地
電極を形成する以外に、焼結シート２１の片面に所定の
縞状パターンを重ね合せて溶射法により下地電極を形成
することもできる。

【００１２】(b) 抵抗値調整用電極の形成 図５のＦ部拡大である図６に示すように、焼結シート２
１の別の片面全体に下地電極用の導電性ペーストと同じ
導電性ペーストを印刷法により塗布し乾燥した後、焼成
することにより抵抗値調整用電極１５を形成する。な
お、下地電極と同様に溶射法により抵抗値調整用電極を
形成することもできる。

【００１３】(c) シート片面への絶縁性ペーストの塗布 図７に示すように、下地電極１６が設けられたシート片
面には、下地電極１６を露出しかつこれらの電極間を埋
めるように絶縁性ペーストがやはり縞状に塗布される。
めっき用電極層１６ａがある場合には、この電極層１６
ａも下地電極１６と同様に露出される。この電極層１６
ａは後述するめっき層形成時の電解めっきに必要だから
である。絶縁性ペーストはガラスペースト又は樹脂ペー
ストである。ガラスペーストに含まれるガラス成分又は
樹脂ペーストに含まれる樹脂は耐めっき性があることが
必要である。ガラス成分は結晶質であっても非結晶質で
あってもよい。また樹脂としてはエポキシ樹脂のような
熱硬化性樹脂が例示される。

【００１４】 (d) 別のシート片面への絶縁性ペーストの塗布 抵抗値調整用電極１５が設けられた別のシート片面で
は、上記(c)と同じ絶縁性ペーストがシート全体に塗布
される。この塗布も印刷法によることが好ましい。

【００１５】(e) 絶縁層の形成 図７に示すように、上記(c)及び(d)で絶縁性ペーストを
塗布した焼結シート２１を熱処理して、１０〜２０μｍ
程度の厚さのガラス層又は樹脂層からなる絶縁層１３，
１４を形成する。絶縁層がガラス層の場合には、これら
のガラス層１３，１４はその熱膨張係数がサーミスタ素
体用焼結シート２１の熱膨張係数の４０％以上１００％
以下であることが好ましい。熱膨張係数がこの範囲内に
あると、ガラス層がない場合に比較してサーミスタ１０
の抗折強度が増加する。

【００１６】抗折強度とは、間隔を設けて配置された２
つの台にチップ型サーミスタの両端を置き、チップ型サ
ーミスタの中央部に加重したときの破壊強度をいう。こ
れは、チップ型サーミスタをプリント回路基板に表面実
装したときのはんだ等による熱や実装後の熱サイクルに
よって生じる応力歪み（熱的ストレス）にどれだけ耐え
ることができるかの目安となる。本発明のガラス層を有
するサーミスタ１０の抗折強度が増加するのは、サーミ
スタ素体表面のガラス層に圧縮応力が残留するためと考
えられる。即ち、製造時に熱膨張していたサーミスタ素
体１１とガラス層１３，１４が冷えると、熱膨張係数の
大きなサーミスタ素体の方が縮み方が大きく、ガラス層
が圧縮された状態となる。この状態のサーミスタ１０に
折曲げ力を加えると、折曲げの内側には圧縮応力が生
じ、外側には引張応力が生じる。サーミスタ素体とガラ
ス層は、ともに圧縮応力に強く引張応力に弱い特徴があ
る。このため、予めガラス層により圧縮応力を与えてお
くと、ガラス層がない場合に比べて、折曲げ力を加えた
ときにその曲げの外側の引張応力に対してクラックが生
じにくくなる。樹脂層はサーミスタの抗折強度を高める
作用はないが、ガラス層と比べて低い熱処理温度で硬化
して形成できる利点がある。

【００１７】(f) めっき層の形成 図１及び図８に示すように、露出した下地電極１６の表
面にめっき層１７を設けて、下地電極１６及びめっき層
１７により多数列の電極を作ることが好ましい。めっき
層１７はＮｉめっき層１７ａ及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめ
っき層１７ｂをこの順に形成する（図１）。これらのめ
っき層は電解めっきにより形成される。めっき浴はＮ
ｉ，Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂともそれぞれ公知のものを使用
する。めっき層を二重構造にするのは、Ｎｉめっき層１
７ａによりはんだ耐熱性を向上させはんだによる下地電
極１６の電極食われを防止するためであり、Ｓｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂめっき層１７ｂにより端子電極１２のはんだ付
着性を向上するためである。

【００１８】(g) 短冊状サーミスタ素体の形成 図８及び図９に示すように、矢印Ｍの箇所でめっき層１
７を形成した焼結シート２１を２列の電極ずつ各電極が
端縁に位置するようにダイヤモンドブレード付き切断機
のようなダイシングソーで短冊状に切断し、短冊状サー
ミスタ素体２２を得る。

【００１９】(h) チップ型サーミスタの作製 図９及び図１０に示すように、上記ダイシングソーを用
いて矢印Ｎの箇所で短冊状サーミスタ素体２２の切断面
と垂直な方向でチップ状に切断してチップ型サーミスタ
１０を得る。図１０で得られたチップ型サーミスタ１０
を裏返せば、図１及び図３のチップ型サーミスタとな
る。

【００２０】 (i) 絶縁性被膜付きチップ型サーミスタの作製 図１１に示すように、一対の端子電極１２，１２を有す
るサーミスタ素体１１の下面を除く他の５面に絶縁性被
膜２０が形成される。この被膜２０の形成は、図１２に
示すように一対の端子電極１２，１２を有するサーミス
タ素体１１の下面を樹脂シート又はフィルム２０ａに張
り付けてマスキングした後、樹脂を化学蒸着することに
より行われる。図１２において符号Ｐは化学蒸着時の吹
き付け線を示す。この化学蒸着に適する樹脂としては、
ポリパラキシリレン樹脂（商品名：パリレン樹脂、ユニ
オンカーバイト社製）が挙げられる。なお、化学蒸着の
代わりに熱硬化性樹脂を塗布乾燥した後、熱処理しても
よい。

【００２１】(j) その他の構造のチップ型サーミスタの
作製（その１） 図１３及び図１４に示すように焼結シート２１の片面に
下地電極２６を図１３のｘ方向に連ねて多数歯状に形成
し、図１３の焼結シートを裏返した図１６及び図１７に
示す焼結シート２１の別の片面に抵抗値調整用電極２５
を図１６のｙ方向に多数列に形成する。この下地電極２
６は１つの単位が電極部２６ａと接続部２６ｂからな
り、その電極部２６ａと抵抗値調整用電極２５は焼結シ
ートを挟んで相対向する位置に形成され、下地電極２６
の連なる方向（ｘ方向）は抵抗値調整用電極２５の配列
方向（ｙ方向）と直交する。下地電極２６に上述しため
っき層を形成し、抵抗値調整用電極２５に上述した絶縁
層を形成した後に、図１４及び図１７の破線Ｒに示すよ
うに焼結シート２１を切断すると、図１８〜図２０に示
されるチップ型サーミスタ３０が得られる。このサーミ
スタ３０は抵抗値調整用電極２５及び下地電極２６の露
出部分がサーミスタ１０と比べて少なく、イオン移動の
影響を受けにくくなる。

【００２２】(k) その他の構造のチップ型サーミスタの
作製（その２） また下地電極２６に関して図１３に示すように焼結シー
ト２１の片面に多数歯状に形成し、抵抗値調整用電極２
５に関して図２１に示すように焼結シート２１の別の片
面に間隔をあけて小四角形状に形成する。抵抗値調整用
電極２５はシートの別の片面において、下地電極２６の
電極部２６ａ，２６ａの丁度中間位置となるように形成
される。下地電極２６にめっき層を、抵抗値調整用電極
２５に絶縁層をそれぞれ形成した後に、図１５及び図２
２の破線Ｓに示すように焼結シート２１を切断すると、
図２３〜図２５に示されるチップ型サーミスタ４０が得
られる。このサーミスタ４０は抵抗値調整用電極２５の
露出部分が全くなく、また下地電極２６の露出部分も極
く一部であるため、イオン移動の影響をほとんど受けな
い。ただし、図１５及び図２２の接続部２６ｂが連なる
符号Ｔに示す部分は破棄される。

【００２３】

【作用】図３に示すように、はんだ２３によりプリント
回路基板２４にチップ型サーミスタ１０を表面実装す
る。このとき、Ｎｉめっき層１７ａによりはんだ耐熱性
が向上し、はんだによる下地電極１６の電極食われが防
止され、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層１７ｂにより端子
電極１２のはんだ付着性が向上する。これらのめっき層
１７は貴金属の下地電極１６の表面を被覆するため、貴
金属のイオン移動（ion migration）が発生しにくい。
また、サーミスタ素体１１下面の一対の下地電極１６，
１６間に絶縁層１３が設けられるため、第一にめっき層
形成時にはサーミスタ素体が露出せず、サーミスタ素体
がめっき液で浸食されず、サーミスタの抵抗値が所期の
値に対して変動しない。第二に基板へのはんだ付け時に
は電極間にはんだブリッジを生じない。絶縁層１３及び
１４が所定の熱膨張係数を有するガラス層の場合には、
これらのガラス層により、チップ型サーミスタ１０はそ
の抗折強度が向上し、熱的ストレスに対して耐久性の高
いものとなる。更に、抵抗値調整用電極１５を設けるこ
とにより、サーミスタ内を通る電流は一方の端子電極１
２から抵抗値調整用電極１５を介して他方の端子電極１
２に流れるため、サーミスタの低抵抗化が容易になり、
電極１５の面積を適宜変えれば抵抗値の調整を広範囲に
わたって行うことができる。

【００２４】

【発明の効果】以上述べたように、従来の製造方法で
は、工程数が多く複雑であったものが、本発明の製造方
法によれば、少ない工程で比較的容易にチップ型サーミ
スタを製造できるため、量産に適し、製造コストが安価
になる。特に、下地電極及びめっき層を形成した後でサ
ーミスタ素体を精密に切断することにより、素子の寸
法、電極面積等を厳格に制御できるので、チップになっ
た後の特別な加工を要さず、しかも抵抗値の精度が高い
チップ型サーミスタが得られる。本発明のチップ型サー
ミスタは、プリント回路基板に対向するサーミスタ素体
の下面の一対の端子電極が接触する部分を除いてサーミ
スタ素体が下面絶縁層で被覆され、サーミスタ素体上面
が上面絶縁層で被覆されるので、サーミスタ素体がめっ
き液で浸食されず、はんだブリッジが発生しなくなり、
イオン移動が生じにくくなる。絶縁層を所定の熱膨張係
数を有するガラス層で形成すれば、基板実装後の熱的ス
トレスに起因した引張応力に対する強度が高くなる。端
子電極と抵抗値調整用電極を図２３〜図２５に示した例
のように絶縁層で被覆するか、図１１に示すように絶縁
性被膜で被包すると、より一層イオン移動が生じにくく
なる。絶縁性被膜で被包すると、サーミスタに不測の外
力が加わっても素体が欠けず、また導電性物質が絶縁層
を設けていないサーミスタ素体の側面に付着しても特性
が変化しない利点もある。

【００２５】また、下地電極の表面にめっき層を形成す
ることにより、はんだ耐熱性とはんだ付着性に優れ、信
頼性の高いサーミスタが得られる。特に、サーミスタ素
体の上面に抵抗値調整用電極を設けることにより、一対
の端子電極の間隔を狭めずに抵抗値を低く調整でき、低
抵抗化を図るときに端子電極間をショートさせることが
なくなる。またその電極面積を変えれば抵抗値を容易に
かつ広範囲に調整できる。

【００２６】

【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明を実施例に基づいて説明する。以下に述べる実施例は
本発明の技術的範囲を限定するものではない。 ＜実施例＞次の方法により図１〜図３に示すチップ型サ
ーミスタを作製した。先ず市販のマンガン化合物、ニッ
ケル化合物、コバルト化合物を出発原料とし、これらを
ＭｎＯ₂：ＮｉＯ：ＣｏＯに換算して金属原子比３：
１：２の割合でそれぞれ秤量した。秤量物をボールミル
で１６時間均一に混合した後に脱水乾燥した。次いでこ
の混合物を９００℃で２時間仮焼し、この仮焼物を再び
ボールミルで粉砕して脱水乾燥した。粉砕物に有機結合
材を加え、均一に混合した後、混合物を直方体に圧縮成
形した。この圧縮成形物を大気圧下、１２００℃で４時
間焼成し、たて約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、厚さ約１
０ｍｍのセラミック焼結ブロック（図示せず）を作製し
た。次にこのブロックをバンドソーでウエハ状に切断
し、図４に示すたて約３５ｍｍ、よこ約５０ｍｍ、厚さ
約０．３ｍｍの焼結シート２１を得た。

【００２７】次に、図５及び図６に示すように、焼結シ
ート２１の片面に貴金属粉末と無機結合材を含む導電性
ペーストを印刷法により縞状に塗布した。別の片面には
同じ導電性ペーストを印刷法により片面全体に塗布し
た。これらの導電性ペーストは市販の銀ペーストであっ
て、 Ａｇ粉末とガラス微粒子と有機ビヒクルからな
る。導電性ペーストを塗布したサーミスタ素体を大気圧
下、乾燥した後、３０℃／分の速度で、８２０℃まで昇
温しそこで１０分間保持し、３０℃／分の速度で室温ま
で降温して、シート片面にＡｇからなる多数列の焼付け
電極層の下地電極１６を、別の片面全体に抵抗値調整用
電極１５をそれぞれ得た。下地電極１６の幅はすべて同
一であり、下地電極間は等間隔であった。１つの下地電
極の幅は約０．７ｍｍであり、下地電極と下地電極の間
隔は約０．４ｍｍであった。焼結シート２１の一方の端
縁に多数列の下地電極１６すべてに接続するめっき用電
極層１６ａを形成した。

【００２８】図７に示すように、焼結シート２１の両面
にそれぞれ同一の結晶化ガラスを含むペーストを印刷法
により塗布した。下地電極１６間を埋めてガラスペース
トを塗布するときには下地電極１６の互いに対向する端
縁を覆うように塗布した。塗布後、焼結シート２１を焼
成して、厚さ約１５μｍのガラス層１３，１４を形成し
た。これらのガラス層１３，１４の熱膨張係数は６８×
１０^-7／℃であって、焼結シート２１の熱膨張係数８５
×１０^-7／℃より小さい。めっき用電極層１６ａに図外
のめっき用電極を接続して、電解めっき法により下地電
極１６の表面に厚さ１〜２μｍのＮｉめっき層１７ａを
形成し、続いてその上に、同様に厚さ３〜６μｍのＳｎ
めっき層１７ｂを形成した（図１及び図３）。

【００２９】図８〜図１０に示すように、矢印Ｍの箇所
でめっき層１７を形成した焼結シート２１を２列の電極
ずつ各電極が端縁に位置するようにダイヤモンドブレー
ド付き切断機で短冊状に切断し、短冊状サーミスタ素体
２２を得た後、同一の切断機を用いて矢印Ｎの箇所で短
冊状サーミスタ素体２２の切断面と垂直な方向でチップ
状に切断して、幅Ｗ＝約０．５ｍｍ、長さＬ＝約１．０
ｍｍ、厚さＴ＝約０．３ｍｍ、下地電極間隔＝約０．４
ｍｍ、下地電極幅＝約０．３ｍｍのチップ型サーミスタ
１０を得た。図１０で得られたチップ型サーミスタ１０
は裏返して、図３に示すようにその端子電極１２，１２
がはんだ２３によりプリント回路基板２４に取付けられ
る。

【００３０】＜比較例＞抵抗値調整用電極を設けない以
外は、実施例と同様にして同一形状、同一寸法のチップ
型サーミスタを作製した。

【００３１】＜比較試験と結果＞ ・抵抗値の減少率 実施例のサーミスタと比較例のサーミスタを１００個ず
つ用意し、それぞれの抵抗値を測定した。比較例のサー
ミスタと比べて実施例のサーミスタは抵抗値が平均値で
約４０％低下していた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ型サーミスタの外観斜視図。

【図２】その底面図。

【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。

【図４】本発明のチップ型サーミスタのサーミスタ素体
となるセラミック焼結シートの外観斜視図。

【図５】その焼結シートの片面に多数列の下地電極が形
成された斜視図。

【図６】その焼結シートの別の片面に抵抗値調整用電極
が形成された図５のＦ部拡大斜視図。

【図７】図６の焼結シートの一方の面の下地電極間及び
他方の面全体に絶縁層が形成された斜視図。

【図８】図７の露出した下地電極の表面にめっき層が形
成された斜視図。

【図９】図８の焼結シートを短冊状に切断した斜視図。

【図１０】図９の短冊状サーミスタ素体をチップ状に切
断した斜視図。

【図１１】図１のサーミスタ素体の端子電極形成面以外
の５面に絶縁性被膜が形成されたサーミスタの図３に対
応する断面図。

【図１２】その絶縁性被膜の形成状況を示す図。

【図１３】本発明の別の下地電極を示す図６に対応する
斜視図。

【図１４】図１３の下地電極を有する焼結シートの切断
状況を示す要部平面図。

【図１５】焼結シートの別の切断状況を示す要部平面
図。

【図１６】本発明の別の抵抗値調整用電極を示す図１３
の焼結シートを裏返した斜視図。

【図１７】図１６の抵抗値調整用電極を有する焼結シー
トの切断状況を示す要部平面図。

【図１８】図１４及び図１７の切断線Ｒで切断したチッ
プ型サーミスタの底面図。

【図１９】図１８のＢ−Ｂ線断面図。

【図２０】図１８のＣ−Ｃ線断面図。

【図２１】本発明の更に別の抵抗値調整用電極を示す図
１３の焼結シートを裏返した斜視図。

【図２２】図２１の抵抗値調整用電極を有する焼結シー
トの切断状況を示す要部平面図。

【図２３】図１５及び図２２の切断線Ｓで切断したチッ
プ型サーミスタの底面図。

【図２４】図２３のＤ−Ｄ線断面図。

【図２５】図２３のＥ−Ｅ線断面図。

【符号の説明】

１０，３０，４０ チップ型サーミスタ １１ サーミスタ素体 １２ 端子電極 １３ 下面絶縁層 １４ 上面絶縁層 １５，２５ 抵抗値調整用電極 １６，２６ 下地電極 １７ めっき層 １７ａ Ｎｉめっき層 １７ｂ Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層 ２０ 絶縁性被膜 ２１ セラミック焼結シート ２２ 短冊状サーミスタ素体

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ６面体からなるチップ状サーミスタ素体
   (11)と、 前記サーミスタ素体(11)の下面の相対向する２つの端縁
   に沿って間隔をあけて設けられた一対の端子電極(12,1
   2)と、 前記サーミスタ素体(11)の下面の一対の端子電極(12,1
   2)間に設けられた下面絶縁層(13)と、 前記サーミスタ素体(11)の上面の一部又は全体に設けら
   れた抵抗値調整用電極(15)と、 前記抵抗値調整用電極(15)が設けられたサーミスタ素体
   (11)の上面全体に設けられた上面絶縁層(14)とを備えた
   チップ型サーミスタ。
2. 【請求項２】 端子電極(12)が貴金属を含む下地電極(1
   6)と、この下地電極(16)の表面に形成されたＮｉめっき
   層(17a)と、このＮｉめっき層(17a)の表面に形成された
   Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)とを備えた請求項１
   記載のチップ型サーミスタ。
3. 【請求項３】 Ｎｉめっき層(17a)及びＳｎ又はＳｎ／
   Ｐｂめっき層(17b)の表面積が下地電極(16)の表面積よ
   り小さく形成され、下面絶縁層(13)が前記Ｎｉめっき層
   (17a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)を除くサー
   ミスタ素体(11)の下面全体に設けられた請求項２記載の
   チップ型サーミスタ。
4. 【請求項４】 下面絶縁層(13)及び上面絶縁層(14)はガ
   ラス層である請求項１記載のチップ型サーミスタ。
5. 【請求項５】 下面絶縁層(13)及び上面絶縁層(14)は樹
   脂層である請求項１記載のチップ型サーミスタ。
6. 【請求項６】 ガラス層はその熱膨張係数がサーミスタ
   素体(11)の熱膨張係数の４０％以上１００％以下である
   請求項１記載のチップ型サーミスタ。
7. 【請求項７】 サーミスタ素体(11)の一対の端子電極(1
   2,12)が設けられた下面を除く他の５面に絶縁性被膜(2
   0)が設けられた請求項１ないし６いずれか記載のチップ
   型サーミスタ。
8. 【請求項８】 (a) サーミスタ素体用セラミック焼結シ
   ート(21)の片面に多数列の下地電極(16)を形成する工程
   と、 (b) 前記焼結シート(21)の別の片面の一部又は全体に抵
   抗値調整用電極(15)を形成する工程と、 (c) 前記(a)工程で形成した下地電極(16)を露出しかつ
   前記下地電極(16,16)間を埋めるように前記焼結シート
   (21)の片面に絶縁性ペーストを塗布する工程と、 (d) 前記(b)工程で抵抗値調整用電極(15)を形成した焼
   結シート(21)の別の片面全体に前記絶縁性ペーストを塗
   布する工程と、 (e) 前記(c)工程及び(d)工程で絶縁性ペーストを塗布し
   た焼結シート(21)を熱処理して絶縁層(13,14)を形成す
   る工程と、 (f) 前記露出した下地電極(16)の表面にＮｉめっき層(1
   7a)及びＳｎ又はＳｎ／Ｐｂめっき層(17b)をこの順に形
   成して前記下地電極(16)とめっき層(17)からなる多数列
   の電極を前記焼結シート(21)上に形成する工程と、 (g) 前記多数列の電極を形成した焼結シート(21)を２列
   の電極ずつ各電極が端縁に位置するように短冊状に切断
   する工程と、 (h) 前記短冊状サーミスタ素体(22)をその切断面と垂直
   な方向でチップ状に切断してチップ状サーミスタ素体(1
   1)の下面の相対向する２つの端縁に沿って間隔をあけて
   一対の端子電極(12,12)を有するチップ型サーミスタ(1
   0)を得る工程とを含むチップ型サーミスタの製造方法。
9. 【請求項９】 前記(h)工程の後に、 (i) サーミスタ素体(11)の一対の端子電極(12,12)が設
   けられた下面を除く他の５面に絶縁性被膜(20)を形成す
   る工程を含む請求項８記載のチップ型サーミスタの製造
   方法。