KR100481929B1 - 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

소형화가 가능하고 반응속도가 빠르며 전극의 전기이동 현상 및 절연파괴와 결함구조에 의한 이온전도 현상 등을 방지할 수 있도록, 중간에 포크형상 또는 성곽형상이 기어와 같이 맞물리는 형상이면서 소정의 패턴으로 형성되는 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈이 형성되는 기판과, 기판의 제1전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제1전극과, 기판의 제2전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제2전극과, 제1전극 및 제2전극 위에 형성되고 절연칸막이를 가로질러 형성되는 써미스터박막과, 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막을 포함하여 이루어지는 써미스터 박막을 이용한 온도센서를 제공한다.
또 기판에 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈을 형성하는 홈형성공정과, 제1전극홈 및 제2전극홈에 각각 돌출되지 않는 높이로 제1전극 및 제2전극을 형성하는 전극형성공정과, 제1전극 및 제2전극 위에 절연칸막이를 가로질러 써미스터박막을 형성하는 박막형성공정과, 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 보호막을 형성하는 보호막형성공정을 포함하여 이루어지는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법을 제공한다.

Description

써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법 {Temperature Sensor Using Thermistor Thin Film and Process of The Same}
본 발명은 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제2전극 형성전에 절연층을 형성하여 전극의 전기이동현상 및 이온전도현상을 방지하고 제2전극 위에 써미스터 박막을 형성하거나 제1전극과 제2전극을 절연칸막이를 사이에 두고 형성하고 제1전극과 제2전극의 위에 써미스터 박막을 형성하므로 제2전극과 제1전극 사이에 써미스터의 전기적 특성이 나타나는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 써미스터 온도센서 소자로는 주로 비드형, 디스크형, 로드형, 칩형, 전극일체형, 후막형 등이 생산되고 있다.
최근에는 전자부품의 발전방향이 소형화, 경량화, 고품질화, 원칩화로 진행되는 데, 종래 써미스터 소자로는 이러한 요구를 만족시키기 매우 어려우므로, 이러한 요구를 만족시키기 위하여 박막형 써미스터 온도센서 소자에 대한 연구가 진행중이며, 주로 써미스터 특성의 균일성, 재현성, 안정성 확보를 목적으로 써미스터 박막증착 조건과 써미스터 타겟의 조성 조절을 이용한 써미스터 박막의 조성 조절에 관련된 분야에 한정되어 있다.
본 발명은 전극 및 써미스터 박막의 형상을 제어하는 것에 의하여 써미스터 온도센서 소자 특성을 제어할 수 있음에 착안하여 이루어진 것으로서, 소형화가 가능하고 반응속도가 빠른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
즉 본 발명의 목적은 제2전극 형성전에 절연층을 형성하여 전극의 전기이동현상 및 이온전도현상을 방지하고 제2전극 위에 써미스터 박막을 형성하므로 제2전극과 제1전극 사이에 써미스터의 전기적 특성이 나타나는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
또 본 발명의 다른 목적은 미세 전극 패턴을 형성하기 전에 미세 패턴의 제1전극홈 및 제2전극홈을 절연칸막이를 사이에 두고 형성하여 그 제1전극홈 및 제2전극홈 속에 미세 전극 패턴을 형성하는 것에 의하여 전극의 전기이동 현상 및 절연파괴, 결함구조에 의한 이온전도 현상, 소자의 경시변화를 방지할 수 있으며 소형화가 가능한 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 제안하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서는 기판과, 상기한 기판 위에 소정의 패턴으로 형성되는 제1전극과, 상기한 제1전극 위에 써미스터박막을 소정의 패턴으로 증착하여 형성되는 하부박막과, 상기한 하부박막 위에 소정의 패턴으로 형성되는 절연층과, 상기한 절연층 위에 절연층보다 작은 크기로 형성되는 제2전극과, 상기한 제2전극 위에 써미스터박막을 증착하여 형성되는 상부박막과, 상기한 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막을 포함하여 이루어진다.
또 본 발명이 제안하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서는 중간에 포크형상 또는 성곽형상이 기어와 같이 맞물리는 형상이면서 소정의 패턴으로 형성되는 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈이 형성되는 기판과, 상기한 기판의 제1전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제1전극과, 상기한 기판의 제2전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제2전극과, 상기한 제1전극 및 제2전극 위에 형성되고 상기한 절연칸막이를 가로질러 형성되는 써미스터박막과, 상기한 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막을 포함하여 이루어지는 것도 가능하다.
상기에서 기판이 전도체 또는 반도체인 경우에는 상기한 제1전극 및 제2전극과의 절연을 위하여 기판과 제1전극 및 제2전극 사이에 절연막을 형성한다.
그리고 본 발명이 제안하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법은 기판에 소정의 패턴으로 제1전극을 형성하는 제1전극형성공정과, 상기한 제1전극 위에 소정의 패턴으로 형성되는 써미스터박막을 형성하는 하부박막형성공정과, 상기한 써미스터박막 위에 소정의 패턴으로 절연재료를 증착하여 절연층을 형성하는 절연층형성공정과, 상기한 절연층 위에 절연층보다 작은 크기로 제2전극을 형성하는 제2전극형성공정과, 상기한 제2전극 위에 써미스터박막을 형성하는 상부박막형성공정과, 상기한 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 보호막을 형성하는 보호막형성공정을 포함하여 이루어진다.
또 본 발명이 제안하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법은 기판에 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈을 형성하는 홈형성공정과, 상기한 제1전극홈 및 제2전극홈에 각각 돌출되지 않는 높이로 제1전극 및 제2전극을 형성하는 전극형성공정과, 상기한 제1전극 및 제2전극 위에 상기한 절연칸막이를 가로질러 써미스터박막을 형성하는 박막형성공정과, 상기한 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 보호막을 형성하는 보호막형성공정을 포함하여 이루어지는 것도 가능하다.
다음으로 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
먼저 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 일실시예는 도 1∼도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(2)과, 상기한 기판(2) 위에 소정의 패턴으로 형성되는 제1전극(4)과, 상기한 제1전극(4) 위에 써미스터박막을 소정의 패턴으로 증착하여 형성되는 하부박막(8)과, 상기한 하부박막(8) 위에 소정의 패턴으로 형성되는 절연층(7)과, 상기한 절연층(7) 위에 절연층(7)보다 작은 크기로 형성되는 제2전극(6)과, 상기한 제2전극(6) 위에 써미스터박막을 소정의 패턴으로 증착하여 형성되는 상부박막(9)과, 상기한 써미스터박막 등을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막(10)을 포함하여 이루어진다.
상기한 기판(2)은 실리콘 등의 반도체 기판 또는 유리, 알루미나 등의 부도체 기판 등을 사용하는 것이 가능하다.
상기에서 기판(2)을 도전체 또는 반도체 기판으로 사용하는 경우에는 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기한 제1전극(4)과의 절연을 위하여 기판(2)과 제1전극(4) 사이에 절연막(3)을 형성한다.
상기한 제1전극(4) 및 제2전극(6)은 주로 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 등의 금속을 증발증착법, 스퍼터링법, 이온플레이팅법 등을 이용하여 증착 형성한다.
그리고 상기한 제1전극(4) 및 제2전극(6)은 반도체 제조공정에서 많이 사용하는 사진식각(photo etching)방법을 이용하여 소정의 패턴으로 형성한다. 상기한 사진식각방법은 포토레지스트(PR) 도포-노광-현상-식각-스트립 등의 공정으로 이루어진다.
예를 들면 상기한 제2전극(6) 및 절연층(7)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 포크형상 또는 성곽형상과 같이 중앙쪽 끝부분이 복수의 갈래로 갈라지는 패턴으로 형성한다.
상기한 하부박막(8) 및 상부박막(9)을 이루는 써미스터박막은 증발증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 증착하고, 사진식각방법을 이용하여 소정의 패턴으로 형성한다.
상기한 절연층(7) 및 절연막(3)은 이산화규소, 질화규소, 질화알루미늄 등을 CVD법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하고, 사진식각방법을 이용하여 소정의 패턴으로 형성한다.
상기한 보호막(10)은 물리적 및 화학적 보호를 위하여 형성하며, 열전도도가 큰 재료를 이용하여 형성한다. 예를 들면, 물리적 강도와 경도가 크고, 화학적으로 침식되지 않는 질화알루미늄 박막을 이용하여 형성한다. 또는 다른 질화물이나 산화물을 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
다음으로 상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 일실시예를 제조하기 위한 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 일실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 일실시예는 도 1 및 도 7∼도 9에 나타낸 바와 같이, 기판(2)에 소정의 패턴으로 제1전극(4)을 형성하는 제1전극형성공정(P10)과, 상기한 제1전극(4) 위에 소정의 패턴으로 형성되는 써미스터박막을 증착하여 하부박막(8)을 형성하는 하부박막형성공정(P12)과, 상기한 하부박막(8) 위에 소정의 패턴으로 절연재료를 증착하여 절연층(7)을 형성하는 절연층형성공정(P14)과, 상기한 절연층(7) 위에 절연층(7)보다 작은 크기로 제2전극(6)을 형성하는 제2전극형성공정(P16)과, 상기한 제2전극(6) 위에 써미스터박막을 증착하여 상부박막(9)을 형성하는 상부박막형성공정(P18)과, 상기한 상부박막(9) 등을 덮어 보호하도록 보호막(10)을 형성하는 보호막형성공정(P19)을 포함하여 이루어진다.
상기한 제1전극형성공정(P10)은 실리콘 등의 반도체 기판 또는 유리, 알루미나 등의 부도체 기판 등으로 이루어진 기판(2)을 세정한 다음, 주로 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 등의 금속을 증발증착법, 스퍼터링법, 이온플레이팅법 등으로 증착하고, 포토레지스트(PR) 도포-노광-현상-식각-스트립 등의 공정으로 이루어지는 사진식각(photo etching)방법을 이용하여 소정의 패턴으로 제1전극(4)을 형성하는 과정으로 이루어진다.
상기한 하부박막형성공정(P12)은 증발증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 써미스터박막을 증착하고, 사진식각방법을 이용하여 소정의 패턴으로 하부박막(8)을 형성하는 과정으로 이루어진다.
상기에서 스퍼터링법을 이용하는 경우 스퍼터 타겟은 Ni-Mn-Co-Fe-Ti계 산화물 분말을 이용하여 원하는 조성에 맞도록 성형체를 형성하고 소결하여 제조한다. 또 스퍼터시스템은 알에프(RF) 마그네트론 스퍼터 시스템을 이용하고, 스퍼터 가스로는 아르곤가스와 산소가스를 혼합하여 사용한다.
상기한 절연층형성공정(P14)은 이산화규소, 질화규소, 질화알루미늄 등을 CVD법 또는 스퍼터링법을 이용하여 증착하고, 사진식각방법을 이용하여 소정의 패턴으로 절연층(7)을 형성하는 과정으로 이루어진다.
상기한 제2전극형성공정(P16)은 상기한 제1전극형성공정(P10)과 마찬가지의 과정으로 이루어지고, 상기한 상부박막형성공정(P18)은 상기한 하부박막형성공정(P12)과 마찬가지의 과정으로 이루어지는 것이 가능하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기에서 제2전극(6)은 상기한 절연층(7)보다 크기가 충분하게 작아 상기한 제1전극(4)과 직접 접촉하지 않도록 형성하는 것이 중요하다. 즉 상기한 제2전극(6)은 항상 상기한 절연층(7)을 사이에 두고 상기한 제1전극(4)과 접하도록 형성한다.
또 상기한 제2전극(6) 및 절연층(7)을 도 2에 나타낸 바와 같이 포크형상 또는 성곽형상과 같이 중앙쪽 끝부분이 복수의 갈래로 갈라지는 패턴으로 형성하고, 상기한 상부박막(9)을 제2전극(6) 위에 증착 형성하면, 상기한 상부박막(9)이 상기한 제2전극(6) 및 절연층(7)의 갈라진 틈새로 채워져 형성되고, 상기한 상부박막(9)과 하부박막(8) 일부가 서로 접하는 상태로 형성된다. 즉 상기한 제2전극(6)의 갈라진 끝부분이 써미스터박막인 상부박막(9)에 의하여 감싸진 상태로 이루어진다.
상기한 보호막(10)은 물리적 강도와 경도가 크고 화학적으로 침식되지 않는 질화알루미늄 박막 등을 이용하여 형성하고, 써미스터박막인 상기한 상부박막(9) 및 하부박막(8)을 감싸도록 이루어진다.
그리고 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 다른 실시예는 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 중간에 절연칸막이(11)를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈(13)과 제2전극홈(15)이 형성되는 기판(12)과, 상기한 기판(12)의 제1전극홈(13)에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제1전극(14)과, 상기한 기판(12)의 제2전극홈(15)에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제2전극(16)과, 상기한 제1전극(14) 및 제2전극(16) 위에 형성되고 상기한 절연칸막이(11)를 가로질러 형성되는 써미스터박막(18)과, 상기한 써미스터박막(18) 등을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막(20)을 포함하여 이루어진다.
상기에서 기판(12)을 도전체 또는 반도체 기판으로 사용하는 경우에는 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기한 제1전극(14) 및 제2전극(16)과 기판(12) 사이의 절연을 위하여 기판(12)과 제1전극(14) 및 제2전극(16) 사이에 절연막(17)을 형성한다.
상기한 절연칸막이(11)는 도 5에 나타낸 바와 같이, 포크형상 또는 성곽형상이 기어와 같이 맞물리는 형상으로 제1전극홈(13) 및 제2전극홈(15)이 마주하도록 소정의 패턴으로 형성한다.
다음으로 상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 다른 실시예를 제조하기 위한 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 다른 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 다른 실시예는 도 6 및 도 10∼도 12에 나타낸 바와 같이, 기판(12)에 절연칸막이(11)를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈(13)과 제2전극홈(15)을 형성하는 홈형성공정(P22)과, 상기한 제1전극홈(13) 및 제2전극홈(15)에 각각 돌출되지 않는 높이로 제1전극(14) 및 제2전극(16)을 형성하는 전극형성공정(P26)과, 상기한 제1전극(14) 및 제2전극(16) 위에 상기한 절연칸막이(11)를 가로질러 써미스터박막(18)을 형성하는 박막형성공정(P28)과, 상기한 써미스터박막(18) 등을 덮어 보호하도록 보호막(20)을 형성하는 보호막형성공정(P29)을 포함하여 이루어진다.
상기에서 기판(12)을 도전체 또는 반도체 기판으로 사용하는 경우에는 상기한 제1전극(14) 및 제2전극(16)과 기판(12) 사이의 절연을 위하여 상기한 기판(12)에 절연막(17)을 형성하는 절연막형성공정(P24)을 더 포함한다.
상기한 절연막(17)은 CVD 증착법 등을 이용하여 산화물이나 질화물을 증착하여 형성한다. 또 상기한 기판(12)이 실리콘 기판으로 이루어지는 경우에는 습식산화방법나 건식산화방법으로 이산화규소층을 형성하는 것으로 절연막(17)을 형성하는 것도 가능하다.
상기한 홈형성공정(P22)은 절연체 기판(12)을 세정하거나 기판(12) 위에 절연막(17)을 형성한 다음, 포토레지스트(PR)도포-노광-현상-식각-스트립 등의 공정으로 이루어지는 사진식각(photo etching)방법을 이용하여 소정의 패턴으로 기판(12)의 윗면을 식각하는 과정으로 이루어진다.
상기에서 사진식각방법은 식각액을 이용한 습식식각방식과 플라즈마를 이용한 건식식각방식 모두 사용 가능하다.
상기한 전극형성공정(P26)은 증발증착법, 스퍼터링법, 이온플레이팅법 등을 이용하여 상기한 제1전극홈(13) 및 제2전극홈(15) 내부에 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 등의 금속을 증착하고, 사진식각방법을 이용하여 소정의 패턴으로 제1전극(14) 및 제2전극(16)을 형성하는 과정으로 이루어진다.
상기에서 형성되는 제1전극(14) 및 제2전극(16)은 상기한 제1전극홈(13) 및 제2전극홈(15)의 내부에 형성되어야 하며, 제1전극(14) 및 제2전극(16)의 높이는 상기한 제1전극홈(13) 및 제2전극홈(15)의 높이보다 낮아야만, 전극의 전기이동(electro-migration) 현상 및 절연파괴, 결함구조에 의한 이온전도 현상, 소자의 경시변화 등을 방지할 수 있다.
상기한 박막형성공정(P28)은 상기한 일실시예의 하부박막형성공정(P12) 및 상부박막형성공정(P18)과 마찬가지의 과정으로 이루어지는 것이 가능하므로 상세한 설명은 생략한다. 또 상기한 보호막형성공정(P29)은 상기한 일실시예의 보호막형성공정(P19)과 마찬가지의 방법으로 실시하는 것이 가능하므로 상세한 설명은 생략한다.
상기에서는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법에 의하면, 제2전극과 제1전극 사이의 간격을 수∼수십㎛ 정도로 좁아지게 형성하는 것이 가능하고, 간격이 좁아지는 경우에도 절연층과 절연칸막이에 의하여 특성이 저하되지 않으며 소자의 안정성이 얻어지므로, 빠른 응답속도를 실현하는 것이 가능하며, 소형화가 가능하다.
그리고 열전도도가 높고 기계적 화학적인 내구성이 강한 보호막을 이용하여 소자를 보호하므로 외부 환경에 따른 특성 저하가 발생하지 않고, 외부의 기계적 화학적 충격으로부터 소자를 보호하는 것이 가능하다.
또 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 및 그 제조방법에 의하면, 제2전극과 제1전극을 절연칸막이를 사이에 두고 형성하는 제1전극홈 및 제2전극홈에 형성하는 것에 의하여 기판 위에 집적화하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 일실시예를 나타내는 측면 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 일실시예에 있어서 제2전극 및 절연층이 형성된 상태를 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 일실시예에 있어서 절연막을 형성한 상태를 나타내는 측면 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 다른 실시예를 나타내는 측면 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 다른 실시예에 있어서 기판에 형성한 제1전극홈 및 제2전극홈을 나타내는 사시도.
도 6은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서의 다른 실시예에 있어서 절연막을 형성한 상태를 나타내는 측면 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 일실시예를 나타내는 블럭도.
도 8은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 일실시예를 나타내는 측면 단면 공정도.
도 9는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 일실시예를 나타내는 평면 공정도.
도 10은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 다른 실시예를 나타내는 블럭도.
도 11은 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 다른 실시예를 나타내는 측면 단면 공정도.
도 12는 본 발명에 따른 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법의 다른 실시예를 나타내는 평면 공정도.

Claims (9)

  1. 기판과,
    상기한 기판 위에 소정의 패턴으로 형성되는 제1전극과,
    상기한 제1전극 위에 써미스터박막을 소정의 패턴으로 증착하여 형성되는 하부박막과,
    상기한 하부박막 위에 소정의 패턴으로 형성되는 절연층과,
    상기한 절연층 위에 절연층보다 작은 크기로 형성되는 제2전극과,
    상기한 제2전극 위에 써미스터박막을 증착하여 형성되는 상부박막과,
    상기한 써미스터박막을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막을 포함하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서.
  2. 중간에 포크형상 또는 성곽형상이 기어와 같이 맞물리는 형상이면서 소정의 패턴으로 형성되는 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈이 형성되는 기판과,
    상기한 기판의 제1전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제1전극과,
    상기한 기판의 제2전극홈에 돌출되지 않는 높이로 형성되는 제2전극과,
    상기한 제1전극 및 제2전극 위에 형성되고 상기한 절연칸막이를 가로질러 형성되는 써미스터박막과,
    상기한 써미스터박막을 덮어 보호하도록 형성되는 보호막을 포함하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기한 기판과 상기한 제1전극 및 제2전극과의 사이에는 절연막을 형성하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 기판에 소정의 패턴으로 제1전극을 형성하는 제1전극형성공정과,
    상기한 제1전극 위에 소정의 패턴으로 형성되는 써미스터박막을 형성하는 하부박막형성공정과,
    상기한 써미스터박막 위에 소정의 패턴으로 절연재료를 증착하여 절연층을 형성하는 절연층형성공정과,
    상기한 절연층 위에 절연층보다 작은 크기로 제2전극을 형성하는 제2전극형성공정과,
    상기한 제2전극 위에 써미스터박막을 형성하는 상부박막형성공정과,
    상기한 써미스터박막을 덮어 보호하도록 보호막을 형성하는 보호막형성공정을 포함하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법.
  8. 기판에 절연칸막이를 사이에 두고 양쪽으로 제1전극홈과 제2전극홈을 형성하는 홈형성공정과,
    상기한 제1전극홈 및 제2전극홈에 각각 돌출되지 않는 높이로 제1전극 및 제2전극을 형성하는 전극형성공정과,
    상기한 제1전극 및 제2전극 위에 상기한 절연칸막이를 가로질러 써미스터박막을 형성하는 박막형성공정과,
    상기한 써미스터박막을 덮어 보호하도록 보호막을 형성하는 보호막형성공정을 포함하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기한 제1전극형성공정 또는 전극형성공정 전에 상기한 기판에 절연막을 형성하는 절연막형성공정을 더 포함하는 써미스터 박막을 이용한 온도센서 제조방법.
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