KR20010030871A - 가열 소자와 이 가열 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에어백 시스템을 작동시키기 위하여 높은 열 상승률과 소정의 저항값을 갖는 가열 소자에 관한 것이다. 이 가열 소자를 생산하기 위한 본 발명에 따른 생산 방법에 따라서, 산화알루미늄 세라믹으로 구성된 베이스에는 유리나 유리 세라믹 코팅이 제공된다. 필요하다면, 코팅 표면은 랩핑 및 폴리싱될 수 있다. 이 코팅 표면에는 실크스크린 공정을 통하여 AuPd-수지산염으로 구성된 층이 넓게 적용되며, 그후 에칭 기술을 통하여 저항 스트립으로 구성된다. 상기 저항 스트립은 임의의 면적으로 제한되며 저항 스트립의 단부들은 실크스크린 공정동안 AgPd-후막 전도 페이스트와 접촉하게 되는 데, 이 페이스트의 Pd 함유물은 원하는 저항값에 따라 결정된다. 후막 전도 페이스트가 건조 및 베이킹된 후에, 코팅된 베이스는 저항층내의 팔라듐이 고르게 분포될 때까지, 그리고 저항값이 안정될 때까지 850oC 및 950oC 사이의 온도에서 가열된다. 유리 차단 형태의 땜납 차단 댐은, 다음 납땜 공정동안 저항 스트립 상에 형성될 수 있는 바람직하지 못한 합금 형성의 위험을 줄이기 위하여 저항 스트립을 바라보는 AgPd 접촉물의 가장자리 상에 배열된다.
Description
미국특허 제 3,998,980 호에 따르면, 픽셀 소자로서의 후막 저항(thick film resistance)은 열압력 사용(thermo pressure usage)을 위한 소정의 저항값을 가지며, 단결정 유리로 코팅된 열 차폐 용도의 세라믹 기판 상에 복수의 압축 단계로 적용되는 데, 이때 저항의 두께는 12.5㎛ 내지 254㎛ 범위인 것으로 기재되어 있다. 저항 물질로서는 비스무쓰루테늄염-페이스트 계통을 사용한다. 압력 소자에 필요한 평탄한 저항면을 얻기 위하여, 저항을 랩핑(lapping)하며, 이때 랩핑 공정은 각 압축 단계 후에, 또는 마지막 공정 단계에서 적용될 수도 있다. 랩핑 공정은 저항값과 저항 온도 계수를 조절하는 역할도 한다. 다음 온도 공정은 저항층에 미세한 크랙(micro crack)이 형성되는 것을 방지하는 역할을 하는 데, 이 크랙은 저항 상승(increase of resistance)의 노화(altering)가 진행되는 중에 발생할 수 있다. 이러한 가열 소자의 실시 형태에 있어서, 저항은 후막 구조물(thick film structure)로서가 아닌 후막 구조 소자(thick film structural element)로서 형성되어, 이 저항의 열용량에 기초할 때 정의된 열 상승률이 낮지 않다는 단점을 갖는다.
유럽특허 제 0 471 138 A2 호에는 소정의 온도 계수를 갖는 전기 측정 저항의 제조 방법이 기재되어 있으며, 이 방법에서는 산화알루미늄-세라믹 기판에 백금 박막이 제공되며, 다시 백금 박막에는 실크스크린 공정을 통하여 백금 수지산염 및 로듐 수지산염을 함유한 표본층이 적용되는 데, 이때 로듐 수지산염의 로듐 함유물은 얻고자 하는 온도 계수에 따른다. 형성된 저항층에서 로듐이 균일하게 분포할 때까지 1000 내지 1400oC의 온도에서 코팅된 캐리어(carrier)가 열처리된다. 저항층의 로듐 함유물을 변화시킴으로써, 측정 저항의 온도 계수를 백금 합금에 기초하여 1600 내지 3850ppm/K의 범위로 정확하게 조절한다. 이 공정은 저항층의 특정 표면 저항을 정확하게 조절하더라도 얻어지지 않는다.
국제공개공보 제 WO 96/01983 A1 호에는 온도 및/또는 전류를 감지하기 위한 센서의 제조 방법이 기재되어 있으며, 여기서 센서는 구조적인 저항층에 의해 캐리어 상에 형성되어 있다. 이것은 템퍼링된 백금 수지산염/로듐 수지산염-혼합물로 구성된 백금-로듐층이다. 따라서, 백금-로듐 저항층은, 예를 들면 99% 백금 수지산염 페이스트와 1% 로듐 페이스트의 혼합물을 통하여 3500ppm/oC의 온도 계수로 실현될 수 있다. 또한, 이 공정도 저항층의 특정 표면 저항을 정확하게 조절하더라도 얻어지지 않는다.
유럽특허 제 0 576 017 A2 호에는 잉크 증기 인쇄체(ink vapor print body)의 제조 방법이 기재되어 있으며, 여기서 박막층은 얼마간의 마이크로 초 동안 300oC 온도 이상으로 가열된 후, 다시 실온으로 냉각되어 가열 소자를 형성한다. 박막 가열 소자의 접촉면은 Au- 또는 Pt-수지산염 페이스트로 형성된다. 이 접촉면은 납땜할 수 없다. 박막은, 예를 들면 WNi, ZrCr, TaIr, TaFe, 또는 ZrNi와 같은 합금을 함유한 수지산염 페이스트로 구성된다. 요점은 잉크와의 호환성에 있지만, 특정 표면 저항의 변화 가능성은 고려되지 않는다.
독일-오스트리아특허 제 2 020 016 호에 따르면, 절연체 상에 유리나 세라믹으로 구성된 금속층 작동 장치가 알려져 있다. 이 장치에 있어서, 실크스크린 공정을 통하여, 예를 들어 팔라듐-팔라듐은-, 팔라듐-금-, 백금-은-, 니켈- 또는 은-알루미늄-박막 전도 페이스트를 갖는 두 개의 접촉면이 적용되는 데, 이 페이스트는 1000oC와 1100oC 사이의 온도에서 소결 공정에 적용된다. 이어서, 포토리소그래픽 공정을 통하여 작동 브리지에 구성되는 탄탈- 또는 탄탈니트리드층이 증발되며, 이 층은 양 접촉면의 가장자리 구역을 오버랩핑한다. 작동 브리지의 길이와 폭은 주로 50㎛와 100㎛ 사이에서 변화하며 두께는 0.2㎛와 1.5㎛ 사이에서 변화한다. 이들 양 공정의 단점으로서는, 후막 기술(실크스크린 공정)과 박막 기술(증발 기술)로 불리는 두 가지 상이한 기술을 사용하기 때문에 기술적으로 고비용을 초래한다는 것이다. 또한, 작동 브리지를 구성하기 위한 포토리소그래픽 공정은 적용된 후막 접촉면이 표면의 백금산을 약화시키기 때문에 문제없이 사용되는 것은 아니다. 이로 인하여 발생된 거칠기에 근거하여 접촉프린트(contact print) 공정시 광택도가 낮아지게 되며, 이것은 작동 브리지 소자의 구조 충실도(structural fidelity)에 대하여 바람직하지 못한 영향을 미친다.
하우징 내에 에어백 시스템의 팽창을 목적으로 하는 작동 소자를 설치하기 위한 유효 범위에 기초하여 가열 소자의 길이가 결정된다. 이 때문에, 소정의 층 두께에서 스트립 폭의 감소만을 통하여서도 저항 스트립(resistance strip)의 저항값을 상승시킬 수 있다. 스트립 폭은 확실한 팽창을 위하여 열전달 저항면이 최소치 이하를 갖지 않을 정도의 제한치로 감소된다.
본 발명은, 예를 들어 에어백 시스템의 팽창을 목적으로 작동되는 것과 같은, 높은 열 상승률을 특징으로 하며 소정의 저항값을 갖는 가열 소자를 제조하기 위한 제조 방법에 관한 것이다. 오늘날, 이러한 가열 소자는 저항 와이어(resistance wire)로서 생산되며, 이때 저항 와이어의 직경은 높은 열 상승률을 얻기 위하여 매우 낮게 선택되어야 한다(약 10㎛). 소정의 와이어 길이에 있어서, 특정 저항 와이어의 저항값은 와이어 단면에 대해서만 변화될 수 있다. 저항값 스펙트럼이 넓게 형성된다면, 와이어의 열 상승률과 조작성 및 조립 가능성에 있어서 기술적인 한계에 직접 부딪치게 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 높은 열 상승률을 갖는 가열 소자를 도시한 단면도.
본 발명의 목적은 가열 소자를 제조하기 위한 제조 방법을 제공하는 것으로서, 이 방법에 따라 Pd원자를 첨가함으로써 AuPd-수지산염 저항층이 300mΩ 내지 약 3Ω 범위의 원하는 특정 표면 저항으로 조절될 수 있도록 소정의 층두께로 처리된다. 이 목적은 청구항 제 1 항의 특징을 통하여 본 발명에 따라서 해결된다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 캐리어는 산화알루미늄 세라믹이 사용되며, 이로써 강철 기판으로 구성된 캐리어를 사용할 수도 있다. 상기 캐리어 상에는 열적으로 혹은 전기적으로도 절연된 중간층으로서 유리- 또는 유리세라믹 코팅층이 적용되는 데, 이때 유리세라믹 코팅층은 SiO2, BaO, Al2O3과, 예를 들어 하나우 소재의 더블유. 시. 헤라우스 게엠베하 제품으로서 페이스트 계통의 IP 211과, 미연소 세라믹 포일 형태의 HERATAPE 또는 T211로서 구입할 수 있는 무기 염료 혼합물로 구성된다. 본 발명은, 균일층의 형성과 수지산염 저항층의 재생 습식-화학적 구조화를 고려하여, 열 차폐물로서 세라믹- 또는 강철 기판 상에 적용되는 유리- 또는 유리세라믹 코팅층을 필요한 경우에 랩핑 및 폴리싱하여야 한다는 인식에 근거한다. 이 경우에, 건조 및 소결된 유리- 또는 유리세라믹 코팅층은 표면이 빛을 반사할 때까지 랩핑 및 폴리싱된다. 그후에 실크스크린 공정을 통하여 캐리어 상에 AuPd-박막저항층이 적용된다. 적용하고자 하는 표본은 주로 22 질량%의 Au와 1 질량%의 Pd로 구성된 수지산염 계통으로서, 이 표본은 합성수지와 유기 접합제 용액에 분산되며 하나우 소재의 더블유. 시. 헤라우스 게엠베하 제품으로서 RP 26001/59로서 구입할 수 있다. 실크스크린 공정을 통하여 수지산염을 덫칠한 후에, 표본은 100 내지 150oC 범위의 온도에서 건조되며, 이어서 850과 900oC 사이의 범위 온도에서 베이킹(baking)되는 데, 이때 유기 용매를 증발 혹은 연소시킨다. 이 공정에 따라 제조된 층은 0.1 내지 1.5㎛ 범위의 두께를 갖는다. 다음 공정 단계에서, 저항층은, 예를 들어 습식 화학적 에칭 방법이나 스퍼터링 에칭을 통하여 스트립 수축을 갖는 밴드 형태로 구성된다. 여기서, 본 발명은, 저항 스트립 위에 형성된 온도 분포를 조절하여 스트립 수축의 상응하는 배열과 연장을 변화시킴으로써, 저항 스트립의 원하는 위치와 영역에 따라서 피크 온도(peak temperature)를 조절할 수 있다는 인식에 근거한다. 저항층의 양 단부에는 외부 접점을 위한 접촉 필드(contact field)가 제공된다. 또한 마찬가지로, 접촉 필드는 실크스크린 공정을 통하여 구성되는 데, 이때 이를 위하여 상이한 Pd-할당분을 갖는 AgPd-전도 페이스트가 사용된다(Ag:Pd-비율은 1.7:1 내지 26:1). 이것의 예로써 하나우 소재의 더블유. 시. 헤라우스 게엠베하의 AgPd-전도 페이스트를 들 수 있다. AgPd-접촉을 통하여 Pd를 갖는 저항 스트립을 공급할 수 있다. 여기서, 본 발명은, AuPd-수지산염층이 구성된 저항 스트립의 저항값이 상이한 Pd-할당분을 갖는 AgPd-후막 전도 금속과의 접촉을 통하여 조절되어 변경될 수 있다는 인식에 근거한다. AgPd-전도 페이스트내의 팔라듐-할당분에 따라서 템퍼링 공정 후에, 저항 스트립의 특정 표면 저항은 1mm의 저항 길이에 대해 310mΩ내지 3Ω 범위로 조절된다. 단지, 박막 저항의 AuPd-합금 중 팔라듐 할당분만이 층두께를 변경시키지 않고도 변화된다. 기술적인 기초에 근거하여, AuPd-수지산염의 기본 조성에 높은 Pd-할당분을 준비하여 이 염을 제조할 수는 없다.
추가로, 본 발명은 높은 열 상승률을 갖는 가열 소자를 제조하기 위한 제조 방법을 제공하며, 이 방법은 베이스와, 단열층과, 이 단열층위에 배치되는 접촉부를 갖는 구조 저항층을 구비하며 다음의 공정 단계, 즉 산화알루미늄- 또는 강철 기판 위에 단열층을 실현하기 위해서, 실크스크린 공정을 통하여 유리- 또는 유리세라믹 페이스트(소결 온도: 850oC 내지 1100oC)를 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계(약 150oC에서)와, 페이스트를 소결하는 소결 단계와, 전체 두께가 원하는 정도에 도달할 때까지 동일 캐리어 부재 상에서 언급한 공정 단계를 반복하는 반복 단계와, (높은 표면 거칠기가) 필요한 경우에, 표면이 빛날 때까지 소결된 유리- 또는 유리세라믹 코팅층을 랩핑 및 폴리싱하는 단계와, 미세한 크랙을 유발할 수 있는 기계적인 인장력을 줄이기 위하여 랩핑 및 폴리싱된 유리- 또는 유리세라믹 코팅층으로 기판을 템퍼링하는 템퍼링 단계와, 유리- 또는 유리세라믹 코팅층 상에서 실크스크린 공정을 통하여 수지산염 페이스트를 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계(80oC와 150oC 사이)와, 페이스트를 소결하는 소결 단계(850oC)와, 습식 에칭 방법이나 스퍼터링 에칭을 통하여 저항 스트립을 구성하는 구성 단계와, 랩핑 및 폴리싱된 유리 혹은 유리세라믹 코팅층 상에 실크스크린 공정을 통하여 수지산염 저항 스트립을 접촉시키기 위하여 Pd를 함유한 후막 전도 페이스트를 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계(약 150oC에서)와, 페이스트를 소결하는 소결 단계(850oC와 950oC 사이)를 통하여 해결된다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참고하여 상세히 설명한다.
가열 소자(100)는, 랩핑 및 폴리싱된 유리- 또는 유리세라믹 코팅층(102)이 제공될 수 있는 기판(101)을 포함하며, 유리- 또는 유리세라믹 코팅층에는 위쪽에 수지산염-저항 스트립(103)이 배치되고, 저항 스트립은 위쪽에 배치된 땜납 차단 댐(105, 105')을 통하여 후막 전도 스트립 금속층(104, 104')과 접촉한다. 일실시예로서, 기판(101)은 96 - 99%의 순도를 갖는 산화알루미늄 세라믹이며, 이때 나머지는 다른 산화물로 구성된다. 기판 위에는 실크스크린 공정을 통하여 헤라우스 또는 ESL사의 상용 페이스트 계통으로 이루어진 유리- 또는 유리세라믹 코팅층(102)이 적용된다. 보통은 850oC의 온도에서 소결될 수 있는 페이스트가 사용된다. 필요한 경우에, 다음의 랩핑 과정과 폴리싱 과정을 통하여, 코팅층 위에서 저항 스트립(103)이 기공(porosity)이 없도록 그리고 균일한 층두께로 구성될 수 있도록 0.6㎛보다 큰 코팅층의 표면 거칠기 Ra는 0.1㎛보다 작게 감소된다. 이러한 유리- 또는 유리세라믹 코팅층을 통하여 가열 소자를 위한 열 차폐물이 구성되는 데, 이때 다음과 같은 공정 단계, 즉 실크스크린 공정을 통하여 산화알루미늄 세라믹 기판 상에 유리 또는 유리세라믹 페이스트를 약 80㎛의 층두께로 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 150oC에서 약 10분 이상 건조하는 건조 단계와, 건조된 페이스트를, 850oC 온도의 연속 가열로에서 소결함으로써 유리- 또는 유리세라믹 코팅층의 층두께는 제 1 연소 사이클 후에 15㎛에 도달하는 소결 단계와, 약 45㎛의 전체 층두께에 도달할 때까지, 약 3가지 공정 과정을 필요로 하는 3가지 제 1 공정 단계를 동일 기판 상에서 반복하는 반복 단계와, 필요한 경우에, 0.1㎛보다 작은 표면 거칠기에 도달할 때까지, 유리- 또는 유리세라믹 코팅층을 랩핑 및 폴리싱하는 단계와, 주로, 1분씩 5번 이상 850oC의 높은 온도에서 기판을 템퍼링하는 템퍼링 단계가 실시된다.
온도처리는 랩핑 및 폴리싱 공정에 의하여 발생된 기계적인 인장력을 제거하는 작용을 하는 데, 이 인장력은 유리- 또는 유리세라믹 코팅층에서 미세한 크랙을 발생시키며 이후에 수지산염-저항 스트립에서도 발생할 수 있다. 저항 스트립은 높은 열 상승률을 고려할 때 낮은 열용량을 가질 수도 있다. 이것은, 한편으로는 낮은 비열용량을 갖는 금속층을 선택함으로써 혹은 저항 스트립의 소형화를 통하여 도달할 수 있다. 저항 스트립(103)을 제조하기 위하여, AuPd- 또는 Au-수지산염 페이스트를 사용하는 데, 이때 다음의 공정 단계, 즉 가공되지 않거나 랩핑 및 폴리싱된 유리- 또는 유리세라믹 코팅층 상에 실크스크린 공정을 통하여 수지산염 페이스트를 약 10㎛의 층두께로 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 10분 이상 150oC에서 건조하는 건조 단계와, 850oC의 연속 가열로에서 페이스트를 베이킹하여 연소 사이클 후에 약 0.1㎛ 두께의 금속층을 얻는 베이킹 단계와, 습식 화학적 에칭 방법이나 스퍼터링 에칭을 통하여 저항 스트립을 구성하는 구성 단계를 따른다.
본 발명은, AuPd- 또는 Au-수지산염 저항 스트립의 저항값이 후막 전도 페이스트(104, 104')와의 접촉을 통하여 AgPd기로 Pd-함유량에 따라 조절될 수 있다는 인식에 근거한다. 여기서, 다음과 같은 공정 단계, 즉 실크스크린 공정에 의해 약 30㎛의 층두께를 갖는 저항 스트립을 오버랩핑하여 AgPd- 또는 PdAu-후막 전도 페이스트를 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 150oC에서 약 10분 이상 건조시키는 건조 단계와, 건조된 페이스트를 850oC의 연속 가열로에서 소결함으로써, 접촉의 목적으로 약 15㎛의 층두께를 얻는 소결 단계와, 보통 약 1시간씩 10회 이상 850oC의 높은 온도에서 기판을 템퍼링하는 템퍼링 단계를 따른다.
템퍼링을 통하여 변화를 조절할 수 있으며 이후에 저항값의 안정을 얻을 수 있다.
필요한 경우에, 후막 전도 스트립 접촉부(104, 104')상에는 유리 페이스트를 통하여 땜납 차단 댐(105, 105')이 적용된다. 와이어 접점들을 납땜할 때, 땜납 차단 댐은 저항 스트립이 땜납과 유동 수단에 의해 적셔지는 것을 방지하는 데, 저항 스트립이 적셔지면 저항 스트립이 벗겨지거나 오염될 수 있다. 땜납 차단 댐을 적용하기 위해서 다음의 공정 단계, 즉 실크스크린 공정을 통하여 전도 스트립 접촉부 상에 브리지 구조물로서 유리 페이스트를 약 40㎛의 층두께로 압축하는 압축 단계와, 압축된 페이스트를 150oC에서 약 10분 이상 건조시키는 건조 단계와, 건조된 페이스트를 약 500oC 내지 600oC 온도의 연속 가열로에서 소결함으로써, 접촉의 목적으로 층두께를 약 25㎛로 조절하는 소결 단계를 따른다.
본 발명은 상술한 실시예로 제한되지는 않는다. 베이스(101)로서 산화알루미늄 세라믹 대신에 내고온성 철강이 사용될 수도 있다. 유리세라믹 코팅층(102)에는 실크스크린 공정이 적용될 수 있을 뿐만 아니라 "그린"(미연소) 세라믹 포일의 형태로 베이스 상에 적층되어 이후에 소결될 수 있다. 베이스로서 준비되며 낮은 열전도성을 갖는 유리세라믹 혹은 세라믹, 예를 들어 산화지르콘이나 산화마그네슘이 사용될 때, 유리/유리세라믹 코팅층을 적용하지 않을 수도 있다. 그렇지만, 필요한 경우에, 표면 거칠기를 0.1㎛보다 작게 하기 위하여 표면을 랩핑 및 폴리싱하여야 한다.
Claims (10)
- 베이스(101)와, 이 베이스(101)위에 배치된 구조 저항 스트립(103)과, 저항 스트립(103)의 양 단부에 오버랩핑된 접촉 필드(104, 104')와, 접촉 필드(104, 104')위에 적용된 브리지 형상의 땜납 차단 댐(105, 105')으로 구성되며, 높은 열 상승률을 갖는 가열 소자(100)에 있어서,상기 저항 스트립(103)은 AuPd- 또는 Au-수지산염층이며,상기 저항 스트립(103)위에 오버랩핑된 접촉 필드(104, 104')는 AgPd- 또는 PdAu-후막 전도 스트립 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가열 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베이스(101)는 잔류량의 기타 산화물과 함께 96% 내지 99% 산화알루미늄으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가열 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베이스(101)는 내고온성 유리 또는 유리세라믹이나, 예를 들어 산화지르콘과 같은 낮은 열용량을 갖는 세라믹으로 구성되며, 이 베이스의 표면 거칠기는 필요한 경우에 랩핑 및 폴리싱을 통하여 0.1㎛보다 작게 유지되는 것을 특징으로 하는 가열 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베이스(101)위에는 열 차폐물(102)이 적용되며, 이 차폐물은 유리- 또는 유리세라믹 코팅층으로 구성되고, 차폐물의 표면 거칠기는 필요한 경우에 랩핑 및 폴리싱을 통하여 0.1㎛보다 작게 유지되는 것을 특징으로 하는 가열 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 베이스(101)는 탄소결핍 및 크롬함유 내고온성 강으로 구성되는 것을 특징으로 하는 가열 소자
- 베이스(101)와, 열 차폐물(102)과, 이 열 차폐물(102)위에 배치되며 저항 스트립(103)을 갖거나 갖지 않는 구조 저항층과, 저항 스트립(103)의 양 단부 위에 오버랩핑되어 배치되는 접촉면(104, 104')과, 이 접촉면(104, 104')위에 적용되는 브리지 형태의 땜납 차단 댐(105, 105')으로 구성되며, 팽창을 작동시킬 목적으로 높은 열 상승률을 갖는 가열 소자(100)를 제조하기 위한 제조 방법에 있어서,실크스크린 공정을 통하여 산화알루미늄 세라믹 기판 위에 유리- 또는 유리세라믹 페이스트를 압축하는 압축 단계와,상기 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계와,상기 건조된 페이스트를 소결하는 소결 단계와,전체 층두께가 원하는 정도에 도달할 때까지, 동일 기판 상에서 상기 3가지 제 1 공정 단계를 반복하는 반복 단계와,허용 표면 거칠기에 도달할 때까지, 주로 유리 또는 유리세라믹 코팅층을 랩핑 및 폴리싱하는 단계와,미세한 크랙 발생을 방지하기 위하여 기판을 템퍼링하는 템퍼링 단계와,주로 랩핑 및 폴리싱된 유리- 또는 유리세라믹 코팅층 상에서 실크스크린 공정을 통하여 AuPd- 또는 Au-저항 수지산염 페이스트를 압축하는 압축 단계와,상기 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계와,상기 수지산염 페이스트층을 베이킹하는 베이킹 단계와,습식 화학적 에칭 방법이나 스퍼터링 에칭을 통하여 저항층을 구성하는 구성 단계와,실크스크린 공정을 통하여 저항 스트립에 오버랩핑된 전도 페이스트를 압축하는 압축 단계와,상기 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계와,상기 건조된 페이스트를 소결하는 소결 단계와,저항값을 조절하여 변경한 후 안정시키기 위하여 기판을 템퍼링하는 템퍼링 단계와,실크스크린 공정을 통하여 브리지 구조로서 전도 스트립 접촉부 상에 유리 페이스트를 압축하는 압축 단계와,상기 압축된 페이스트를 건조하는 건조 단계와,상기 건조된 페이스트를 소결하는 소결 단계를 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 유리- 또는 유리세라믹 페이스트 대신에, "그린"(미연소) 유리세라믹 포일이 사용되며, 이 포일은 실크스크린 공정 대신에 증착을 통하여 산화알루미늄- 또는 강철 기판 상에 적용되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 저항 스트립용으로서 AuPd-수지산염 페이스트가 사용되며, 이 페이스트는 22 질량% Au와 1 질량% Pd를 함유하는 데, 이때 페이스트의 나머지는 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 저항 스트립용으로서 Au-수지산염 페이스트가 사용되며, 이 페이스트는 12 질량% Au를 함유하는 데, 이때 페이스트의 나머지는 유기물로 형성되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
- 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 저항 스트립을 접촉시키기 위하여, 0 내지 100 질량% 사이의 Pd-할당분을 갖는 AgPd- 또는 PdAu-후막층 전도 페이스트가 사용되며, 이때 Ag 또는 Au의 나머지, 유기물, 유리상 및/또는 산화 첨가물이 제거되는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
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