KR970705012A - 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법 - Google Patents

온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970705012A
KR970705012A KR1019970700172A KR19970700172A KR970705012A KR 970705012 A KR970705012 A KR 970705012A KR 1019970700172 A KR1019970700172 A KR 1019970700172A KR 19970700172 A KR19970700172 A KR 19970700172A KR 970705012 A KR970705012 A KR 970705012A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
temperature sensor
sensor element
insulating film
electrode
Prior art date
Application number
KR1019970700172A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100227490B1 (ko
Inventor
히데오 도리이
다케시 가마다
아츠시 도모자와
에이지 후지이
료이치 다카야마
히로키 모리와케
Original Assignee
모리시타 요이치
마즈시타덴키산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시타 요이치, 마즈시타덴키산교 가부시키가이샤 filed Critical 모리시타 요이치
Priority claimed from PCT/JP1996/002166 external-priority patent/WO1997006652A1/ja
Publication of KR970705012A publication Critical patent/KR970705012A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100227490B1 publication Critical patent/KR100227490B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • G01K7/223—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor characterised by the shape of the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
    • H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
    • H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

본 발명은 자동차엔진의 배기온도 측정용 온도센서 소자로써, 평판형상의 금속제 지지체와, 상기 지지체상에 존재하는 제1전기절연막과, 상기 전기절연막상에 존재하고 한쌍의 전극을 구비한 감열막과, 상기 감열막상에 존재하는 제2전기 절연막을 구비한 온도센서 소자에 관한 것이다. 온도센서 소자는 내열충격성이 우수하고, 또한 내열 캡이 불필요하며, 열용량이 작기 때문에 열응답성이 우수하다.

Description

온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 온도센서 소자의 사시도이다.
제2도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 온도센서 소자의 다층구조를 도시하는 분해설명도이다.
제3도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 온도센서 소자의 단면도이다.
제4도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 온도센서 소자의 전극을 위해서부터 본 경우의 형상을 도시하는 단면이다.
제5도는 본 발명의 실시예1에 있어서의 온도센서의 단면도이다

Claims (34)

  1. 평판형상의 금속제 지지체와, 상기 지지체상에 존재하는 제1전기절연막과, 상기 제1전기절연막상에 존재하고 한쌍의 전극을 구비한 감열막과, 상기 감열막상에 존재하는 제2전기절연막을 구비한 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 감열막과, 상기 제2전기절연막 사이에 제2감열막을 존재시킨 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 한쌍의 전극의 한쪽이 상기 감열막의 상면에 존재하는 제1전극막이고, 또한 상기 한쌍의 전극의 다른쪽이 상기 감열막의 하면에 존재하는 제2전극막인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한항에 있어서, 상기 제2전기절연막상에 금속커버를 존재시킨 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 금속커버와 상기 평판형상의 금속제 지지체를 탈착불가능하게 접합한 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 감열막이 AL, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 화학조성의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 조성이 (A11-x-y,, Crx, Fex)2O2(단 0.05X+Y0.95, 0.05≤y/(x+y)0.6, 및 8/3z3 인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  8. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 감열막이 커런덤형 결정구조 또는 스피넬형 결정구조의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  9. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 금속지지체가 Fe, Cr, 및 Al을 주성분으로 하는 화학조성의 내열합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  10. 제1항 내지 제5항중 어느 한항에 있어서, 상기 전극이 귀금속 합금의 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  11. 제1항에 있어서, 상기 감열막이 온도에 대해 직선형, 비직선형, 음특성형 및 양특성형에서 선택되는 적어도 하나의 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  12. 피온도 측정물에 온도센서를 고정하기 위한 금속플랜지와, 상기 금속플랜지에 접속된 금속제 하우징과, 상기 금속제 하우징에 접속하여 고정된 온도센서 소자와, 상기 온도센서 소자에 접속하는 신호 인출용의 리이드선과, 상기 금속제 하우징과 상기 리이드선을 전기적으로 절연하기 위해 상기 리이드선의 외주에 존재하는 전기절연체를 구비한 온도센서에 있어서, 상기 온도센서 소자가 평판형상의 금속제 지지체와, 상기 지지체상에 존재하는 제1전기절연막과, 상기 제1전기절연막사에 존재하고 한쌍의 전극을 구비한 감열막과, 상기 감열막상에 존재하는 제2전기절연막을 구비한 온도센서 소자로서, 상기 온도센서 소자의 한쌍의 전극의 각각에 상기 신호 인출용의 리이드선이 접속된 것을 특징으로 하는 온도센서.
  13. 제12항에 있어서, 상기 온도센서 소자가 상기 감열막과 상기 제2전기절연막 사이에 제2감열막을 존재시킨 온도센서 소자인 것을 특징으로 하는 온도센서.
  14. 제12항에 있어서, 상기 온도센서 소자가 상기 한쌍의 전극의 한쪽이 상기 감열막의 상면에 존재하는 제1전극막이고, 또한 상기 한쌍의 전극의 다른쪽이 상기 감열막의 하면에 존재하는 제2전극막인 온도센서 소자인 것을 특징으로 하는 온도센서.
  15. 제12항에 있어서, 상기 온도센서 소자가 상기 제2전기절연막상에 금속커버를 존재시킨 온도센서 소자인 것을 특징으로 하는 온도센서.
  16. 평판형상의 금속제 지지체의 표면상에 제1전기절연막을 형성하고, 다시 상기 제1절연막상에 감열막을 형성하며, 상기 감열막의 표면에 한쌍의 대향하는 전극막을 형성하고, 상기 한쌍의 전극막의 표면의 일부분을 남기고 상기 전극막을 덮도록 제2전기절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2전기절연막을 형성하기 전에 상기 한쌍의 전극막의 표면의 일부분을 남기고 상기 전극막을 덮도록 제2감열막을 형성한 후, 상기 제2전기절연막을 상기 제2감열막의 표면에 형성하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 감열막을 형성하기 전에 상기 전기절연막상에 제1전극막을 형성하고, 상기 제1전극막의 표면의 일부분을 남기고 상기 제1전극막을 덮도록 상기 감열막을 형성한 후, 상기 감열막의 표면에 제2 전극막을 형성하고, 상기 제2전기절연막을 상기 제2전극막의 표면의 일부분을 남기고 상기 제2전극막을 덮도록 형성하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  19. 제16항 내지 제18항중 어느 한항에 있어서, 상기 제2전기절연막을 형성한 후, 다시 상기 제2전기절연막상에 금속커버를 배치하고, 상기 금속커버와 상기 평판형상의 금속제 지지체를 용접에 의해 접합하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  20. 관형상의 금속제 지지체의 내주상 또는 외주상의 어느 한쪽에 설치된 감열막과, 상기 감열막상에 설치된 전극막을 구비한 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  21. 제20항에 있어서, 상기 감열막이 온도에 대해 직선형, 비직선형, 음특성형 및 양특성형에서 선택되는 적어도 하나의 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  22. 제20항에 있어서, 상기 전극막이 내열성금속, 귀금속, 귀금속 합금 및 도전성 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자.
  23. 관형상의 금속제 지지체의 내주상 또는 외주상의 어느 한쪽에 설치된 감열막과, 상기 감열막상에 설치된 전극막을 구비한 온도센서 소자와, 상기 온도센서 소자의 상기 관형상의 금속지지체 또는 상기 전극막에 설치된 리이드선(A)과, 상기 리이드선(A)의 외주에 존재하는 전기절연체(A)와, 상기 전기절연체(A)의 외주에 존재하고, 리이드선(B)을 가지는 관형상의 금속제 하우징과, 상기 관형상의 금속제 하우징의 상기 온도센서 소자를 설치하지 않은 타단의 외주에 존재시킨 전기절연체 (B)와, 상기 전기절연체(B)와 접하여 존재시킨 금속제의 플랜지와, 상기 금속제의 플랜지, 상기 리이드선(A) 및 상기 리이드선(B)의 및 상기 관형상의 금속제 하우징을 상호 절연하기 위해 상기 리이드선(A) 및 상기 리이드선(B)의 외주에 존재시킨 전기절연체(C)를 구비한 것을 특징으로 하는 온도센서.
  24. 제23항에 있어서, 상기 감열막이 온도에 대해 직선형, 비직선형, 음특성형 및 양특성형에서 선택되는 적어도 1개의 특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 온도센서.
  25. 제23항에 있어서, 상기 전극막이 내열성금속, 귀금속, 귀금속 합금 및 도전성 화합물로부터 선택되는 적어도 1개를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서
  26. 관형상의 금속 지지체의 내주상 또는 외주상의 어느 한쪽에 감열막을 형성하고, 다음에 상기 감열막상에 전극막을 형성하며, 다음에 상기 관형상의 지지체의 양단을 연마하는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법
  27. 제26항에 있어서, 상기 관형상의 금속지지체에 대신하여 길이가 긴 금속지지체를 이용하고, 상기 길이가 긴 금속지지체의 내주상 또는 외주상의 어느 한쪽에 감열막을 형성하고, 다음에 상기 감열막상에 전극막을 형성하여 길이가 긴 센서소자를 제조하며, 다음에 상기가 길이가 긴 센서소자를 절단하는 것을 특징으로 하는 온도 센서 소자의 제조방법.
  28. 기판의 표면상의 제1전기절연막을 형성하고, 상기 제1전기절연막상에 진공기상 박막형성법으로 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 박막을 형성하고, 가열처리함으로써 감열막을 형성하고, 상기 감열막의 표면에 한쌍의 대향하는 전극막을 형성하며, 상기 한쌍의 전극막의 표면의 일부분을 남기고 상가 전극막을 덮도록 제2전기절연막을 형성한는 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 진공기상 박막형성법이 플라즈마 CVD법, 열CVD법, 반응증착법, RF스페터링법, 반응 스패터링법 및 대향 스패터링법에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조 방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 감열막에 이용하는 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 조성이 (A11-x-y,, Crx, Fex)2O2(단 0.05x+y0.95, 0,05y/(x+y)0.6, 및 8/3z3 인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  31. 제28항에 있어서, 상기 감열막에 이용하는 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 결정구조가 커런덤형 결정구조 또는 스피넬형 결정구조인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  32. 제28항에 있어서, 상기 감열막에 이용하는 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 박막을 형성하는 온도가 200℃~800℃인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  33. 제28항에 있어서, 상기 감열막에 이용하는 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 박막을 가열처리하는 온도가 900℃~1300℃인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
  34. 제28항에 있어서, 상기 감열막에 이용하는 Al, Cr 및 Fe를 주성분으로 하는 산화물의 박막을 가열처리하는 분위기가 산화분위기인 것을 특징으로 하는 온도센서 소자의 제조방법.
KR1019970700172A 1995-05-11 1996-05-10 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법 KR100227490B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11289695 1995-05-11
JP95-112896 1995-05-11
JP96-054601 1996-03-12
JP5460196 1996-03-12
PCT/JP1996/002166 WO1997006652A1 (fr) 1995-08-03 1996-07-31 Dispositif de chauffage par induction electromagnetique et son fonctionnement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970705012A true KR970705012A (ko) 1997-09-06
KR100227490B1 KR100227490B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=26395379

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970700172A KR100227490B1 (ko) 1995-05-11 1996-05-10 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6014073A (ko)
EP (1) EP0770862A4 (ko)
KR (1) KR100227490B1 (ko)
CN (1) CN1052299C (ko)
MX (1) MX9700371A (ko)
WO (1) WO1996035932A1 (ko)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081182A (en) * 1996-11-22 2000-06-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Temperature sensor element and temperature sensor including the same
KR100441305B1 (ko) * 1997-11-21 2004-07-23 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 유량검지유닛, 유체온도 검지유닛과, 이를 구비한 유량센서, 온도센서 및 유량검출장치
WO1999035475A1 (fr) 1998-01-08 1999-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capteur de temperature et procede de fabrication
US6271131B1 (en) 1998-08-26 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-containing layers such as platinum-rhodium barrier layers
US6323081B1 (en) 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Diffusion barrier layers and methods of forming same
US6284655B1 (en) 1998-09-03 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Method for producing low carbon/oxygen conductive layers
US6239028B1 (en) 1998-09-03 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for forming iridium-containing films on substrates
US6445023B1 (en) 1999-03-16 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Mixed metal nitride and boride barrier layers
US6329286B1 (en) 1999-04-27 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming conformal iridium layers on substrates
DE19936924C1 (de) * 1999-08-05 2001-06-13 Georg Bernitz Vorrichtung zur Hochtemperaturerfassung und Verfahren zur Herstellung derselben
US6660631B1 (en) 2000-08-31 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices containing platinum-iridium films and methods of preparing such films and devices
US6762671B2 (en) * 2002-10-25 2004-07-13 Delphi Technologies, Inc. Temperature sensor and method of making and using the same
DE10358282A1 (de) * 2003-12-12 2005-07-28 Georg Bernitz Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
GB0415045D0 (en) * 2004-07-05 2004-08-04 Tyco Electronics Ltd Uk Electrical device having a heat generating resistive element
EP1860414A1 (en) * 2006-05-26 2007-11-28 Webresults S.r.l. Temperature measuring system
US8118485B2 (en) * 2008-09-04 2012-02-21 AGlobal Tech, LLC Very high speed thin film RTD sandwich
CZ302213B6 (cs) * 2009-02-17 2010-12-22 Západoceská@univerzita@v@Plzni Zarízení@pro@sledování@procesu@vytvrzované@pryskyrice
CN102107845B (zh) * 2009-12-25 2013-11-13 中国科学院金属研究所 一种微米传感元及其制备方法和应用
WO2011111309A1 (ja) * 2010-03-11 2011-09-15 パナソニック株式会社 焦電型温度センサを用いて温度を測定する方法
JP5668837B2 (ja) * 2011-02-24 2015-02-12 株式会社村田製作所 電子部品の実装構造
CN102450944A (zh) * 2011-05-30 2012-05-16 浙江苏泊尔家电制造有限公司 一种电热炊具
KR101386594B1 (ko) 2012-02-06 2014-04-17 한국과학기술원 미세장치 매립형 온도센서 및 그 제조방법
JP5776942B2 (ja) 2012-03-30 2015-09-09 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
WO2014010591A1 (ja) * 2012-07-13 2014-01-16 Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 薄膜サーミスタ素子およびその製造方法
JP5896160B2 (ja) * 2012-09-28 2016-03-30 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
JP6108156B2 (ja) * 2013-01-29 2017-04-05 三菱マテリアル株式会社 温度センサ
DE102014110560A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung
DE102014110553A1 (de) 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
WO2018203475A1 (ja) * 2017-05-01 2018-11-08 Ｓｅｍｉｔｅｃ株式会社 温度センサ及び温度センサを備えた装置
WO2018207676A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 株式会社Flosfia サーミスタ膜およびその成膜方法
JP2019129185A (ja) * 2018-01-22 2019-08-01 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ及びその製造方法並びにサーミスタセンサ
US11953388B2 (en) 2018-05-16 2024-04-09 Alleima Tube Ab Metallic tube structure with a sensor arrangement
CN108917970A (zh) * 2018-05-18 2018-11-30 江苏华宁电子系统工程有限公司 一种温度信号的薄膜化采集传输装置及方法
CN111609951B (zh) * 2020-06-09 2021-04-30 华中科技大学 一种厚膜热流计的共形制备方法以及产品
DE102020122923A1 (de) 2020-09-02 2022-03-03 Tdk Electronics Ag Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3469224A (en) * 1966-12-08 1969-09-23 Gen Motors Corp Printed thermistor on a metal sheet
US3872419A (en) * 1972-06-15 1975-03-18 Alexander J Groves Electrical elements operable as thermisters, varisters, smoke and moisture detectors, and methods for making the same
US4037082A (en) * 1976-04-30 1977-07-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Positive temperature coefficient semiconductor heating device
DE2743880C3 (de) * 1977-09-29 1981-05-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Heizeinrichtung mit einem optimierten Heizelement aus Kaltleiter-Material
DE2816076A1 (de) * 1978-04-13 1979-10-25 Siemens Ag Heizer mit ferroelektrischem keramik-heizelement
DE3100852A1 (de) * 1981-01-14 1982-08-12 Draloric Electronic GmbH, 6000 Frankfurt Elektrisches bauelement
JPS57149929A (en) * 1981-03-13 1982-09-16 Hitachi Ltd Temperature sensor
US4424507A (en) * 1981-04-10 1984-01-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film thermistor
JPS63224302A (ja) * 1987-03-13 1988-09-19 松下電器産業株式会社 薄膜温度センサ
JPH0287032A (ja) * 1988-09-22 1990-03-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 高温用サーミスタ
US5158366A (en) * 1989-05-31 1992-10-27 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Refractory monitoring temperature sensor and refractory erosion location measuring device
US4987749A (en) * 1990-03-29 1991-01-29 American Standard Inc. Thermistor probe for exposed sensing element for direct immersion in refrigerant flows
JPH04192302A (ja) * 1990-11-07 1992-07-10 Mitsubishi Materials Corp 薄膜サーミスタ素子
JPH06258147A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Mitsubishi Materials Corp パッケージ入りサーミスタ素子
JP2985561B2 (ja) * 1993-03-26 1999-12-06 松下電器産業株式会社 温度センサ
US5497139A (en) * 1994-09-23 1996-03-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Temperature sensor and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
MX9700371A (es) 1998-11-29
CN1052299C (zh) 2000-05-10
EP0770862A4 (en) 1998-07-15
US6014073A (en) 2000-01-11
KR100227490B1 (ko) 1999-11-01
CN1158163A (zh) 1997-08-27
EP0770862A1 (en) 1997-05-02
WO1996035932A1 (fr) 1996-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970705012A (ko) 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법
KR960011154B1 (ko) SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법
JPH09145489A (ja) 抵抗温度計
JP2016011964A (ja) １２００℃膜抵抗体
JP3489000B2 (ja) Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法
US4424507A (en) Thin film thermistor
EP1041586B1 (en) Chip thermistor
JP3652647B2 (ja) 高温検出器及びその製造方法
EP0824258B1 (en) Structure of electronic device
US20180374614A1 (en) Thermistor and device using thermistor
KR20010030871A (ko) 가열 소자와 이 가열 소자의 제조 방법
JP2515067Y2 (ja) サーミスタ温度センサ
JP3459174B2 (ja) 温度センサ素子および同素子を備えた温度センサ
JP3452282B2 (ja) 複合サーミスタ温度センサ
JPH10239169A (ja) 温度センサ
JP2880009B2 (ja) 流量計用検出素子
JPH10160593A (ja) 温度センサ素子
JPH05258909A (ja) ガラス封入形サーミスタ
JPS62111402A (ja) 薄膜サ−ミスタ
JPS6333284B2 (ko)
JPS61161701A (ja) サ−ミスタ
JPS5923082B2 (ja) サ−ミスタおよびその製造方法
JPS6367321B2 (ko)
JPH0344402B2 (ko)
JPS6175255A (ja) 薄膜ガス検知素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060725

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee