JP3489000B2 - Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法Info
- Publication number
- JP3489000B2 JP3489000B2 JP31603298A JP31603298A JP3489000B2 JP 3489000 B2 JP3489000 B2 JP 3489000B2 JP 31603298 A JP31603298 A JP 31603298A JP 31603298 A JP31603298 A JP 31603298A JP 3489000 B2 JP3489000 B2 JP 3489000B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thin film
- electrodes
- ntc thermistor
- thermistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3227—Lanthanum oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3275—Cobalt oxides, cobaltates or cobaltites or oxide forming salts thereof, e.g. bismuth cobaltate, zinc cobaltite
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/929—Electrical contact feature
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＴＣサーミスタ
に関し、詳しくは、電気絶縁性基板上に、薄膜形成方法
や厚膜形成方法などの方法により感温抵抗膜を形成し
た、いわゆる膜タイプのＮＴＣサーミスタ及び感温抵抗
薄膜素子の製造方法に関する。
に関し、詳しくは、電気絶縁性基板上に、薄膜形成方法
や厚膜形成方法などの方法により感温抵抗膜を形成し
た、いわゆる膜タイプのＮＴＣサーミスタ及び感温抵抗
薄膜素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、温度検知や温度補償などの用途に
ＮＴＣサーミスタが広く用いられている。そして、この
ＮＴＣサーミスタの一つに、特開昭６４−５０５０１号
公報に示されているような、温度検知などに用いる場合
の応答性を向上させるために、電気絶縁性基板上に高周
波スパッタリングにより感温抵抗膜を形成した膜タイプ
のＮＴＣサーミスタがある。図６は従来の膜タイプのＮ
ＴＣサーミスタの一例を示す断面図である。このＮＴＣ
サーミスタは、電気絶縁性の材料から形成された電気絶
縁性基板（以下、単に「基板」ともいう）５１と、基板
５１の表面に形成されたサーミスタ材料からなる感温抵
抗膜（サーミスタ膜）５２と、感温抵抗膜５２の表面に
形成された一対の電極（表面電極）５３とを備えた構造
を有している。
ＮＴＣサーミスタが広く用いられている。そして、この
ＮＴＣサーミスタの一つに、特開昭６４−５０５０１号
公報に示されているような、温度検知などに用いる場合
の応答性を向上させるために、電気絶縁性基板上に高周
波スパッタリングにより感温抵抗膜を形成した膜タイプ
のＮＴＣサーミスタがある。図６は従来の膜タイプのＮ
ＴＣサーミスタの一例を示す断面図である。このＮＴＣ
サーミスタは、電気絶縁性の材料から形成された電気絶
縁性基板（以下、単に「基板」ともいう）５１と、基板
５１の表面に形成されたサーミスタ材料からなる感温抵
抗膜（サーミスタ膜）５２と、感温抵抗膜５２の表面に
形成された一対の電極（表面電極）５３とを備えた構造
を有している。
【０００３】この膜タイプのＮＴＣサーミスタにおいて
は、温度検知を行うサーミスタ素子が膜として基板上に
形成されており、全体がサーミスタ材料から形成された
サーミスタ素体に電極を形成した構造を有する、いわゆ
るバルクタイプのＮＴＣサーミスタと比べて、使用され
ているサーミスタ材料が少なく、熱容量が小さいため、
温度検知用のＮＴＣサーミスタとして最も重要な性能で
ある応答速度を大幅に向上させることができるという特
徴を有している。
は、温度検知を行うサーミスタ素子が膜として基板上に
形成されており、全体がサーミスタ材料から形成された
サーミスタ素体に電極を形成した構造を有する、いわゆ
るバルクタイプのＮＴＣサーミスタと比べて、使用され
ているサーミスタ材料が少なく、熱容量が小さいため、
温度検知用のＮＴＣサーミスタとして最も重要な性能で
ある応答速度を大幅に向上させることができるという特
徴を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の膜タイ
プのＮＴＣサーミスタの場合、感温抵抗膜を構成するサ
ーミスタ材料として、バルクタイプのＮＴＣサーミスタ
で用いられているＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷
移金属酸化物などからなる組成のサーミスタ材料が用い
られており、このような従来のサーミスタ材料は、通常
５００Ω・cm以上の比抵抗を有している。したがって、
従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタでは、所望の抵
抗値を得ることができても、図６に示すような構造の膜
タイプのＮＴＣサーミスタとした場合には、従来のバル
クタイプと比べ、抵抗値が著しく高くなってしまうとい
う問題点がある。特開昭６４−５０５０１号公報のＮＴ
Ｃサーミスタにおいては、この問題を解決するために、
高周波スパッタリングで形成した膜をさらに酸化ガス雰
囲気中でプラズマ処理して酸化させている。しかし、こ
の製造方法では、膜形成後にプラズマ処理を行うための
設備が必要であり、製造工程が長くなってしまうという
問題点がある。
プのＮＴＣサーミスタの場合、感温抵抗膜を構成するサ
ーミスタ材料として、バルクタイプのＮＴＣサーミスタ
で用いられているＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷
移金属酸化物などからなる組成のサーミスタ材料が用い
られており、このような従来のサーミスタ材料は、通常
５００Ω・cm以上の比抵抗を有している。したがって、
従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタでは、所望の抵
抗値を得ることができても、図６に示すような構造の膜
タイプのＮＴＣサーミスタとした場合には、従来のバル
クタイプと比べ、抵抗値が著しく高くなってしまうとい
う問題点がある。特開昭６４−５０５０１号公報のＮＴ
Ｃサーミスタにおいては、この問題を解決するために、
高周波スパッタリングで形成した膜をさらに酸化ガス雰
囲気中でプラズマ処理して酸化させている。しかし、こ
の製造方法では、膜形成後にプラズマ処理を行うための
設備が必要であり、製造工程が長くなってしまうという
問題点がある。
【０００５】また、特開昭６３−２６６８０１号公報に
は、感温抵抗膜の上下両面に電極を設ける構造も提案さ
れているが、この構造の場合、感温抵抗膜の膜厚は極め
て薄く、上下両面の電極間距離はこの感温抵抗膜の膜厚
と等しくなるため、短絡などの不具合が生じるという問
題点がある。
は、感温抵抗膜の上下両面に電極を設ける構造も提案さ
れているが、この構造の場合、感温抵抗膜の膜厚は極め
て薄く、上下両面の電極間距離はこの感温抵抗膜の膜厚
と等しくなるため、短絡などの不具合が生じるという問
題点がある。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、温度検知の応答速度が大きく、低抵抗で、しかも信
頼性の高いＮＴＣサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製
造方法を提供することを目的としている。
り、温度検知の応答速度が大きく、低抵抗で、しかも信
頼性の高いＮＴＣサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製
造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明（請求項１）のＮＴＣサーミスタは、電気絶
縁性基板と、前記電気絶縁性基板の表面にスパッタリン
グ法により形成された、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素
酸化物を主成分とする感温抵抗薄膜と、前記感温抵抗薄
膜と電気的に導通するように配設された一対の電極とを
具備することを特徴としている。また、請求項２のチッ
プ型ＮＴＣサーミスタは、電気絶縁性基板と、前記電気
絶縁性基板の表面にスパッタリング法により形成され
た、ＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物を主成分とす
る感温抵抗薄膜と、前記感温抵抗薄膜と電気的に導通す
るように該感温抵抗薄膜の両端部に配設された一対の電
極と、前記一対の電極と電気的に導通するように、前記
基板の両端部に配設された外部電極と、を具備すること
を特徴としている。
に、本発明（請求項１）のＮＴＣサーミスタは、電気絶
縁性基板と、前記電気絶縁性基板の表面にスパッタリン
グ法により形成された、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素
酸化物を主成分とする感温抵抗薄膜と、前記感温抵抗薄
膜と電気的に導通するように配設された一対の電極とを
具備することを特徴としている。また、請求項２のチッ
プ型ＮＴＣサーミスタは、電気絶縁性基板と、前記電気
絶縁性基板の表面にスパッタリング法により形成され
た、ＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物を主成分とす
る感温抵抗薄膜と、前記感温抵抗薄膜と電気的に導通す
るように該感温抵抗薄膜の両端部に配設された一対の電
極と、前記一対の電極と電気的に導通するように、前記
基板の両端部に配設された外部電極と、を具備すること
を特徴としている。
【０００８】電気絶縁性基板上にＬａＣｏＯ3系希土類
遷移元素酸化物からなる感温抵抗薄膜をスパッタリング
法により形成するとともに、この感温抵抗薄膜と導通す
るように一対の電極を配設することにより、膜タイプの
ＮＴＣサーミスタを構成した場合、従来の、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金属酸化物などからなる
サーミスタ材料を用いたバルクタイプのＮＴＣサーミス
タに比べて、応答速度を大幅に向上させることが可能に
なるとともに、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタ
と同等の抵抗値（低抵抗値）を実現することが可能にな
り、かつ、高温放置試験における抵抗変化率を小さくす
ること（すなわち安定性、信頼性を向上させること）が
可能になる。また、感温抵抗薄膜の両端部に配設された
一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の両端
部に外部電極を配設することにより、従来のバルクタイ
プのＮＴＣサーミスタと同じように低抵抗で、かつ、抵
抗変化率の小さいチップ型のＮＴＣサーミスタを得るこ
とが可能になる。
遷移元素酸化物からなる感温抵抗薄膜をスパッタリング
法により形成するとともに、この感温抵抗薄膜と導通す
るように一対の電極を配設することにより、膜タイプの
ＮＴＣサーミスタを構成した場合、従来の、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金属酸化物などからなる
サーミスタ材料を用いたバルクタイプのＮＴＣサーミス
タに比べて、応答速度を大幅に向上させることが可能に
なるとともに、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタ
と同等の抵抗値（低抵抗値）を実現することが可能にな
り、かつ、高温放置試験における抵抗変化率を小さくす
ること（すなわち安定性、信頼性を向上させること）が
可能になる。また、感温抵抗薄膜の両端部に配設された
一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の両端
部に外部電極を配設することにより、従来のバルクタイ
プのＮＴＣサーミスタと同じように低抵抗で、かつ、抵
抗変化率の小さいチップ型のＮＴＣサーミスタを得るこ
とが可能になる。
【０００９】
【００１０】
【００１１】また、本発明（請求項３）の感温抵抗薄膜
素子の製造方法は、電気絶縁性基板上に、ＬａＣｏＯ3
系希土類遷移元素酸化物をスパッタリングすることによ
り感温抵抗薄膜を形成する工程と、前記感温抵抗薄膜と
導通するように該感温抵抗薄膜の両端部に一対の電極を
形成する工程と、前記一対の電極と電気的に導通するよ
うに、前記基板の両端部に外部電極を形成する工程と、
を具備することを特徴としている。
素子の製造方法は、電気絶縁性基板上に、ＬａＣｏＯ3
系希土類遷移元素酸化物をスパッタリングすることによ
り感温抵抗薄膜を形成する工程と、前記感温抵抗薄膜と
導通するように該感温抵抗薄膜の両端部に一対の電極を
形成する工程と、前記一対の電極と電気的に導通するよ
うに、前記基板の両端部に外部電極を形成する工程と、
を具備することを特徴としている。
【００１２】また、本発明（請求項４）の感温抵抗薄膜
素子の製造方法は、電気絶縁性基板の両端部に一対の電
極を形成する工程と、前記電気絶縁性基板上に、ＬａＣ
ｏＯ3系希土類遷移元素酸化物をスパッタリングするこ
とにより、両端側が前記一対の電極と導通するように感
温抵抗薄膜を形成する工程と、前記一対の電極と電気的
に導通するように、前記基板の両端部に外部電極を形成
する工程と、を具備することを特徴としている。
素子の製造方法は、電気絶縁性基板の両端部に一対の電
極を形成する工程と、前記電気絶縁性基板上に、ＬａＣ
ｏＯ3系希土類遷移元素酸化物をスパッタリングするこ
とにより、両端側が前記一対の電極と導通するように感
温抵抗薄膜を形成する工程と、前記一対の電極と電気的
に導通するように、前記基板の両端部に外部電極を形成
する工程と、を具備することを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を示して
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１４】［実施形態１］
この実施形態では、電気絶縁性基板上に、スパッタリン
グ法により、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素酸化物を主
成分とする感温抵抗薄膜を形成したチップ型ＮＴＣサー
ミスタを例にとって説明する。図１(ａ)は本発明の一実
施形態にかかるＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその
外観構成を示す斜視図である。
グ法により、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素酸化物を主
成分とする感温抵抗薄膜を形成したチップ型ＮＴＣサー
ミスタを例にとって説明する。図１(ａ)は本発明の一実
施形態にかかるＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその
外観構成を示す斜視図である。
【００１５】図１(ａ)及び(ｂ)に示すように、この実施
形態のＮＴＣサーミスタは、電気絶縁性の材料から形成
された電気絶縁性基板（以下、単に「基板」ともいう）
１と、基板１の表面に形成されたサーミスタ材料からな
る感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）２と、感温抵抗薄膜２
の表面に形成された一対の電極（表面電極）３と、基板
１上に感温抵抗薄膜２及び表面電極３が形成された素子
４の両端部に、表面電極３と導通するように配設された
一対の外部電極５と、感温抵抗薄膜２及び表面電極３の
表面を被覆する絶縁コート材６とを備えた構造を有して
いる。図１(ｂ)では、感温抵抗薄膜２，表面電極３の側
面が露出しているが、外部に露出しないように、絶縁コ
ート材６で被覆してもよい。もちろん、外部電極５を除
いて、チップ型ＮＴＣサーミスタの全面を絶縁コート材
６で被覆することも可能である。
形態のＮＴＣサーミスタは、電気絶縁性の材料から形成
された電気絶縁性基板（以下、単に「基板」ともいう）
１と、基板１の表面に形成されたサーミスタ材料からな
る感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）２と、感温抵抗薄膜２
の表面に形成された一対の電極（表面電極）３と、基板
１上に感温抵抗薄膜２及び表面電極３が形成された素子
４の両端部に、表面電極３と導通するように配設された
一対の外部電極５と、感温抵抗薄膜２及び表面電極３の
表面を被覆する絶縁コート材６とを備えた構造を有して
いる。図１(ｂ)では、感温抵抗薄膜２，表面電極３の側
面が露出しているが、外部に露出しないように、絶縁コ
ート材６で被覆してもよい。もちろん、外部電極５を除
いて、チップ型ＮＴＣサーミスタの全面を絶縁コート材
６で被覆することも可能である。
【００１６】次に、このＮＴＣサーミスタの製造方法に
ついて説明する。(１) まず、電気絶縁性基板として、アルミナ基板を用意
する。(２) それから、ＬａとＣｏの酸化物を主成分として焼結
したＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素酸化物の成形体をス
パッタターゲットに、高周波スパッタリング装置にて、 雰囲気 ：Ａｒ雰囲気 基板温度 ：５００℃ 高周波電力：８００Ｗ 成膜速度 ： ３μm／Ｈ の条件で、基板上に感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形
成する。(３) 次に、３００〜１０００℃の間で各温度に適した時
間の熱処理を行い、感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）の結
晶性を高めるとともに、薄膜を安定させる。(４) それから、基板を個々の素子４（図１(ａ)，(ｂ)）
に分割したときに互いに対向する一対の表面電極となる
電極を、感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）が形成された基
板上に形成する。なお、この実施形態では、Ａｇをター
ゲットとしてスパッタリングを行い、所定の位置にＡｇ
の薄膜電極（表面電極）を形成した。(５) その後、基板を所定の位置でカットし、個々の素子
（図１）４に分割する。(６) そして、個々の素子４の両端部に、表面電極３と導
通するように一対の外部電極５を形成する。なお、外部
電極５は基板１の両端面から上下両面側にまで回り込む
ように形成されている。(７) 次いで、基板１の表面に形成された感温抵抗薄膜
（サーミスタ膜）２及び表面電極３を保護するために、
ガラスコートを施し、感温抵抗薄膜２及び表面電極３の
表面を絶縁コート材（ガラスコート材）６で被覆するこ
とにより、図１(ａ)，(ｂ)に示すようなＮＴＣサーミス
タが得られる。
ついて説明する。(１) まず、電気絶縁性基板として、アルミナ基板を用意
する。(２) それから、ＬａとＣｏの酸化物を主成分として焼結
したＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素酸化物の成形体をス
パッタターゲットに、高周波スパッタリング装置にて、 雰囲気 ：Ａｒ雰囲気 基板温度 ：５００℃ 高周波電力：８００Ｗ 成膜速度 ： ３μm／Ｈ の条件で、基板上に感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形
成する。(３) 次に、３００〜１０００℃の間で各温度に適した時
間の熱処理を行い、感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）の結
晶性を高めるとともに、薄膜を安定させる。(４) それから、基板を個々の素子４（図１(ａ)，(ｂ)）
に分割したときに互いに対向する一対の表面電極となる
電極を、感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）が形成された基
板上に形成する。なお、この実施形態では、Ａｇをター
ゲットとしてスパッタリングを行い、所定の位置にＡｇ
の薄膜電極（表面電極）を形成した。(５) その後、基板を所定の位置でカットし、個々の素子
（図１）４に分割する。(６) そして、個々の素子４の両端部に、表面電極３と導
通するように一対の外部電極５を形成する。なお、外部
電極５は基板１の両端面から上下両面側にまで回り込む
ように形成されている。(７) 次いで、基板１の表面に形成された感温抵抗薄膜
（サーミスタ膜）２及び表面電極３を保護するために、
ガラスコートを施し、感温抵抗薄膜２及び表面電極３の
表面を絶縁コート材（ガラスコート材）６で被覆するこ
とにより、図１(ａ)，(ｂ)に示すようなＮＴＣサーミス
タが得られる。
【００１７】それから、このようにして製造したＮＴＣ
サーミスタについて、感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）の
比抵抗を測定するとともに、ＮＴＣサーミスタの抵抗値
を測定した。また、高温放置試験を行い、高温下での信
頼性を調べた。なお、図２に高温放置試験の結果を示
す。
サーミスタについて、感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）の
比抵抗を測定するとともに、ＮＴＣサーミスタの抵抗値
を測定した。また、高温放置試験を行い、高温下での信
頼性を調べた。なお、図２に高温放置試験の結果を示
す。
【００１８】また、比較のため、以下に説明する方法に
より、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタに用いら
れるサーミスタ材料を用いて、膜タイプのＮＴＣサーミ
スタを作製した。
より、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタに用いら
れるサーミスタ材料を用いて、膜タイプのＮＴＣサーミ
スタを作製した。
【００１９】まず、電気絶縁性基板として、上記実施形
態の場合と同様に、アルミナ基板を用意し、従来のサー
ミスタ材料である、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物をスパッ
タターゲットとして、高周波スパッタリング装置にて、
Ａｒ雰囲気中、基板温度５００℃、高周波電力８００
Ｗ、成膜速度３μm／Ｈの条件で、基板上に感温抵抗薄
膜（サーミスタ膜）を形成した後、３００〜９００℃の
間で各温度に適した時間の熱処理を行った。それから、
感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形成した基板上に、再
びスパッタリングを行い、基板を個々の素子に分割した
ときに一対の表面電極となる電極を形成する。そして、
基板を所定の位置でカットして個々の素子に分割した
後、素子の両端面に、表面電極と導通するように一対の
外部電極５を形成し、次いで、感温抵抗薄膜及び表面電
極の表面を絶縁コート材（ガラスコート材）で被覆する
ことにより、比較例のＮＴＣサーミスタを作製した。
態の場合と同様に、アルミナ基板を用意し、従来のサー
ミスタ材料である、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物をスパッ
タターゲットとして、高周波スパッタリング装置にて、
Ａｒ雰囲気中、基板温度５００℃、高周波電力８００
Ｗ、成膜速度３μm／Ｈの条件で、基板上に感温抵抗薄
膜（サーミスタ膜）を形成した後、３００〜９００℃の
間で各温度に適した時間の熱処理を行った。それから、
感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形成した基板上に、再
びスパッタリングを行い、基板を個々の素子に分割した
ときに一対の表面電極となる電極を形成する。そして、
基板を所定の位置でカットして個々の素子に分割した
後、素子の両端面に、表面電極と導通するように一対の
外部電極５を形成し、次いで、感温抵抗薄膜及び表面電
極の表面を絶縁コート材（ガラスコート材）で被覆する
ことにより、比較例のＮＴＣサーミスタを作製した。
【００２０】そして、この比較例のＮＴＣサーミスタに
ついて、上記実施形態のＮＴＣサーミスタと同様の条件
で諸特性を測定した。その結果、比較例のＮＴＣサーミ
スタの場合、感温抵抗薄膜の比抵抗が２０００Ω・cm以
上であるのに対して、本発明の実施形態にかかるＮＴＣ
サーミスタでは、約１００Ω・cm程度と低い抵抗値を実
現することができた。
ついて、上記実施形態のＮＴＣサーミスタと同様の条件
で諸特性を測定した。その結果、比較例のＮＴＣサーミ
スタの場合、感温抵抗薄膜の比抵抗が２０００Ω・cm以
上であるのに対して、本発明の実施形態にかかるＮＴＣ
サーミスタでは、約１００Ω・cm程度と低い抵抗値を実
現することができた。
【００２１】また、感温抵抗薄膜の膜厚が同一で、表面
電極の寸法及び位置関係を同じにした場合、従来のサー
ミスタ材料を用いた比較例の場合には、実現が困難であ
った、現状で広く用いられている温度検知用ＮＴＣサー
ミスタの１ｋ〜１０ｋΩの抵抗値を、本発明のＮＴＣサ
ーミスタでは、容易に実現できることが確認された。
電極の寸法及び位置関係を同じにした場合、従来のサー
ミスタ材料を用いた比較例の場合には、実現が困難であ
った、現状で広く用いられている温度検知用ＮＴＣサー
ミスタの１ｋ〜１０ｋΩの抵抗値を、本発明のＮＴＣサ
ーミスタでは、容易に実現できることが確認された。
【００２２】また、高温放置試験を行った場合、図２に
示すように、比較例のＮＴＣサーミスタでは、高温下で
の放置時間が長くなるにつれて、抵抗値変化率が大きく
なるのに対して、本発明のＮＴＣサーミスタ（実施例）
では、放置時間が長くなっても抵抗値変化率に変動が生
じず、抵抗値の安定性が高く、信頼性に優れていること
がわかる。
示すように、比較例のＮＴＣサーミスタでは、高温下で
の放置時間が長くなるにつれて、抵抗値変化率が大きく
なるのに対して、本発明のＮＴＣサーミスタ（実施例）
では、放置時間が長くなっても抵抗値変化率に変動が生
じず、抵抗値の安定性が高く、信頼性に優れていること
がわかる。
【００２３】［実施形態２］
図３(ａ)，(ｂ)は本発明の他の実施形態にかかるチップ
型ＮＴＣサーミスタを示す図である。この実施形態２の
ＮＴＣサーミスタは、図３(ａ)，(ｂ)に示すように、基
板１の上面の両端側に一対の表面電極（対向電極）３を
形成した後、基板１の上面に、一対の表面電極３と導通
するように感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形成すると
ともに、基板１（素子４）の両端部に、表面電極３と導
通するように一対の外部電極５を形成し、感温抵抗薄膜
２及び表面電極３の表面を絶縁コート材（ガラスコート
材）６により被覆した構造を有している。なお、この実
施形態のＮＴＣサーミスタを製造する場合、表面電極、
感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）及び外部電極の形成順序
を、表面電極の形成、外部電極の形成、感温抵抗薄膜
（サーミスタ膜）の形成の順としてもよい。
型ＮＴＣサーミスタを示す図である。この実施形態２の
ＮＴＣサーミスタは、図３(ａ)，(ｂ)に示すように、基
板１の上面の両端側に一対の表面電極（対向電極）３を
形成した後、基板１の上面に、一対の表面電極３と導通
するように感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形成すると
ともに、基板１（素子４）の両端部に、表面電極３と導
通するように一対の外部電極５を形成し、感温抵抗薄膜
２及び表面電極３の表面を絶縁コート材（ガラスコート
材）６により被覆した構造を有している。なお、この実
施形態のＮＴＣサーミスタを製造する場合、表面電極、
感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）及び外部電極の形成順序
を、表面電極の形成、外部電極の形成、感温抵抗薄膜
（サーミスタ膜）の形成の順としてもよい。
【００２４】なお、この実施形態２のＮＴＣサーミスタ
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料
は、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じで
ある。また、この実施形態２のＮＴＣサーミスタは、上
記実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と、工程の
順序は一部異なるが、同様の方法により製造することが
できる。
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料
は、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じで
ある。また、この実施形態２のＮＴＣサーミスタは、上
記実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と、工程の
順序は一部異なるが、同様の方法により製造することが
できる。
【００２５】［実施形態３］
図４(ａ)，(ｂ)は本発明のさらに他の実施形態にかかる
チップ型ＮＴＣサーミスタを示す図である。上記実施形
態１及び２のＮＴＣサーミスタでは、基板１の一方の面
（上面）にのみ感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）２を形成
しているが、この実施形態３のＮＴＣサーミスタは、図
４(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１の上下両面側に感温
抵抗薄膜（サーミスタ膜）２、表面電極３を形成すると
ともに、基板１（素子４）の両端部に、外部電極５を形
成し、上下両面側の感温抵抗薄膜２及び表面電極３の表
面を絶縁コート材（ガラスコート材）６により被覆した
構造を有している。
チップ型ＮＴＣサーミスタを示す図である。上記実施形
態１及び２のＮＴＣサーミスタでは、基板１の一方の面
（上面）にのみ感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）２を形成
しているが、この実施形態３のＮＴＣサーミスタは、図
４(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１の上下両面側に感温
抵抗薄膜（サーミスタ膜）２、表面電極３を形成すると
ともに、基板１（素子４）の両端部に、外部電極５を形
成し、上下両面側の感温抵抗薄膜２及び表面電極３の表
面を絶縁コート材（ガラスコート材）６により被覆した
構造を有している。
【００２６】なお、この実施形態３のＮＴＣサーミスタ
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料は
上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じであ
る。また、この実施形態３のＮＴＣサーミスタも、上記
実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と同様の方法
により製造することができる。
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料は
上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じであ
る。また、この実施形態３のＮＴＣサーミスタも、上記
実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と同様の方法
により製造することができる。
【００２７】［実施形態４］
図５(ａ)，(ｂ)は本発明のさらに他の実施形態にかかる
チップ型ＮＴＣサーミスタを示す図である。上記実施形
態１，２及び３のＮＴＣサーミスタでは、基板１（素子
４）の両端面に、外部電極５を形成しているが、この実
施形態４のＮＴＣサーミスタは、図５(ａ)，(ｂ)に示す
ように、基板１の上面側に感温抵抗薄膜（サーミスタ
膜）２、表面電極３を形成し、感温抵抗薄膜２の露出面
を絶縁コート材（ガラスコート材）６により被覆した構
造を有しており、基板１（素子４）の両端面に外部電極
を形成していない。このように用途によっては、外部電
極を有しない構成とすることも可能であり、製造工程を
簡略化し、電極材料コストを減らすことが可能になる。
チップ型ＮＴＣサーミスタを示す図である。上記実施形
態１，２及び３のＮＴＣサーミスタでは、基板１（素子
４）の両端面に、外部電極５を形成しているが、この実
施形態４のＮＴＣサーミスタは、図５(ａ)，(ｂ)に示す
ように、基板１の上面側に感温抵抗薄膜（サーミスタ
膜）２、表面電極３を形成し、感温抵抗薄膜２の露出面
を絶縁コート材（ガラスコート材）６により被覆した構
造を有しており、基板１（素子４）の両端面に外部電極
を形成していない。このように用途によっては、外部電
極を有しない構成とすることも可能であり、製造工程を
簡略化し、電極材料コストを減らすことが可能になる。
【００２８】なお、この実施形態４のＮＴＣサーミスタ
において、基板、表面電極などの構成材料は上記実施形
態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じである。また、こ
の実施形態４のＮＴＣサーミスタも、外部電極の形成工
程がないのみで、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの
製造方法と同様の方法により製造することができる。
において、基板、表面電極などの構成材料は上記実施形
態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じである。また、こ
の実施形態４のＮＴＣサーミスタも、外部電極の形成工
程がないのみで、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの
製造方法と同様の方法により製造することができる。
【００２９】上記各実施形態では、電気絶縁性基板とし
てアルミナ基板を用いた場合について説明したが、電気
絶縁性基板としては、表面に酸化膜を設けて絶縁処理を
したＳｉ基板、あるいは、ガラス基板など、種々の基板
を用いることが可能であり、その場合にも同様の効果を
得ることができる。
てアルミナ基板を用いた場合について説明したが、電気
絶縁性基板としては、表面に酸化膜を設けて絶縁処理を
したＳｉ基板、あるいは、ガラス基板など、種々の基板
を用いることが可能であり、その場合にも同様の効果を
得ることができる。
【００３０】また、上記実施形態（実施形態１）では、
サーミスタ材料のスパッタターゲットとして、ＬａＣｏ
Ｏ3系希土類遷移元素酸化物の焼結体（成形体）を用い
た場合について説明したが、焼結体を粉砕した粉体を用
いることも可能である。
サーミスタ材料のスパッタターゲットとして、ＬａＣｏ
Ｏ3系希土類遷移元素酸化物の焼結体（成形体）を用い
た場合について説明したが、焼結体を粉砕した粉体を用
いることも可能である。
【００３１】また、上記実施形態では、スパッタリング
法により感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形成するよう
にした場合について説明したが、その他にも、アルコキ
シド法などの薄膜形成方法など、種々の方法で感温抵抗
薄膜（サーミスタ膜）を形成することが可能である。
法により感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）を形成するよう
にした場合について説明したが、その他にも、アルコキ
シド法などの薄膜形成方法など、種々の方法で感温抵抗
薄膜（サーミスタ膜）を形成することが可能である。
【００３２】また、上記実施形態では、表面電極として
Ａｇ電極を形成したが、Ｐｔ、Ｐｄあるいはそれらの合
金など、感温抵抗薄膜とオーミック接触を得ることが可
能な材料を用いて表面電極を形成することが可能であ
り、その場合にも同様の効果を得ることができる。ま
た、表面電極の形状を櫛歯形状とすることも可能であ
り、その場合にも同様の性能を得ることが可能である。
Ａｇ電極を形成したが、Ｐｔ、Ｐｄあるいはそれらの合
金など、感温抵抗薄膜とオーミック接触を得ることが可
能な材料を用いて表面電極を形成することが可能であ
り、その場合にも同様の効果を得ることができる。ま
た、表面電極の形状を櫛歯形状とすることも可能であ
り、その場合にも同様の性能を得ることが可能である。
【００３３】本発明は、さらにその他の点においても、
上記実施形態に限定されるものではなく、基板の形状、
感温抵抗薄膜のパターンなどに関し、発明の要旨の範囲
内において、種々の応用、変形を加えることが可能であ
る。
上記実施形態に限定されるものではなく、基板の形状、
感温抵抗薄膜のパターンなどに関し、発明の要旨の範囲
内において、種々の応用、変形を加えることが可能であ
る。
【００３４】上述のように本発明のＮＴＣサーミスタ
は、電気絶縁性基板上にＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素
酸化物からなる感温抵抗薄膜をスパッタリング法により
形成するとともに、この感温抵抗薄膜と導通するように
一対の電極を配設することにより、膜タイプのＮＴＣサ
ーミスタを構成しているので、従来のＭｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金属酸化物などからなるサーミ
スタ材料を用いたバルクタイプのＮＴＣサーミスタに比
べて、応答速度を大幅に向上させることができる。ま
た、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタと同等の抵
抗値（低抵抗値）を実現することが可能になり、かつ、
高温放置試験における抵抗変化率を小さくして安定性、
信頼性を向上させることができる。
は、電気絶縁性基板上にＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素
酸化物からなる感温抵抗薄膜をスパッタリング法により
形成するとともに、この感温抵抗薄膜と導通するように
一対の電極を配設することにより、膜タイプのＮＴＣサ
ーミスタを構成しているので、従来のＭｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金属酸化物などからなるサーミ
スタ材料を用いたバルクタイプのＮＴＣサーミスタに比
べて、応答速度を大幅に向上させることができる。ま
た、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタと同等の抵
抗値（低抵抗値）を実現することが可能になり、かつ、
高温放置試験における抵抗変化率を小さくして安定性、
信頼性を向上させることができる。
【図１】(ａ)は本発明の一実施形態にかかるチップ型Ｎ
ＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す斜
視図である。
ＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す斜
視図である。
【図２】高温放置試験における放置時間と抵抗値変化率
の関係を示す線図である。
の関係を示す線図である。
【図３】(ａ)は本発明の他の実施形態にかかるチップ型
ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す
斜視図である。
ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す
斜視図である。
【図４】(ａ)は本発明のさらに他の実施形態にかかるチ
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
【図５】(ａ)は本発明のさらに他の実施形態にかかるチ
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
【図６】従来の膜タイプのＮＴＣサーミスタの一例を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 基板（電気絶縁性基板）
２ 感温抵抗薄膜（サーミスタ膜）
３ 表面電極
４ 素子
５ 外部電極
６ 絶縁コート材（ガラスコート材）
Claims (4)
- 【請求項１】電気絶縁性基板と、 前記電気絶縁性基板の表面にスパッタリング法により形
成された、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素酸化物を主成
分とする感温抵抗薄膜と、 前記感温抵抗薄膜と電気的に導通するように配設された
一対の電極と、を具備することを特徴とするＮＴＣサー
ミスタ。 - 【請求項２】電気絶縁性基板と、 前記電気絶縁性基板の表面にスパッタリング法により形
成された、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元素酸化物を主成
分とする感温抵抗薄膜と、 前記感温抵抗薄膜と電気的に導通するように該感温抵抗
薄膜の両端部に配設された一対の電極と、 前記一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の
両端部に配設された外部電極と、 を具備することを特徴とするチップ型ＮＴＣサーミス
タ。 - 【請求項３】電気絶縁性基板上に、ＬａＣｏＯ3系希土
類遷移元素酸化物をスパッタリングすることにより感温
抵抗薄膜を形成する工程と、 前記感温抵抗薄膜と導通するように該感温抵抗薄膜の両
端部に一対の電極を形成する工程と、 前記一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の
両端部に外部電極を形成する工程と、 を具備することを特徴とする感温抵抗薄膜素子の製造方
法。 - 【請求項４】電気絶縁性基板の両端部に一対の電極を形
成する工程と、 前記電気絶縁性基板上に、ＬａＣｏＯ3系希土類遷移元
素酸化物をスパッタリングすることにより、両端側が前
記一対の電極と導通するように感温抵抗薄膜を形成する
工程と、 前記一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の
両端部に外部電極を形成する工程と、 を具備することを特徴とする感温抵抗薄膜素子の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31603298A JP3489000B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 |
| US09/427,854 US6368734B1 (en) | 1998-11-06 | 1999-10-27 | NTC thermistors and NTC thermistor chips |
| DE19953161A DE19953161A1 (de) | 1998-11-06 | 1999-11-04 | NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips |
| KR1019990048543A KR100324098B1 (ko) | 1998-11-06 | 1999-11-04 | Ｎｔｃ 써미스터 및 칩형의 ｎｔｃ 써미스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31603298A JP3489000B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150204A JP2000150204A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3489000B2 true JP3489000B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=18072505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31603298A Expired - Fee Related JP3489000B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6368734B1 (ja) |
| JP (1) | JP3489000B2 (ja) |
| KR (1) | KR100324098B1 (ja) |
| DE (1) | DE19953161A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10159451A1 (de) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit einem negativen Temperaturkoeffizienten |
| WO2007014400A2 (en) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Center For Multidisciplinary Studies Of The Belgrade University | Three dimensional anemometer comprising thick film segmented thermistors |
| US7596998B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-10-06 | Therm-O-Disc, Incorporated | Liquid level sensor using thick film substrate |
| US7523661B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-04-28 | Honeywell International Inc. | Methods and systems for liquid volumetric measurement |
| US20110068890A1 (en) * | 2008-03-12 | 2011-03-24 | University Of Electronic Science And Technology Of China | Ntc thin film thermal resistor and a method of producing it |
| JP5075166B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2012-11-14 | 株式会社芝浦電子 | 定着器用温度センサ |
| CN102800449B (zh) * | 2012-07-26 | 2016-07-06 | 东莞市东思电子技术有限公司 | 一种片式热敏电阻器及其制造方法 |
| CN105103245B (zh) * | 2013-04-04 | 2019-02-19 | 罗姆股份有限公司 | 复合芯片构件、电路组件及电子设备 |
| JP6410024B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-10-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
| KR20160052283A (ko) | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 삼성전기주식회사 | 저항 소자, 그 제조방법 및 저항 소자의 실장 기판 |
| DE102016101247A1 (de) * | 2015-11-02 | 2017-05-04 | Epcos Ag | Sensorelement und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements |
| JP2018146404A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | Koa株式会社 | 温度センサ素子 |
| US11525739B2 (en) * | 2018-05-08 | 2022-12-13 | Texas Instruments Incorporated | Thermistor die-based thermal probe |
| US20220364219A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Northrop Grumman Systems Corporation | LaCoO3 THIN FILM DEPOSITION BY DC METAL CO-SPUTTERING |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194479A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | Ngk Insulators Ltd | Heating element |
| JPS63266801A (ja) | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Ooizumi Seisakusho:Kk | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JP2587426B2 (ja) | 1987-08-21 | 1997-03-05 | 石塚電子株式会社 | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JP3087645B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2000-09-11 | 株式会社村田製作所 | 負の急変抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物 |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31603298A patent/JP3489000B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-27 US US09/427,854 patent/US6368734B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-04 DE DE19953161A patent/DE19953161A1/de not_active Ceased
- 1999-11-04 KR KR1019990048543A patent/KR100324098B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000035231A (ko) | 2000-06-26 |
| KR100324098B1 (ko) | 2002-02-16 |
| DE19953161A1 (de) | 2001-01-25 |
| JP2000150204A (ja) | 2000-05-30 |
| US6368734B1 (en) | 2002-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3489000B2 (ja) | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 | |
| KR970705012A (ko) | 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법 | |
| KR100854413B1 (ko) | 서미스터 및 제조 방법 | |
| KR960011154B1 (ko) | SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법 | |
| US4301439A (en) | Film type resistor and method of producing same | |
| KR920007578B1 (ko) | 고 내열성 SiC박막 더어미스터 및 그 제조방법 | |
| JPS62291001A (ja) | 薄膜サ−ミスタとその製造方法 | |
| CA2368337C (en) | Thermistor and method of manufacture | |
| JPH053894B2 (ja) | ||
| JP3452282B2 (ja) | 複合サーミスタ温度センサ | |
| JPH0423401B2 (ja) | ||
| JPH0862168A (ja) | 窒素酸化物検出素子 | |
| JP2001194247A (ja) | サーミスタ温度センサ | |
| JP2006080322A (ja) | チップ型複合電子部品 | |
| JPH11233305A (ja) | Ｐｔｃサーミスタ薄膜素子 | |
| JP3277827B2 (ja) | 抵抗素子 | |
| JPS61161701A (ja) | サ−ミスタ | |
| JP3174150B2 (ja) | 湿度センサ | |
| JP4310852B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2002267530A (ja) | 赤外線検知素子の製造方法及び赤外線検知素子 | |
| JP3288241B2 (ja) | 抵抗材料および抵抗材料薄膜 | |
| JPS5923082B2 (ja) | サ−ミスタおよびその製造方法 | |
| JP2880009B2 (ja) | 流量計用検出素子 | |
| JPH10312903A (ja) | 温度センサ | |
| JP2020010012A (ja) | 薄膜温度センサ、圧電振動デバイス、および薄膜温度センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030114 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030930 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121107 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131107 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |