JP2000150204A - Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度検知の応答速度が大きく、低抵抗で、し
かも信頼性の高いＮＴＣサーミスタを提供する。 【解決手段】 電気絶縁基板１上にＬａＣｏＯ３系希土
類遷移元素酸化物からなる感温抵抗膜２を形成するとと
もに、この感温抵抗膜２と導通するように一対の電極
（表面電極）３を配設することにより、膜タイプのチッ
プ型ＮＴＣサーミスタを構成する。
かも信頼性の高いＮＴＣサーミスタを提供する。 【解決手段】 電気絶縁基板１上にＬａＣｏＯ３系希土
類遷移元素酸化物からなる感温抵抗膜２を形成するとと
もに、この感温抵抗膜２と導通するように一対の電極
（表面電極）３を配設することにより、膜タイプのチッ
プ型ＮＴＣサーミスタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＮＴＣサーミスタ
に関し、詳しくは、電気絶縁基板上に、薄膜形成方法や
厚膜形成方法などの方法により感温抵抗膜を形成した、
いわゆる膜タイプのＮＴＣサーミスタに関する。
に関し、詳しくは、電気絶縁基板上に、薄膜形成方法や
厚膜形成方法などの方法により感温抵抗膜を形成した、
いわゆる膜タイプのＮＴＣサーミスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、温度検知や温度補償などの用途に
ＮＴＣサーミスタが広く用いられている。そして、この
ＮＴＣサーミスタの一つに、特開昭６４−５０５０１号
公報に示されているような、温度検知などに用いる場合
の応答性を向上させるために、電気絶縁基板上に高周波
スパッタリングにより感温抵抗膜を形成した膜タイプの
ＮＴＣサーミスタがある。図６は従来の膜タイプのＮＴ
Ｃサーミスタの一例を示す断面図である。このＮＴＣサ
ーミスタは、電気絶縁性の材料から形成された電気絶縁
基板（以下、単に「基板」ともいう）５１と、基板５１
の表面に形成されたサーミスタ材料からなる感温抵抗膜
（サーミスタ膜）５２と、感温抵抗膜５２の表面に形成
された一対の電極（表面電極）５３とを備えた構造を有
している。
ＮＴＣサーミスタが広く用いられている。そして、この
ＮＴＣサーミスタの一つに、特開昭６４−５０５０１号
公報に示されているような、温度検知などに用いる場合
の応答性を向上させるために、電気絶縁基板上に高周波
スパッタリングにより感温抵抗膜を形成した膜タイプの
ＮＴＣサーミスタがある。図６は従来の膜タイプのＮＴ
Ｃサーミスタの一例を示す断面図である。このＮＴＣサ
ーミスタは、電気絶縁性の材料から形成された電気絶縁
基板（以下、単に「基板」ともいう）５１と、基板５１
の表面に形成されたサーミスタ材料からなる感温抵抗膜
（サーミスタ膜）５２と、感温抵抗膜５２の表面に形成
された一対の電極（表面電極）５３とを備えた構造を有
している。
【０００３】この膜タイプのＮＴＣサーミスタにおいて
は、温度検知を行うサーミスタ素子が膜として基板上に
形成されており、全体がサーミスタ材料から形成された
サーミスタ素体に電極を形成した構造を有する、いわゆ
るバルクタイプのＮＴＣサーミスタと比べて、使用され
ているサーミスタ材料が少なく、熱容量が小さいため、
温度検知用のＮＴＣサーミスタとして最も重要な性能で
ある応答速度を大幅に向上させることができるという特
徴を有している。
は、温度検知を行うサーミスタ素子が膜として基板上に
形成されており、全体がサーミスタ材料から形成された
サーミスタ素体に電極を形成した構造を有する、いわゆ
るバルクタイプのＮＴＣサーミスタと比べて、使用され
ているサーミスタ材料が少なく、熱容量が小さいため、
温度検知用のＮＴＣサーミスタとして最も重要な性能で
ある応答速度を大幅に向上させることができるという特
徴を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の膜タイ
プのＮＴＣサーミスタの場合、感温抵抗膜を構成するサ
ーミスタ材料として、バルクタイプのＮＴＣサーミスタ
で用いられているＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷
移金属酸化物などからなる組成のサーミスタ材料が用い
られており、このような従来のサーミスタ材料は、通常
５００Ω・cm以上の比抵抗を有している。したがって、
従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタでは、所望の抵
抗値を得ることができても、図６に示すような構造の膜
タイプのＮＴＣサーミスタとした場合には、従来のバル
クタイプと比べ、抵抗値が著しく高くなってしまうとい
う問題点がある。特開昭６４−５０５０１号公報のＮＴ
Ｃサーミスタにおいては、この問題を解決するために、
高周波スパッタリングで形成した膜をさらに酸化ガス雰
囲気中でプラズマ処理して酸化させている。しかし、こ
の製造方法では、膜形成後にプラズマ処理を行うための
設備が必要であり、製造工程が長くなってしまうという
問題点がある。
プのＮＴＣサーミスタの場合、感温抵抗膜を構成するサ
ーミスタ材料として、バルクタイプのＮＴＣサーミスタ
で用いられているＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷
移金属酸化物などからなる組成のサーミスタ材料が用い
られており、このような従来のサーミスタ材料は、通常
５００Ω・cm以上の比抵抗を有している。したがって、
従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタでは、所望の抵
抗値を得ることができても、図６に示すような構造の膜
タイプのＮＴＣサーミスタとした場合には、従来のバル
クタイプと比べ、抵抗値が著しく高くなってしまうとい
う問題点がある。特開昭６４−５０５０１号公報のＮＴ
Ｃサーミスタにおいては、この問題を解決するために、
高周波スパッタリングで形成した膜をさらに酸化ガス雰
囲気中でプラズマ処理して酸化させている。しかし、こ
の製造方法では、膜形成後にプラズマ処理を行うための
設備が必要であり、製造工程が長くなってしまうという
問題点がある。
【０００５】また、特開昭６３−２６６８０１号公報に
は、感温抵抗膜の上下両面に電極を設ける構造も提案さ
れているが、この構造の場合、感温抵抗膜の膜厚は極め
て薄く、上下両面の電極間距離はこの感温抵抗膜の膜厚
と等しくなるため、短絡などの不具合が生じるという問
題点がある。
は、感温抵抗膜の上下両面に電極を設ける構造も提案さ
れているが、この構造の場合、感温抵抗膜の膜厚は極め
て薄く、上下両面の電極間距離はこの感温抵抗膜の膜厚
と等しくなるため、短絡などの不具合が生じるという問
題点がある。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、温度検知の応答速度が大きく、低抵抗で、しかも信
頼性の高いＮＴＣサーミスタを提供することを目的とし
ている。
り、温度検知の応答速度が大きく、低抵抗で、しかも信
頼性の高いＮＴＣサーミスタを提供することを目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明（請求項１）のＮＴＣサーミスタは、電気絶
縁性基板と、前記電気絶縁基板の表面に形成された、Ｌ
ａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物を主成分とする感温
抵抗膜と、前記感温抵抗膜と電気的に導通するように配
設された一対の電極とを具備することを特徴としてい
る。また、請求項２のチップ型ＮＴＣサーミスタは、電
気絶縁性基板と、前記電気絶縁基板の表面に形成され
た、ＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物を主成分とす
る感温抵抗膜と、前記感温抵抗膜と電気的に導通するよ
うに該感温抵抗膜の両端部に配設された一対の電極と、
前記一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の
両端部に配設された外部電極とを具備することを特徴と
している。
に、本発明（請求項１）のＮＴＣサーミスタは、電気絶
縁性基板と、前記電気絶縁基板の表面に形成された、Ｌ
ａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物を主成分とする感温
抵抗膜と、前記感温抵抗膜と電気的に導通するように配
設された一対の電極とを具備することを特徴としてい
る。また、請求項２のチップ型ＮＴＣサーミスタは、電
気絶縁性基板と、前記電気絶縁基板の表面に形成され
た、ＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物を主成分とす
る感温抵抗膜と、前記感温抵抗膜と電気的に導通するよ
うに該感温抵抗膜の両端部に配設された一対の電極と、
前記一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の
両端部に配設された外部電極とを具備することを特徴と
している。
【０００８】電気絶縁基板上にＬａＣｏＯ３系希土類遷
移元素酸化物からなる感温抵抗膜を形成するとともに、
この感温抵抗膜と導通するように一対の電極を配設する
ことにより、膜タイプのＮＴＣサーミスタを構成した場
合、従来の、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金
属酸化物などからなるサーミスタ材料を用いたバルクタ
イプのＮＴＣサーミスタに比べて、応答速度を大幅に向
上させることが可能になるとともに、従来のバルクタイ
プのＮＴＣサーミスタと同等の抵抗値（低抵抗値）を実
現することが可能になり、かつ、高温放置試験における
抵抗変化率を小さくすること（すなわち安定性、信頼性
を向上させること）が可能になる。また、感温抵抗膜の
両端部に配設された一対の電極と電気的に導通するよう
に、前記基板の両端部に外部電極を配設することによ
り、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタと同じよう
に低抵抗で、かつ、抵抗変化率の小さいチップ型のＮＴ
Ｃサーミスタを得ることが可能になる。
移元素酸化物からなる感温抵抗膜を形成するとともに、
この感温抵抗膜と導通するように一対の電極を配設する
ことにより、膜タイプのＮＴＣサーミスタを構成した場
合、従来の、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金
属酸化物などからなるサーミスタ材料を用いたバルクタ
イプのＮＴＣサーミスタに比べて、応答速度を大幅に向
上させることが可能になるとともに、従来のバルクタイ
プのＮＴＣサーミスタと同等の抵抗値（低抵抗値）を実
現することが可能になり、かつ、高温放置試験における
抵抗変化率を小さくすること（すなわち安定性、信頼性
を向上させること）が可能になる。また、感温抵抗膜の
両端部に配設された一対の電極と電気的に導通するよう
に、前記基板の両端部に外部電極を配設することによ
り、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタと同じよう
に低抵抗で、かつ、抵抗変化率の小さいチップ型のＮＴ
Ｃサーミスタを得ることが可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を示して
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１０】［実施形態１］この実施形態では、電気絶
縁性基板上に、スパッタリング法により、ＬａＣｏＯ３
系希土類遷移元素酸化物を主成分とする感温抵抗膜を形
成したチップ型ＮＴＣサーミスタを例にとって説明す
る。図１(ａ)は本発明の一実施形態にかかるＮＴＣサー
ミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す斜視図であ
る。
縁性基板上に、スパッタリング法により、ＬａＣｏＯ３
系希土類遷移元素酸化物を主成分とする感温抵抗膜を形
成したチップ型ＮＴＣサーミスタを例にとって説明す
る。図１(ａ)は本発明の一実施形態にかかるＮＴＣサー
ミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す斜視図であ
る。
【００１１】図１(ａ)及び(ｂ)に示すように、この実施
形態のＮＴＣサーミスタは、電気絶縁性の材料から形成
された電気絶縁基板（以下、単に「基板」ともいう）１
と、基板１の表面に形成されたサーミスタ材料からなる
感温抵抗膜（サーミスタ膜）２と、感温抵抗膜２の表面
に形成された一対の電極（表面電極）３と、基板１上に
感温抵抗膜２及び表面電極３が形成された素子４の両端
部に、表面電極３と導通するように配設された一対の外
部電極５と、感温抵抗膜２及び表面電極３の表面を被覆
する絶縁コート材６とを備えた構造を有している。図１
(ｂ)では、感温抵抗膜２，表面電極３の側面が露出して
いるが、外部に露出しないように、絶縁コート材６で被
覆してもよい。もちろん、外部電極５を除いて、チップ
型ＮＴＣサーミスタの全面を絶縁コート材６で被覆する
ことも可能である。
形態のＮＴＣサーミスタは、電気絶縁性の材料から形成
された電気絶縁基板（以下、単に「基板」ともいう）１
と、基板１の表面に形成されたサーミスタ材料からなる
感温抵抗膜（サーミスタ膜）２と、感温抵抗膜２の表面
に形成された一対の電極（表面電極）３と、基板１上に
感温抵抗膜２及び表面電極３が形成された素子４の両端
部に、表面電極３と導通するように配設された一対の外
部電極５と、感温抵抗膜２及び表面電極３の表面を被覆
する絶縁コート材６とを備えた構造を有している。図１
(ｂ)では、感温抵抗膜２，表面電極３の側面が露出して
いるが、外部に露出しないように、絶縁コート材６で被
覆してもよい。もちろん、外部電極５を除いて、チップ
型ＮＴＣサーミスタの全面を絶縁コート材６で被覆する
ことも可能である。
【００１２】次に、このＮＴＣサーミスタの製造方法に
ついて説明する。 まず、電気絶縁基板として、アルミナ基板を用意す
る。 それから、ＬａとＣｏの酸化物を主成分として焼結し
たＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物の成形体をスパ
ッタターゲットに、高周波スパッタリング装置にて、 雰囲気 ：Ａｒ雰囲気 基板温度 ：５００℃ 高周波電力：８００Ｗ 成膜速度 ： ３μm／Ｈ の条件で、基板上に感温抵抗膜（サーミスタ膜）を形成
する。 次に、３００〜１０００℃の間で各温度に適した時間
の熱処理を行い、感温抵抗膜（サーミスタ膜）の結晶性
を高めるとともに、膜を安定させる。 それから、基板を個々の素子４（図１(ａ)，(ｂ)）に
分割したときに互いに対向する一対の表面電極となる電
極を、感温抵抗膜（サーミスタ膜）が形成された基板上
に形成する。なお、この実施形態では、Ａｇをターゲッ
トとしてスパッタリングを行い、所定の位置にＡｇの薄
膜電極（表面電極）を形成した。 その後、基板を所定の位置でカットし、個々の素子
（図１）４に分割する。 そして、個々の素子４の両端部に、表面電極３と導通
するように一対の外部電極５を形成する。なお、外部電
極５は基板１の両端面から上下両面側にまで回り込むよ
うに形成されている。 次いで、基板１の表面に形成された感温抵抗膜（サー
ミスタ膜）２及び表面電極３を保護するために、ガラス
コートを施し、感温抵抗膜２及び表面電極３の表面を絶
縁コート材（ガラスコート材）６で被覆することによ
り、図１(ａ)，(ｂ)に示すようなＮＴＣサーミスタが得
られる。
ついて説明する。 まず、電気絶縁基板として、アルミナ基板を用意す
る。 それから、ＬａとＣｏの酸化物を主成分として焼結し
たＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素酸化物の成形体をスパ
ッタターゲットに、高周波スパッタリング装置にて、 雰囲気 ：Ａｒ雰囲気 基板温度 ：５００℃ 高周波電力：８００Ｗ 成膜速度 ： ３μm／Ｈ の条件で、基板上に感温抵抗膜（サーミスタ膜）を形成
する。 次に、３００〜１０００℃の間で各温度に適した時間
の熱処理を行い、感温抵抗膜（サーミスタ膜）の結晶性
を高めるとともに、膜を安定させる。 それから、基板を個々の素子４（図１(ａ)，(ｂ)）に
分割したときに互いに対向する一対の表面電極となる電
極を、感温抵抗膜（サーミスタ膜）が形成された基板上
に形成する。なお、この実施形態では、Ａｇをターゲッ
トとしてスパッタリングを行い、所定の位置にＡｇの薄
膜電極（表面電極）を形成した。 その後、基板を所定の位置でカットし、個々の素子
（図１）４に分割する。 そして、個々の素子４の両端部に、表面電極３と導通
するように一対の外部電極５を形成する。なお、外部電
極５は基板１の両端面から上下両面側にまで回り込むよ
うに形成されている。 次いで、基板１の表面に形成された感温抵抗膜（サー
ミスタ膜）２及び表面電極３を保護するために、ガラス
コートを施し、感温抵抗膜２及び表面電極３の表面を絶
縁コート材（ガラスコート材）６で被覆することによ
り、図１(ａ)，(ｂ)に示すようなＮＴＣサーミスタが得
られる。
【００１３】それから、このようにして製造したＮＴＣ
サーミスタについて、感温抵抗膜（サーミスタ膜）の比
抵抗を測定するとともに、ＮＴＣサーミスタの抵抗値を
測定した。また、高温放置試験を行い、高温下での信頼
性を調べた。なお、図２に高温放置試験の結果を示す。
サーミスタについて、感温抵抗膜（サーミスタ膜）の比
抵抗を測定するとともに、ＮＴＣサーミスタの抵抗値を
測定した。また、高温放置試験を行い、高温下での信頼
性を調べた。なお、図２に高温放置試験の結果を示す。
【００１４】また、比較のため、以下に説明する方法に
より、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタに用いら
れるサーミスタ材料を用いて、膜タイプのＮＴＣサーミ
スタを作製した。
より、従来のバルクタイプのＮＴＣサーミスタに用いら
れるサーミスタ材料を用いて、膜タイプのＮＴＣサーミ
スタを作製した。
【００１５】まず、電気絶縁基板として、上記実施形態
の場合と同様に、アルミナ基板を用意し、従来のサーミ
スタ材料である、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物をスパッタ
ターゲットとして、高周波スパッタリング装置にて、Ａ
ｒ雰囲気中、基板温度５００℃、高周波電力８００Ｗ、
成膜速度３μm／Ｈの条件で、基板上に感温抵抗膜（サ
ーミスタ膜）を形成した後、３００〜９００℃の間で各
温度に適した時間の熱処理を行った。それから、感温抵
抗膜（サーミスタ膜）を形成した基板上に、再びスパッ
タリングを行い、基板を個々の素子に分割したときに一
対の表面電極となる電極を形成する。そして、基板を所
定の位置でカットして個々の素子に分割した後、素子の
両端面に、表面電極と導通するように一対の外部電極５
を形成し、次いで、感温抵抗膜及び表面電極の表面を絶
縁コート材（ガラスコート材）で被覆することにより、
比較例のＮＴＣサーミスタを作製した。
の場合と同様に、アルミナ基板を用意し、従来のサーミ
スタ材料である、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏの酸化物をスパッタ
ターゲットとして、高周波スパッタリング装置にて、Ａ
ｒ雰囲気中、基板温度５００℃、高周波電力８００Ｗ、
成膜速度３μm／Ｈの条件で、基板上に感温抵抗膜（サ
ーミスタ膜）を形成した後、３００〜９００℃の間で各
温度に適した時間の熱処理を行った。それから、感温抵
抗膜（サーミスタ膜）を形成した基板上に、再びスパッ
タリングを行い、基板を個々の素子に分割したときに一
対の表面電極となる電極を形成する。そして、基板を所
定の位置でカットして個々の素子に分割した後、素子の
両端面に、表面電極と導通するように一対の外部電極５
を形成し、次いで、感温抵抗膜及び表面電極の表面を絶
縁コート材（ガラスコート材）で被覆することにより、
比較例のＮＴＣサーミスタを作製した。
【００１６】そして、この比較例のＮＴＣサーミスタに
ついて、上記実施形態のＮＴＣサーミスタと同様の条件
で諸特性を測定した。その結果、比較例のＮＴＣサーミ
スタの場合、感温抵抗膜の比抵抗が２０００Ω・cm以上
であるのに対して、本発明の実施形態にかかるＮＴＣサ
ーミスタでは、約１００Ω・cm程度と低い抵抗値を実現
することができた。
ついて、上記実施形態のＮＴＣサーミスタと同様の条件
で諸特性を測定した。その結果、比較例のＮＴＣサーミ
スタの場合、感温抵抗膜の比抵抗が２０００Ω・cm以上
であるのに対して、本発明の実施形態にかかるＮＴＣサ
ーミスタでは、約１００Ω・cm程度と低い抵抗値を実現
することができた。
【００１７】また、感温抵抗膜の膜厚が同一で、表面電
極の寸法及び位置関係を同じにした場合、従来のサーミ
スタ材料を用いた比較例の場合には、実現が困難であっ
た、現状で広く用いられている温度検知用ＮＴＣサーミ
スタの１ｋ〜１０ｋΩの抵抗値を、本発明のＮＴＣサー
ミスタでは、容易に実現できることが確認された。
極の寸法及び位置関係を同じにした場合、従来のサーミ
スタ材料を用いた比較例の場合には、実現が困難であっ
た、現状で広く用いられている温度検知用ＮＴＣサーミ
スタの１ｋ〜１０ｋΩの抵抗値を、本発明のＮＴＣサー
ミスタでは、容易に実現できることが確認された。
【００１８】また、高温放置試験を行った場合、図２に
示すように、比較例のＮＴＣサーミスタでは、高温下で
の放置時間が長くなるにつれて、抵抗値変化率が大きく
なるのに対して、本発明のＮＴＣサーミスタ（実施例）
では、放置時間が長くなっても抵抗値変化率に変動が生
じず、抵抗値の安定性が高く、信頼性に優れていること
がわかる。
示すように、比較例のＮＴＣサーミスタでは、高温下で
の放置時間が長くなるにつれて、抵抗値変化率が大きく
なるのに対して、本発明のＮＴＣサーミスタ（実施例）
では、放置時間が長くなっても抵抗値変化率に変動が生
じず、抵抗値の安定性が高く、信頼性に優れていること
がわかる。
【００１９】［実施形態２］図３(ａ)，(ｂ)は本発明の
他の実施形態にかかるチップ型ＮＴＣサーミスタを示す
図である。この実施形態２のＮＴＣサーミスタは、図３
(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１の上面の両端側に一対
の表面電極（対向電極）３を形成した後、基板１の上面
に、一対の表面電極３と導通するように感温抵抗膜（サ
ーミスタ膜）を形成するとともに、基板１（素子４）の
両端部に、表面電極３と導通するように一対の外部電極
５を形成し、感温抵抗膜２及び表面電極３の表面を絶縁
コート材（ガラスコート材）６により被覆した構造を有
している。なお、この実施形態のＮＴＣサーミスタを製
造する場合、表面電極、感温抵抗膜（サーミスタ膜）及
び外部電極の形成順序を、表面電極の形成、外部電極の
形成、感温抵抗膜（サーミスタ膜）の形成の順としても
よい。
他の実施形態にかかるチップ型ＮＴＣサーミスタを示す
図である。この実施形態２のＮＴＣサーミスタは、図３
(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１の上面の両端側に一対
の表面電極（対向電極）３を形成した後、基板１の上面
に、一対の表面電極３と導通するように感温抵抗膜（サ
ーミスタ膜）を形成するとともに、基板１（素子４）の
両端部に、表面電極３と導通するように一対の外部電極
５を形成し、感温抵抗膜２及び表面電極３の表面を絶縁
コート材（ガラスコート材）６により被覆した構造を有
している。なお、この実施形態のＮＴＣサーミスタを製
造する場合、表面電極、感温抵抗膜（サーミスタ膜）及
び外部電極の形成順序を、表面電極の形成、外部電極の
形成、感温抵抗膜（サーミスタ膜）の形成の順としても
よい。
【００２０】なお、この実施形態２のＮＴＣサーミスタ
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料
は、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じで
ある。また、この実施形態２のＮＴＣサーミスタは、上
記実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と、工程の
順序は一部異なるが、同様の方法により製造することが
できる。
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料
は、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じで
ある。また、この実施形態２のＮＴＣサーミスタは、上
記実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と、工程の
順序は一部異なるが、同様の方法により製造することが
できる。
【００２１】［実施形態３］図４(ａ)，(ｂ)は本発明の
さらに他の実施形態にかかるチップ型ＮＴＣサーミスタ
を示す図である。上記実施形態１及び２のＮＴＣサーミ
スタでは、基板１の一方の面（上面）にのみ感温抵抗膜
（サーミスタ膜）２を形成しているが、この実施形態３
のＮＴＣサーミスタは、図４(ａ)，(ｂ)に示すように、
基板１の上下両面側に感温抵抗膜（サーミスタ膜）２、
表面電極３を形成するとともに、基板１（素子４）の両
端部に、外部電極５を形成し、上下両面側の感温抵抗膜
２及び表面電極３の表面を絶縁コート材（ガラスコート
材）６により被覆した構造を有している。
さらに他の実施形態にかかるチップ型ＮＴＣサーミスタ
を示す図である。上記実施形態１及び２のＮＴＣサーミ
スタでは、基板１の一方の面（上面）にのみ感温抵抗膜
（サーミスタ膜）２を形成しているが、この実施形態３
のＮＴＣサーミスタは、図４(ａ)，(ｂ)に示すように、
基板１の上下両面側に感温抵抗膜（サーミスタ膜）２、
表面電極３を形成するとともに、基板１（素子４）の両
端部に、外部電極５を形成し、上下両面側の感温抵抗膜
２及び表面電極３の表面を絶縁コート材（ガラスコート
材）６により被覆した構造を有している。
【００２２】なお、この実施形態３のＮＴＣサーミスタ
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料は
上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じであ
る。また、この実施形態３のＮＴＣサーミスタも、上記
実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と同様の方法
により製造することができる。
において、基板、表面電極、外部電極などの構成材料は
上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じであ
る。また、この実施形態３のＮＴＣサーミスタも、上記
実施形態１のＮＴＣサーミスタの製造方法と同様の方法
により製造することができる。
【００２３】［実施形態４］図５(ａ)，(ｂ)は本発明の
さらに他の実施形態にかかるチップ型ＮＴＣサーミスタ
を示す図である。上記実施形態１，２及び３のＮＴＣサ
ーミスタでは、基板１（素子４）の両端面に、外部電極
５を形成しているが、この実施形態４のＮＴＣサーミス
タは、図５(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１の上面側に
感温抵抗膜（サーミスタ膜）２、表面電極３を形成し、
感温抵抗膜２の露出面を絶縁コート材（ガラスコート
材）６により被覆した構造を有しており、基板１（素子
４）の両端面に外部電極を形成していない。このように
用途によっては、外部電極を有しない構成とすることも
可能であり、製造工程を簡略化し、電極材料コストを減
らすことが可能になる。
さらに他の実施形態にかかるチップ型ＮＴＣサーミスタ
を示す図である。上記実施形態１，２及び３のＮＴＣサ
ーミスタでは、基板１（素子４）の両端面に、外部電極
５を形成しているが、この実施形態４のＮＴＣサーミス
タは、図５(ａ)，(ｂ)に示すように、基板１の上面側に
感温抵抗膜（サーミスタ膜）２、表面電極３を形成し、
感温抵抗膜２の露出面を絶縁コート材（ガラスコート
材）６により被覆した構造を有しており、基板１（素子
４）の両端面に外部電極を形成していない。このように
用途によっては、外部電極を有しない構成とすることも
可能であり、製造工程を簡略化し、電極材料コストを減
らすことが可能になる。
【００２４】なお、この実施形態４のＮＴＣサーミスタ
において、基板、表面電極などの構成材料は上記実施形
態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じである。また、こ
の実施形態４のＮＴＣサーミスタも、外部電極の形成工
程がないのみで、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの
製造方法と同様の方法により製造することができる。
において、基板、表面電極などの構成材料は上記実施形
態１のＮＴＣサーミスタの場合と同じである。また、こ
の実施形態４のＮＴＣサーミスタも、外部電極の形成工
程がないのみで、上記実施形態１のＮＴＣサーミスタの
製造方法と同様の方法により製造することができる。
【００２５】上記各実施形態では、電気絶縁基板として
アルミナ基板を用いた場合について説明したが、電気絶
縁基板としては、表面に酸化膜を設けて絶縁処理をした
Ｓｉ基板、あるいは、ガラス基板など、種々の基板を用
いることが可能であり、その場合にも同様の効果を得る
ことができる。
アルミナ基板を用いた場合について説明したが、電気絶
縁基板としては、表面に酸化膜を設けて絶縁処理をした
Ｓｉ基板、あるいは、ガラス基板など、種々の基板を用
いることが可能であり、その場合にも同様の効果を得る
ことができる。
【００２６】また、上記実施形態（実施形態１）では、
サーミスタ材料のスパッタターゲットとして、ＬａＣｏ
Ｏ３系希土類遷移元素酸化物の焼結体（成形体）を用い
た場合について説明したが、焼結体を粉砕した粉体を用
いることも可能である。
サーミスタ材料のスパッタターゲットとして、ＬａＣｏ
Ｏ３系希土類遷移元素酸化物の焼結体（成形体）を用い
た場合について説明したが、焼結体を粉砕した粉体を用
いることも可能である。
【００２７】また、上記実施形態では、スパッタリング
法により感温抵抗膜（サーミスタ膜）を形成するように
した場合について説明したが、その他にも、アルコキシ
ド法などの薄膜形成方法、サーミスタ材料ペーストを基
板に塗布して焼き付けることにより厚膜（感温抵抗膜）
を形成する厚膜形成方法など、種々の方法で感温抵抗膜
（サーミスタ膜）を形成することが可能である。
法により感温抵抗膜（サーミスタ膜）を形成するように
した場合について説明したが、その他にも、アルコキシ
ド法などの薄膜形成方法、サーミスタ材料ペーストを基
板に塗布して焼き付けることにより厚膜（感温抵抗膜）
を形成する厚膜形成方法など、種々の方法で感温抵抗膜
（サーミスタ膜）を形成することが可能である。
【００２８】また、上記実施形態では、表面電極として
Ａｇ電極を形成したが、Ｐｔ、Ｐｄあるいはそれらの合
金など、感温抵抗膜とオーミック接触を得ることが可能
な材料を用いて表面電極を形成することが可能であり、
その場合にも同様の効果を得ることができる。また、表
面電極の形状を櫛歯形状とすることも可能であり、その
場合にも同様の性能を得ることが可能である。
Ａｇ電極を形成したが、Ｐｔ、Ｐｄあるいはそれらの合
金など、感温抵抗膜とオーミック接触を得ることが可能
な材料を用いて表面電極を形成することが可能であり、
その場合にも同様の効果を得ることができる。また、表
面電極の形状を櫛歯形状とすることも可能であり、その
場合にも同様の性能を得ることが可能である。
【００２９】本発明は、さらにその他の点においても、
上記実施形態に限定されるものではなく、基板の形状、
感温抵抗膜のパターンなどに関し、発明の要旨の範囲内
において、種々の応用、変形を加えることが可能であ
る。
上記実施形態に限定されるものではなく、基板の形状、
感温抵抗膜のパターンなどに関し、発明の要旨の範囲内
において、種々の応用、変形を加えることが可能であ
る。
【００３０】
【発明の効果】上述のように、本発明のＮＴＣサーミス
タは、電気絶縁基板上にＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素
酸化物からなる感温抵抗膜を形成するとともに、この感
温抵抗膜と導通するように一対の電極を配設することに
より、膜タイプのＮＴＣサーミスタを構成しているの
で、従来の、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金
属酸化物などからなるサーミスタ材料を用いたバルクタ
イプのＮＴＣサーミスタに比べて、応答速度を大幅に向
上させることができる。また、従来のバルクタイプのＮ
ＴＣサーミスタと同等の抵抗値（低抵抗値）を実現する
ことが可能になり、かつ、高温放置試験における抵抗変
化率を小さくして安定性、信頼性を向上させることがで
きる。
タは、電気絶縁基板上にＬａＣｏＯ３系希土類遷移元素
酸化物からなる感温抵抗膜を形成するとともに、この感
温抵抗膜と導通するように一対の電極を配設することに
より、膜タイプのＮＴＣサーミスタを構成しているの
で、従来の、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ系の遷移金
属酸化物などからなるサーミスタ材料を用いたバルクタ
イプのＮＴＣサーミスタに比べて、応答速度を大幅に向
上させることができる。また、従来のバルクタイプのＮ
ＴＣサーミスタと同等の抵抗値（低抵抗値）を実現する
ことが可能になり、かつ、高温放置試験における抵抗変
化率を小さくして安定性、信頼性を向上させることがで
きる。
【図１】(ａ)は本発明の一実施形態にかかるチップ型Ｎ
ＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す斜
視図である。
ＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す斜
視図である。
【図２】高温放置試験における放置時間と抵抗値変化率
の関係を示す線図である。
の関係を示す線図である。
【図３】(ａ)は本発明の他の実施形態にかかるチップ型
ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す
斜視図である。
ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成を示す
斜視図である。
【図４】(ａ)は本発明のさらに他の実施形態にかかるチ
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
【図５】(ａ)は本発明のさらに他の実施形態にかかるチ
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
ップ型ＮＴＣサーミスタの断面図、(ｂ)はその外観構成
を示す斜視図である。
【図６】従来の膜タイプのＮＴＣサーミスタの一例を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 基板（電気絶縁基板） ２ 感温抵抗膜（サーミスタ膜） ３ 表面電極 ４ 素子 ５ 外部電極 ６ 絶縁コート材（ガラスコート材）
Claims (2)
- 【請求項１】電気絶縁性基板と、 前記電気絶縁基板の表面に形成された、ＬａＣｏＯ３系
希土類遷移元素酸化物を主成分とする感温抵抗膜と、 前記感温抵抗膜と電気的に導通するように配設された一
対の電極とを具備することを特徴とするＮＴＣサーミス
タ。 - 【請求項２】電気絶縁性基板と、 前記電気絶縁基板の表面に形成された、ＬａＣｏＯ３系
希土類遷移元素酸化物を主成分とする感温抵抗膜と、 前記感温抵抗膜と電気的に導通するように該感温抵抗膜
の両端部に配設された一対の電極と、 前記一対の電極と電気的に導通するように、前記基板の
両端部に配設された外部電極とを具備することを特徴と
するチップ型ＮＴＣサーミスタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31603298A JP3489000B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 |
| US09/427,854 US6368734B1 (en) | 1998-11-06 | 1999-10-27 | NTC thermistors and NTC thermistor chips |
| DE19953161A DE19953161A1 (de) | 1998-11-06 | 1999-11-04 | NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips |
| KR1019990048543A KR100324098B1 (ko) | 1998-11-06 | 1999-11-04 | Ｎｔｃ 써미스터 및 칩형의 ｎｔｃ 써미스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31603298A JP3489000B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150204A true JP2000150204A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3489000B2 JP3489000B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=18072505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31603298A Expired - Fee Related JP3489000B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Ｎｔｃサーミスタ、チップ型ｎｔｃサーミスタ及び感温抵抗薄膜素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3489000B2 (ja) |
| KR (1) | KR100324098B1 (ja) |
| DE (1) | DE19953161A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010277054A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Shibaura Electronics Co Ltd | 定着器用温度センサ |
| JP2016050786A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
| US9754705B2 (en) | 2014-11-04 | 2017-09-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resistor, method of manufacturing the same, and board having the same |
| US10788377B2 (en) | 2015-11-02 | 2020-09-29 | Epcos Ag | Sensor element and method for producing a sensor element |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10159451A1 (de) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit einem negativen Temperaturkoeffizienten |
| WO2007014400A2 (en) * | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Center For Multidisciplinary Studies Of The Belgrade University | Three dimensional anemometer comprising thick film segmented thermistors |
| US7596998B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-10-06 | Therm-O-Disc, Incorporated | Liquid level sensor using thick film substrate |
| US7523661B2 (en) * | 2006-08-02 | 2009-04-28 | Honeywell International Inc. | Methods and systems for liquid volumetric measurement |
| WO2009111937A1 (zh) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | 电子科技大学 | Ntc薄膜热敏电阻及其制造方法 |
| CN102800449B (zh) * | 2012-07-26 | 2016-07-06 | 东莞市东思电子技术有限公司 | 一种片式热敏电阻器及其制造方法 |
| CN110070970B (zh) * | 2013-04-04 | 2022-06-03 | 罗姆股份有限公司 | 芯片构件、电路组件及电子设备 |
| JP2018146404A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | Koa株式会社 | 温度センサ素子 |
| US11525739B2 (en) * | 2018-05-08 | 2022-12-13 | Texas Instruments Incorporated | Thermistor die-based thermal probe |
| US20220364219A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Northrop Grumman Systems Corporation | LaCoO3 THIN FILM DEPOSITION BY DC METAL CO-SPUTTERING |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194479A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-30 | Ngk Insulators Ltd | Heating element |
| JPS63266801A (ja) | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Ooizumi Seisakusho:Kk | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JP2587426B2 (ja) | 1987-08-21 | 1997-03-05 | 石塚電子株式会社 | 薄膜サ−ミスタの製造方法 |
| JP3087645B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2000-09-11 | 株式会社村田製作所 | 負の急変抵抗温度特性を有する半導体磁器組成物 |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31603298A patent/JP3489000B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-27 US US09/427,854 patent/US6368734B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-04 KR KR1019990048543A patent/KR100324098B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-04 DE DE19953161A patent/DE19953161A1/de not_active Ceased
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010277054A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Shibaura Electronics Co Ltd | 定着器用温度センサ |
| JP2016050786A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 温度センサ |
| US9754705B2 (en) | 2014-11-04 | 2017-09-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Resistor, method of manufacturing the same, and board having the same |
| US10788377B2 (en) | 2015-11-02 | 2020-09-29 | Epcos Ag | Sensor element and method for producing a sensor element |
| US10908030B2 (en) | 2015-11-02 | 2021-02-02 | Epcos Ag | Sensor element and method for producing a sensor element |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100324098B1 (ko) | 2002-02-16 |
| US6368734B1 (en) | 2002-04-09 |
| KR20000035231A (ko) | 2000-06-26 |
| DE19953161A1 (de) | 2001-01-25 |
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